CN101768779A - Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法 - Google Patents
Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101768779A CN101768779A CN200910198433A CN200910198433A CN101768779A CN 101768779 A CN101768779 A CN 101768779A CN 200910198433 A CN200910198433 A CN 200910198433A CN 200910198433 A CN200910198433 A CN 200910198433A CN 101768779 A CN101768779 A CN 101768779A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- crucible
- growth
- aluminum garnet
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000002223 garnet Substances 0.000 title claims abstract description 19
- -1 yttrium lutetium aluminum Chemical compound 0.000 title claims abstract description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 55
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 28
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 4
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 241000209456 Plumbago Species 0.000 description 24
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000001307 laser spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法，所获得的Yb3+或Nd3+掺杂的LuxY3-xAl5O12激光晶体，晶体荧光光谱明显展宽，有望采用锁模技术，获得高功率、超快激光输出。
Description
技术领域
本发明涉及钇镥铝石榴石激光晶体(以下简称为LuxY3-xAl5O12)，特别是一种Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法，Yb3+掺杂的钇镥铝石榴石(LuxY3-xAl5O12)是一种发光波长处于1030nm波段的激光晶体，它适合于InGaAs二极管泵浦；Nd3+掺杂的LuxY3-xAl5O12是一种发光波长处于1064nm波段的激光晶体，它适合于钛宝石激光器泵浦。
背景技术
近红外波段激光已成为当前学术界上的热点之一，Yb3+具有不存在激发态吸收、无上转换、可实现高掺杂浓度、量子效率高和荧光寿命长等优点，目前Yb3+通常采用发射波长在980nm附近的InGaAs二极管作为泵浦源；Nd3+具有泵浦阈值较低，吸收和发射截面较大等优点，通常采用钛宝石激光器(AlGaAs)作为泵浦源。Yb:YAG、Nd:YAG以及Yb:LuAG、Nd:LuAG晶体是优良的高功率激光增益介质，但是晶体相对窄的发射波长范围，使得晶体不能同时满足高效率、高功率和超短脉冲的激光输出。
发明内容
本发明的目的在于提出一种Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法，Yb3+或Nd3+掺杂的LuxY3-xAl5O12激光晶体，晶体荧光光谱明显展宽，有望采用锁模技术，获得高功率、超快激光输出。
本发明的具体实施方案如下：
一种Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体，其特点在于该晶体的结构式为：Yb3+:LuxY3-xAl5O12、Nd3+:LuxY3-xAl5O12，其中0＜x＜3。
所述的Yb3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体的生长方法，包括下列步骤：
<1>原料配方
所述的Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体的初始原料采用Yb2O3，Lu2O3，Y2O3，Al2O3，原料按摩尔比等于y∶x∶(3-x)∶5进行配料，其中y的取值范围为0.01～1.5，0＜x＜3；
<2>将所称取的原料充分混合均匀后在液压机上压制成块，然后装入坩埚内，采用熔体法生长Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体。
所述的生长方法为提拉法，坩埚材料为铱，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
所述的生长方法为坩埚下降法或温度梯度法，坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部不放籽晶，或放入严格定向的Lu3Al5O12单晶棒作籽晶，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
所述的Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体的生长方法，特征在于包括下列步骤：
<1>原料配方
Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体的初始原料采用Nd2O3，Lu2O3，Y2O3，Al2O3。原料按摩尔比等于z∶x∶(3-x)∶5进行配料，其中z的取值范围为0.005～1.5，0＜x＜3。
<2>将所称取的原料充分混合均匀后在液压机上压制成块，然后装入坩埚内，采用熔体法生长Nd3+:LuxY3-xAl5O12单晶。
所述的生长方法为提拉法，坩埚材料为铱，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
所述的生长方法为坩埚下降法或温度梯度法，坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部不放籽晶，或或放入严格定向的Lu3Al5O12单晶棒作籽晶，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
除以上方法外，也不排除使用其他方法生长晶体。
实验表明本发明采用Lu3+和Y3+混掺的方式生长出Yb3+:LuxY3-xAl5O12和Nd3+:LuxY3-xAl5O12单晶体，Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体在0.9～1.1μm有强的吸收，适合InGaAs激光二极管泵浦；Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体在790～820nm有强的吸收，适合用钛宝石激光器泵浦。
本发明的关键技术是改变传统的基质YAG或LuAG，将Y和Lu混掺得到基质LuYAG，这样荧光光谱得以拓宽，从而有利于超短脉冲锁模。超短脉冲具有皮秒、飞秒量级的脉冲宽度、高脉冲重复频率，宽的光谱和高的峰值功率，在物理、生物学、OCT、激光光谱学、光通信和激光精细加工等众多领域具有广泛的用途。
Yb3+:LuxY3-xAl5O12、Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体与Yb:YAG、Nd:YAG以及Yb:LuAG、Nd:LuAG等晶体相比，光谱明显展宽，Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体的吸收和发射带宽分别为13.66nm、13.64nm；Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体的吸收和发射带宽分别为6.72nm、4.45nm，大于Yb和Nd离子掺杂的YAG和LuAG晶体，有利于锁模，且容易生长出大尺寸单晶。
附图说明
图1为Yb3+:Lu1.5Y1.5Al5O12晶体的吸收光谱，
图2为Yb3+:Lu1.5Y1.5Al5O12晶体的发射光谱；
图3为Nd3+:Lu1.5Y1.5Al5O12晶体的吸收光谱，
图4为Nd3+:Lu1.5Y1.5Al5O12晶体的发射光谱。
具体实施方式
实施例1.
所述的Yb3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体的生长方法，包括下列步骤：
<1>原料配方
所述的Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体的初始原料采用Yb2O3，Lu2O3，Y2O3，Al2O3，原料按摩尔比等于y∶x∶(3-x)∶5进行配料，其中y＝0.05，x＝0.5。将原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
将上述生长的Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体切割成片，光学抛光后，在室温下测试其光谱性能，采用Jasco V-570UV/VIS/NIR分光光度计上测试吸收光谱。采用riax550荧光光谱仪上测试红外发射光谱，Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体的泵浦源采用波长为980nm的InGaAs激光二极管。图1为Yb3+:Lu1.5Y1.5Al5O12晶体的吸收光谱，图2为Yb3+:Lu1.5Y1.5Al5O12晶体的发射光谱，其中900～1000nm波段的强吸收带有利于采用InGaAs激光二极管进行泵浦；
Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体具有大的发射截面，荧光光谱宽，优于Yb3+:Lu3Al5O12和Yb3+:Y3Al5O12等晶体。
实验表明采用Lu3+和Y3+混掺的方式生长出Yb3+:LuxY3-xAl5O12，Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体在0.9～1.1μm有强的吸收，适合InGaAs激光二极管泵浦。这种晶体荧光光谱宽，有利于锁模实现超短脉冲激光输出。
实施例2.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.1，x＝1.0称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
实施例3.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.3，x＝1.5称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
实施例4.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.9，x＝2.0称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
实施例5.
Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体的初始原料采用Nd2O3，Lu2O3，Y2O3，Al2O3。原料按摩尔比等于z∶x∶(3-x)∶5进行配料，其中z＝0.01，x＝0.5。将称量的原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。将上述生长的Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体切割成片，光学抛光后，在室温下测试其光谱性能，采用Jasco V-570UV/VIS/NIR分光光度计上测试吸收光谱。采用riax550荧光光谱仪上测试红外发射光谱，图3为Nd3+:Lu1.5Y1.5Al5O12晶体的吸收光谱，图4为Nd3+:Lu1.5Y1.5Al5O12晶体的发射光谱。其中800～815nm波段的强吸收带有利于采用钛宝石激光器进行泵浦。Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体同样具有大的发射截面，荧光光谱宽，优于Nd3+:Lu3Al5O12和Nd3+:Y3Al5O12等晶体。
实验表明采用Lu3+和Y3+混掺的方式生长出Nd3+:LuxY3-xAl5O12单晶体，Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体在790～820nm有强的吸收，适合用钛宝石激光器泵浦。这种晶体荧光光谱宽，有利于锁模实现超短脉冲激光输出。
实施例6.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.03，x＝1.5称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
实施例7.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.09，x＝2.0称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
实施例8.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.3，x＝2.5称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于铱坩埚内，采用提拉法生长晶体，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
实施例9.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.05，x＝0.5称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用温度梯度法，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例10.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.1，x＝1.0称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用温度梯度法，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例11.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.3，x＝1.5称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用温度梯度法，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例12.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.9，x＝2.0称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用温度梯度法，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例13.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.01，x＝0.5称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用温度梯度法，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例14.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.03，x＝1.5称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用温度梯度法，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例15.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.09，x＝2.0称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用温度梯度法，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例16.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.3，x＝2.5称量。混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部无籽晶。采用温度梯度法，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例17.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.05，x＝0.5称量。原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有经严格定向的Lu3Al5O12籽晶。装好原料的石墨坩埚放入坩埚下降炉内，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例18.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.1，x＝1.0称量。原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有经严格定向的Lu3Al5O12籽晶。装好原料的石墨坩埚放入坩埚下降炉内，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例19.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.3，x＝1.5称量。原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有经严格定向的Lu3Al5O12籽晶。装好原料的石墨坩埚放入坩埚下降炉内，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例20.
将Yb2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照y＝0.9，x＝2.0称量。原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有经严格定向的Lu3Al5O12籽晶。装好原料的石墨坩埚放入坩埚下降炉内，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例21.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.01，x＝0.5称量。原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有经严格定向的Lu3Al5O12籽晶。装好原料的石墨坩埚放入坩埚下降炉内，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例22.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.03，x＝1.5称量。原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有经严格定向的Lu3Al5O12籽晶。装好原料的石墨坩埚放入坩埚下降炉内，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例23.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.09，x＝2.0称量。原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有经严格定向的Lu3Al5O12籽晶。装好原料的石墨坩埚放入坩埚下降炉内，在高纯Ar气氛中生长晶体。
实施例24.
将Nd2O3，Lu2O3，Y2O3和Al2O3高纯原料按照z＝0.3，x＝2.5称量。原料混合均匀后在液压机上压制成块，放于石墨坩埚内，坩埚底部放有经严格定向的Lu3Al5O12籽晶。装好原料的石墨坩埚放入坩埚下降炉内，在高纯Ar气氛中生长晶体。
上述实施例的晶体光谱分别与图1、图2、图3、图4类似，实验表明Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体具有大的发射截面，荧光光谱宽，优于Yb3+:Lu3Al5O12和Yb3+:Y3Al5O12等晶体；Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体同样具有大的发射截面，荧光光谱宽，优于Nd3+:Lu3Al5O12和Nd3+:Y3Al5O12等晶体。Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体在0.9～1.1μm有强的吸收，适合InGaAs激光二极管泵浦；Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体在790～820m有强的吸收，适合用钛宝石激光器泵浦。这两种晶体荧光光谱宽，有利于锁模实现超短脉冲激光输出。
Claims (7)
1.一种Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体，其特征在于该晶体的结构式为：Yb3+:LuxY3-xAl5O12、Nd3+:LuxY3-xAl5O12，其中0＜x＜3。
2.权利要求1所述的Yb3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体的生长方法，特征在于包括下列步骤：
<1>原料配方
所述的Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体的初始原料采用Yb2O3，Lu2O3，Y2O3，Al2O3，原料按摩尔比等于y∶x∶(3-x)∶5进行配料，其中y的取值范围为0.01～1.5，0＜x＜3；
<2>将所称取的原料充分混合均匀后在液压机上压制成块，然后装入坩埚内，采用熔体法生长Yb3+:LuxY3-xAl5O12晶体。
3.根据权利要求2所述的Yb3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体的生长方法，特征在于所述的生长方法为提拉法，坩埚材料为铱，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
4.根据权利要求2所述的Yb3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体的生长方法，特征在于所述的生长方法为坩埚下降法或温度梯度法，坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部不放籽晶，或放入严格定向的Lu3Al5O12单晶棒作籽晶，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
5.权利要求1所述的Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体的生长方法，特征在于包括下列步骤：
<1>原料配方
Nd3+:LuxY3-xAl5O12晶体的初始原料采用Nd2O3，Lu2O3，Y2O3，Al2O3。原料按摩尔比等于z∶x∶(3-x)∶5进行配料，其中z的取值范围为0.005～1.5，0＜x＜3。
<2>将所称取的原料充分混合均匀后在液压机上压制成块，然后装入坩埚内，采用熔体法生长Nd3+:LuxY3-xAl5O12单晶。
6.根据权利要求5所述的Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体的生长方法，特征在于所述的生长方法为提拉法，坩埚材料为铱，籽晶为严格定向的Lu3Al5O12单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
7.根据权利要求5所述的Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体的生长方法，特征在于所述的生长方法为坩埚下降法或温度梯度法，坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部不放籽晶，或或放入严格定向的Lu3Al5O12单晶棒作籽晶，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200910198433A CN101768779A (zh) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200910198433A CN101768779A (zh) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101768779A true CN101768779A (zh) | 2010-07-07 |
Family
ID=42501870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200910198433A Pending CN101768779A (zh) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101768779A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102691104A (zh) * | 2012-06-21 | 2012-09-26 | 吉林建筑工程学院 | 掺镱钇钆铝石榴石晶体及其生长方法 |
| CN103397385A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-11-20 | 山东大学 | 掺镱镥钆镓石榴石激光晶体及其制备方法与应用 |
| CN108085743A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-05-29 | 吉林建筑大学 | 掺镱镥钇钆铝石榴石晶体及其制备方法 |
-
2009
- 2009-11-06 CN CN200910198433A patent/CN101768779A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102691104A (zh) * | 2012-06-21 | 2012-09-26 | 吉林建筑工程学院 | 掺镱钇钆铝石榴石晶体及其生长方法 |
| CN103397385A (zh) * | 2013-08-19 | 2013-11-20 | 山东大学 | 掺镱镥钆镓石榴石激光晶体及其制备方法与应用 |
| CN108085743A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-05-29 | 吉林建筑大学 | 掺镱镥钇钆铝石榴石晶体及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yuan et al. | Exploiting the silent upconversion emissions from a single β-NaYF 4: Yb/Er microcrystal via saturated excitation | |
| CN102946048A (zh) | 一种基于硅钛钡石结构晶体的拉曼激光器 | |
| CN104009390A (zh) | 一种镱激活硼酸镧钙超快激光晶体 | |
| CN110295392A (zh) | 一种可调谐激光晶体掺铬钪酸钆及其制备方法 | |
| CN101768779A (zh) | Yb3+或Nd3+掺杂的钇镥铝石榴石激光晶体及其生长方法 | |
| CN102534777A (zh) | 一种掺钕磷酸钆钾激光晶体及其制备方法和应用 | |
| CN103173862B (zh) | 掺铬硅酸镁钙可调谐激光晶体及其制备方法 | |
| CN101597797B (zh) | 掺镱硼酸钆锂激光晶体及其制备方法 | |
| Cheng et al. | Growth and spectroscopic properties of Yb: Lu1. 5Y1. 5Al5O12 mixed crystal | |
| Quan et al. | Growth and fluorescence characteristics of Er: LuAG laser crystals | |
| CN101174756A (zh) | 掺镱铌酸钙激光晶体及其制备方法 | |
| Wu et al. | Growth and properties of Nd: Lu3Ga5O12 laser crystal by floating-zone method | |
| CN101717997A (zh) | 掺钕的硅酸镥钆激光晶体及其制备方法 | |
| CN101717998A (zh) | 掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 | |
| CN100365172C (zh) | 镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法 | |
| CN101407939A (zh) | 掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法 | |
| CN100510205C (zh) | Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法 | |
| CN102936751A (zh) | 掺钕钼酸镥钠激光晶体及其制备方法 | |
| Wu et al. | Growth and characterization of Nd: Lu3ScxGa5− xO12 series laser crystals | |
| Yu et al. | Bulk growth and polarized spectral characters of Nd: LaCa4O (BO3) 3 crystals | |
| CN101709507A (zh) | 掺钕的硅酸钇钆激光晶体及其制备方法 | |
| Shur et al. | Photoluminescence properties of Nd: YVO4 single crystals by multi-die EFG method | |
| CN102337591A (zh) | 镱掺杂硼酸三钇钾激光晶体及其生长方法和用途 | |
| CN101899710A (zh) | 三价稀土铈和镱离子共掺钇铝石榴石激光晶体及其制备方法 | |
| CN101701359A (zh) | 掺钕的硅酸镥激光晶体及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20100707 |