CN102168303A - 一种提高110单晶硅成晶率的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法,其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶,然后采用该籽晶进行引晶,并保持引晶长度在12cm以上。X角度在1~9度之间。采取本发明方法,因<110>籽晶的晶轴与生长方向偏离X角度,就可以在引晶过程排尽位错,引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长,因此能提高成晶率,保证成品率。
Description
技术领域
本发明涉及一种提高110单晶硅成晶率的制备方法。
背景技术
因为<111>晶向单晶生长排除位错角为60度,<100>晶向单晶生长排除位错角为90度,而<110>晶向单晶生长排除位错角为0度,所以<110>晶向单晶位错很难排出而尽,常常引晶后放肩脱棱或等径后晶体生长不下去而产生位错掉苞,使其晶体生长成晶率不高,导致<110>晶向成晶率太低。
发明内容
本发明的目的是提供在引晶过程中无位错生长的一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法。
本发明采取的技术方案是:一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法,其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶,然后采用该籽晶进行引晶,并保持引晶长度在12cm以上。
所述的X角度在1~9度。
采取本发明方法,因<110>籽晶的晶轴与生长方向偏离X角度,就可以在引晶过程排尽位错,引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长,因此能提高成晶率,保证成品率。
具体实施方式
下面采用本发明具体的实施作进一步简要说明。
一、制作晶种要求:用<110>或<100>单晶,通过定向仪,切出晶种,使其晶向偏离<110>方向X角,X值在1~9度,最好在一般为4±1度。
二、引晶:采用上述的的籽晶进行引晶,要求引晶长度在12cm,但最好在22±3之间。
三、这样采用偏离晶向后的<11x>方向进行引晶,生长出的晶体具有排位错角,就可容易排出位错,引出的<110>晶向的晶体就可以保证无位错生长。因此能提高成晶率,且能保证成品率。据生长测试结果,通过上述方法,成晶率可以达到98%以上。
Claims (2)
1.一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法,其特征在于采用<110>或<100>单晶切出晶向偏离<110>方向X角度的籽晶,然后采用该籽晶进行引晶,并保持引晶长度在12cm以上。
2.根据权利要求1所述的一种提高<110>晶向单晶硅成晶率的制备方法,其特征在于X角度在1~9度之间。
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