CN110295392A - 一种可调谐激光晶体掺铬钪酸钆及其制备方法 - Google Patents
一种可调谐激光晶体掺铬钪酸钆及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种可调谐激光晶体掺铬钪酸钆晶体及其制备方法。该晶体的化学式为Gd(Sc1‑xCrx)O3,其中x的取值范围为0.00001~0.3,该晶体属于正交晶系,a=5.45,b=5.75,c=7.93。采用导模法或提拉法,生长气氛为高纯氩。生长出质量较好、尺寸较大的Cr3+:GdScO3晶体,该晶体具有机械性能适中、可调谐激光波段宽的优点,是一种较好的可调谐激光晶体材料,其可调谐范围在650~1100nm之间。与现有技术相比,本发明掺铬钪酸钆激光晶体可采用钨或钼坩埚生长,与铱坩埚生长相比具有低成本优势。
Description
技术领域
本发明涉及光电子功能材料技术领域,尤其是涉及一种作为可调谐固态激光器中工作物质的激光晶体材料。
背景技术
可调谐激光是指在一定波长范围内(即宽光谱间隔内)激光波长可以连续改变的激光。可调谐激光技术,在科学技术和国防建设上具有十分重要的意义。可调谐激光器是各种激光光谱技术研究的主要技术设备,也是光学、光电子学、医学、生物学等研究的重要光源。在军事上,可调谐激光器将是未来光电子对抗的重要激光光源之一,如激光雷达,激光通信,激光水下探测和通信,激光遥感,激光致盲等。
自1963年L.F.Johnson等人采用闪光灯泵浦,在掺Ni2+的MgF2晶体中实现了第一个固态可调谐激光运转以来,人们发现了很多可调谐激光晶体,如Ti3+:Al2O3、Cr3+:Mg2SiO4、Cr3+:LiSrAlF6、Cr3+:BeAl2O4等,但由于各种原因,大多数可调谐激光晶体只限于作实验室工具,无法推向工业应用。目前研究最多的、已进入应用领域的可调谐激光晶体是Cr3+:BeAl2O4(紫翠宝石)、Ti3+:Al2O3(掺钛蓝宝石)和Cr3+:LiCaAlF6、Cr3+:LiSrAlF6,但是从晶体的可调谐波长范围、吸收系数、发射截面、泵浦方式和生长工艺等因素来综合考虑,目前还没有一种晶体能够很好地满足人们的需求。
Cr3+:BeAl2O4(紫翠宝石)晶体的主要缺点是:调谐范围在700~800nm之间,发射截面小(6×10-21cm2),所需的泵浦阈值高,而且还具有高损伤率和高热透镜效应等缺点,另外由于BeO剧毒,也给生长带来很大困难。
Ti3+:Al2O3晶体的主要缺点是:该晶体中Ti3+-Ti4+离子对的出现,使得在激光输出波段,即近红外波段出现吸收,影响了其激光性能,而且由于其激光上能级寿命短(只有3.2μs),需用短脉冲激光、Q开关激光、连续波激光或产生特别短脉冲的闪光灯泵浦,也进一步限制了它的应用。
Cr3+:LiCaAlF6、Cr3+:LiSrAlF6晶体尽管具有调谐范围较宽,发射截面大,所需的泵浦阈值低等诸多优点。但也存在着吸收系数小、LD泵浦的激光效率低等问题。因此,寻找可调谐范围更宽,且能够直接使用闪光灯和LD泵浦的可调谐激光晶体材料成为目前激光晶体研究领域的热点之一。
发明内容
针对现有技术中存在的如何解决开发一种成本低、易工业化且成长性良好的激光晶体的技术难题,本发明的目的是提供一种掺铬钪酸钆激光晶体,该晶体的化学式为Gd(Sc1-xCrx)O3,其中x的取值范围为0.00001~0.3。
同时,还提供了一种上述掺铬钪酸钆激光晶体的制备方法,该方法采用导模法或提拉法生长,具体步骤为:
(1)初始原料采用纯度为4N或5N的Cr2O3、Sc2O3和Gd2O3,选定x的取值后,根据掺铬钪酸钆激光晶体分子式Gd(Sc1-xCrx)O3,按照摩尔比x:(1-x)精确称量,其中x的取值范围为0.00001~0.3,进行配料;
(2)将原料在玛瑙研钵中充分混合均匀后,使用油压机将其压成饼料,油压压力为180-250MPa,时长1.5-4.5min,然后放入高温退火炉中,1400℃-1700℃高温烧结20-26小时;
(3)将步骤(2)获得的饼料取出,装入长晶炉的坩埚中准备生长;
(4)充入高纯惰性气体作为保护气氛,按照如下生长步骤:升温化料、引晶、缩颈、放肩、等径生长以及收尾进行生长,而后缓慢降温至室温,获得掺铬钪酸钆单晶。
作为改进,步骤(3)中所用坩埚材料为钨或钼。
作为改进,步骤(3)中所用长晶炉的热场保温材料为石墨硬毡或软毡,加热器为石墨加热器。
有益效果:本发明提供的掺铬钪酸钆激光晶体,化学式为Gd(Sc1-xCrx)O3,用于可调谐固态激光器中,还提供了对应的制备方法,采用导模法或提拉法,适用于钨或钼的坩埚,与现有的铱金坩埚热场制备方法相比具有低成本的优势,更有利于产业化。同时生成的晶体质量优良、机械性能适中。可调谐激光波段宽的特点,能够成
为一种可产业化、低成本且质量精度高的激光晶体生长方法。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1为导模法生长的棒状GdScO3晶体的照片;
图2为导模法生长的片状GdScO3晶体的照片;
图3为0.1%Cr3+:GdScO3、0.5%Cr3+:GdScO3晶体室温下1000nm~1150nm发射光谱。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
钪酸钆(Cr3+:GdScO3)晶体属于正交晶系,是一种较为理想的激光基质材料。声子能量低为452,有利于减少多声子弛豫发生的概率。钪离子(Sc3+)在晶格中与氧离子(O2+)形成八面体配位,可以被铬离子(Cr3+)取代,掺铬钪酸钆(Cr3+:GdScO3)晶体有望成为一种新型的可调谐激光晶体材料。
本发明中晶体的化学式为Gd(Sc1-xCrx)O3,其中x的取值范围为0.00001~0.3,该晶体属于正交晶系,a=5.45,b=5.75,c=7.93。采用导模法或提拉法,生长气氛为高纯氩。生长出质量较好、尺寸较大的Cr3+:GdScO3晶体,该晶体具有机械性能适中、可调谐激光波段宽的优点,是一种较好的可调谐激光晶体材料,其可调谐范围在650~1100nm之间。
实施例1
(1)初始原料采用纯度为4N或5N的Cr2O3、Sc2O3和Gd2O3,选定x的值,根据掺铬钪酸钆激光晶体分子式Gd(Sc1-xCrx)O3,精确称量,进行配料。(2)将原料在玛瑙研钵中充分混合均匀后,使用油压机将其压成饼料,油压压力为220MPa,时长3min,然后放入高温退火炉中,1550℃高温烧结24小时。(3)将(2)中获得的饼料取出,装入长晶炉的坩埚中准备生长。(4)充入高纯惰性气体作为保护气氛,按照如下生长步骤:升温化料、引晶、缩颈、放肩、等径生长以及收尾进行生长,而后缓慢降温至室温,获得掺铬钪酸钆单晶。
图1-2为生长的棒状GdScO3、片状GdScO3的外观图,图3对晶体进行性能测试实验,获得0.1%Cr3+:GdScO3、0.5%Cr3+:GdScO3晶体室温下1000nm~1150nm发射光谱,可得调谐范围在650~1100nm之间。该与现有技术相比,本发明掺铬钪酸钆激光晶体可采用钨或钼坩埚生长,与铱坩埚生长相比具有低成本优势。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (4)
1.一种掺铬钪酸钆激光晶体,其特征在于,该晶体的化学式为Gd(Sc1-xCrx)O3,其中x的取值范围为0.00001~0.3。
2.一种如权利要求1所述的掺铬钪酸钆激光晶体的制备方法,其特征在于,该方法采用导模法或提拉法生长,具体步骤为:
(1)初始原料采用纯度为4N或5N的Cr2O3、Sc2O3和Gd2O3,选定x的取值后,根据掺铬钪酸钆激光晶体分子式Gd(Sc1-xCrx)O3,按照摩尔比x:(1-x)精确称量,其中x的取值范围为0.00001~0.3,进行配料;
(2)将原料在玛瑙研钵中充分混合均匀后,使用油压机将其压成饼料,油压压力为180-250MPa,时长1.5-4.5min,然后放入高温退火炉中,1400℃-1700℃高温烧结20-26小时;
(3)将步骤(2)获得的饼料取出,装入长晶炉的坩埚中准备生长;
(4)充入高纯惰性气体作为保护气氛,按照如下生长步骤:升温化料、引晶、缩颈、放肩、等径生长以及收尾进行生长,而后缓慢降温至室温,获得掺铬钪酸钆单晶。
3.根据权利要求2所述的掺铬钪酸钆激光晶体的制备方法,其特征在于:步骤(3)中所用坩埚材料为钨或钼。
4.根据权利要求2所述的掺铬钪酸钆激光晶体的制备方法,其特征在于:步骤(3)中所用长晶炉的热场保温材料为石墨硬毡或软毡,加热器为石墨加热器。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020253337A1 (zh) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种可调谐激光晶体掺铬钪酸钆及其制备方法 |
CN114108072A (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-01 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 稀土离子掺杂的GdScO3激光晶体制备及其应用 |
CN114892261A (zh) * | 2022-04-08 | 2022-08-12 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 三价铬离子掺杂的钆钇钪铝石榴石激光晶体、制备方法及其应用 |
CN114921850A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-08-19 | 同济大学 | 一种钬镨共掺钪酸钆中红外波段激光晶体及其制备方法与应用 |
CN114959897A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-08-30 | 同济大学 | 一种掺铬镥钪超快超强激光晶体及其制备方法和应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4988402A (en) * | 1988-02-09 | 1991-01-29 | Union Carbide Chemicals And Plastics Company Inc. | Processes for enhancing fluorescence of tunable titanium-doped oxide laser crystals |
CN106894088A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-06-27 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 稀土离子掺杂的钙钛矿型氧化物可见激光晶体 |
CN108060457A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-05-22 | 苏州晶享嘉世光电科技有限公司 | 一种钪酸钆钇晶体及熔体法晶体生长方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106521625B (zh) * | 2016-12-14 | 2018-12-28 | 山东大学 | 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用 |
CN110295392A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-10-01 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种可调谐激光晶体掺铬钪酸钆及其制备方法 |
-
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2020
- 2020-04-13 WO PCT/CN2020/084453 patent/WO2020253337A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4988402A (en) * | 1988-02-09 | 1991-01-29 | Union Carbide Chemicals And Plastics Company Inc. | Processes for enhancing fluorescence of tunable titanium-doped oxide laser crystals |
CN106894088A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-06-27 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 稀土离子掺杂的钙钛矿型氧化物可见激光晶体 |
CN108060457A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-05-22 | 苏州晶享嘉世光电科技有限公司 | 一种钪酸钆钇晶体及熔体法晶体生长方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
RUSLAN P,ET AL.: "A structural study of ternary lanthanide orthoscandate perovskites", 《JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY》 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020253337A1 (zh) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种可调谐激光晶体掺铬钪酸钆及其制备方法 |
CN114108072A (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-01 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 稀土离子掺杂的GdScO3激光晶体制备及其应用 |
CN114892261A (zh) * | 2022-04-08 | 2022-08-12 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 三价铬离子掺杂的钆钇钪铝石榴石激光晶体、制备方法及其应用 |
CN114921850A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-08-19 | 同济大学 | 一种钬镨共掺钪酸钆中红外波段激光晶体及其制备方法与应用 |
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CN114959897A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-08-30 | 同济大学 | 一种掺铬镥钪超快超强激光晶体及其制备方法和应用 |
CN114959897B (zh) * | 2022-04-25 | 2024-03-26 | 同济大学 | 一种掺铬镥钪超快超强激光晶体及其制备方法和应用 |
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