CN101717998A - 掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 - Google Patents
掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101717998A CN101717998A CN200910199529A CN200910199529A CN101717998A CN 101717998 A CN101717998 A CN 101717998A CN 200910199529 A CN200910199529 A CN 200910199529A CN 200910199529 A CN200910199529 A CN 200910199529A CN 101717998 A CN101717998 A CN 101717998A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- crucible
- sio
- neodymium
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 9
- DTWFBDFPFUUNNI-UHFFFAOYSA-N [Y].[Lu].[Si](O)(O)(O)O Chemical compound [Y].[Lu].[Si](O)(O)(O)O DTWFBDFPFUUNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 30
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- RCLZKGURYKGCRE-UHFFFAOYSA-N [Y].[Si](O)(O)(O)O Chemical compound [Y].[Si](O)(O)(O)O RCLZKGURYKGCRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract description 8
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- ANDNPYOOQLLLIU-UHFFFAOYSA-N [Y].[Lu] Chemical compound [Y].[Lu] ANDNPYOOQLLLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract 1
- 241000209456 Plumbago Species 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- -1 Argon ion Chemical class 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇镥激光晶体，其特点在于该掺钕的硅酸钇镥激光晶体的分子式为(NdyLux(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中x的取值范围为0＜x＜1，y的取值范围为0.005～0.01。该掺钕的硅酸钇镥激光晶体采用熔体法生长。它是能够采用AlGaAs二极管泵浦，实现1μm波段超短脉冲激光输出的硅酸盐混晶激光材料。
Description
技术领域
本发明涉及激光晶体，特别是一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇镥激光晶体(以下简称为Nd:(LuxY1-x)2SiO5)及其制备方法，它适合于AlGaAs二极管泵浦。
背景技术
1981年，世界上第一台飞秒染料激光器问世，超快激光的发展进入了飞秒(10-15s)阶段，由此产生了飞秒激光技术与科学。这在超快时间分辨光谱、微电子加工、光钟、计量、全息、高容量光通讯等众多领域有着广泛的应用。目前商业化的飞秒激光器多为锁模钛宝石激光器，但由于钛宝石的吸收谱位于可见光的范围，通常采用515nm氩离子激光器或532nm的绿光激光器作为泵浦源，使得激光器结构复杂，限制了其更广泛的应用。多年来人们一直在研究可以用激光二极管泵浦直接产生飞秒激光输出的激光材料，并希望研制成可以提供实际应用的飞秒激光器。
在当今研究比较热的超快激光材料中，掺Nd3+的材料具有四能级系统，容易获得激光的有效输出，其中掺Nd3+的晶体材料具有良好的热、机械和光学性能，是一种良好的激光增益介质。硅酸钇镥(LuxY1-x)2SiO5晶体属于单斜晶系，具备高的非线性光学系数、良好的化学稳定性和高热导系数，并具有低对称性晶体结构和扭曲变形的双格位特征，能给激活离子提供良好的晶体场环境，有利于掺杂离子的能级分裂，从而拓宽发射光谱，有利于实现锁模超短脉冲输出。到目前为止，未见有Nd:(LuxY1-x)2SiO5晶体的相关报道。
发明内容
发明的目的在于公开一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇镥激光晶体(以下简称为Nd:(LuxY1-x)2SiO5)及其制备方法，它是能够采用AlGaAs二极管泵浦的，实现1μm波段超短脉冲激光输出的硅酸盐混晶激光材料。
本发明的技术解决方案如下：
一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇镥激光晶体，其特点在于该掺钕的硅酸钇镥激光晶体的分子式为(NdyLux(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中x的取值范围为0＜x＜1，y的取值范围为0.005～0.01。
上述掺钕的硅酸钇镥激光晶体的制备方法，其特点在于该方法包括下列步骤：
①原料配方
初始原料采用Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2，按掺钕的硅酸钇镥激光晶体的分子式(NdyLux(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5的化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1进行配料，其中y的取值范围为0.005～0.01，0＜x＜1；
②选定x和y的具体值后，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，充分混合均匀后在液压机上压制成块，然后装入氧化铝坩埚内，放进马弗炉中烧结，用10个小时升温至1200℃，保温10个小时后再用10个小时降温至室温，制成块料；
③将块料取出放入坩埚内，采用熔体法生长Nd:(LuxY1-x)2SiO5单晶。
所述的熔体法为提拉法，坩埚材料为铱，籽晶为[100]方向的LuYSiO5单晶棒，晶体生长在高纯N2气氛中进行。提拉速度为1-2mm/h，旋转速度为5-10rpm。
所述的熔体法为坩埚下降法，则坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部可以不放籽晶，或放入上述提拉法中所述的LuYSiO5单晶棒，晶体生长在高纯N2气氛中进行。坩埚下降速率为0.1-1mm/h。
所述的熔体法为温度梯度法，则坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部可以不放籽晶，或放入[100]方向的LuYSiO5单晶棒作籽晶，晶体生长在高纯N2气氛中进行，以使得晶体生长速度在1-1.8mm/h的降温速率下进行降温并生长晶体。
将上述生长的Nd:(LuxY1-x)2SiO5晶体，切割成片，光学抛光后，在室温下测试其光谱性能，采用Lambda 900分光光度计测试吸收光谱。采用Fluorolog-3荧光光谱仪测试红外发射光谱，泵浦源采用波长为808nm的AlGaAs激光二极管。图1为Nd:(LuxY1-x)2SiO5晶体的吸收光谱，其中800～815nm波段的强吸收带有利于采用AlGaAs激光二极管进行泵浦。图2为Nd:(LuxY1-x)2SiO5晶体的发射光谱，表明所生长的Nd:(LuxY1-x)2SiO5晶体具有大的发射和较宽的发射带宽，在1078nm处发射带宽达到9nm，有利于宽的波长调谐和实现锁模飞秒脉冲激光输出。
实验表明，本发明采用熔体法生长出质量优良的Nd:(LuxY1-x)2SiO5晶体，可以采用商业化的AlGaAs激光二极管作为十分有效的泵浦光源，并具有大的发射带宽，有利于宽的波长调谐和实现锁模飞秒脉冲激光输出。当掺入Nd3+时，可使得晶体中Nd3+无序分布，吸收和发射谱线都比较宽，有利于激光二极管的泵浦和锁模飞秒脉冲激光的输出。在811nm处吸收带宽达到6nm，在1078nm处的发射带宽达到9nm，远远优于Nd:YAG晶体(2.1nm，0.5nm)。
附图说明
图1为0.5％Nd:LuYSiO5晶体的吸收光谱；
图2为0.5％Nd:LuYSiO5晶体的发射光谱；
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。
实施例1.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2高纯原料选定y＝0.005，x＝0.5，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为[100]方向的LuYSiO5单晶棒，晶体生长在高纯N2气氛中进行。提拉速度为1mm/h，旋转速度为5rpm。对所生长的(Nd0.005Lu0.4975Y0.4975)2SiO5晶体进行吸收光谱性能测试，结果如图1所示，其中800～815nm波段的强吸收带，有利于采用AlGaAs激光二极管进行泵浦。对所生长的(Nd0.005Lu0.4975Y0.4975)2SiO5晶体进行发射光谱性能测试，结果如图2所示，表明所生长的(Nd0.005Lu0.4975Y0.4975)2SiO5晶体具有大的发射和较宽的发射带宽，在1078nm处发射带宽达9nm，有利于宽的波长调谐和实现锁模飞秒脉冲激光输出。
实施例2.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2高纯原料，选定y＝0.008，x＝0.1，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为[100]方向的LuYSiO5单晶棒，晶体生长在高纯N2气氛中进行。提拉速度为1.5mm/h，旋转速度为8rpm。
实施例3.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2高纯原料选定y＝0.01，x＝0.3后，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为[100]方向的LuYSiO5单晶棒，晶体生长在高纯N2气氛中进行。提拉速度为2mm/h，旋转速度为10rpm。
实施例4.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2高纯原料选定y＝0.005，x＝0.5，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用坩埚下降法，在高纯N2气氛中生长晶体。坩埚下降速率为0.1mm/h。
实施例5.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2高纯原料选定y＝0.008，x＝0.9，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有[100]方向的LuYSiO5单晶棒。采用坩埚下降法，在高纯N2气氛中生长晶体。坩埚下降速率为0.6mm/h。
实施例6.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2高纯原料选定y＝0.005，x＝0.7，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有[100]方向的LuYSiO5单晶棒。采用坩埚下降法，在高纯N2气氛中生长晶体。坩埚下降速率为1mm/h。
实施例7.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2高纯原料选定y＝0.01，x＝0.8，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用温度梯度法，在高纯N2气氛中生长晶体。以使得晶体生长速度在1mm/h的降温速率进行降温并生长晶体。
实施例8.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2高纯原料选定y＝0.007，x＝0.5，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有[100]方向的LuYSiO5单晶棒。采用温度梯度法，在高纯N2气氛中生长晶体。以使得晶体生长速度在1.5mm/h的降温速率进行降温并生长晶体。
实施例9.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2高纯原料选定y＝0.005，x＝0.2，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2原料，原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有[100]方向的LuYSiO5单晶棒。采用温度梯度法，在高纯N2气氛中生长晶体。以使得晶体生长速度在1.8mm/h的降温速率进行降温并生长晶体。
Claims (5)
1.一种用于产生1μm波段超短脉冲激光输出的掺钕的硅酸钇镥激光晶体，其特征在于该掺钕的硅酸钇镥激光晶体的分子式为(NdyLux(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中x的取值范围为0＜x＜1，y的取值范围为0.005～0.01。
2.权利要求1所述的掺钕的硅酸钇镥激光晶体的制备方法，其特征在于该方法包括下列步骤：
①原料配方
初始原料采用Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2，按掺钕的硅酸钇镥激光晶体的分子式(NdyLux(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5的化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1进行配料，其中y的取值范围为0.005～0.01，0＜x＜1；
②选定x和y的具体值后，按化学计量比y∶x(1-y)∶(1-x)(1-y)∶1依次称量Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和SiO2，充分混合均匀后在液压机上压制成块，然后装入氧化铝坩埚内，放进马弗炉中烧结，用10个小时升温至1200℃，保温10个小时后再用10个小时降温至室温，制成块料；
③将块料取出放入坩埚内，采用熔体法生长Nd:(LuxY1-x)2SiO5单晶。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述的熔体法为提拉法，坩埚材料为铱，籽晶为[100]方向的LuYSiO5单晶棒，晶体生长在高纯N2气氛中进行。提拉速度为1-2mm/h，旋转速度为5-10rpm。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述的熔体法为坩埚下降法，则坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部可以不放籽晶，或放入上述提拉法中所述的LuYSiO5单晶棒，晶体生长在高纯N2气氛中进行。坩埚下降速率为0.1-1mm/h。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述的熔体法为温度梯度法，则坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部可以不放籽晶，或放入[100]方向的LuYSiO5单晶棒作籽晶，晶体生长在高纯N2气氛中进行，以使得晶体生长速度在1-1.8mm/h的降温速率下进行降温并生长晶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200910199529A CN101717998A (zh) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | 掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200910199529A CN101717998A (zh) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | 掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101717998A true CN101717998A (zh) | 2010-06-02 |
Family
ID=42432634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200910199529A Pending CN101717998A (zh) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | 掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101717998A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102181931A (zh) * | 2011-03-23 | 2011-09-14 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法 |
| CN103849933A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-06-11 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种生长三价铈离子掺杂硅酸钇镥闪烁晶体的方法 |
| CN104073877A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-10-01 | 成都东骏激光股份有限公司 | 一种坩埚下降法生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的方法 |
-
2009
- 2009-11-27 CN CN200910199529A patent/CN101717998A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102181931A (zh) * | 2011-03-23 | 2011-09-14 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法 |
| CN103849933A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-06-11 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种生长三价铈离子掺杂硅酸钇镥闪烁晶体的方法 |
| CN103849933B (zh) * | 2013-12-30 | 2016-09-28 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种生长三价铈离子掺杂硅酸钇镥闪烁晶体的方法 |
| CN104073877A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-10-01 | 成都东骏激光股份有限公司 | 一种坩埚下降法生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107245757A (zh) | 一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途 | |
| CN101701355A (zh) | 掺钕的铝酸钇钙激光晶体的提拉生长方法 | |
| CN102766905B (zh) | 一类铒离子激活1.55微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法 | |
| CN102766906B (zh) | 一类铒离子激活3微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法 | |
| CN101717998A (zh) | 掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 | |
| CN101597797B (zh) | 掺镱硼酸钆锂激光晶体及其制备方法 | |
| CN110607557A (zh) | 一种掺谱氟化铅可见波段激光晶体及其制备方法 | |
| CN102094237A (zh) | 掺钬铝酸钇钙激光晶体的生长方法 | |
| CN107287659B (zh) | 激光晶体及其制备方法 | |
| Jia et al. | Growth and properties of Nd:(LuxGd1− x) 3Ga5O12 laser crystal by Czochralski method | |
| CN101212123A (zh) | 一种掺镱硼酸氧钙钇镧激光晶体及其制备方法和用途 | |
| CN103103610A (zh) | 一种掺钕氟化钇钆锂晶体及其生长方法 | |
| CN114108072A (zh) | 稀土离子掺杂的GdScO3激光晶体制备及其应用 | |
| CN101717997A (zh) | 掺钕的硅酸镥钆激光晶体及其制备方法 | |
| CN101709507A (zh) | 掺钕的硅酸钇钆激光晶体及其制备方法 | |
| CN101174756A (zh) | 掺镱铌酸钙激光晶体及其制备方法 | |
| CN101407939A (zh) | 掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法 | |
| CN102086529B (zh) | 一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法 | |
| CN100365172C (zh) | 镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法 | |
| CN113699582A (zh) | 一种掺铥bgso人眼安全激光晶体及其制备方法 | |
| CN101701359A (zh) | 掺钕的硅酸镥激光晶体及其制备方法 | |
| CN102337591A (zh) | 镱掺杂硼酸三钇钾激光晶体及其生长方法和用途 | |
| CN101768779A (zh) | Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法 | |
| Li et al. | Growth and optical properties of self-frequency-doubling laser crystal Yb: LuAl3 (BO3) 4 | |
| CN111101198A (zh) | 掺钕硼酸锌铋自倍频晶体材料、切型及其制备方法与应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20100602 |