UA122889C2 - Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації - Google Patents
Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізаціїInfo
- Publication number
- UA122889C2 UA122889C2 UAA201908494A UAA201908494A UA122889C2 UA 122889 C2 UA122889 C2 UA 122889C2 UA A201908494 A UAA201908494 A UA A201908494A UA A201908494 A UAA201908494 A UA A201908494A UA 122889 C2 UA122889 C2 UA 122889C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- single crystal
- growing
- single crystals
- growth
- activated
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 title abstract 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 title abstract 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 abstract 2
- 238000007713 directional crystallization Methods 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Винахід стосується способів вирощування монокристалів. Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації включає плавлення вихідної шихти, затравлення і наступне вирощування початкової трикутної частини монокристала та вирощування прямокутної частини монокристала переміщенням тигля з шихтою через градієнтне теплове поле, при цьому встановлюють швидкість кристалізації для трикутної частини монокристалічної пластини - 3-4 мм/год., для прямокутної частини монокристала - 1-2 мм/год. Розподіл концентрації активатора в шихті С(х) вздовж напряму вирощування монокристала визначають згідно з результатами попереднього вирощування в аналогічних умовах за відповідною формулою. Спосіб забезпечує вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів з високою однорідністю розподілення активатора і, відповідно, з поліпшеними функціональними характеристиками.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAA201908494A UA122889C2 (uk) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAA201908494A UA122889C2 (uk) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA122889C2 true UA122889C2 (uk) | 2021-01-13 |
Family
ID=90623872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UAA201908494A UA122889C2 (uk) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
UA (1) | UA122889C2 (uk) |
-
2019
- 2019-07-17 UA UAA201908494A patent/UA122889C2/uk unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2009114547A (ru) | Способ и установка для выращивания монокристалла сапфира с ориентацией в с-плоскости | |
CN104109904A (zh) | 一种泡生法蓝宝石晶体生长的引晶方法 | |
EA200970941A1 (ru) | Способ и устройство для получения монокристалла | |
EP4245894A3 (en) | Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method | |
UA122889C2 (uk) | Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації | |
CN102168303A (zh) | 一种提高110单晶硅成晶率的制备方法 | |
WO2011072278A3 (en) | Germanium ingots/wafers having low micro-pit density (mpd) as well as systems and methods for manufacturing same | |
UA116899U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ AgxGaxGe1-xSe2 (X=0,333; 0,250; 0,200; 0,167) | |
GB755422A (en) | An improved method for the production of single crystals of semi-conductor materials | |
UA115210U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl3PbBr2,5I2,5 | |
UA153429U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag<sub>186</sub>Ge<sub>93</sub>Er<sub>10</sub>Pr<sub>4</sub>S<sub>300</sub> | |
UA130702U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Cu7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
UA111911U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4 | |
UA153137U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АРГЕНТУМ(І) БІСМУТ(ІІІ) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ AgBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
MD4266B1 (en) | Method for producing the ZnSe single crystal | |
UA95507U (uk) | СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ (Ga55, In45)2S300 | |
UA113185C2 (xx) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ CdTe ТА ЙОГО ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ CdXZn1-XTe, CdXMn1-XTe | |
UA131037U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
RU2013143032A (ru) | Способ выращивания кристалла монокристаллического кремния из расплава | |
UA114854U (xx) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ - РОЗЧИНУ | |
UA153430U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag<sub>186</sub>Ge<sub>93</sub>Er<sub>10</sub>Nd<sub>4</sub>S<sub>300</sub> | |
UA116748C2 (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ | |
UA115640U (xx) | Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію | |
UA81126U (uk) | Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву | |
UA115204C2 (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Аg7GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ |