CN106521625B - 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用 - Google Patents

掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用 Download PDF

Info

Publication number
CN106521625B
CN106521625B CN201611153445.9A CN201611153445A CN106521625B CN 106521625 B CN106521625 B CN 106521625B CN 201611153445 A CN201611153445 A CN 201611153445A CN 106521625 B CN106521625 B CN 106521625B
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
gallium oxide
tetravalence
chromium
mixing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611153445.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106521625A (zh
Inventor
贾志泰
穆文祥
陶绪堂
尹延如
胡强强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong University
Original Assignee
Shandong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong University filed Critical Shandong University
Priority to CN201611153445.9A priority Critical patent/CN106521625B/zh
Publication of CN106521625A publication Critical patent/CN106521625A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106521625B publication Critical patent/CN106521625B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/34—Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/02—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the solid state

Abstract

本发明涉及掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用，该晶体分子式为β‑(Ga1‑x‑yCrxAy)2O3，0.001<x<0.3，0<y<0.3，A为正二价金属元素。本发明通过在β‑Ga2O3晶体中掺入Cr或者Cr与二价金属阳离子双掺，获得四价Cr掺杂的β‑Ga2O3晶体，该晶体是一种性能优良的可饱和吸收材料。该晶体物理化学性质稳定，热导率高，也可以作为激光晶体使用。

Description

掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用
技术领域
本发明涉及一种新型光学晶体及制备方法与应用，特别涉及掺四价铬氧化镓晶体及其制备方法与应用，属于晶体与器件技术领域。
背景技术
掺四价铬的光学晶体材料在光学领域具有重要的应用价值，可以作为激光晶体、可饱和吸收体等元件使用。当前应用较广的此类材料主要包括掺四价铬的YAG晶体、掺四价铬的GGG晶体等，探索性能更优异的，尤其是热导率更高的掺四价铬的光学晶体具有重要的实际应用价值。
因为具有高能量和短脉冲的优点，脉冲激光引起了各行业的广泛关注。脉冲激光广泛应用在通讯、科学研究、医学、加工等领域。调Q技术是产生微秒及纳秒脉冲激光的常用技术，相对于主动调Q技术，被动调Q技术可以有效的提高激光器的效率和稳定性，且具有结构紧凑、经济、全固化的特点。在激光腔内加入可饱和吸收体，可以实现对激光的被动调制。常用的可饱和吸收体有染料、无机色心晶体、过渡金属掺杂的晶体材料等。其中过渡金属掺杂的晶体材料具有较好的稳定性及优良的物理化学性质，成为常用的可饱和吸收材料。虽然目前四价铬掺杂的YAG晶体等材料已经可以实现被动调Q输出，但是激光运转过程中会形成大量的热，如果热量不能及时传递出去，会导致激光稳定性降低，甚至会导致可饱和吸收材料的损坏，因此寻找合适的高热导率晶体是提高脉冲激光能量及稳定性的有效途径。
四价铬离子晶体通常在近红外波段(1.1～1.6μm)有较宽的发射谱带，该波段的激光在光纤通讯、生物、化学、环境监测等方面有重要的应用价值。铬离子的3d轨道电子缺少外层电子的屏蔽作用，因此离子d-d轨道跃迁受到晶格场的影响很大，这有效地丰富了铬离子的光谱性能及激光的输出波长。因此，探索热学、光学性能优异的基质晶体，有利于拓宽四价铬离子激光的应用范围。
中国专利文件CN1648289A公开了一种双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法,该晶体的结构式为:Ca3z/2Yb3yGd3(1-yz/2)Ga5-xCrxO12,主要是采用氧化钆、氧化镓、氧化镱、氧化铬为原料按照比例采用固相合成法制备原料,在98％氮气+2％氧气条件下采用提拉法生长自调Q激光晶体。但是，该晶体热导率相对较低，在高功率激光方面应用受限。此外，该晶体为自调Q晶体，容易实现对自身激光的调制，但不方便实现对其他激光的调制，限制了其应用范围。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明提供一种掺四价铬氧化镓晶体及其制备方法与应用，该晶体可以作为1μm附近激光的可饱和吸收材料及近红外激光晶体材料。
术语说明：
室温：本发明所述的室温指20～25℃。
本发明的技术方案如下：
一种掺四价铬氧化镓晶体，该晶体分子式为β-(Ga1-x-yCrxAy)2O3，0.001&lt;x&lt;0.3，0&lt;y&lt;0.3，A为正二价金属元素。
根据本发明的晶体，优选的，所述的A为Mg、Ca或/和Zn。
根据本发明的晶体，优选的，0.005≤x≤0.1，0.005≤y≤0.1。
根据本发明的晶体，优选的，基质晶体的b向热导率为25-30W/mK。
根据本发明，上述掺四价铬氧化镓晶体的制备方法，包括步骤如下：
(1)原料的选取和处理
按化学计量比将纯度99.999％的Ga2O3、Cr2O3和AO混合，在100-200℃下真空干燥，采用固相烧结法合成掺铬氧化镓多晶料，所述的A为Mg、Ca或/和Zn；
(2)导模法晶体生长
a、将掺铬氧化镓多晶料抽真空到1×10-4Pa，充入1％的高纯氧气和99％的高纯二氧化碳气体至一个大气压，均为体积百分比，升温使原料慢慢熔化，待原料全部熔化后继续升温10-30℃，恒温1-2小时后降回熔化温度，恒温1-2个小时；
b、调节好下种温度，将氧化镓籽晶缓慢下降并接触到铱金模具表面，使籽晶微熔并收颈。当籽晶直径收细至0.5-2mm时，进行放肩及等径生长；生长过程中晶体的提拉速度：5-20mm/h，晶体生长至所需尺寸时，升温5-10℃，恒温30分钟后，将晶体提脱；
c、晶体生长结束后，以10-30℃/小时的速率降温到室温；
d、将晶体在空气或者氧气气氛下高温退火，即得掺四价铬氧化镓晶体。
根据本发明晶体的制备方法，优选的，步骤(1)中固相烧结法合成掺铬氧化镓多晶料的烧结温度为1200-1450℃，烧结时间为40-50小时。步骤(1)处理过程中避免吸附水进入，可将干燥后的原料用液压机压成饼状再采用固相烧结法合成掺铬氧化镓多晶料。
根据本发明晶体的制备方法，优选的，步骤(2)d中退火程序如下：将生长获得的晶体升温到1250-1500℃，并恒温10-50小时，然后以15-20℃/h降到室温。
根据本发明，所述的掺四价铬氧化镓晶体作为可饱和吸收材料和激光晶体的应用。
本发明未详尽说明的，均按本领域现有技术。
本发明的原理及有益效果如下：
本发明在β-Ga2O3晶体中掺入Cr或者Cr与二价金属阳离子双掺，获得四价Cr掺杂的β-Ga2O3晶体，该晶体是一种性能优良的可饱和吸收材料。相比通常使用的可饱和吸收体材料(如:Cr4+:YAG晶体)，本发明晶体具备以下优越性：一方面，β-Ga2O3晶体为单斜晶系，其中Ga原子有四面体和八面体两种格位。Cr离子与Ga离子半径相近，容易实现掺杂，四价Cr离子取代四面体格位里的Ga离子后可实现对1微米附近激光的调制，同时也可以作为红外激光晶体材料应用。另一方面，β-Ga2O3晶体物理化学性质稳定，目前已经可以使用提拉法和导模法等方法实现大尺寸晶体生长，是一种有潜力的基质材料。β-Ga2O3晶体热导率可达27W/mK，远超过常用的YAG(13W/mK)晶体，较高的热导率有利于实现高能量的脉冲激光输出。掺四价铬的氧化镓晶体是一种新型的可饱和吸收材料及激光晶体材料，目前国内外还没有关于掺四价铬的氧化镓晶体生长及作为可饱和吸收体或激光晶体应用的相关报道。
附图说明
图1为实施例1制得的掺四价铬β-Ga2O3晶体切割抛光后的样品照片。
图2为应用例中激光实验装置的示意图。其中：1、半导体激光器，2、光纤耦合系统，3、聚焦系统，4、凹透镜，5、掺钕YAG晶体，6、铬镁双掺氧化镓晶体，7、输出的平透镜。
图3为应用例中在T＝5％，泵浦功率2.7W时，获得的脉冲序。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明，但不限于此。
实施例1：
x＝0.01，y＝0.02，A位为Mg，掺四价铬氧化镓晶体化学式为β-(Ga0.97Cr0.01Mg0.02)2O3。
掺四价铬氧化镓晶体制备方法如下：
(1)原料的选取和处理
按照化学计量比称取纯度99.999％的Ga2O3、Cr2O3、MgO，将原料放入混料机中充分混合48小时。混料完成后，将混好的原料在100-200℃下真空干燥2小时，避免吸附水进入生长系统内，并将干燥后的原料用液压机压成饼状。然后将料饼放入刚玉坩埚中，在1400℃下烧结48小时，获得铬镁双掺氧化镓多晶料。
(2)晶体生长
a、将压好的原料装入铱金坩埚中，并放置铱金模具、铱金后热器和保温材料，保温材料要求摆放水平且与坩埚同中心。抽真空到1×10-4Pa，充入1％的高纯氧气和99％的高纯二氧化碳气体至一个大气压，均为体积百分比。采用中频感应加热铱金坩埚，程序升温使原料慢慢熔化，待原料全部熔化后继续升温10-30℃，恒温1-2小时后降回原温度，恒温1-2个小时。
b、调节好下种温度，将氧化镓籽晶缓慢下降并接触到铱金模具表面，使籽晶微熔并收颈。当籽晶直径收细至0.5-2mm时，进行放肩及等径生长。晶体的提拉速度为15mm/h。晶体生长至所需尺寸时，升温5-10℃，恒温30分钟后，将晶体提脱。
c、晶体生长结束后，以30℃/h的速率降温到室温，出炉。
d、晶体生长结束后，对生长完成的晶体在空气气氛中高温退火，以消除晶体中的热应力及氧空位缺陷，并提高晶体中四价铬与三价铬的比例。具体退火程序如下：将生长获得的铬镁双掺氧化镓晶体在烧结炉中升温到1500℃并恒温30小时，然后缓慢降到室温。
实施例2：x＝0.02，y＝0.05，A位为Mg，掺四价铬氧化镓晶体化学式为β-(Ga0.93Cr0.02Mg0.05)2O3。
掺四价铬氧化镓晶体制备方法如下：
(1)原料的选取和处理
按照化学计量比称取纯度99.999％的Ga2O3、Cr2O3、MgO，将原料放入混料机中充分混合48小时。混料完成后，将混好的原料在100-200℃下真空干燥2小时，避免吸附水进入生长系统内，并将干燥后的原料用液压机压成饼状。然后将料饼放入刚玉坩埚中，在1400℃下烧结48小时，获得铬镁双掺氧化镓多晶料。
(2)晶体生长
与实施例1中(2)步骤不同的是：晶体的提拉速度将为10mm/h；晶体生长结束后，以20℃/h的速率降至室温。
实施例3：x＝0.02，y＝0.02，A位为Ca，掺四价铬氧化镓晶体化学式为β-(Ga0.96Cr0.02Ca0.02)2O3。
掺四价铬氧化镓晶体制备方法如下：
(1)原料的选取和处理
按照化学计量比称取纯度99.999％的Ga2O3、Cr2O3、CaO，将原料放入混料机中充分混合48小时。混料完成后，将混好的原料在100-200℃下真空干燥2小时，避免吸附水进入生长系统内，并将干燥后的原料用液压机压成饼状。然后将料饼放入刚玉坩埚中，在1400℃下烧结48小时，获得铬钙双掺的氧化镓多晶料。
(2)晶体生长
a、将压好的原料装入铱金坩埚中，并放置铱金模具、铱金后热器和保温材料，保温材料要求摆放水平且与坩埚同中心。抽真空到1×10-4Pa，充入1％的高纯氧气和99％的高纯二氧化碳气体至一个大气压，均为体积百分比。采用中频感应加热铱金坩埚，程序升温使原料慢慢熔化，待原料全部熔化后继续升温10-30℃，恒温1-2小时后降回原温度，恒温1-2个小时。
b、调节好下种温度，将氧化镓籽晶缓慢下降并接触到铱金模具表面，使籽晶微熔并收颈。当籽晶直径收细至0.5-2mm时，进行放肩及等径生长。晶体的提拉速度为10mm/h。晶体生长至所需尺寸时，升温5-10℃，恒温30分钟后，将晶体提脱。
c、晶体生长结束后，以30℃/h的速率降温到室温，出炉。
d、晶体生长结束后，对生长完成的晶体在空气气氛中高温退火，以消除晶体中的热应力及氧空位缺陷，同时提高晶体中四价铬与三价铬的比例。具体退火程序如下：将生长获得的铬镁双掺氧化镓晶体在烧结炉中升温到1500℃并恒温30小时，然后缓慢降到室温。
实施例4：x＝0.01，y＝0.02，A位为Mg和Ca等比例混合，掺铬氧化镓晶体化学式为β-(Ga0.97Cr0.01Mg0.01Ca0.01)2O3。
掺四价铬氧化镓晶体制备方法如下：
(1)原料的选取和处理
按照化学计量比称取纯度99.999％的Ga2O3、Cr2O3、MgO、CaO，将原料放入混料机中充分混合48小时。混料完成后，将混好的原料在100-200℃下真空干燥2小时，避免吸附水进入生长系统内，并将干燥后的原料用液压机压成饼状。然后将料饼放入刚玉坩埚中，在1400℃下烧结48小时，获得铬、镁、钙掺杂的氧化镓多晶料。
(2)晶体生长
a、将压好的原料装入铱金坩埚中，并放置铱金模具、铱金后热器和保温材料，保温材料要求摆放水平且与坩埚同中心。抽真空到1×10-4Pa，充入1％的高纯氧气和99％的高纯二氧化碳气体至一个大气压，均为体积百分比。采用中频感应加热铱金坩埚，程序升温使原料慢慢熔化，待原料全部熔化后继续升温10-30℃，恒温1-2小时后降回原温度，恒温1-2个小时。
b、调节好下种温度，将氧化镓籽晶缓慢下降并接触到铱金模具表面，使籽晶微熔并收颈。当籽晶直径收细至0.5-2mm时，进行放肩及等径生长。晶体的提拉速度为8mm/h。晶体生长至所需尺寸时，升温5-10℃，恒温30分钟后，将晶体提脱。
c、晶体生长结束后，以25℃/h的速率降温到室温，出炉。
d、晶体生长结束后，对生长完成的晶体在空气气氛中高温退火，以消除晶体中的热应力及氧空位缺陷，同时提高晶体中四价铬与三价铬的比例。具体退火程序如下：将生长获得的铬镁双掺氧化镓晶体在烧结炉中升温到1400℃并恒温35小时，然后缓慢降到室温。
实施例5：x＝0.005，y＝0.01，A位为Zn，掺铬氧化镓晶体化学式为β-(Ga0.985Cr0.005Zn0.01)2O3。
掺四价铬氧化镓晶体制备方法，同实施例1。
实施例6：x＝0.1，y＝0.1，A位为Mg，掺铬氧化镓晶体化学式为β-(Ga0.8Cr0.1Mg0.1)2O3。
掺四价铬氧化镓晶体制备方法，同实施例2。
实施例7：x＝0.2，y＝0.2，A位为Ca，掺铬氧化镓晶体化学式为β-(Ga0.6Cr0.2Ca0.2)2O3。
掺四价铬氧化镓晶体制备方法，同实施例3。
应用例
用实施例1获得的晶体实现1064nm附近激光的脉冲输出，将获得的晶体切割，抛光为5mm×5mm×1mm的晶片，如图1所示。激光实验装置如图2所示，沿光路依次为半导体激光器1、光纤耦合系统2、聚焦系统3、凹透镜4、掺钕YAG晶体5、铬镁双掺氧化镓晶体6、输出的平透镜7组成。
凹透镜的曲率半径为250mm，镀有808nm高透膜和1064nm高反膜，输出镜一面为808nm增透，一面为1064nm部分透过。当泵浦功率为2.7W时，输出镜透过率为5％时，实现了重复频率为220.7kHz的脉冲激光输出，脉冲宽度为558ns，如图3所示。

Claims (8)

1.一种掺四价铬氧化镓晶体，其特征在于，该晶体分子式为β-(Ga1-x-yCrxAy)2O3，0.001&lt;x&lt;0.3，0&lt;y&lt;0.3，A为正二价金属元素；
所述的A为Mg、Ca或/和Zn。
2.根据权利要求1所述的掺四价铬氧化镓晶体，其特征在于，0.005≤x≤0.1，0.005≤y≤0.1。
3.根据权利要求1所述的掺四价铬氧化镓晶体，其特征在于，掺四价铬氧化镓晶体的基质晶体β-Ga2O3的b向热导率为25-30W/mK。
4.权利要求1-3任一项所述的掺四价铬氧化镓晶体的制备方法，包括步骤如下：
（1）原料的选取和处理
按化学计量比将纯度99.999%的Ga2O3、Cr2O3和AO混合，在100-200℃下真空干燥，采用固相烧结法合成掺铬氧化镓多晶料，所述的A为Mg、Ca或/和Zn；
（2）晶体生长
a、将掺铬氧化镓多晶料抽真空到1×10-4 Pa，充入1%的高纯氧气和99%的高纯二氧化碳气体至一个大气压，均为体积百分比，升温使原料慢慢熔化，待原料全部熔化后继续升温10-30℃，恒温1-2小时后降回熔化温度，恒温1-2个小时；
b、缓慢下入氧化镓籽晶，使籽晶下入熔体后微熔并收颈，当籽晶直径收细至0.5-2 mm时，进行放肩及等径生长；生长过程中晶体的提拉速度：5-20 mm/小时，晶体生长至所需尺寸时，升温5-10℃，恒温30分钟后，将晶体提脱；
c、晶体生长结束后，以10-30℃/小时的速率降温到室温；
d、将晶体在空气或者氧气气氛下高温退火，即得掺四价铬氧化镓晶体。
5.根据权利要求4所述的掺四价铬氧化镓晶体的制备方法，其特征在于，步骤（1）中固相烧结法合成掺铬氧化镓多晶料时，同时掺入二价金属离子，多晶料的烧结温度为1200-1450℃。
6.根据权利要求4所述的掺四价铬氧化镓晶体的制备方法，其特征在于，步骤（1）中固相烧结法合成掺铬氧化镓多晶料的烧结时间为40-50小时。
7.根据权利要求4所述的掺四价铬氧化镓晶体的制备方法，其特征在于，步骤（2）d中退火程序如下：将生长获得的晶体升温到1250-1500℃，并恒温10-50小时，然后以15-20℃/小时降到室温。
8.权利要求1-3任一项所述的掺四价铬氧化镓晶体作为可饱和吸收材料或激光晶体材料的应用。
CN201611153445.9A 2016-12-14 2016-12-14 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用 Active CN106521625B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611153445.9A CN106521625B (zh) 2016-12-14 2016-12-14 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611153445.9A CN106521625B (zh) 2016-12-14 2016-12-14 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106521625A CN106521625A (zh) 2017-03-22
CN106521625B true CN106521625B (zh) 2018-12-28

Family

ID=58339453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611153445.9A Active CN106521625B (zh) 2016-12-14 2016-12-14 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106521625B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106868593B (zh) * 2017-01-06 2019-04-19 中国科学院上海光学精密机械研究所 高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法
CN107201543B (zh) * 2017-06-13 2020-10-27 山东大学 掺钛氧化镓晶体及其制备方法与应用
CN110104674A (zh) * 2019-05-13 2019-08-09 长春理工大学 掺杂铜镓氧非线性材料、可饱和吸收体和调q脉冲激光器
CN110295392A (zh) * 2019-06-17 2019-10-01 南京同溧晶体材料研究院有限公司 一种可调谐激光晶体掺铬钪酸钆及其制备方法
CN114214720B (zh) * 2021-12-15 2024-01-16 上海应用技术大学 二价金属离子掺杂的β-三氧化二镓晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5491483B2 (ja) * 2011-11-15 2014-05-14 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の成長方法
JP5879102B2 (ja) * 2011-11-15 2016-03-08 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３単結晶の製造方法
EP2851458A4 (en) * 2012-05-16 2015-12-09 Namiki Precision Jewel Co Ltd Single crystal gallium oxide and single crystal gallium oxide substrate
JP2013237591A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Namiki Precision Jewel Co Ltd 酸化ガリウム融液、酸化ガリウム単結晶、酸化ガリウム基板、および酸化ガリウム単結晶の製造方法
JP5865867B2 (ja) * 2013-05-13 2016-02-17 株式会社タムラ製作所 β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、並びにβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板の製造方法
CN103290471A (zh) * 2013-06-08 2013-09-11 中国科学院上海光学精密机械研究所 导模法生长片状氧化镓晶体的方法
CN103541008B (zh) * 2013-11-12 2016-01-06 上海硅酸盐研究所中试基地 一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置
CN104372408B (zh) * 2014-12-15 2017-03-22 山东大学 常压下提拉法生长大尺寸氧化镓单晶的方法
CN105603528B (zh) * 2016-03-04 2018-07-27 同济大学 一种具有热释光性能的氧化镓晶体及其制备方法
CN105970289A (zh) * 2016-08-01 2016-09-28 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种生长大尺寸氧化镓单晶的掺杂方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106521625A (zh) 2017-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106521625B (zh) 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用
JP5762715B2 (ja) 磁気光学材料、ファラデー回転子、及び光アイソレータ
CN101476156B (zh) 掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法
WO2010143593A1 (ja) 酸化物及び磁気光学デバイス
Jia et al. Study on crystal growth of large size Nd3+: Gd3Ga5O12 (Nd3+: GGG) by Czochralski method
CN107201543A (zh) 掺钛氧化镓晶体及其制备方法与应用
CN102787357A (zh) 一种2.7-3微米激光晶体及其制备方法
CN106676635B (zh) 一类碲酸盐晶体及其生长方法与应用
CN110284193B (zh) 一种tgg晶体生长方法及tgg晶体
CN101701355A (zh) 掺钕的铝酸钇钙激光晶体的提拉生长方法
CN102828247A (zh) 一种掺铒的铝酸钇钙激光晶体的制备方法
CN102560666B (zh) 一种石榴石结构复合激光晶体的制备方法
CN103628138B (zh) 大尺寸体块硼酸钙氧铽晶体及其生长与应用
CN104609849A (zh) Si/Ti掺杂的铽铝石榴石法拉第磁旋光透明陶瓷及其制备方法
CN102766906B (zh) 一类铒离子激活3微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法
Cao et al. Microwave-induced small size effect of (Ba, Sr) 3MgSi2O8: 0.06 Eu2+, 0.1 Mn2+ phosphor for 660 nm-featured bio-lighting
CN103451730B (zh) Cd4RO(BO3)3化合物、Cd4RO(BO3)3光学晶体及制法和用途
CN114108072A (zh) 稀土离子掺杂的GdScO3激光晶体制备及其应用
CN103696007B (zh) Nd, Er:GSAG激光晶体及其制备方法
CN103103610A (zh) 一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法
CN104711677A (zh) 一种自调q的石榴石晶体及其制作的自调q器件、自调q脉冲激光器
CN104386730A (zh) 一种Ho3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4激光晶体及其制备方法
CN1326297C (zh) 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法
CN109868502B (zh) 一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法
CN113699582A (zh) 一种掺铥bgso人眼安全激光晶体及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant