CN107245757A - 一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途 - Google Patents

一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN107245757A
CN107245757A CN201710385219.1A CN201710385219A CN107245757A CN 107245757 A CN107245757 A CN 107245757A CN 201710385219 A CN201710385219 A CN 201710385219A CN 107245757 A CN107245757 A CN 107245757A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
raman
borate
preparation
hours
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710385219.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107245757B (zh
Inventor
吕宪顺
张园园
邱程程
王旭平
刘冰
杨玉国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
New Material Institute of Shandong Academy of Sciences
Original Assignee
New Material Institute of Shandong Academy of Sciences
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by New Material Institute of Shandong Academy of Sciences filed Critical New Material Institute of Shandong Academy of Sciences
Priority to CN201710385219.1A priority Critical patent/CN107245757B/zh
Publication of CN107245757A publication Critical patent/CN107245757A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107245757B publication Critical patent/CN107245757B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C30B9/04Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
    • C30B9/08Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
    • C30B9/12Salt solvents, e.g. flux growth
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1666Solid materials characterised by a crystal matrix borate, carbonate, arsenide
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/30Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects

Abstract

本发明涉及拉曼激光晶体领域,具体涉及一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途,所述的拉曼晶体为Sr2Mg(BO3)2,属于单斜晶系,该晶体的制备方法包括Sr2Mg(BO3)2多晶粉末的制备及利用该多晶粉末生长拉曼晶体Sr2Mg(BO3)2。该拉曼晶体用于紫外波段的拉曼变频。

Description

一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途
技术领域
本发明涉及拉曼激光晶体领域,具体涉及一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途。
背景技术
拉曼介质可分为气态拉曼介质、液态拉曼介质及固态拉曼介质。相比于气态和液态拉曼介质,固态拉曼介质具有粒子浓度大、体积小、性能稳定、泵浦阈值低、导热性好等优点。随着激光器全固态化的需求,固态拉曼介质已成为拉曼激光器首选的拉曼介质。目前研究较多的固态拉曼介质为LiIO3、Ba(NO3)2、BaWO4、KGd(WO4)2、KY(WO4)2及 YVO4等,这些成熟的拉曼晶体的透光范围多在300nm以上,并不能直接应用于紫外波段激光变频。现阶段可应用于紫外波段激光变频的拉曼晶体为金刚石,但其存在价格昂贵且较难获得大块晶体的缺陷,应用成本高,阻碍其进一步的发展。
Sr2Mg(BO3)2晶体的熔盐生长方法已见报道。陈国军博士采用SrF2-LiF体系生长出了小尺寸晶体,但体系含有氟化物,对环境有污染。
综上所述,提供一种安全无毒的制备方法,用于制备可应用于紫外波段激光变频的拉曼晶体Sr2Mg(BO3)2势在必行。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途,该制备体系中不含有氟化物,安全无毒,最大程度保证了操作人员的安全;同时制备的该晶体可用于紫外波段的拉曼变频。
为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案为:
一种硼酸盐拉曼晶体,所述的的拉曼晶体为Sr2Mg(BO3)2,其属于单斜晶系,α=γ=90°,β=118.71(8)°;a = 9.043(5) Å,b = 5.154(7) Å,c = 6.104(5) Å。
一种硼酸盐拉曼晶体的制备方法,包括Sr2Mg(BO3)2多晶粉末的制备及利用该多晶粉末生长拉曼晶体Sr2Mg(BO3)2,其具体制备步骤如下 :
A:Sr2Mg(BO3)2多晶粉末的制备
将原料SrCO3、Mg源和H3BO3按Sr、Mg、 B原子摩尔比2:1:2.1混合均匀后,装入铂金坩埚中,然后将该铂金坩埚放入马弗炉中,缓慢升温至180-200℃并恒温2小时,之后升温至450-550℃并恒温2小时后降至室温,然后将初烧后的原料取出后置于玛瑙研钵充分研磨后再次放入马弗炉中以100-200℃/h的升温速率由室温升至850-950℃并恒温10小时后便可获得Sr2Mg(BO3)2多晶粉末;
本步骤中所述的Mg源为4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O 、MgCO3、MgO,其中Mg源优选为4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O,采用4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O作为Mg源,可降低固相合成的温度;
该Sr2Mg(BO3)2多晶粉末制备方法中初次最优升温速率为50℃/h,可有效防止硼酸分解排气过程粉末原料的溅出,优选恒温温度为200℃,可最短时间排除硼酸分解后的水汽;第二段最佳恒温温度为500℃,温度过低不利于镁盐的分解,过高反应物板结不利于下一步的研磨;第三段最佳恒温温度为900℃,此温度下原料即可完全反应,可缩短加热时间。
:Sr2Mg(BO3)2晶体的生长
(1)将步骤A中获得的Sr2Mg(BO3)2多晶粉末、Mg(BO2)2·H2O和Li2O按质量比为1:0.3-0.5:0.15-0.25混合研磨后置入铂金坩埚中升温熔化,以100℃/h的升温速率升至500℃恒温2小时;然后以50℃/h的升温速率升至1100℃并恒温10小时,获得熔体;然后将该熔体以100℃/h的降温速率降至900℃恒温2小时;采用此升降温曲线可有效降低化料及晶体生长过程中的爬料现象;
(2)下籽晶,将籽晶浸入熔体以下1cm没入熔体,降温使晶体生长,晶体生长参数为:降温速率0.5-1 ℃/天,转速为8-10转/分钟;
(3)晶体生长到目标尺寸后,提拉使晶体与熔体脱离,按40℃/h的降温速率缓慢冷却至室温,得到Sr2Mg(BO3)2晶体;
所述的步骤(1)中的Mg(BO2)2·H2O、Li2O为助溶剂,所述的Sr2Mg(BO3)2多晶粉末、Mg(BO2)2·H2O、和Li2O质量比优选为1:0.42:0.19,采用此种比例熔体粘度小,所长晶体通透性好,无包裹;
所述的步骤(1)中采用100℃/h的升温速率升至500℃的烧结过程,可降低晶体生长原料的挥发,生长出的晶体应力小不易开裂。
一种硼酸盐拉曼晶体的用途,所述的拉曼晶体被用作固体拉曼激光器的拉曼介质;
一种硼酸盐拉曼晶体的用途,所述的拉曼介质用于紫外波段、黄光波段及人眼安全波段的激光变频。
本发明的有益效果:本发明通过调整原料配比、选择合适的助溶剂及最佳比例,配合专用的制备参数,可用于制备性能优异的Sr2Mg(BO3)2晶体;本发明中所制备的Sr2Mg(BO3)2可用作拉曼介质,用于紫外波段的拉曼变频,大大降低了生产成本,提高拉曼晶体的应用范围;本发明所属的制备方法,不含氟化物等有毒体系的引入,制备过程中真正做到了安全无毒,保证了操作人员及制备环境的安全性。
附图说明
附图1为Sr2Mg(BO3)2晶体;
附图2为实施例1-3制备的Sr2Mg(BO3)2多晶粉体X射线衍射图;图中(a)为实施例1所制备的Sr2Mg(BO3)2多晶粉末XRD图,(b)为实施例2所制备的Sr2Mg(BO3)2多晶粉末XRD图,(c)为实施例3所制备的Sr2Mg(BO3)2多晶粉末XRD图;(d)标准XRD图谱(ISCD-240897);
附图3为实施例1制备的Sr2Mg(BO3)2晶体的拉曼光谱;
附图4为实施例1制备的Sr2Mg(BO3)2晶体的透射光谱。
具体实施方式
实施例1
一种硼酸盐拉曼晶体,所述的的拉曼晶体为Sr2Mg(BO3)2,其属于单斜晶系,α=γ=90°,β=118.71(8)°;a = 9.043(5) Å,b = 5.154(7) Å,c = 6.104(5) Å。
一种硼酸盐拉曼晶体的制备方法,其具体制备步骤如下 :
A:Sr2Mg(BO3)2多晶粉末的制备
将原料SrCO3、4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O和H3BO3按摩尔比10:1:10.5混合均匀后,装入铂金坩埚中,然后将该铂金坩埚放入马弗炉中,以50℃/h的升温速率升温至200℃并恒温2小时,之后升温至500℃并恒温2小时后降至室温,然后将初烧后的原料取出后置于玛瑙研钵充分研磨后再次放入马弗炉中以150℃/h的升温速率由室温升至900℃并恒温10小时后便可获得Sr2Mg(BO3)2多晶粉末;该多晶粉末XRD图谱如图2(a)所示,与图2(d)标准衍射卡(ISCD-240897)相比,峰位与峰强对应的非常好,无杂相产生,晶相为纯Sr2Mg(BO3)2
B:Sr2Mg(BO3)2晶体的生长
(1) 称取475.75 g 步骤A中获得的Sr2Mg(BO3)2多晶粉末、199.82 g Mg(BO2)2·H2O、和90.39 g Li2O混合研磨后置入Φ60mm铂金坩埚中升温熔化,以100℃/h的升温速率升至500℃恒温2小时;然后以50℃/h的升温速率升至1100℃并恒温10小时,获得熔体;然后将该熔体以100℃/h的降温速率降至900℃恒温2小时;
(2)下籽晶,将籽晶浸入熔体以下1cm没入熔体,降温使晶体生长,晶体生长参数为:降温速率0.5 ℃/天,转速为10转/分钟,生长时间2周;
(3)晶体生长到目标尺寸后,提拉使晶体与熔体脱离,按40℃/h的降温速率缓慢冷却至室温,得到Sr2Mg(BO3)2晶体。
实施例2
一种硼酸盐拉曼晶体,所述的的拉曼晶体为Sr2Mg(BO3)2,其属于单斜晶系,α=γ=90°,β=118.71(8)°;a = 9.043(5) Å,b = 5.154(7) Å,c = 6.104(5) Å。
一种硼酸盐拉曼晶体的制备方法,其具体制备步骤如下 :
A:Sr2Mg(BO3)2多晶粉末的制备
将原料SrCO3、MgO和H3BO3按摩尔比2:1:2.1混合均匀后,装入铂金坩埚中,装入铂金坩埚中,然后将该铂金坩埚放入马弗炉中,然后以70℃/h的升温速率升温至180℃并恒温2小时,之后升温至550℃并恒温2小时后降至室温,然后将初烧后的原料取出后置于玛瑙研钵充分研磨后再次放入马弗炉中以100℃/h的升温速率由室温升至950℃并恒温10小时后便可获得Sr2Mg(BO3)2多晶粉末;该多晶粉末XRD图谱如图2(b)所示,与图2(d)标准衍射卡(ISCD-240897)相比,峰位与峰强对应的非常好,该Sr2Mg(BO3)2多晶粉末中仍有部分MgO、SrCO3杂相;
B:Sr2Mg(BO3)2晶体的生长
(1) 称取495.25 g 步骤A中获得的Sr2Mg(BO3)2多晶粉末、148.58 g Mg(BO2)2·H2O、和123.81 g Li2O混合研磨后置入Φ60mm铂金坩埚中升温熔化,以100℃/h的升温速率升至500℃恒温2小时;然后以50℃/h的升温速率升至1100℃并恒温10小时,获得熔体;然后将该熔体以100℃/h的降温速率降至900℃恒温2小时;
(2)下籽晶,将籽晶浸入熔体以下1cm没入熔体,降温使晶体生长,晶体生长参数为:降温速率1 ℃/天,转速为9转/分钟,生长时间2周;
(3)晶体生长到目标尺寸后,提拉使晶体与熔体脱离,按40℃/h的降温速率缓慢冷却至室温,得到Sr2Mg(BO3)2晶体。
实施例3
一种硼酸盐拉曼晶体,所述的的拉曼晶体为Sr2Mg(BO3)2,其属于单斜晶系,α=γ=90°,β=118.71(8)°;a = 9.043(5) Å,b = 5.154(7) Å,c = 6.104(5) Å。
一种硼酸盐拉曼晶体的制备方法,其具体制备步骤如下 :
A:Sr2Mg(BO3)2多晶粉末的制备
将原料SrCO3、MgCO3和H3BO3按摩尔比2:1:2.1混合均匀后,装入铂金坩埚中,装入铂金坩埚中,然后将该铂金坩埚放入马弗炉中,然后以30℃/h的升温速率缓慢升温至200℃并恒温2小时,之后升温至450℃并恒温2小时后降至室温,然后将初烧后的原料取出后置于玛瑙研钵充分研磨后再次放入马弗炉中以200℃/h的升温速率由室温升至850℃并恒温10小时后便可获得Sr2Mg(BO3)2多晶粉末;该多晶粉末XRD图谱如图2(c)所示,与图2(d)标准衍射卡(ISCD-240897)相比,峰位与峰强对应的非常好,但是该多晶粉末中存在有部分MgCO3杂相。
:Sr2Mg(BO3)2晶体的生长
(1) 称取455.85 g 步骤A中获得的Sr2Mg(BO3)2多晶粉末、227.92g Mg(BO2)2·H2O、和68.38 g Li2O混合研磨后置入Φ60mm铂金坩埚中升温熔化,以100℃/h的升温速率升至500℃恒温2小时;然后以50℃/h的升温速率升至1100℃并恒温10小时,获得熔体;然后将该熔体以100℃/h的降温速率降至900℃恒温2小时;
(2)下籽晶,将籽晶浸入熔体以下1cm没入熔体,降温使晶体生长,晶体生长参数为:降温速率0.7 ℃/天,转速为8转/分钟,生长时间2周;
(3)晶体生长到目标尺寸后,提拉使晶体与熔体脱离,按40℃/h的降温速率缓慢冷却至室温,得到Sr2Mg(BO3)2晶体。
实施例4
对实施例1所制备的Sr2Mg(BO3)2晶体进行拉曼光谱测试,如图3所示,从图3可以看出,Sr2Mg(BO3)2晶体自发 Raman光谱中最强的 Raman峰位于 917 cm–1,其 Raman线宽为 9.4cm–1,大于Ca3(BO3)2 (6.9 cm–1),因此用该晶体制作的 ps 脉冲激光 Raman激光器具有更大的峰值功率。
实施例5
对实施例1所制备的Sr2Mg(BO3)2晶体进行透射光谱测试即利用一块抛光后厚度为1.5mm的Sr2Mg(BO3)2晶体薄片进行了透射光谱测试,附图4为Sr2Mg(BO3)2晶体的透射光谱图。由附图4可知,在300-3000 nm波长范围内,Sr2Mg(BO3)2晶体的透过率均在80%以上。波长在200nm 附近,透过率下降到40%。 Sr2Mg(BO3)2晶体的紫外吸收边约为172 nm,可用于制作深紫外光学器件。
实施例6
LD泵浦Nd:YAG实现1.06 μm的激光输出,经过LiNbO3电光调Q后通过非线性光学晶体KTP(或LBO、BBO、BiBO)进行倍频获得532 nm激光,之后让倍频光通过Sr2Mg(BO3)2晶体实现559 nm黄光激光输出。
实施例7
LD泵浦Nd:YAG实现1.06 μm的激光输出,经过LiNbO3电光调Q后通过非线性光学晶体BBO进行四倍频获得266 nm激光,之后让倍频光通过Sr2Mg(BO3)2晶体实现273 nm紫外激光输出。

Claims (6)

1.一种硼酸盐拉曼晶体,其特征在于:所述的的拉曼晶体为Sr2Mg(BO3)2,属于单斜晶系,α=γ=90°,β=118.71(8)°;a = 9.043(5) Å,b = 5.154(7) Å,c = 6.104(5) Å。
2.一种权利要求1所述的硼酸盐拉曼晶体的制备方法,其特征在于:包括Sr2Mg(BO3)2多晶粉末的制备及利用该多晶粉末生长拉曼晶体Sr2Mg(BO3)2,其具体制备步骤如下:
A:Sr2Mg(BO3)2多晶粉末的制备
将原料SrCO3、Mg源和H3BO3按Sr、Mg、 B原子摩尔比2:1:2.1混合均匀后,装入铂金坩埚中,然后将该铂金坩埚放入马弗炉中,缓慢升温至180-200℃并恒温2小时,之后升温至450-550℃并恒温2小时后降至室温,然后将初烧后的原料取出后置于玛瑙研钵充分研磨后再次放入马弗炉中以100-200℃/h的升温速率由室温升至850-950℃并恒温10小时后便可获得Sr2Mg(BO3)2多晶粉末;本步骤A中所述的Mg源为4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O、MgO、MgCO3
B:Sr2Mg(BO3)2晶体的生长
(1)将步骤A中获得的Sr2Mg(BO3)2多晶粉末、Mg(BO2)2·H2O和Li2O按质量比为1:0.3-0.5:0.15-0.25混合研磨后置入铂金坩埚中,以100℃/h的升温速率升至500℃恒温2小时;然后以50℃/h的升温速率升至1100℃并恒温10小时,获得熔体;然后将该熔体以100℃/h的降温速率降至900℃恒温2小时;采用此升降温曲线可有效降低化料及晶体生长过程中的爬料现象;
(2)下籽晶,将籽晶浸入熔体以下1cm没入熔体,降温使晶体生长,晶体生长参数为:降温速率0.5-1 ℃/天,转速为8-10转/分钟;
(3)晶体生长到目标尺寸后,提拉使晶体与熔体脱离,按40℃/h的降温速率缓慢冷却至室温,得到Sr2Mg(BO3)2晶体。
3.根据权利要求2所述的硼酸盐拉曼晶体的制备方法,其特征在于:所述的步骤A:Sr2Mg(BO3)2多晶粉末的制备中的Mg源为4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O。
4.根据权利要求3所述的硼酸盐拉曼晶体的制备方法,其特征在于:所述的步骤(1)中Sr2Mg(BO3)2多晶粉末、Mg(BO2)2·H2O、和Li2O质量比为1:0.42:0.19。
5.一种权利要求1所述的硼酸盐拉曼晶体的用途,其特征在于:所述的拉曼晶体被用作固体拉曼激光器的拉曼介质。
6.根据权利要求5所述的硼酸盐拉曼晶体的用途,其特征在于:所述的拉曼介质用于紫外波段、黄光波段及人眼安全波段的激光变频。
CN201710385219.1A 2017-05-26 2017-05-26 一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途 Active CN107245757B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710385219.1A CN107245757B (zh) 2017-05-26 2017-05-26 一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710385219.1A CN107245757B (zh) 2017-05-26 2017-05-26 一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107245757A true CN107245757A (zh) 2017-10-13
CN107245757B CN107245757B (zh) 2019-07-26

Family

ID=60017156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710385219.1A Active CN107245757B (zh) 2017-05-26 2017-05-26 一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107245757B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108683072A (zh) * 2018-05-18 2018-10-19 北方工业大学 一种提高sbo深紫外倍频激光输出效率的方法
CN110484969A (zh) * 2019-09-12 2019-11-22 合肥学院 一种含铂金无机晶态硼酸盐及其制备方法和用途
CN111711059A (zh) * 2020-05-28 2020-09-25 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于组合透镜的高效率飞秒激光倍频装置及其调节方法
CN111910250A (zh) * 2020-08-06 2020-11-10 齐鲁工业大学 一种新型紫外双折射晶体制备方法及用途
CN114016121A (zh) * 2021-11-02 2022-02-08 山东省科学院新材料研究所 一种低温生长碳酸盐拉曼晶体的方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104348081A (zh) * 2014-11-25 2015-02-11 山东大学 一种Ca3(BO3)2晶体受激拉曼散射的应用
CN104746141A (zh) * 2015-03-30 2015-07-01 山东省科学院新材料研究所 一种拉曼晶体及其生长方法和用途

