JP7477997B2 - サファイアリボンおよび単結晶リボン製造装置 - Google Patents
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Description
きが、1.5以下であると結晶欠陥の少ない、高品質なサファイアリボン11が提供できる。
ある。
拡がり部12の幅W、拡がり角2θの調整が容易となり、所望の形状の拡がり部12の形成が容易となる。同様に、所望の形状の尾部の形成が容易となる。
3 :金型
4 :加熱手段
4a ;第1ヒータ
4b ;第2ヒータ
4c ;第3ヒータ
4d ;第4ヒータ
5 :融液
6 :種結晶
10、20:EFG装置
11、21:サファイアリボン(リボン、単結晶体)
12 :拡がり部
13 :直胴部
Claims (8)
- それぞれ直交する幅と厚みと長さとを有し、長さ方向が育成方向であり、厚み方向に離間する2つの主面を有し、
拡がり部と直胴部と、幅方向に離間し前記主面を接続する2つの側面とを有し、前記拡がり部の長さ方向に対する前記側面の傾き(前記直胴部の幅をWB、前記拡がり部の長さをLAとしたとき、WB/2LA)が、0.9以上2.0以下である、
前記幅が、40cm以上のサファイアリボン。 - 前記拡がり部のうち、長さ方向の座標Lと幅方向の座標Wが、0≦L≦30mmである領域を第1領域、30mm≦L、W≦0.9WBである領域を第2領域、0.9WB≦W≦WBである領域を第3領域としたとき、前記第1領域の直線近似(W/2=aL+b)の傾きa1が、0.5以上1.5以下、前記第2領域の直線近似の傾きa2が、0.8以上2.0以下である、請求項1に記載のサファイアリボン。
- さらに、a2>1.19×a1-0.01である、請求項2に記載のサファイアリボン。
- それぞれ直交する幅と厚みと長さとを有し、長さ方向が育成方向であり、厚み方向に離間する2つの主面を有し、
拡がり部と直胴部と、幅方向に離間し前記主面を接続する2つの側面とを有し、
前記拡がり部の長さ方向に対する前記側面の傾き(前記直胴部の幅をWB、前記拡がり部の長さをLAとしたとき、WB/2LA)が、0.9以上2.0以下であり、
前記拡がり部のうち、長さ方向の座標Lと幅方向の座標Wが、0≦L≦30mmである領域を第1領域、30mm≦L、W≦0.9WBである領域を第2領域、0.9WB≦W≦WBである領域を第3領域としたとき、前記第1領域の対数近似(W/2=alogL+b)の相関係数が指数近似(W/2=aLb)の相関係数よりも大きく、前記第2領域の指数近似の相関係数が対数近似の相関係数よりも大きい、
前記幅が、40cm以上のサファイアリボン。 - 前記主面のa面からの傾きが15°以内で、前記長さ方向のm軸からの傾きが15°以内である、請求項1から4のいずれかに記載のサファイアリボン。
- EFG法を用いて、幅が40cm以上の単結晶リボンを製造するための単結晶リボン製造装置であって、
幅が奥行きよりも大きい坩堝と、
前記坩堝内に設置され、スリットを挟んで前記奥行き方向に相対する金型と、
前記坩堝の周囲に、前記奥行き方向に対向して配置される、第1ヒータと第2ヒータと、
前記坩堝の周囲に、前記幅方向に対向して配置される、第3ヒータと第4ヒータとを備え、
前記第1ヒータと前記第2ヒータと前記第3ヒータと前記第4ヒータは、それぞれ独立して温度制御される、単結晶リボン製造装置。 - 前記第1ヒータと前記第2ヒータは、前記金型と略平行に配置され、前記第3ヒータと前記第4ヒータは前記金型と略垂直に配置される、請求項6に記載の単結晶リボン製造装置。
- 前記第1ヒータと前記第2ヒータの幅は、前記坩堝の幅よりも大きく、前記第3ヒータと前記第4ヒータの奥行き方向の幅は、前記坩堝の奥行きよりも大きい、請求項6または7に記載の単結晶リボン製造装置。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002522353A (ja) | 1998-08-14 | 2002-07-23 | エバラ・ソーラー・インコーポレーテッド | 樹枝状ウェブ結晶成長を安定化する方法およびシステム |
US20120174857A1 (en) | 2009-09-05 | 2012-07-12 | Cristech Co., Ltd. | Method and apparatus for growing sapphire single crystals |
JP2013103863A (ja) | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Tamura Seisakusho Co Ltd | β−Ga2O3結晶の製造方法 |
US20140272413A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire Ribbons and Apparatus and Method for Producing a Plurality of Sapphire Ribbons Having Improved Dimensional Stability |
JP2015124096A (ja) | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 並木精密宝石株式会社 | 大型基板用の単結晶サファイアリボン |
JP2017078013A (ja) | 2016-08-16 | 2017-04-27 | 並木精密宝石株式会社 | サファイア単結晶とその製造方法 |
JP2018002507A (ja) | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物単結晶の育成方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4443411A (en) * | 1980-12-15 | 1984-04-17 | Mobil Solar Energy Corporation | Apparatus for controlling the atmosphere surrounding a crystal growth zone |
US7348076B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-03-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Single crystals and methods for fabricating same |
MX2009003120A (es) * | 2006-09-22 | 2009-04-06 | Saint Gobain Ceramics | Metodo para zafiro de plano c y aparato. |
US7682452B2 (en) * | 2007-04-09 | 2010-03-23 | Sapphire Systems Inc. | Apparatus and methods of growing void-free crystalline ceramic products |
US9777398B2 (en) * | 2012-09-25 | 2017-10-03 | Apple Inc. | Plane orientation of crystalline structures |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002522353A (ja) | 1998-08-14 | 2002-07-23 | エバラ・ソーラー・インコーポレーテッド | 樹枝状ウェブ結晶成長を安定化する方法およびシステム |
US20120174857A1 (en) | 2009-09-05 | 2012-07-12 | Cristech Co., Ltd. | Method and apparatus for growing sapphire single crystals |
JP2013503810A (ja) | 2009-09-05 | 2013-02-04 | クリステク カンパニー リミテッド | サファイア単結晶成長方法とその装置 |
JP2013103863A (ja) | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Tamura Seisakusho Co Ltd | β−Ga2O3結晶の製造方法 |
US20140272413A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire Ribbons and Apparatus and Method for Producing a Plurality of Sapphire Ribbons Having Improved Dimensional Stability |
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JP2015124096A (ja) | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 並木精密宝石株式会社 | 大型基板用の単結晶サファイアリボン |
JP2018002507A (ja) | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物単結晶の育成方法 |
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