UA122889C2 - Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації - Google Patents

Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Info

Publication number
UA122889C2
UA122889C2 UAA201908494A UAA201908494A UA122889C2 UA 122889 C2 UA122889 C2 UA 122889C2 UA A201908494 A UAA201908494 A UA A201908494A UA A201908494 A UAA201908494 A UA A201908494A UA 122889 C2 UA122889 C2 UA 122889C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
single crystal
growing
single crystals
growth
activated
Prior art date
Application number
UAA201908494A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергій Вікторович Ніжанковський
В'ячеслав Валерійович Баранов
Original Assignee
Інститут Монокристалів Національної Академії Наук України
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Інститут Монокристалів Національної Академії Наук України filed Critical Інститут Монокристалів Національної Академії Наук України
Priority to UAA201908494A priority Critical patent/UA122889C2/uk
Publication of UA122889C2 publication Critical patent/UA122889C2/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Винахід стосується способів вирощування монокристалів. Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації включає плавлення вихідної шихти, затравлення і наступне вирощування початкової трикутної частини монокристала та вирощування прямокутної частини монокристала переміщенням тигля з шихтою через градієнтне теплове поле, при цьому встановлюють швидкість кристалізації для трикутної частини монокристалічної пластини - 3-4 мм/год., для прямокутної частини монокристала - 1-2 мм/год. Розподіл концентрації активатора в шихті С(х) вздовж напряму вирощування монокристала визначають згідно з результатами попереднього вирощування в аналогічних умовах за відповідною формулою. Спосіб забезпечує вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів з високою однорідністю розподілення активатора і, відповідно, з поліпшеними функціональними характеристиками.
UAA201908494A 2019-07-17 2019-07-17 Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації UA122889C2 (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201908494A UA122889C2 (uk) 2019-07-17 2019-07-17 Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201908494A UA122889C2 (uk) 2019-07-17 2019-07-17 Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA122889C2 true UA122889C2 (uk) 2021-01-13

Family

ID=90623872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAA201908494A UA122889C2 (uk) 2019-07-17 2019-07-17 Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA122889C2 (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009114547A (ru) Способ и установка для выращивания монокристалла сапфира с ориентацией в с-плоскости
CN104109904A (zh) 一种泡生法蓝宝石晶体生长的引晶方法
EA200970941A1 (ru) Способ и устройство для получения монокристалла
EP4245894A3 (en) Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method
UA122889C2 (uk) Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації
CN102168303A (zh) 一种提高110单晶硅成晶率的制备方法
WO2011072278A3 (en) Germanium ingots/wafers having low micro-pit density (mpd) as well as systems and methods for manufacturing same
UA116899U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ AgxGaxGe1-xSe2 (X=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)
GB755422A (en) An improved method for the production of single crystals of semi-conductor materials
UA115210U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl3PbBr2,5I2,5
UA153429U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag<sub>186</sub>Ge<sub>93</sub>Er<sub>10</sub>Pr<sub>4</sub>S<sub>300</sub>
UA130702U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Cu7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA111911U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4
UA153137U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АРГЕНТУМ(І) БІСМУТ(ІІІ) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ AgBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
MD4266B1 (en) Method for producing the ZnSe single crystal
UA95507U (uk) СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ (Ga55, In45)2S300
UA113185C2 (xx) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ CdTe ТА ЙОГО ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ CdXZn1-XTe, CdXMn1-XTe
UA131037U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
RU2013143032A (ru) Способ выращивания кристалла монокристаллического кремния из расплава
UA114854U (xx) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ - РОЗЧИНУ
UA153430U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag<sub>186</sub>Ge<sub>93</sub>Er<sub>10</sub>Nd<sub>4</sub>S<sub>300</sub>
UA116748C2 (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ
UA115640U (xx) Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію
UA81126U (uk) Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву
UA115204C2 (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Аg7GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