JP5977180B2 - 配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、外部との電気的な接続用の接続部を有する配線基板に関するものである。

半導体素子や容量素子，圧電振動子等の電子部品が搭載される配線基板として、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック質焼結体等からなる四角板状等の絶縁基板と、絶縁基板の主面に設けられた接続部とを備えたものが多用されている。接続部は、例えば電子部品または外部電気回路とはんだ等を介して電気的に接続される部分である。

接続部は、一般に、メタライズ層やめっき層等の金属層が絶縁基板の主面に円形状等のパターンで被着されて形成されている。また、絶縁基板の上面から金属層の外周にかけてセラミック層で被覆された接続部を有する配線基板も提案されている。この場合、金属層の絶縁基板に対する被着の強度が、セラミック層で高められる（例えば、特許文献１参照。）。

接続部の金属層に対する電子部品等の接続は、例えば、電子部品の電極と対向するように接続部を絶縁基板の上面に設けておいて、金やはんだ等の金属材料からなる凸状の金属端子を電子部品の電極の表面に接合し、この金属端子を接続部の金属層に溶融接合や超音波圧着等の方法で接続することにより行なわれる。複数の接続部は、通常、絶縁基板の内部や表面に形成された配線導体等を介して互いに電気的に接続される。

特開2005−286303号公報 特開2005−209881号公報

近年、配線基板の高集積密度化に対応して接続部が小さくなる傾向にあるため、接続部またはその周辺において、金属層と絶縁基板との間の剥離や、絶縁基板のクラック等の機械的な破壊が発生しやすくなってきているという問題点があった。

このような問題点に対しては、例えば金属層の外周部分を、絶縁層および他の金属層で被覆するということが考えられる（例えば特許文献２を参照。）。

しかし、近年、配線基板に搭載される電子部品の大型化等に対応して、配線基板も大型化している。そのため、電子部品の作動時に生じる熱応力がより大きくなる傾向にある。また、電子部品や外部電気回路に対する接続部の接続に用いられるはんだとして、錫−銀系等の、いわゆる鉛フリーはんだが多用されるようになってきている。このような鉛フリーはんだは、従来の錫−鉛はんだに比べて融点が高いため、上記熱応力がより大きくなる傾向がある。そのため、接続部またはその周辺における機械的な破壊を抑制することは、より難しくなってきている。本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、接続部等における機械的な破壊の抑制が可能な配線基板を提供することにある。

本発明の一つの態様による配線基板は、主面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記主
面に設けられた接続部とを含む配線基板であって、前記接続部は、前記絶縁基板の前記主面に設けられた第１金属層と、該第１金属層の外周部を被覆する第１絶縁コート層と、前記第１金属層の中央部から前記第１絶縁コート層の表面にかけて付着した第２金属層と、該第２金属層の外周部を被覆する第２絶縁コート層とを含んでいる。

本発明の一つの態様による配線基板によれば、接続部等における機械的な破壊の抑制が可能な配線基板を提供することができる。

すなわち、接続部において第１および第２金属層の外周部がそれぞれ第１および第２絶縁コート層で被覆されていることから、第１および第２金属層と、第１および第２絶縁コート層ならびに絶縁基板との接合面積が、従来の配線基板の接続部における金属層と絶縁基板（およびセラミック層等）との接合面積に比べて大きくなっている。

また、上記構成であるため、絶縁基板と第１絶縁コート層との間に第１金属層の外周部分が食い込み、第１絶縁コート層と第２絶縁コート層との間に第２金属層の外周部分が食い込んでいる。そのため、上記接合面積の増加に加えて、第１および第２金属層と、第１および第２絶縁コート層ならびに絶縁基板との間に生じる熱応力が効果的に分散される効果も得られる。したがって、接続部等における、熱応力に起因した機械的な破壊の抑制が可能な配線基板を提供できる。

本発明の実施形態の配線基板を示す断面図である。 （ａ）は図１に示す配線基板における要部を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。 図１に示す配線基板に外部回路基板が接続されたときの要部を示す要部拡大断面図である。

本発明の配線基板を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は本発明の実施形態の配線基板を示す断面図である。

図１に示す例において、配線基板10は、基本的に、絶縁基板１と、絶縁基板１の主面１ｓに設けられた接続部１Ａとによって形成されている。接続部１Ａを介して、配線基板10が外部の電気回路の所定部位と電気的に接続される。外部の電気回路は、例えば外部回路基板に設けられた電気回路、または配線基板10に搭載される電子部品の電子回路等である。

なお、以下の説明では、接続部１Ａが外部回路基板に接続されるものとして説明する。接続部１Ａについて、電子部品の電子回路と電気的に接続される場合でも、以下の説明と同様の構成により、同様の効果を得ることができる。外部回路基板に接続される接続部１Ａは、絶縁基板１の主面１ｓの一つである下面に設けられる。

絶縁基板１は、例えばガラスセラミック焼結体または酸化アルミニウム質焼結体等からなる複数の絶縁層（符号なし）が積層されて形成されている。絶縁層の積層数は、図１に示す例では４層であるが、これ以外の積層数でも構わない。

絶縁基板１を形成するガラスセラミック焼結体としては、ホウケイ酸系ガラスにセラミック成分として酸化アルミニウムを添加してなるものや、リチウム系ガラスを用いたもの等が挙げられる。

絶縁基板１は、例えば各絶縁層が、ホウケイ酸系ガラスにセラミック成分として酸化アルミニウムを添加してなるガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。すなわち、まず、酸化ケイ素，酸化ホウ素等のガラス成分の粉末に酸化アルミニウム等のセラミック粉末を添加した原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合してスラリーを作製する。次に、このスラリーをドクターブレード法やリップコータ法等のシート成形技術を採用してシート状に成形することによって複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工によって適当な形状とするとともにこれを複数枚積層し、最後にこの積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約900〜1000℃の温度で焼成
することによって製作することができる。

絶縁基板１は、例えば四角板状であり、上面に電子部品が搭載され、下面が外部回路基板と対向して実装される。電子部品としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子，容量素子，抵抗器，半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。

図２（ａ）は図１に示す配線基板10の要部を拡大して示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線における断面を示す断面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。

前述したように、この実施形態の例における接続部１Ａは、配線基板10を外部回路基板に接続するためのものである。この接続部１Ａは、絶縁基板１の主面１ｓの一つである下面に設けられている。

接続部１Ａは、二つの金属層と二つの絶縁コート層とが絶縁基板１の主面１ｓ（下面）に交互に被着して形成されている。二つの金属層は、第１金属層２および第２金属層３である。また、二つの絶縁コート層は、第１絶縁コート層４および第２絶縁コート層５である。このうち、第２金属層３および第２絶縁コート層５が絶縁基板１の下面に露出している。第１および第２金属層２，３と、第１および第２絶縁コート層４，５との詳しい構成については後述する。

第１および第２金属層２，３は、接続部１Ａのうちの導体部分であり、例えば外部回路基板の電気回路と電気的に接続される。第２金属層３のうち絶縁基板１の下面に露出した部分が、直接外部回路基板にはんだ等の導電性接続材を介して接続される部分であり、いわゆる電極パッドである。

この電極パッドに相当する部分は、図２（ａ）では円形のパターンを示しているが、四角形状等の多角形状または楕円形状等であっても構わない。

絶縁基板１の内部には、例えば接続部１Ａと電気的に接続された配線導体（図２では後述する貫通導体以外は図示せず）が設けられている。配線導体は、絶縁基板１の厚み方向の全部または一部を貫通する貫通導体６を含んでいる。貫通導体以外の配線導体としては、例えば、複数の絶縁層の層間や、絶縁基板１の主面１ｓまたは側面等に層状に設けられたものが挙げられる。層状の配線導体は、折れ線状等のいわゆる回路パターン状のものや、四角形状等のいわゆるべたパターン状のものが挙げられる。

この実施の形態の例においては、貫通導体６が接続部１Ａと電気的に接続されている。
貫通導体６を含む配線導体を介して、接続部１Ａと絶縁基板１の上面側等との間が通電される。貫通導体６が第１金属層２に接続されている場合、接続部１Ａの金属層の接着強度を向上させる効果を伴う。このとき、貫通導体６と第１金属層２の接合面積が大きいほうが、接着強度を向上させる効果が高い。そのため、貫通導体６の上面と下面の面積が異なる場合は、面積の大きい面を第１金属層２に接合させるとよい。

配線導体は、例えば、銅や銀、パラジウム、金、白金、タングステン、モリブデン等の金属材料によって設けられている。配線導体は、例えば銅または銅を主成分とする金属材料からなる場合であれば、銅等の金属ペーストを、絶縁層となるセラミックグリーンシートの主面等の表面に、スクリーン印刷法等の方法で塗布し、焼成することによって形成することができる。

接続部１Ａは、絶縁基板１の主面１ｓに形成された第１金属層２と、第１金属層２の外周部を被覆する第１絶縁コート層４と、第１金属層２の中央部から第１絶縁コート層４の表面にかけて付着した第２金属層３と、第２金属層３の外周部を被覆する第２絶縁コート層５とによって構成されている。

また、接続部１Ａが設けられた部分において、絶縁基板１の主面が凹状に（絶縁基板１の内部方向、図２における上方向に）屈曲している。つまり、接続部１Ａの一部または全部が絶縁基板１の内部側に押し込まれた（埋まった）ようになっている。

第１および第２金属層２，３は、例えば、上記配線導体と同様の金属材料からなる。また第１および第２金属層２，３は、上記配線導体と同様の方法で、絶縁基板１に設けることができる。すなわち、第１および第２金属層２，３は、例えば銅または銅を主成分とする金属材料からなり、メタライズ法によって所定パターンに（メタライズ層として）設けられている。

また、第１および第２絶縁コート層４，５は、例えば絶縁基板１を形成しているものと同様のガラスセラミック焼結体によって設けられている。このガラスセラミック焼結体は、例えば上記セラミックグリーンシートを作製するスラリーと同様の混合物であるセラミックペーストが焼結してなるものである。

第１および第２金属層２，３と、第１および第２絶縁コート層４，５とは、例えば以下の手順で設けることができる。以下の各印刷は、スクリーン印刷法等である。すなわち、まず、絶縁基板１の最表層の絶縁層となるセラミックグリーンシートの主面に銅の金属ペースト（第１金属ペースト）を円形状等のパターンに印刷する。次に、その金属ペーストの外周部からセラミックグリーンシートの主面にかけてセラミックペースト（第１絶縁ペースト）を円環状等のパターンで印刷する。次に、既に印刷した第１金属ペーストの中央部から第１絶縁ペーストの露出表面にかけて、銅の金属ペースト（第２金属ペースト）を円形状等のパターンで印刷する。次に、第２金属ペーストの外周部からセラミックグリーンシートの表面にかけてセラミックペースト（第２絶縁ペースト）を円環状等のパターンで印刷する。その後、セラミックグリーンシートに印刷した、第１および第２金属ペーストならびに第１および第２絶縁ペーストを加圧してセラミックグリーンシートを他のセラミックグリーンシートと積層して焼成すれば、接続部１Ａが設けられた絶縁基板１を作製することができる。

上記手順において、セラミックグリーンシートに印刷した第１および第２金属ペーストおよび第２絶縁ペーストは、加圧して互いに密着性を向上させるようにしてもよい。この加圧に伴い、第１および第２金属ペーストおよび第２絶縁ペースト、つまり焼成前の接続部１Ａがセラミックグリーンシートの内部方向に押し込まれる。なお、上記金属ペースト
および絶縁ペーストにおける「第１」および「第２」は、説明をわかりやすくするためのものであり、第１および第２金属ペーストが互いに同様のものでもよく、第１および第２絶縁ペーストが互いに同様のものでもよい。

上記のように、第２金属層３が外部に露出した部位が電極パッドとして機能する。電極パッドに、例えば図３に示すように、外部回路基板９の電気回路の所定部位（符号なし）が、はんだ（はんだバンプ）等の導電性接続材８を介して電気的に接続される。なお、図３は、図１に示す配線基板10に外部回路基板９が接続されたときの要部を示す要部拡大断面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。

このような配線基板10によれば、接続部１Ａ等における機械的な破壊の抑制が可能な配線基板を提供することができる。

すなわち、接続部１Ａにおいて第１および第２金属層２，３の外周部がそれぞれ第１および第２絶縁コート層４，５で被覆されていることから、第１および第２金属層２，３と、第１および第２絶縁コート層４，５ならびに絶縁基板１との接合面積が、従来の配線基板の接続部（図示せず）における金属層と絶縁基板およびセラミック層等との接合面積に比べて大きい。

すなわち、互いに熱膨張率（線膨張係数）が異なる、第１および第２金属層２，３からなる金属部分と、第１および第２絶縁コート層４，５ならびに絶縁基板１（特に第１金属層２が被着された部分）からなる絶縁材部分との接合面積が、より大きくなる。これらの金属部分と絶縁材部分との間には、上記熱膨張率の差に起因して熱応力が生じるが、上記のように互いの接合面積が大きくなっているため、熱応力による、金属部分と絶縁材部分との間の剥離が効果的に抑制される。

また、絶縁基板１と第１絶縁コート層４との間に第１金属層２の外周部分が食い込み、第１絶縁コート層４と第２絶縁コート層５との間に第２金属層３の外周部分が食い込んでいる。そのため、上記接合面積の増加に加えて、第１および第２金属層２，３と、第１および第２絶縁コート層４，５ならびに絶縁基板１との間に生じる熱応力による金属部分と絶縁材部分との剥離がより効果的に抑制される。したがって、接続部１Ａ等における、熱応力に起因した機械的な破壊の抑制が可能な配線基板10を提供できる。

すなわち、単に金属部分と絶縁材部分との接合面積が大きくなるだけではなく、両者の接合面の形状が、凹凸状に入り組んだ形状になる。これにより、いわゆるアンカー効果の増大が期待できる。また、熱応力が主に作用する水平方向に対して交差する方向にも、金属部分と絶縁材部分との複数の接合面が存在するようになる。したがって、上記効果が得られる。

なお、ここで、従来の技術（例えば特許文献２に示されている技術）の配線基板（図示せず）の場合には、上記のような効果を得ることが難しい。すなわち、例えば特許文献２に示されている技術では、セラミック層に埋設された電極パターンからなる下地層と、その外縁部の少なくとも一部を被覆する絶縁層と、下地層と絶縁層に重ねて印刷形成された電極パターンからなる上部層で接続部を形成することによって接続部の強度を向上させているが、上部層の外縁部にまで、はんだ等の導電性接続材が接合される。そのため、上部層の外縁部に熱応力が集中し、上部層の外縁部から剥離したり、上部層の外周部の直下に位置する絶縁層がクラックの起点になってしまう可能性が考えられる。これに対し、実施形態の配線基板においては、第２絶縁コート層５によって、はんだ等の導電性接続材８が第２金属層３の外縁部から内周にずれた位置に接合されるため、第２金属層３の外縁部からの剥離を防止することができる。そのため、接続部１Ａ等における機械的な破壊が、従
来技術に比べて効果的に抑制される。

電極パッドは、酸化を防ぐために、ニッケル、銅および金等の少なくとも１種の金属材料からなるめっき金属層７や、はんだ層（図示せず）が被着されていてもよい。なお、絶縁基板１に設けられるすべての電極パッドが、上記接続部１Ａを形成している第２金属層３からなるものでなくても構わない。接続部１Ａの第２金属層３以外の構成の電極パッド（図示せず）としては、例えば、絶縁基板１の下面に第２金属層３と同様の銅等の金属材料が被着されてなるものが挙げられる。言い換えれば、電極パッドは、従来技術の配線基板における電極パッドと同様の構成ものを含んでいても構わない。

なお、従来技術の電極パッドを絶縁基板１に設ける場合、例えば、熱応力がかかりやすい絶縁基板１の下面の外周部のみや、四角部のみに上記構成の接続部１Ａを設けて電極とし、中央部の電極パッドを従来技術の電極パッドとしてもよい。

また、最初に述べたように、絶縁基板１の上面に、上記構成の接続部（図示せず）が配置され、この接続部の第２金属層３が電極パッドとして機能してもよい。この場合の電極パッドは、例えば、絶縁基板１の上面に搭載される電子部品と電気的に接続される。

接続部１Ａ等における機械的な破壊を抑制する効果を得る上で、第１金属層２は、その外周部の全周にわたって、第１絶縁コート層４で被覆されていることが好ましい。また、第２金属層３は、その外周部の全周にわたって、第２絶縁コート層５で被覆されていることが好ましい。

また、実施形態の配線基板10において、第１金属層２および第２金属層３は、第１絶縁コート層４または第２絶縁コート層５が被覆しているそれぞれの外周部の上面が、断面視で、中央部の上面よりも下方に位置している。言い換えれば、第１および第２金属層２，３は、外周部において絶縁基板１の内部側に傾斜している。この場合には、第１および第２金属層２，３の外周部が絶縁基板１のより内部側に位置する。これに伴い、第１および第２絶縁コート層４，５も絶縁基板１の内部側に傾斜する。すなわち、接続部１Ａのうち熱応力が最も大きく作用する外周部が、より大きく絶縁基板１の内部側に入り込み、接続部１Ａと絶縁基板１（絶縁層）との接合面積が増える。そのため接続部１Ａの絶縁基板１からのはがれ等をより効果的に抑制することができる。

第１および第２金属層２，３のうち上記のように傾斜した外周部は、例えば第１および第２金属層２，３が平面透視で円形状の場合であれば、それぞれの直径の10〜40％程度の範囲に設定されていればよい。すなわち、例えば、平面透視において円形状である第１および第２金属層２，３のそれぞれの外周部の円環状の部分が、絶縁基板１の内部側に傾斜していてもよい。また、この円環状の部分の幅が、例えば第１および第２金属層２，３それぞれの直径の約10〜40％程度に設定されていてもよい。

この場合、第１金属層２の外周部の傾斜の角度と、第２金属層３の外周部の傾斜の角度とは、互いに同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、第１金属層２の外周部の傾斜の角度と、第２金属層３の外周部の傾斜の角度とが互いに異なっている場合、これらの傾斜の角度は、第１および第２金属層２，３のそれぞれの外周部が第１および第２絶縁コート層４，５で被覆され得るような角度に設定される。すなわち、第１金属層２の外周部と第２金属層３の外周部が、第１および第２絶縁コート層４，５ならびに絶縁基板１の間に食い込んだ形態とする必要がある。

なお、例えば図１に示すような、第１金属層２および第２金属層３の外周部が傾斜している上記形態については、接続部１Ａが設けられた部分において絶縁基板１の主面１ｓが
絶縁基板１の内部側に屈曲していて、外周部ほどより大きく屈曲している形態とみなすこともできる。また、接続部１Ａの大部分が絶縁基板１内に埋まっていて、接続部１Ａの外周部ほど、その埋まる深さが深くなっている形態とみなすこともできる。

また、実施形態の配線基板10は、平面透視において、第１絶縁コート層４の内周の位置が、第２絶縁コート層５の内周の位置の外周側に位置している。この場合には、接続部１Ａ等における、熱応力に起因した機械的な破壊のより効果的な抑制が可能な配線基板を提供できる。

すなわち、金属部分と絶縁材部分との間に生じる熱応力は、第２金属層３表面の接続パッドとして機能する部分の外周部において大きくなる傾向がある。これに対して、上記構成の場合には、この熱応力が大きくなる位置の直下に金属部分を確実に厚く配置させることができる。すなわち、金属層や絶縁層を印刷した際にズレが生じたとしても、第１および第２金属層２，３が連続している部分を配置することができる。そのため、接続部１Ａおよびそれに接する絶縁基板１に作用する熱応力が最も大きくなる部位に厚く配置した金属層により、熱応力の効果的な緩和が可能になり、接続部１Ａ等における機械的な破壊をより効果的に抑制することができる。

なお、平面透視における、第１絶縁コート層４の内周の位置と、第２絶縁コート層５の内周の位置とのずれの程度は、絶縁基板１の大きさ（平面視における外形寸法および厚さ）や、配線基板10に搭載される電子部品の大きさおよび作動時の発熱量、接続部１Ａが設けられた位置等の、接続部１Ａに作用する熱応力に影響を与える条件、ならびに生産性等に応じて、適宜設定すればよい。

また、絶縁基板１上に金属部分を厚く形成する手法に比べて、上記のような構成で２回に分けて金属部分を厚く形成するため、金属部分の厚みばらつきを小さく抑えることができ、さらに、金属部分を確実に絶縁基板１に接着させることができる。

また、上記例においては、金属層および絶縁コート層を２層ずつ交互に重ねた構造であるが、各層数を増やして、交互に重ねた構造であっても構わない。

また、実施形態の配線基板10は、第１金属層２および第２金属層３の少なくとも一方がガラスを含有していてもよい。焼成時に第１金属層２と第２金属層３の金属層界面や、第１および第２金属層２，３の少なくとも一方と絶縁基板１および第１および第２絶縁コート層４，５等との金属層と絶縁層の界面において、ガラスが拡散することで、接合をより強固なものとすることができる。そのため、接続部１Ａ等における、熱応力に起因した機械的な破壊のより効果的な抑制が可能になる。また、金属層にガラスを添加することで、金属層の焼成時の収縮タイミングが絶縁層の収縮タイミングと近づくため、金属層と絶縁層の界面にボイドを生じさせることなく、接続強度を高くできる。また、絶縁基板１および第１絶縁コート層４および第２絶縁コート層５がガラスセラミック質焼結体からなる場合は、絶縁基板１および第１絶縁コート層４および第２絶縁コート層５に含まれるガラス成分と同じガラス成分であるホウケイ酸系ガラスやリチウム系ガラス等を含有させればよい。このようなガラス成分を含有させることで、焼成時に、絶縁層と金属層のガラスの流動が同一温度で起こるため、絶縁層と金属層間に跨るようにガラスが析出し、アンカー効果により、絶縁層と金属層間の接合強度が向上する。また、焼成後に針状結晶が析出するようなガラス成分を含有させることで、アンカー効果を高めることができる。

この場合、第２金属層３のガラス含有率が、第１金属層２のガラス含有率よりも小さいことが好ましい。第２金属層３のガラス含有率が第１金属層２のガラス含有率よりも小さい場合には、上記のような接続部１Ａ等における機械的な破壊の抑制に加えて、第２金属層３の電極パッドに相当する部分に対するめっき金属層７の被着性およびはんだ(導電性
接続材８）の濡れ性を向上することが可能な配線基板を提供できる。

すなわち、第２金属層３の電極パッドに相当する部分にガラスがより多く存在した場合、ガラス表面は導電性がないため電解めっき被膜は被着しない。また、ガラスの表面は第２金属層３を形成している金属材料等の金属の表面に比べて活性が低いため、無電解めっき被膜も形成することが難しい。電極パッドの表面にガラスが存在している場合、ガラスの表面ははんだ（導電性接続材８）の濡れ性が低いため、はんだ層を設けることが難しい。これに対し、第２金属層３のガラス含有率が比較的小さい場合には、第２金属層３のうち電極パッドに相当する部分に、より確実にめっき被膜や、はんだ層を被着することが可能になる。

このとき、第２金属層３の第１絶縁コート層４および第２絶縁コート層への接合強度を効果的に高めることが難しいことも考えられる。しかし、配線基板を製作する際の焼成時に、第１金属層２に含有するガラスが第２金属層３に拡散することによって、第１金属層２と第２金属層３との界面を強固に接合できる。すなわち、第２金属層３全体としてのガラス含有率が比較的小さい場合でも、第２金属層３のうち第１金属層２との界面付近におけるガラス含有率が比較的多ければ、第２金属層３と第１ガラス２との間の接合強度が向上する。

また、前述したように、平面透視において、第１絶縁コート層４の内周の位置が、第２絶縁コート層５の内周の位置の外周側に位置していることで、第１金属層２と第２金属層３とが接触する面積を大きくすることもできる。そのため、接続部１Ａにおける各部位（第１金属層２、第２金属層３、第１絶縁コート層４および第２絶縁コート層５）間の接合強度をさらに大きくすることができる。

なお、第２金属層３は純銅からなるものとしてもよい。第２金属層２の一部である電極パッド上にめっき金属層７としてニッケルめっき被膜を被着させず、純銅の電極パッド上にはんだ層（ボール状等の導電性接続材８）を形成する場合がある。これは、はんだボール等の導電性接材８の取付け時において、ニッケルがはんだボール等の内部に拡散してしまい、ニッケルとスズによる脆い金属間化合物が形成することを防ぐためである。電極パッドを純銅のみで形成した場合、焼結時にガラスセラミック質の絶縁層との収縮タイミングが大きく異なるため、電極パッドが剥離してしまう可能性があるが、上記のように、第１金属層２にガラスを含有させることで、第１および第２金属層その界面の接合を強固にすることができる。

また、実施形態の配線基板10は、第２金属層３の中央部よりも外周部のガラス含有率が大きくても構わない。この場合には、接続部１Ａ等における、熱応力に起因した機械的な破壊のより効果的な抑制が可能な配線基板を提供できる。

すなわち、電極パッドとして主要な部分である第２金属層３の中央部において、ガラス含有率が比較的小さいことで、露出面におけるめっき被着性やはんだ濡れ性を向上させることができる。あわせて、第２金属層３の外周部のガラス含有率が比較的大きいことで、第２金属層３の外周部とガラスセラミック焼結体からなる第１絶縁コート層４および第２絶縁コート層５との接合強度を向上させることができる。焼成時に第１絶縁コート層４および第２絶縁コート層５に含まれるガラス成分を、第２金属層３の外周部に拡散させることによって、第２金属層３の外周部におけるガラス含有率を大きくすることが可能である。

なお、第１金属層２および第２金属層３については、いずれか一方でも、第１絶縁コー
ト層４または第２絶縁コート層５により被覆されている外周部が絶縁基板１の内部側に傾斜していれば、接続部１Ａの絶縁基板１からのはがれ等を抑制する効果を高めることができる。この場合、第１金属層２の第１絶縁コート層により被覆されている外周部が傾斜していることが望ましい。

すなわち、絶縁基板１の内部に位置していて、接続部１Ａの基礎部分となる第１金属層２が上記のように傾斜して絶縁基板１に対する接合の強度が向上すれば、接続部１Ａ全体としての絶縁基板１に対する接合強度をより効果的に高めることができる。

本発明の配線基板の一つの実施例として、ホウケイ酸系ガラス成分を含むガラスセラミック焼結体からなる絶縁層を20層積層した、外径35ｍｍ×35ｍｍ、厚み２ｍｍの絶縁基板の上面に、直径が約0.6ｍｍの電極パッドを50×50の並びに（2500個）配置した電子部品
搭載用基板を作製した。

実施例の配線基板において、第１および第２金属層２，３はいずれも銅のメタライズ層により設け、第１および第２絶縁コート層４，５はいずれも絶縁層と同様のガラスセラミック焼結体により設けた。

第１および第２金属層２，３は、それぞれ平面透視において直径が約0.8ｍｍの円形状
とした。第１絶縁コート層は幅が約0.7ｍｍの円環状とし、第２絶縁コート層は幅が約0.6ｍｍの円環状とした。第１絶縁コート層の内周の位置は、第２絶縁コート層の内周の位置に対して平面透視で約0.05ｍｍ程度、外側とした。

また、比較例の配線基板として、平面透視において直径が約0.8ｍｍの円形状の金属層
と、その金属層の外周部を被覆する、幅が約0.6ｍｍの円環状の絶縁層とからなる接続部
を設けた配線基板を作製した。

それぞれ30個の上記実施例および比較例の配線基板について、直径0.6ｍｍの鉛フリー
はんだボール（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）を電極パッドに接続させ、ボールプル試験（クランプ圧力１ｂａｒ（0.1ＭＰａ），試験速度５ｍｍ／ｍｉｎ）にて接続強度を測定した。

その結果、比較例の配線基板では、2.8ｋｇｆ（約27Ｎ）であったのに対して、実施例
の電子部品搭載用基板では、3.2ｋｇｆ（約31.4Ｎ）となった。また、比較例の配線基板
では、絶縁層部での破断あったのに対して、上記実施例の配線基板では、はんだ内部での破断であった。

また、それぞれ10個の上記実施例および比較例の配線基板について、電極パッドに接続した直径0.6ｍｍの鉛フリーはんだボール（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）を介して、外部回路基板
と接合させた実装体について、温度サイクル試験（−40℃〜85℃）を行なった。比較例の配線基板では、50サイクル程度で電気導通不良が発生したのに対して、上記実施例の配線基板では、600サイクル程度で電気導通不良が発生した。

以上により、実施例の配線基板における、外部回路基板の電極との接続強度および接続信頼性の向上が確認された。

１・・・絶縁基板
１Ａ・・接続部
１ｓ・・絶縁基板の主面
２・・・第１金属層
３・・・第２金属層
４・・・第１絶縁コート層
５・・・第２絶縁コート層
６・・・貫通導体
７・・・めっき金属層
８・・・導電性接続材
９・・・外部回路基板
10・・・配線基板

Claims (7)

1. 主面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記主面に設けられた接続部とを備える配線基板であって、
   前記接続部が、
   前記絶縁基板の前記主面に設けられた第１金属層と、
   該第１金属層の外周部を被覆する第１絶縁コート層と、
   前記第１金属層の中央部から前記第１絶縁コート層の表面にかけて付着した第２金属層と、該第２金属層の外周部を被覆する第２絶縁コート層とを備えていることを特徴とする配線基板。
2. 前記第１金属層および前記第２金属層は、前記第１絶縁コート層または前記第２絶縁コート層により被覆されているそれぞれの前記外周部が、前記絶縁基板の内部側に傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 平面透視において、前記第１絶縁コート層の内周が前記第２絶縁コート層の内周よりも外側に位置していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
4. 前記第１金属層および前記第２金属層がガラスを含有しており、前記第２金属層のガラス含有率が、前記第１金属層のガラス含有率よりも小さいことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の配線基板。
5. 前記第２金属層の前記ガラス含有率は、平面視における前記第２金属層の中央部よりも外周部において大きいことを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
6. 前記絶縁基板、前記第１絶縁コート層および前記第２絶縁コート層がガラスセラミック焼結体からなることを特徴とする請求項４または請求項５記載の配線基板。
7. 前記第１金属層は、前記第１絶縁コート層により被覆されている外周部が、前記絶縁基板の内部側に傾斜していること特徴とする請求項１に記載の配線基板。