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104348081A (zh) * 2014-11-25 2015-02-11 山东大学 一种Ca3(BO3)2晶体受激拉曼散射的应用
CN104746141A (zh) * 2015-03-30 2015-07-01 山东省科学院新材料研究所 一种拉曼晶体及其生长方法和用途

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MIN ZHANG ET AL.: "Growth, crystal structure and optical properties of layered dibarium cadmium diborate, Ba2Cd(BO3)2", 《JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS》 *
陈国军: "几种新型硼酸盐非线性光学晶体材料研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108683072A (zh) * 2018-05-18 2018-10-19 北方工业大学 一种提高sbo深紫外倍频激光输出效率的方法
CN108683072B (zh) * 2018-05-18 2020-07-10 北方工业大学 一种提高sbo深紫外倍频激光输出效率的方法
CN110484969A (zh) * 2019-09-12 2019-11-22 合肥学院 一种含铂金无机晶态硼酸盐及其制备方法和用途
CN110484969B (zh) * 2019-09-12 2021-01-15 合肥学院 一种含铂金无机晶态硼酸盐及其制备方法
CN111711059A (zh) * 2020-05-28 2020-09-25 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于组合透镜的高效率飞秒激光倍频装置及其调节方法
CN111910250A (zh) * 2020-08-06 2020-11-10 齐鲁工业大学 一种新型紫外双折射晶体制备方法及用途
CN111910250B (zh) * 2020-08-06 2021-11-19 齐鲁工业大学 一种紫外双折射晶体制备方法及用途
CN114016121A (zh) * 2021-11-02 2022-02-08 山东省科学院新材料研究所 一种低温生长碳酸盐拉曼晶体的方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN107245757B (zh) 2019-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107245757A (zh) 一种硼酸盐拉曼晶体及其制备方法和用途
CN101799609B (zh) 非线性光学晶体BaZnBO3F及其制备方法和用途
CN102976287B (zh) BaGa2GeSe6化合物、BaGa2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN101295119A (zh) 一种新型非线性光学晶体硼酸铝镓铋
CN102766905B (zh) 一类铒离子激活1.55微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法
CN110396721A (zh) 氟硼铝酸铯化合物、氟硼铝酸铯非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN102766906B (zh) 一类铒离子激活3微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法
CN102140692B (zh) 钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法
CN103451730B (zh) Cd4RO(BO3)3化合物、Cd4RO(BO3)3光学晶体及制法和用途
CN105502329B (zh) RbNaMgP2O7化合物、RbNaMgP2O7非线性光学晶体及其制法和用途
Xue et al. Spectroscopic and laser properties of Tm: CNGG crystals grown by the micro-pulling-down method
CN106868588A (zh) Rb3Ba3Li2Al4B6O20F化合物、非线性光学晶体及其制法和用途
CN105274621B (zh) 一种钼磷酸氟钾化合物、其非线性光学晶体及其制备方法和用途
Zhang et al. The effect of Y3+ doping upon Nd: S-FAP transparent ceramics for effective spectral performance improvement
Wang et al. Flux growth and characterizations of NdPO4 single crystals
Wang et al. Highly matched spectrum needed for photosynthesis in Ce3+/Er3+/Yb3+ tri-doped oxyfluoride glass ceramics
CN103030146B (zh) BaGa2SiSe6化合物、BaGa2SiSe6非线性光学晶体及制法和用途
CN106012020B (zh) 铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法
CN108930062A (zh) 一种镝激活的实现黄光激光输出的晶体材料
CN104233468B (zh) Li4Sr(BO3)2化合物、Li4Sr(BO3)2非线性光学晶体及其制法和用途
CN114672880A (zh) 化合物氟硼磷酸铷和氟硼磷酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途
CN106894086A (zh) 磷酸铅非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN101717998A (zh) 掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法
CN113249790B (zh) 一种钕激活离子掺杂Na5Lu(MoO4)4晶体及其制备方法和应用
Li et al. Growth and optical properties of self-frequency-doubling laser crystal Yb: LuAl3 (BO3) 4

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant