JP2013108178A - 酸化亜鉛前駆体およびこれを用いた酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法 - Google Patents
酸化亜鉛前駆体およびこれを用いた酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】
前記式中、R1およびR2は水素またはCnH2n+1を表す。好ましくは、前記nは1〜3であり、より好ましくは、前記R1およびR2は水素、メチル基、エチル基、またはi−プロピル基を含む。また、蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給し、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。
【選択図】図3
Description
CVD装置の蒸着チャンバの加熱部にガラス基板をセットし、蒸着チャンバ内の真空度を1.0×10−6torrに設定した後、キャニスター内部の温度を130℃温度に設定するとともに基板の温度を350℃に保持した。ガス流量制御器にて20sccm/minの流量でガスをビス(シクロペンタジエニル)亜鉛前駆体に供給して原料の気化を助けるとともに、140℃に加熱されたキャリアガス供給ラインを介してアルゴンガスを50sccm/minの流量で供給して、酸素ガスを5sccm/minの流量で供給し、数分間ガラス基板上に酸化亜鉛系薄膜を形成させた。
CVD装置の加熱部にガラス基板をセットし、CVD装置を常圧に設定した後、キャニスター内部の温度を130℃温度に設定するとともに、基板の温度を350℃に保持した。ガス流量制御器にて500sccm/minの流量でガスをビス(シクロペンタジエニル)亜鉛前駆体に供給して原料の気化を助けるとともに、140℃に加熱されたキャリアガス供給ラインを介してアルゴンガスを200sccm/minの流量で供給し、酸素ガスを300sccm/minの流量で供給して、20分間シリコン基板上に酸化亜鉛系薄膜を形成させた。
102:上部電極
103:下部電極
105:基板
111:キャリアガス供給部
113:キャニスター
115、117:酸化剤供給部
Claims (10)
- 酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体であって、下記の化学式で示されるジルコノセン(zincocene)、またはその誘導体であることを特徴とする酸化亜鉛前駆体。
- 前記nは1〜3であることを特徴とする請求項1に記載の酸化亜鉛前駆体。
- 前記R1およびR2は、水素、メチル基、エチル基、またはi-プロピル基を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の酸化亜鉛前駆体。
- 前記R1とR2とが同一の対称化合物であるか、若しくは前記R1とR2とが異なる非対称化合物であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の酸化亜鉛前駆体。
- 常圧化学気相蒸着用酸化亜鉛前駆体であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の酸化亜鉛前駆体。
- 蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、
請求項1ないし5のいずれかに記載の前記酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給し、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、
を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法。 - 常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着することを特徴とする請求項6に記載の酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法。
- 前記酸化亜鉛前駆体を気化した後、気体状態で前記蒸着チャンバに供給することを特徴とする請求項6または7に記載の酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法。
- 前記酸化剤は、酸素ガス、オゾンガス、窒素酸化物ガス、水蒸気、およびアルコールの蒸気のうち少なくとも一種であることを特徴とする請求項6乃至8の何れか一項に記載の酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法。
- 前記基板は、シリコン基板、サファイア基板、セラミックス基板、ガラス基板、金属酸化物基板、または金属基板であることを特徴とする請求項6乃至9の何れか一項に記載の酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法。
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