JP2013103863A5 - β−Ｇａ２Ｏ３単結晶及びその製造方法 - Google Patents
β−Ｇａ２Ｏ３単結晶及びその製造方法 Download PDFInfo
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Description
本発明は、β−Ｇａ２Ｏ３ 単結晶及びその製造方法に関する。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、β−Ｇａ２Ｏ３結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ−Ｇａ２Ｏ３ 単結晶及びその製造方法を提供することにある。
すなわち、本発明は、上記目的を達成するために、［１］〜［４］のβ−Ｇａ２Ｏ３ 単結晶及びその製造方法を提供する。
［３］前記第２ステップにおいて、前記種結晶は、β−Ｇａ２Ｏ３融液を受容するルツボに立設されたスリットを有するダイの幅広面と（３１０）面もしくは（３−１０）面とが平行になるように固定され、前記種結晶をその［００１］方向に引き上げることにより前記β−Ｇａ２Ｏ３結晶を成長させる前記［１］に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３ 単結晶の製造方法。
［４］双晶密度が０．７本／ｃｍ〜３７本／ｃｍであるβ−Ｇａ ２ Ｏ ３ 単結晶。
［４］双晶密度が０．７本／ｃｍ〜３７本／ｃｍであるβ−Ｇａ ２ Ｏ ３ 単結晶。
Claims (4)
- ＥＦＧ法によるβ−Ｇａ２Ｏ３結晶の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、前記許容値が小さいほど種結晶の引き上げ方向に対する前記β−Ｇａ２Ｏ３結晶の肩広げ角度の目標値を大きく設定する第１ステップと、
前記第１ステップで設定した目標値の肩広げ角度で前記β−Ｇａ２Ｏ３結晶が成長するように結晶成長時における温度又は前記種結晶の引き上げ速度を制御して、前記β−Ｇａ２Ｏ３結晶を成長させる第２ステップとを有するβ−Ｇａ２Ｏ３ 単結晶の製造方法。 - 前記第２ステップにおいて、前記種結晶は、β−Ｇａ２Ｏ３融液を受容するルツボに立設されたスリットを有するダイの幅広面と（−２０１）面もしくは（１０１）面とが平行になるように固定され、前記種結晶をその［０１０］方向に引き上げることにより前記β−Ｇａ２Ｏ３結晶を成長させる請求項１に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３ 単結晶の製造方法。
- 前記第２ステップにおいて、前記種結晶は、β−Ｇａ２Ｏ３融液を受容するルツボに立設されたスリットを有するダイの幅広面と（３１０）面もしくは（３−１０）面とが平行になるように固定され、前記種結晶をその［００１］方向に引き上げることにより前記β−Ｇａ２Ｏ３結晶を成長させる請求項１に記載のβ−Ｇａ２Ｏ３ 単結晶の製造方法。
- 双晶密度が０．７本／ｃｍ〜３７本／ｃｍであるβ−Ｇａ ２ Ｏ ３ 単結晶。
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