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放熱体１７には、熱伝導性、放熱性の良い材料が用いられる。例えば、放熱体１７には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムシリコンカーバイド（ＡｌＳｉＣ）、アルミニウムカーバイド（ＡｌＣ）、シリコンゴム等を用いることができる。放熱体１７は、プレス加工や成形法等により形成することができる。
実装する電子部品１３には、ここでは一例としてチップコンデンサを用いる。基板１１には、このようなチップコンデンサの一対の電極１３ａに合わせて、上記電極パッド１１ｂが設けられる。電子部品１３は、その電極１３ａが半田等の導電性の接合部材（図３では図示を省略）を用いて電極パッド１１ｂに接続され、基板１１に実装される。
次いで、このようにして基板１１の上に実装された半導体素子１２及び電子部品１３を封止する封止材の位置合わせを行う。
図５は第１の実施の形態に係る封止材位置合わせ工程の一例の説明図である。尚、図５において、（Ａ）は断面模式図、（Ｂ）は平面模式図であり、（Ａ）は（Ｂ）のＬ５−Ｌ５断面模式図である。
次いで、図１３（Ｂ）のように、半田の熱伝導材１６を、放熱体１７０と半導体素子１２で挟み、固定する。半田の熱伝導材１６の表面には、通常、図１５のように、酸化膜１６ａが形成されている。尚、図１５では、熱伝導材１６の側面にのみ酸化膜１６ａを図示しているが、酸化膜１６ａは、熱伝導材１６と接合層１８及び放熱体１７０（接合層が形成されていればその接合層）との間にも存在し得る。
図１９は組み立て工程の一例を示す断面模式図である。尚、図１９（Ａ），（Ｂ）は組み立て工程の平面模式図である。
図１９のように、基板１１を上側、放熱体１７０を下側にして加熱と押圧を行った場合にも、上記同様、熱伝導材１６の表面の酸化膜が破れ、そこから内部の熱伝導材１６が流出する。例えば、図１９（Ａ）のように、その熱伝導材１６の流出部１６ｂに空気１００が含まれている、或いは流出の過程で空気１００が取り込まれる場合がある。その場合、その空気１００の加熱による膨張、押圧による収縮により、図１９（Ｂ）のように、流出部１６ｂの破裂が起こり、周囲に熱伝導材１６が飛散する場合がある。飛散した熱伝導材１６は、流出部１６ｂ付近の半導体素子１２の側面やアンダーフィル樹脂１５の表面（フィレット部）のほか、電子部品１３や基板１１にも付着し得る。飛散して付着した熱伝導材１６の場所や量によっては、短絡等の電気的不具合が起こり得る。
このほか、突起１７ｂは、図２４（Ａ）のような四角柱形状とすることができ、また、空気の取り込みをより効果的に抑制する観点から、図２４（Ｂ）のようにその根元部分１７ｃをテーパ状としたり、図２４（Ｃ）のように角錐台形状としたりすることもできる。
突起１７ｂを設けていない放熱体１７０を用いる半導体装置の組み立てでは、熱伝導材１６と半導体素子１２の位置ずれが比較的生じ易い。熱伝導材１６と半導体素子１２が位置ずれした状態で接合されると、半導体素子１２の上面側に熱伝導材１６で被覆されない領域ができ、動作時の半導体素子１２から放熱体１７０への伝熱性が低下する（熱抵抗が高くなる）可能性がある。その結果、半導体素子１２の過熱が起こって半導体素子１２の動作不良が発生する恐れがあり、また、半導体装置の組み立ての歩留まりも低下する。
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