JP2013089761A - インプリント用硬化性組成物およびその保存方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パターン欠陥の少ないパターンを形成可能なインプリント用硬化性組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）重合性化合物および（Ｂ）光重合開始剤を含有するインプリント用硬化性組成物であって、溶剤を除く全成分の合計重量に対する含有水分の割合が０．８重量％未満であるインプリント用硬化性組成物。
【選択図】 なし

Description

本発明は、インプリント用硬化性組成物およびその製造方法、ならびに、かかるインプリント用硬化性組成物を用いたパターン形成方法に関する。また、インプリント用硬化性組成物の保存方法に関する。
より詳しくは、半導体集積回路、フラットスクリーン、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）、センサ素子、光ディスク、高密度メモリーディスク等の磁気記録媒体、回折格子やレリーフホログラム等の光学部品、ナノデバイス、光学デバイス、フラットパネルディスプレイ製作のための光学フィルムや偏光素子、液晶ディスプレイの薄膜トランジタ、有機トランジスタ、カラーフィルタ、オーバーコート層、柱材、液晶配向用のリブ材、マイクロレンズアレイ、免疫分析チップ、ＤＮＡ分離チップ、マイクロリアクター、ナノバイオデバイス、光導波路、光学フィルター、フォトニック液晶、等の作製に用いられる光照射を利用した微細パターン形成のためのインプリント用硬化性組成物に関する。

ナノインプリント法は、光ディスク製作ではよく知られているエンボス技術を発展させ、凹凸のパターンを形成した金型原器（一般的にモールド、スタンパ、テンプレートと呼ばれる）を、レジストにプレスして力学的に変形させて微細パターンを精密に転写する技術である。モールドを一度作製すれば、ナノ構造等の微細構造が簡単に繰り返して成型できるため経済的であるとともに、有害な廃棄・排出物が少ないナノ加工技術であるため、近年、さまざまな分野への応用が期待されている。

ナノインプリント法には、被加工材料として熱可塑性樹脂を用いる熱インプリント法（例えば、非特許文献１参照）と、光硬化性組成物を用いる光インプリント法（例えば、非特許文献２参照）の２通りの技術が提案されている。熱ナノインプリント法の場合、ガラス転移温度以上に加熱した高分子樹脂にモールドをプレスし、冷却後にモールドを離型することで微細構造を基板上の樹脂に転写するものである。この方法は多様な樹脂材料やガラス材料にも応用可能であるため、様々な方面への応用が期待されている。例えば、特許文献１および特許文献２には、熱可塑性樹脂を用いて、ナノパターンを安価に形成するナノインプリントの方法が開示されている。

一方、透明モールドや透明基材を通して光を照射し、光ナノインプリント用硬化性組成物を光硬化させる光ナノインプリント法では、モールドのプレス時に転写される材料を加熱する必要がなく室温でのインプリントが可能になる。最近では、この両者の長所を組み合わせたナノキャスティング法や３次元積層構造を作製するリバーサルインプリント法などの新しい展開も報告されている。

このようなナノインプリント法においては、以下のような応用技術が提案されている。
第一の技術としては、成型した形状（パターン）そのものが機能を持ち、様々なナノテクノロジーの要素部品、または、構造部材として応用できる場合である。例としては、各種のマイクロ・ナノ光学要素や高密度の記録媒体、光学フィルム、フラットパネルディスプレイにおける構造部材などが挙げられる。
第二の技術としては、マイクロ構造とナノ構造との同時一体成型や、簡単な層間位置合わせにより積層構造を構築し、これをμ−ＴＡＳ（Micro - Total Analysis System）やバイオチップの作製に応用しようとするものである。
第三の技術としては、形成されたパターンをマスクとし、エッチング等の方法により基板を加工する用途に利用されるものである。かかる技術では高精度な位置合わせと高集積化とにより、従来のリソグラフィ技術に代わって高密度半導体集積回路の作製や、液晶ディスプレイのトランジスタへの作製、パターンドメディアと呼ばれる次世代ハードディスクの磁性体加工等に応用できる。前記の技術を始め、これらの応用に関するナノインプリント法の実用化への取り組みが近年活発化している。

ナノインプリント法の適用例として、まず、高密度半導体集積回路作製への応用例を説明する。
近年、半導体集積回路は微細化、集積化が進んでおり、その微細加工を実現するためのパターン転写技術としてフォトリソグラフィ装置の高精度化が進められてきた。しかし、さらなる微細化要求に対して、微細パターン解像性、装置コスト、スループットの３つを満たすのが困難となってきている。これに対し、微細なパターン形成を低コストで行なうための技術としてナノインプリントリソグラフィ（光ナノインプリント法）が提案された。例えば、下記特許文献１および３にはシリコンウエハをスタンパとして用い、２５ｎｍ以下の微細構造を転写により形成するナノインプリント技術が開示されている。本用途においては数十ｎｍレベルのパターン形成性と基板加工時にマスクとして機能するための高いエッチング耐性とが要求される。

次に、ナノインプリント法の次世代ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）作製への応用例を説明する。
ＨＤＤは、ヘッドの高性能化とメディアの高性能化とを両輪とし、大容量化と小型化との歴史を歩んできた。ＨＤＤは、メディア高性能化という観点においては、面記録密度を高めることで大容量化を達成してきている。しかしながら記録密度を高める際には、磁気ヘッド側面からの、いわゆる磁界広がりが問題となる。磁界広がりはヘッドを小さくしてもある値以下には小さくならないため、結果としてサイドライトと呼ばれる現象が発生してしまう。サイドライトが発生すると、記録時に隣接トラックへの書き込みが生じ、既に記録したデータを消してしまう。また、磁界広がりによって、再生時には隣接トラックからの余分な信号を読みこんでしまうなどの現象が発生する。このような問題に対し、トラック間を非磁性材料で充填し、物理的、磁気的に分離することで解決するディスクリートトラックメディアやビットパターンドメディアといった技術が提案されている。これらメディア作製において磁性体あるいは非磁性体パターンを形成する方法としてナノインプリントの応用が提案されている。本用途においても数十ｎｍレベルのパターン形成性と基板加工時にマスクとして機能するための高いエッチング耐性とが要求される。

次に、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）などのフラットディスプレイへのナノインプリント法の応用例について説明する。
ＬＣＤ基板やＰＤＰ基板の大型化や高精細化の動向に伴い、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や電極板の製造時に使用する従来のフォトリソグラフィ法に代わる安価なリソグラフィとして光ナノインプリント法が、近年注目されている。そのため、従来のフォトリソグラフィ法で用いられるエッチングフォトレジストに代わる光硬化性レジストの開発が必要になってきている。さらにＬＣＤなどの構造部材としては、下記特許文献４および特許文献５に記載される透明保護膜材料や、あるいは下記特許文献５に記載されるスペーサなどに対する光ナノインプリント法の応用も検討され始めている。このような構造部材用のレジストは、前記エッチングレジストとは異なり、最終的にディスプレイ内に残るため、“永久レジスト”、あるいは“永久膜”と称されることがある。

また、液晶ディスプレイにおけるセルギャップを規定するスペーサも永久膜の一種であり、従来のフォトリソグラフィにおいては、樹脂、光重合性モノマーおよび開始剤からなる光硬化性組成物が一般的に広く用いられてきた（例えば、特許文献６参照）。スペーサは、一般には、カラーフィルタ基板上に、カラーフィルタ形成後、もしくは、前記カラーフィルタ用保護膜形成後、光硬化性組成物を塗布し、フォトリソグラフィにより１０μｍ〜２０μｍ程度の大きさのパターンを形成し、さらにポストベークにより加熱硬化して形成される。
また、５０〜３００ｎｍピッチの微小パターンからなる反射防止構造体も注目されており、このパターン形成にもナノインプリント法は有用である。このような反射防止構造体は、モスアイと呼ばれる微小ドットパターンに代表され、ディスプレイ表面の反射防止、太陽電池の光高効率利用、ＬＥＤ、有機ＥＬ発光素子の光取り出し効率向上に有効である。これら用途においては形成されたパターンが最終的に製品に残り、且つ物品の最外部に配置されることが多いため、耐熱性、耐光性、耐溶剤性、耐擦傷性、外部圧力に対する高い機械的特性、硬度など主に膜の耐久性や強度に関する性能が要求される。

さらに、マイクロ電気機械システム(MEMS)、センサ素子、回折格子やレリーフホログラム等の光学部品、ナノデバイス、光学デバイス、フラットパネルディスプレイ製作のための光学フィルムや偏光素子、液晶ディスプレイの薄膜トランジタ、有機トランジスタ、カラーフィルタ、オーバーコート層、柱材、液晶配向用のリブ材、マイクロレンズアレイ、免疫分析チップ、DNA分離チップ、マイクロリアクター、ナノバイオデバイス、光導波路、光学フィルター、フォトニック液晶などの永久膜形成用途においてもナノインプリントリソグラフィは有用である。
これら永久膜用途においては、形成されたパターンが最終的に製品に残るため、耐熱性、耐光性、耐溶剤性、耐擦傷性、外部圧力に対する高い機械的特性、硬度など主に膜の耐久性や強度に関する性能が要求される。
このように従来フォトリソグラフィ法で形成されていたパターンのほとんどがナノインプリントで形成可能であり、安価に微細パターンが形成できる技術として注目されている。このような状況の下、開発されたインプリント用硬化性組成物として、例えば、特許文献７が知られている。

米国特許第５，７７２，９０５号公報 米国特許第５，９５６，２１６号公報 米国特許第５，２５９，９２６号公報 特開２００５−１９７６９９号公報 特開２００５−３０１２８９号公報 特開２００４−２４０２４１号公報 特開２００８−１９２９２号公報

S.Chou et al.:Appl.Phys.Lett.Vol.67,3114(1995) M.Colbun et al,:Proc.SPIE,Vol. 3676,379 (1999)

ここで、インプリント用硬化性組成物にはパターン形成性が良好であることが求められる。パターン形成性の中でも、硬化パターンの欠けからなる欠陥の抑制は重要である。
本発明は、かかる従来技術の問題点を改善することを目的としたインプリント用硬化性組成物およびその保存方法等であって、硬化パターンの欠けを効果的に抑制することのできるインプリント用硬化性組成物を提供することを目的とする。

上記課題のもと、本発明者が検討したところ、インプリント用硬化性組成物を用いてパターン形成を行なう際、インプリント用硬化性組成物中の水分がパターン欠けに対して悪影響を及ぼすことが分かった。
インプリント法を用いて光硬化性組成物によるパターンを基板上に形成する方法においては、通常、ラジカル重合反応によって、硬化性組成物を硬化させる。ここで、ラジカル重合反応は、系中の水分の影響を受けにくいことが知られており、硬化性組成物に水分が含まれていることは問題がないと考えられていた。これは、ラジカル重合反応は水中で反応する系もあることからも窺える。しかしながら、本発明では、インプリント用硬化性組成物の水分量を一定量以下とすることにより、顕著に硬化パターンの欠け形状の発生が抑制されることが分かった。
詳しいメカニズムは不明であるが、次のように考えることができる。すなわち、インプリント用硬化性組成物が基板上に適用されたとき、硬化領域は体積が収縮するため、該領域中から水分が追い出される。この水分は、隣接する未硬化領域で凝集する。そして、この水分凝集が成長して液滴になるとその未硬化領域は硬化反応が生じないこととなってしまう。これは、重合性化合物が凝集水分の液滴に追い出されるためと考えられる。結果として、未硬化領域がパターン欠陥を引き起こす。
具体的には、以下の手段により、本発明の課題は解決された。

＜１＞（Ａ）重合性化合物および（Ｂ）光重合開始剤を含有するインプリント用硬化性組成物であって、溶剤を除く全成分の合計重量に対する含有水分の割合が０．８重量％未満であるインプリント用硬化性組成物。
＜２＞ラジカル重合反応によって硬化することを特徴とする、＜１＞に記載のインプリント用硬化性組成物。
＜３＞前記硬化性組成物が更に（Ｃ）極性基含有非重合性化合物を含有する、＜１＞または＜２＞に記載のインプリント用硬化性組成物。
＜４＞前記極性基含有非重合性化合物（Ｃ）が水酸基を有する化合物である、＜３＞に記載のインプリント用硬化性組成物。
＜５＞前記極性基含有非重合性化合物（Ｃ）が水酸基を有する重合体である、＜３＞に記載のインプリント用硬化性組成物。
＜６＞前記インプリント用硬化性組成物が、実質的に溶剤を含まない、＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物。
＜７＞前記インプリント用硬化性組成物の粘度が、５〜３０ｍＰａ・ｓである、＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物。
＜８＞温度２３度、湿度３０％以下の雰囲気下において、各種成分を配合することを含む、＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
＜９＞＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物を保存容器に封入することを含み、かつ、保存容器に対するインプリント用硬化性組成物の投入時の充填率が３０体積％以上となるように、該組成物を保存することを特徴とする、インプリント用硬化性組成物の保存方法。
＜１０＞＜９＞で保存した後のインプリント用硬化性組成物を用いてパターン形成を行った後、再度、保存容器に対するインプリント用硬化性組成物の投入時の充填率が３０体積％以上となるように該組成物を保存することを含む、＜９＞に記載の保存方法。
＜１１＞１０℃以下で保存することを特徴とする、＜９＞または＜１０＞に記載のインプリント用硬化性組成物の保存方法。
＜１２＞＜１１＞で保存した後のインプリント用硬化性組成物を室温に戻した後、該インプリント用硬化性組成物を用いてパターン形成を行ない、その後、保存容器に対するインプリント用硬化性組成物の投入時の充填率が３０体積％以上となるように該組成物を再度保存することを含む、＜１１＞に記載の保存方法。
＜１３＞＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物を基材上に適用する工程と、該インプリント用硬化性組成物にモールドを圧接する工程と、インプリント用硬化性組成物に光を照射する工程と、を含むパターン形成方法。
＜１４＞インプリント用硬化性組成物を基材上にインクジェット法によって適用する、＜１３＞に記載のパターン形成方法。
＜１５＞＜１３＞または＜１４＞に記載のパターン形成方法により形成されたパターン。
＜１６＞＜１５＞に記載のパターンを含む電子デバイス。
＜１７＞＜１３＞または＜１４＞に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。

本発明によれば、硬化パターンの欠けが効果的に抑制されたインプリント用硬化性組成物を提供することができる。

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。

なお、本明細書中において、“（メタ）アクリレート”はアクリレートおよびメタクリレートを表し、“（メタ）アクリル”はアクリルおよびメタクリルを表し、“（メタ）アクリロイル”はアクリロイルおよびメタクリロイルを表す。また、本明細書中において、“単量体”と“モノマー”とは同義である。本発明における単量体は、オリゴマーおよびポリマーと区別され、重量平均分子量が１，０００以下の化合物をいう。本明細書中において、“官能基”は重合反応に関与する基をいう。
また、本発明でいう“インプリント”は、好ましくは、１ｎｍ〜１０ｍｍのサイズのパターン転写をいい、より好ましくは、およそ１０ｎｍ〜１００μｍのサイズ（ナノインプリント）のパターン転写をいう。
尚、本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。

本発明のインプリント用硬化性組成物は、（Ａ）重合性化合物および（Ｂ）光重合開始剤を含有するインプリント用硬化性組成物であって、溶剤を除く全成分の合計重量に対する含有水分の割合が０．８重量％未満であるインプリント用硬化性組成物を特徴とする。（Ａ）重合性化合物および（Ｂ）光重合開始剤を含有するインプリント用硬化性組成物は、通常、室温環境下で調整したり、保存したりすると、空気から水分を吸湿し、インプリント用硬化性組成物の含有水分量は増加する。この水分量は微量であり、通常のラジカル重合反応では全く影響を受けないものであるが、パターン形成性には影響を与えてしまうものである。
水分量は、０．６重量％以下であることが好ましく、０．４重量％以下であることがさらに好ましい。
本発明において、水分量を０．８重量％未満とする方法としては、組成物の調整を乾燥雰囲気下で行なうこと、またその後の保存を適切に行なうことで達成される。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物は（Ａ）重合性単量体および（Ｂ）重合開始剤を含有する。（Ａ）重合性単量体としては重合性基を有する単量体、重合性基を有するオリゴマーおよび重合性基を有するポリマー、ならびにそれらの混合物が挙げられる。例えば、市販品の重合性単量体などには、重合性基を有する単量体に加えて、これらが重合したオリゴマーやポリマーも極めて微量に含まれているが、本発明における重合性単量体にはこれらも含む趣旨である。

本発明に用いるインプリント用硬化性組成物に用いられる重合性単量体の種類は本発明の趣旨を逸脱しない限り特に定めるものではないが、例えば、エチレン性不飽和結合含有基を１個以上有する重合性不飽和単量体；エポキシ化合物、オキセタン化合物；ビニルエーテル化合物；スチレン誘導体；フッ素原子を有する化合物；プロペニルエーテルまたはブテニルエーテル等を挙げることができる。

前記エチレン性不飽和結合含有基を１個以上有する重合性不飽和単量体について説明する。

まず、エチレン性不飽和結合含有基を１つ有する重合性不飽和単量体としては具体的に、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、Ｎ−ビニルピロリジノン、２−アクリロイロキシエチルフタレート、２−アクリロイロキシ２−ヒドロキシエチルフタレート、２−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタレート、２−アクリロイロキシプロピルフタレート、２−エチル−２−ブチルプロパンジオールアクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシルカルビトール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、アクリル酸ダイマー、ベンジル（メタ）アクリレート、１−または２−ナフチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性（以下「ＥＯ」という。）クレゾール（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシ化フェニル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イソミリスチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、パラクミルフェノキシエチレングリコール(メタ)アクリレート、エピクロロヒドリン（以下「ECH」という）変性フェノキシアクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、フェ ノキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ステアリル( メタ)アクリレート、ＥＯ変性コハク酸(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、ＥＯ変性トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、トリドデシル(メタ)アクリレート、ｐ−イソプロペニルフェノール、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタムが例示される。

前記エチレン性不飽和結合を含有する単官能の重合性単量体の中でも、本発明では単官能（メタ）アクリレート化合物を用いることが、光硬化性の観点から好ましい。単官能（メタ）アクリレート化合物としては、前記エチレン性不飽和結合を含有する単官能の重合性単量体で例示した中における、単官能（メタ）アクリレート化合物類を例示することができる。

このような芳香族構造および／または脂環式炭化水素構造を有する単官能（メタ）アクリレートの中でも、ベンジル（メタ）アクリレート、芳香環上に置換基を有するベンジル（メタ）アクリレート（好ましい置換基としては炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）、１−または２−ナフチル（メタ）アクリレート、１−または２−ナフチルメチル（メタ）アクリレート、１−または２−ナフチルエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イソボロニル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレートが好ましく、ベンジル（メタ）アクリレート、芳香環上に置換基を有するベンジル（メタ）アクリレート、ナフタレン構造を有する単官能（メタ）アクリレート化合物がより好ましく、１−または２−ナフチル（メタ）アクリレート、１−または２−ナフチルメチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。

本発明では、重合性単量体として、エチレン性不飽和結合含有基を２つ以上有する多官能重合性不飽和単量体を用いることも好ましい。
本発明で好ましく用いることのできるエチレン性不飽和結合含有基を２つ有する２官能重合性不飽和単量体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ（メタ）アクリレート、ジ（メタ）アクリル化イソシアヌレート、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、アリロキシポリエチレングリコールアクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性ヘキサヒドロフタル酸ジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレンオキシド（以後「ＰＯ」という。）変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性フタル酸ジ（メタ）アクリレート、ポリ（エチレングリコール−テトラメチレングリコール）ジ（メタ）アクリレート、ポリ（プロピレングリコール−テトラメチレングリコール）ジ（メタ）アクリレート、ポリエステル（ジ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、シリコンジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリグリセロールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジビニルエチレン尿素、ジビニルプロピレン尿素、ｏ−，ｍ−，ｐ−キシリレンジ（メタ）アクリレート、１，３−アダマンタンジアクリレートノルボルナンジメタノールジアクリレートが例示される。

これらの中で特に、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ｏ−，ｍ−，ｐ−ベンゼンジ（メタ）アクリレート、ｏ−，ｍ−，ｐ−キシリレンジ（メタ）アクリレート、等の２官能（メタ）アクリレートが本発明に好適に用いられる。

エチレン性不飽和結合含有基を３つ以上有する多官能重合性不飽和単量体の例としては、ＥＣＨ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

これらの中で特に、ＥＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等の３官能以上の官能（メタ）アクリレートが本発明に好適に用いられる。

前記エチレン性不飽和結合を２つ以上有する多官能の重合性不飽和単量体の中でも、本発明では多官能（メタ）アクリレートを用いることが、光硬化性の観点から好ましい。なお、ここでいう多官能（メタ）アクリレートとは、前記２官能（メタ）アクリレートおよび前記３官能以上の官能（メタ）アクリレートを総称するもののことである。多官能（メタ）アクリレートの具体例としては、前記エチレン性不飽和結合を２つ有する多官能重合性不飽和単量体で例示した中、および、前記エチレン性不飽和結合を３つ以上有する多官能重合性不飽和単量体で例示した中における、各種多官能（メタ）アクリレートを例示することができる。

前記オキシラン環を有する化合物（エポキシ化合物）としては、例えば、多塩基酸のポリグリシジルエステル類、多価アルコールのポリグリシジルエーテル類、ポリオキシアルキレングリコールのポリグリシジルエーテル類、芳香族ポリオールのポリグリシジルエテーテル類、芳香族ポリオールのポリグリシジルエーテル類の水素添加化合物類、ウレタンポリエポキシ化合物およびエポキシ化ポリブタジエン類等を挙げることができる。これらの化合物は、その一種を単独で使用することもできるし、また、その二種以上を混合して使用することもできる。

本発明に好ましく使用することのできる前記オキシラン環を有する化合物（エポキシ化合物）としては、特開２００９−７３０７８号公報の段落番号００５３に記載のものを好ましく採用することができる。

特に、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、１,４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１,６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテルが好ましい。

グリシジル基含有化合物として好適に使用できる市販品としては、特開２００９−７３０７８号公報の段落番号００５５に記載のものを好ましく採用することができる。これらは、１種単独で、または２種以上組み合わせて用いることができる。

また、これらのオキシラン環を有する化合物はその製法は問わないが、例えば、丸善ＫＫ出版、第四版実験化学講座２０有機合成II、２１３〜、平成４年、Ed.by Alfred Hasfner,The chemistry of heterocyclic compounds−Small Ring Heterocycles part3 Oxiranes,John & Wiley and Sons,An Interscience Publication,New York,1985、吉村、接着、２９巻１２号、３２、１９８５、吉村、接着、３０巻５号、４２、１９８６、吉村、接着、３０巻７号、４２、１９８６、特開平１１−１００３７８号公報、特許第２９０６２４５号公報、特許第２９２６２６２号公報などの文献を参考にして合成できる。

本発明で用いる他の重合性単量体として、ビニルエーテル化合物を用いてもよい。ビニルエーテル化合物は、適宜選択すれば良く、例えば、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ブタンジオール−１，４−ジビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，２−プロパンジオールジビニルエーテル、１，３−プロパンジオールジビニルエーテル、１，３−ブタンジオールジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、エチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、エチレングリコールジプロピレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパントリエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパンジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラエチレンビニルエーテル、１，１，１−トリス〔４−（２−ビニロキシエトキシ）フェニル〕エタン、ビスフェノールＡジビニロキシエチルエーテル等が挙げられる。

これらのビニルエーテル化合物は、例えば、Stephen.C.Lapin,Polymers Paint Colour Journal.179(4237)、321(1988)に記載されている方法、即ち多価アルコールもしくは多価フェノールとアセチレンとの反応、または多価アルコールもしくは多価フェノールとハロゲン化アルキルビニルエーテルとの反応により合成することができ、これらは１種単独あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、本発明で用いることができる重合性単量体としては、スチレン誘導体も採用できる。スチレン誘導体としては、例えば、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、β−メチルスチレン、ｐ−メチル−β−メチルスチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メトキシ−β−メチルスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、等を挙げることができる。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物では、ドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の調整の観点から、インプリント用硬化性組成物が前記重合性単量体よりもさらに分子量の大きい重合性オリゴマーおよび／または重合性ポリマーを含有することも好ましい。前記重合性オリゴマーとしてはポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、エポキシアクリレート等の各種アクリレートオリゴマーが挙げられる。オリゴマー成分の添加量としては、０〜３０質量％が好ましく、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１０質量％、最も好ましくは０〜５質量％である。前記ポリマー成分としては側鎖に重合性官能基を有するポリマーが好ましい。前記ポリマー成分の重量平均分子量としては、重合性単量体との相溶性の観点から、２０００〜１０００００が好ましく、５０００〜５００００がさらに好ましい。ポリマー成分の添加量としては組成物の溶剤を除く成分に対し、０〜３０質量％が好ましく、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１０質量％、最も好ましくは２質量％以下である。本発明におけるインプリント用硬化性組成物において溶剤を除く成分中、分子量２０００以上のポリマー成分の含有量が３０質量％以下であると、パターン形成性が向上する。

本発明の硬化性組成物はさらにフッ素原子とシリコン原子のうち少なくとも一方を有する重合性単量体を含有することが好ましい。本発明におけるフッ素原子とシリコン原子のうち少なくとも一方を有する重合性単量体は、フッ素原子、シリコン原子、または、フッ素原子とシリコン原子の両方を有する基を少なくとも１つと、重合性官能基を少なくとも１つ有する化合物である。重合性官能基としてはメタアクリロイル基、エポキシ基が好ましい。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物中におけるフッ素原子とシリコン原子のうち少なくとも一方を有する重合性単量体の含有量は、特に制限はないが、硬化性向上の観点や、組成物の低粘度化の観点から、全重合性単量体中、０．１〜２０質量％が好ましく、０．２〜１５質量％がより好ましく、０．５〜１０質量％がさらに好ましく、０．５〜５質量％が特に好ましい。

（１）フッ素原子を有する重合性単量体
フッ素原子を有する重合性単量体が有するフッ素原子を有する基としては、フロロアルキル基およびフロロアルキルエーテル基から選ばれる含フッ素基が好ましい。
前記フロロアルキル基としては、炭素数が２〜２０のフロロアルキル基が好ましく、４〜８のフロロアルキル基より好ましい。好ましいフロロアルキル基としては、トリフロロメチル基、ペンタフロロエチル基、ヘプタフロロプロピル基、ヘキサフロロイソプロピル基、ノナフロロブチル基、トリデカフロロヘキシル基、ヘプタデカフロロオクチル基が挙げられる。

本発明では、フッ素原子を有する重合性単量体が、トリフロロメチル基構造を有する重合性単量体であることが好ましい。トリフロロメチル基構造を有することで、少ない添加量（例えば、１０質量％以下）でも本発明の効果が発現するため、他の成分との相溶性が向上し、ドライエッチング後のラインエッジラフネスが向上する上、繰り返しパターン形成性が向上する。

前記フロロアルキルエーテル基としては、前記フロロアルキル基の場合と同様に、トリフロロメチル基を有しているものが好ましく、パーフロロエチレンオキシ基、パーフロロプロピレンオキシ基を含有するものが好ましい。−（ＣＦ（ＣＦ₃）ＣＦ₂Ｏ）−などのトリフロロメチル基を有するフロロアルキルエーテルユニットおよび／またはフロロアルキルエーテル基の末端にトリフロロメチル基を有するものが好ましい。

前記フッ素原子を有する重合性単量体が有する全フッ素原子の数は、１分子当たり、６〜６０個が好ましく、より好ましくは９〜４０個、さらに好ましくは１２〜４０個、特に好ましくは１２〜２０個である。

前記フッ素原子を有する重合性単量体は、下記に定義するフッ素含有率が２０〜６０％のフッ素原子を有することが好ましく、３０〜６０％であることが好ましく、さらに好ましくは３５〜６０％である。フッ素含有率を適性範囲とすることで他成分との相溶性に優れ、モールド汚れを低減でき且つ、ドライエッチング後のラインエッジラフネスが向上する上、繰り返しパターン形成性が向上する。本明細書中において、前記フッ素含有率は下記式で表される。

前記フッ素原子を有する重合性単量体のフッ素原子を有する基の好ましい一例として、下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する化合物が挙げられる。このような部分構造を有する化合物を採用することにより、繰り返しパターン転写を行ってもパターン形成性に優れ、かつ、組成物の経時安定性が良好となる。

一般式（Ｉ）
一般式（Ｉ）中、ｎは１〜８の整数を表し、好ましくは４〜６の整数である。

前記フッ素原子を有する重合性単量体の好ましい他の一例として、下記一般式（ＩＩ）で表される部分構造を有する化合物が挙げられる。もちろん、一般式（Ｉ）で表される部分構造と、一般式（ＩＩ）で表される部分構造の両方を有していてもよい。

一般式（ＩＩ）
一般式（ＩＩ）中、Ｌ¹は単結合または炭素数１〜８のアルキレン基を表し、Ｌ²は炭素数１〜８のアルキレン基を表し、ｍ１およびｍ２はそれぞれ、０または１を表し、ｍ１およびｍ２の少なくとも一方は１である。ｍ３は１〜３の整数を表し、ｐは１〜８の整数を表し、ｍ３が２以上のとき、それぞれの、−Ｃ_pＦ_2p+1は同一であってもよいし異なっていてもよい。
前記Ｌ¹およびＬ²は、それぞれ、炭素数１〜４のアルキレン基であることが好ましい。また、前記アルキレン基は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において置換基を有していてもよい。前記ｍ３は、好ましくは１または２である。前記ｐは４〜６の整数が好ましい。

以下に、本発明の組成物で用いられる前記フッ素原子を有する重合性単量体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

前記フッ素原子を有する重合性単量体としては、トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、（パーフルオロブチル）エチル(メタ)アクリレート、パーフルオロブチル−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、（パーフルオロヘキシル）エチル(メタ)アクリレート、オクタフルオロペンチル(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルエチル(メタ)アクリレート、テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、ヘキサフルオロプロピル（メタ）アクリレート等のフッ素原子を有する単官能重合性単量体が挙げられる。また、前記フッ素原子を有する重合性単量体としては、２，２，３，３，４，４−ヘキサフロロペンタンジ（メタ）アクリレート、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフロロヘキサンジ（メタ）アクリレートなどのフロロアルキレン基を有するジ（メタ）アクリレートを有する２以上の重合性官能基を有する多官能重合性単量体も好ましい例として挙げられる。
また、含フッ素基、例えばフロロアルキル基、フロロアルキルエーテル基を１分子中に２つ以上有する化合物も好ましく用いることができる。
フロロアルキル基、フロロアルキルエーテル基を１分子中に２つ以上有する化合物として好ましくは下記一般式（ＩＩＩ）で表される重合性単量体である。

一般式（ＩＩＩ）
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、水素原子またはアルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基がより好ましく、水素原子であることがさらに好ましい。
Ａは（ａ１＋ａ２）価の連結基を表し、好ましくはアルキレン基および／またはアリーレン基を有する連結基であり、さらにヘテロ原子を含む連結基を含有していても良い。ヘテロ原子を有する連結基としては−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−が挙げられる。これらの基は本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において置換基を有していても良いが、有していない方が好ましい。Ａは、炭素数２〜５０であることが好ましく、炭素数４〜１５であることがより好ましい。
ａ１は１〜６の整数を表し、好ましくは１〜３、さらに好ましくは１または２である。
ａ２は２〜６の整数を表し、好ましくは２または３、さらに好ましくは２である
Ｒ²およびＲ³はそれぞれ単結合または炭素数１〜８のアルキレン基を表す。ｍ１およびｍ２はそれぞれ、０または１を表し、ｍ３は１〜３の整数を表す。）
ａ１が２以上のとき、それぞれのＡは同一であってもよいし、異なっていても良い。
ａ２が２以上のとき、それぞれのＲ²、Ｒ³、ｍ１、ｍ２、ｍ３は同一であっても良いし、異なっていても良い。
Ｒｆはフロロアルキル基、フロロアルキルエーテル基を表し、好ましくは炭素数１〜８のフロロアルキル基、炭素数３〜２０のフロロアルキルエーテル基である。

（２）シリコン原子を有する重合性単量体
前記シリコン原子を有する重合性単量体が有する含シリコン官能基としては、トリアルキルシリル基、鎖状シロキサン構造、環状シロキサン構造、籠状シロキサン構造などが挙げられ、他の成分との相溶性、モールド剥離性の観点から、トリメチルシリル基またはジメチルシロキサン構造を有する官能基が好ましい。

シリコン原子を有する重合性単量体としては３−トリス（トリメチルシリルオキシ）シリルプロピル（メタ）アクリレート、トリメチルシリルエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロキシメチルビス（トリメチルシロキシ）メチルシラン、（メタ）アクリロキシメチルトリス（トリメチルシロキシ）シラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルビス（トリメチルシロキシ）メチルシラン、（メタ）アクリロイル基を末端あるいは側鎖に有するポリシロキサン（例えば信越化学工業社製Ｘ−２２−１６４シリーズ、Ｘ−２２−１７４ＤＸ、Ｘ−２２−２４２６、Ｘ−２２−２４７５）などが挙げられる。

これらのほか、本発明で用いることができる重合性単量体としては、プロペニルエーテルおよびブテニルエーテルを用いることもできる。前記プロペニルエーテルまたはブテニルエーテルとしては、例えば１−ドデシル−１−プロペニルエーテル、１−ドデシル−１−ブテニルエーテル、１−ブテノキシメチル−２−ノルボルネン、１−４−ジ（１−ブテノキシ）ブタン、１，１０−ジ（１−ブテノキシ）デカン、１，４−ジ（１−ブテノキシメチル）シクロヘキサン、ジエチレングリコールジ（１−ブテニル）エーテル、１，２，３−トリ（１−ブテノキシ）プロパン、プロペニルエーテルプロピレンカーボネート等が挙げられる。

また、本発明で用いる重合性単量体として、下記一般式（Ｉ）で表される重合性単量体群も例示される。
（一般式（Ｉ）中、Ｚは芳香族基を含有する分子量１００以上の基を表し、Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはハロゲン原子を表す。但し、重合性単量体（Ａｘ）が２３℃において液体であるとき、２３℃における粘度が５００ｍＰａ・ｓ以下である。）
Ｒ¹は、好ましくは、水素原子またはアルキル基であり、水素原子またはメチル基が好ましく、硬化性の観点から、水素原子がさらに好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示され、フッ素原子が好ましい。
Ｚは、好ましくは置換基を有していても良いアラルキル基、置換基を有していても良いアリール基、または、これらの基が連結基を介して結合した基である。ここでいう連結基は、ヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよく、好ましくは、−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ−およびこれらの組み合わせからなる基である。Ｚに含まれる芳香族基としてはフェニル基が好ましく、フェニル基のみが含まれていることが好ましい。多環芳香族基、ヘテロ芳香族基に比べフェニル基のみの方が粘度が低くパターン形成性が良好で、且つパーティクル欠陥を抑制できる。Ｚの分子量としては１００〜３００であることが好ましく、より好ましくは１２０〜２５０である。
重合性単量体に含まれる重合性基の数と芳香族基の数は
重合性基の数≦芳香族基 の数であることが粘度、ドライエッチング耐性の点から好ましい。この際、ナフタレンなどの縮合芳香環は１つの芳香族基として数え、ビフェニルのような２つの芳香環が結合を解して連結している場合、２つの芳香族基として数える。
重合性単量体が２３℃において液体であるときの２３℃における粘度としては２〜５００ｍＰａ・ｓが好ましく、３〜２００ｍＰａ・ｓがより好ましく、３〜１００ｍＰａ・ｓが最も好ましい。重合性単量体は２３℃において液体であるか、固体であっても融点が６０℃以下であることが好ましく、２３℃において液体であることがより好ましい。
Ｚは−Ｚ¹−Ｚ²で表される基であることが好ましい。ここで、Ｚ¹は、単結合または炭化水素基であり、該炭化水素基は、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよい。Ｚ²は、置換基を有していてもよい芳香族基であり、分子量９０以上である。
Ｚ¹は、好ましくは、単結合またはアルキレン基であり、該アルキレン基は、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよい。Ｚ¹は、より好ましくは、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含まないアルキレン基であり、さらに好ましくはメチレン基、エチレン基である。ヘテロ原子を含む連結基としては−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ−およびこれらとアルキレン基の組み合わせからなる基などが挙げられる。また、炭化水素基の炭素数は１〜３であることが好ましい。
Ｚ²は、分子量が１５以上の置換基を有する芳香族基であることが好ましい。Ｚ²に含まれる芳香族基の一例として、フェニル基およびナフチル基が挙げられ、分子量が１５以上の置換基を有するフェニル基がより好ましい例として挙げられる。Ｚ²は、単環の芳香族基から形成される方が好ましい。
Ｚ²は、２つ以上の芳香族基が、直接にまたは連結基を介して連結した基であることも好ましい。この場合の連結基も、好ましくは、−ＣＨ₂−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ−およびこれらの組み合わせからなる基である。

芳香族基が有していても良い置換基としては、置換基の例としては例えばハロゲン原子（フッ素原子、クロロ原子、臭素原子、ヨウ素原子）、直鎖、分岐または環状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、シアノ基、カルボキシル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、ニトロ基、ヒドラジノ基、ヘテロ環基などが挙げられる。又、これらの基によってさらに置換されている基も好ましい。
一般式（Ｉ）で表される化合物の光硬化性組成物中における添加量は、１０〜１００質量％であることが好ましく、２０〜１００質量％であることがより好ましく、３０〜８０質量％であることが特に好ましい。

一般式で表される化合物は、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。
（一般式（ＩＩ）中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはハロゲン原子を表し、Ｘ¹は単結合または炭化水素基であり、該炭化水素基は、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよい。Ｙ¹は分子量１５以上の置換基を表し、ｎ１は０〜３の整数を表す。但し、ｎ１が０のときは、Ｘ¹は炭素数２以上の炭化水素基である。Ａｒは、芳香族基、または芳香族連結基を表し、フェニル基またはフェニレン基が好ましい。）

Ｒ¹は、上記一般式のＲ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Ｘ¹は、上記Ｚ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Ｙ¹は、分子量１５以上の置換基であり、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子などが挙げられる。これら置換基は更なる置換基を有していても良い。
ｎ１が０のときは、Ｘ¹は炭素数２または３のアルキレン基であることが好ましく、ｎ１が２のときは、Ｘ¹は単結合または炭素数１の炭化水素基であることが好ましい。
特に、好ましい様態としてはｎ１が１で、Ｘ¹は炭素数１〜３のアルキレン基である。

一般式（ＩＩ）で表される化合物は、さらに好ましくは、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物である。
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはハロゲン原子を表す。Ｘ¹は単結合または炭化水素基であり、該炭化水素基は、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよい。Ｙ¹は分子量１５以上の置換基を表し、ｎ１は０〜３の整数を表す。但し、ｎ１が０のときは、Ｘ¹は炭素数２以上の炭化水素基である。）
Ｒ¹は、上記一般式のＲ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Ｘ¹は、上記Ｚ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Ｙ¹は、上記一般式（ＩＩ）におけるＹ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
ｎ１は、上記一般式（ＩＩ）におけるｎ１と同義であり、好ましい範囲も同義である。

一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、さらに好ましくは、（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される化合物である。

一般式（ＩＶ）で表される化合物
（一般式（ＩＶ）中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはハロゲン原子を表す。Ｘ²は単結合、または、炭化水素基であり、該炭化水素基は、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよい。Ｙ²は分子量１５以上の芳香族基を有さない置換基を表し、ｎ２は０〜３の整数を表す。但し、ｎ２が０のときは、Ｘ²は炭素数２または３の炭化水素基である。）
Ｒ¹は、上記一般式のＲ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Ｘ²は、炭化水素基である場合、炭素数１〜３の炭化水素基であることが好ましく、置換または無置換の炭素数１〜３のアルキレン基であることが好ましく、無置換の炭素数１〜３のアルキレン基であることがより好ましく、エチレン基であることがさらに好ましい。このような炭化水素基を採用することにより、より低粘度で低揮発性を有する光硬化性組成物とすることが可能になる。
Ｙ²は分子量１５以上の芳香族基を有さない置換基を表し、Ｙ¹の分子量の上限は８０以下であることが好ましい。Ｙ²としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などの炭素数１〜６のアルキル基、クロロ基、ブロモ基などのハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、シクロヘキシルオキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい例として挙げられる。
ｎ２は、０〜２の整数であることが好ましい。ｎ２が１の場合、置換基Ｙはパラ位にあるのが好ましい。また、粘度の観点から、ｎ２が２のときは、Ｘ²は単結合もしくは炭素数１の炭化水素基が好ましい。
一般式（ＩＶ）で表される化合物は（メタ）アクリレート基を１つ有する単官能（メタ）アクリレートであることが好ましい。

低粘度と低揮発性の両立という観点から、一般式（ＩＶ）で表される（メタ）アクリレート化合物の分子量は１７５〜２５０であることが好ましく、１８５〜２４５であることがより好ましい。
また、一般式（ＩＶ）で表される（メタ）アクリレート化合物の２３℃における粘度が１０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、６ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。
一般式（ＩＶ）で表される化合物は、反応希釈剤としても好ましく用いることができる。

一般式（ＩＶ）で表される化合物の光硬化性組成物中における添加量は、組成物の粘度や硬化後のパターン精度の観点から１０質量％以上であることが好ましく、１５質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることが特に好ましい。一方、硬化後のタッキネスや力学強度の観点からは、添加量は９５質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以下であることが特に好ましい。

以下に、一般式（ＩＶ）で表される化合物を例示するが、本発明がこれらに限定されるものではないことは言うまでも無い。Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはハロゲン原子を表す。

一般式（Ｖ）で表される化合物
（一般式（Ｖ）中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはハロゲン原子を表し、Ｘ³は単結合、または、炭化水素基であり、該炭化水素基は、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよい。Ｙ³は分子量１５以上の芳香族基を有する置換基を表し、ｎ３は１〜３の整数を表す。）
Ｒ¹は、上記一般式のＲ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Ｘ¹は、上記Ｚ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Ｙ³は、分子量１５以上の芳香族基を有する置換基を表し、芳香族基を有する置換基としては芳香族基が単結合、あるいは連結基を介して一般式（Ｖ）の芳香環に結合している様態が好ましい。連結基としては、アルキレン基、ヘテロ原子を有する連結基（好ましくは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、）あるいはこれらの組み合わせが好ましい例として挙げられ、アルキレン基または−Ｏ−ならびにこれらの組み合わせからなる基がより好ましい。分子量１５以上の芳香族基を有する置換基としてはフェニル基を有する置換基であることが好ましい。フェニル基が単結合または上記連結基を介して結合している様態が好ましく、フェニル基、ベンジル基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、フェニルチオ基が特に好ましい。Ｙ³の分子量は好ましくは、２３０〜３５０である。
ｎ３は、好ましくは、１または２であり、より好ましくは１である。

一般式（Ｖ）で表される化合物の組成物中における添加量は、１０質量％以上であることが好ましく、２０質量以上であることがより好ましく、３０質量％以上であることが特に好ましい。一方、硬化後のタッキネスや力学強度の観点からは、添加量は９０質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、７０質量％以下であることが特に好ましい。

以下に、一般式（Ｖ）で表される化合物を例示するが、本発明がこれらに限定されるものではないことは言うまでも無い。Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはハロゲン原子を表す。

一般式（ＶＩ）で表される化合物
（一般式（ＶＩ）中、Ｘ⁶は（ｎ６＋１）価の連結基であり、Ｒ¹は、それぞれ、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子である。Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、置換基であり、ｎ４およびｎ５は、それぞれ、０〜４の整数である。ｎ６は１または２であり、Ｘ⁴およびＸ⁵は、それぞれ、炭化水素基であり、該炭化水素基は、その鎖中にヘテロ原子を含む連結基を含んでいてもよい。）

Ｘ⁶は、（ｎ６＋１）価の連結基を表し、好ましくは、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、およびこれらのうちの複数が組み合わさった連結基である。アルキレン基は、炭素数１〜８のアルキレン基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜３のアルキレン基である。また、無置換のアルキレン基が好ましい。
ｎ６は、好ましくは１である。ｎ６が２のとき、複数存在する、Ｒ¹、Ｘ⁵、Ｒ²は、それぞれ、同一であってもよいし、異なっていても良い。
Ｘ⁴およびＸ⁵は、は、それぞれ、連結基を含まないアルキレン基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜５のアルキレン基であり、より好ましくは炭素数１〜３のアルキレン基であり、最も好ましくはメチレン基である。
Ｒ¹は、上記一般式のＲ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、置換基を表し、好ましくは、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基である。アルキル基としては、炭素数１〜８のアルキル基が好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示され、フッ素原子が好ましい。アルコキシ基としては、炭素数１〜８のアルコキシ基が好ましい。アシル基としては、炭素数１〜８のアシル基が好ましい。アシルオキシ基としては、炭素数１〜８のアシルオキシ基が好ましい。アルコキシカルボニル基としては、炭素数１〜８のアルコキシカルボニル基が好ましい。
ｎ４およびｎ５は、それぞれ、０〜４の整数であり、ｎ４またはｎ５が２以上のとき、複数存在するＲ²およびＲ³は、それぞれ、同一でも異なっていても良い。

一般式（ＶＩ）で表される化合物は、下記一般式（ＶＩＩ）で表される化合物が好ましい。
（Ｘ⁶は、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−および、これらのうちの複数が組み合わさった連結基であり、Ｒ¹は、それぞれ、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子である。）
Ｒ¹は、上記一般式のＲ¹と同義であり、好ましい範囲も同義である。
Ｘ⁶がアルキレン基である場合、炭素数１〜８のアルキレン基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜３のアルキレン基である。また、無置換のアルキレン基が好ましい。
Ｘ⁶としては、−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−Ｏ−、−Ｓ−が好ましい。

本発明に用いられる光硬化性組成物中における一般式（ＶＩ）で表される化合物の含有量は、特に制限はないが、硬化性、組成物粘度の観点から、全重合性単量体中、１〜１００質量％が好ましく、５〜７０質量％がさらに好ましく、１０〜５０質量％が特に好ましい。

以下に、一般式（ＶＩ）で表される化合物を例示するが、本発明がこれらに限定されるものではないことは言うまでも無い。下記式中におけるＲ¹はそれぞれ、一般式（ＶＩ）におけるＲ¹と同義であり、好ましい範囲も同義であり、特に好ましくは水素原子である。

さらにまた、本発明で用いられる重合性単量体として、下記一般式で表される重合性単量体群も例示される。
（一般式中、Ｘ¹〜Ｘ³はそれぞれ独立に単結合または連結基を表す。Ｍｅはメチル基を表す。）

Ｘ¹〜Ｘ³が連結基の場合、好ましくは、有機連結基であり、炭素数１〜５０の有機連結基であることが好ましい。有機連結基の具体例としては、オキシアルキレン基、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、アルキレン基およびこれらの２以上の組み合わせからなる基が挙げられる。オキシアルキレン基としては、エチレンオキシド基、プロピレンオキシド基が例示される。また、アルキレン基としては、プロピレン基、ブチレン基、ペンチル基、ヘキシル基等が例示される。Ｘ¹〜Ｘ³は単結合であることが好ましい。
一般式で表される化合物は２３℃において液体状であることが好ましいが、液体状でなくてもよい。

以下に本発明における重合性単量体の具体例を示す。
ｍ¹、ｍ²、ｍ³、ｎ¹、ｎ²、ｎ³は、それぞれ、０〜１０の整数を表し、ｍ¹、ｍ²、ｍ³、ｎ¹、ｎ²およびｎ³の和は、１よりも大きい化合物であるか、該和の平均が１より大きい化合物の混合物である。
ｌ¹、ｌ²、ｌ³は、それぞれ、０〜１０の整数を表し、ｋ¹、ｋ²、ｋ³は、それぞれ、３〜６の整数を表し、ｌ¹、ｌ²およびｌ³の和は、１よりも大きい化合物であるか、該和の平均が１より大きい化合物の混合物である。

さらにまた、下記一般式で表される重合性単量体群も、本発明で用いられる重合性単量体として例示される。
［式中、Ａｒは置換基を有していてもよいアリーレン基を表し、Ｘは単結合または有機連結基を表し、Ｒ¹は水素原子またはメチル基を表し、ｎは２または３を表す。］

一般式中、前記アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基などの炭化水素系アリーレン基；インドール、カルバゾールなどが連結基となったヘテロアリーレン基などが挙げられ、好ましくは炭化水素系アリーレン基であり、さらに好ましくは粘度、エッチング耐性の観点からフェニレン基である。前記アリーレン基は置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アミド基、スルホンアミド基が挙げられる。

前記Ｘの有機連結基としては、鎖中にヘテロ原子を含んでいてもよいアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基が挙げられる。その中でも、アルキレン基、オキシアルキレン基が好ましく、アルキレン基がより好ましい。前記Ｘとしては、単結合またはアルキレン基であることが特に好ましい。

前記Ｒ¹は水素原子またはメチル基であり、好ましくは水素原子である。

ｎは２または３であり、好ましくは２である。

前記重合性単量体が下記一般式（Ｉ−ａ）または（Ｉ−ｂ）で表される重合性単量体であることが、組成物粘度を低下させる観点から好ましい。

［式中、Ｘ¹、Ｘ²は、それぞれ独立に単結合または炭素数１〜３の置換基を有していてもよいアルキレン基を表し、Ｒ¹は水素原子またはメチル基を表す。］

前記一般式（Ｉ−ａ）中、前記Ｘ¹は、単結合またはメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが粘度低減の観点からより好ましい。
前記Ｘ²の好ましい範囲は、前記Ｘ¹の好ましい範囲と同様である。
前記Ｒ¹は一般式におけるとＲ¹と同義であり、好ましい範囲も同様である。

前記重合性単量体は２３℃において液体であると、添加量を増やした際にも異物の発生が抑制でき好ましい。

好ましい重合性単量体の具体例を示す。Ｒ¹は一般式におけるとＲ¹と同義であり、水素原子またはメチル基を表す。なお、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

これらの重合性単量体の中でも、（Ａ）重合性単量体としては、（メタ）アクリレート化合物が、組成物粘度、光硬化性の観点から好ましく、アクリレートがより好ましい。また、本発明では、重合性官能基を２つ以上有する多官能重合性単量体が好ましい。
本発明では特に、単官能（メタ）アクリレート化合物と多官能（メタ）アクリレート化合物の配合比が、重量比で８０／２０〜０／１００が好ましく、７０／３０〜０／１００がより好ましく、４０／６０〜０／１００であることが好ましい。適切な比率を選択することで、十分な硬化性を有し、且つ組成物を低粘度とすることができる。

前記多官能（メタ）アクリレート化合物において、前記２官能（メタ）アクリレートと前記３官能以上の（メタ）アクリレートの比率は、質量比で１００／０〜２０／８０が好ましく、より好ましくは１００／０〜５０／５０、さらに好ましくは１００／０〜７０／３０である。前記３官能以上の（メタ）アクリレートは前記２官能（メタ）アクリレートよりも粘度が高いため、前記２官能（メタ）アクリレートが多い方が本発明におけるインプリント用硬化性組成物の粘度を下げられるため好ましい。

（Ａ）重合性単量体としては芳香族構造および／または脂環炭化水素構造を有する置換基を含有している化合物を含むことがエッチング耐性の観点から好ましく、芳香族構造および／または脂環炭化水素構造を有する重合性単量体を（Ａ）成分中５０質量％以上含有していることがより好ましく、８０質量％以上含有していることがさらに好ましい。芳香族構造を有する重合性単量体としては、芳香族構造を有する（メタ）アクリレート化合物が好ましい。芳香族構造を有する（メタ）アクリレート化合物としては、ナフタレン構造を有する単官能（メタ）アクリレート化合物、例えば１−または２−ナフチル（メタ）アクリレート、１−または２−ナフチルメチル（メタ）アクリレート、１−または２−ナフチルエチル（メタ）アクリレート、芳香環上に置換基を有するベンジルアクリレートなどの単官能アクリレート、カテコールジアクリレート、キシリレングリコールジアクリレートなどの２官能アクリレートが特に好ましい。脂環炭化水素構造を有する重合性単量体としてはイソボロニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレートなどが好ましい。
また、（Ａ）重合性単量体として、（メタ）アクリレートを用いる場合、メタクリレートよりも、アクリレートの方が好ましい。

本発明のインプリント用硬化性組成物は、（Ａ）重合性単量体として、芳香族構造を有する（メタ）アクリレート化合物とフッ素原子を有する（メタ）アクリレートの両方を含むことが特に好ましい。配合比としては、全（Ａ）重合性単量体成分の８０質量％以上が芳香族構造を有する（メタ）アクリレート化合物であり、０．１〜１０質量％がフッ素原子を有する（メタ）アクリレートであることが好ましい。さらに、芳香族構造を有する（メタ）アクリレート化合物が１気圧２３℃で液体であり、フッ素原子を有する（メタ）アクリレートが１気圧２３℃で固体であるブレンド系が好ましい。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物中における（Ａ）重合性単量体の総含有量は、硬化性改善、本発明におけるインプリント用硬化性組成物の粘度改善の観点から、溶剤を除いた全成分中、５０〜９９．５質量％が好ましく、７０〜９９質量％がさらに好ましく、９０〜９９質量％が特に好ましい。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、（Ａ）重合性単量体成分に関し、より好ましくは２３℃における粘度が３〜１００ｍＰａ・ｓである重合性単量体の含有量が全重合性単量体に対し８０質量％以上であることが好ましく、３〜７０ｍＰａ・ｓの重合性単量体が８０質量％以上であることがより好ましく、７〜５０ｍＰａ・ｓの重合性単量体が８０質量％以上であることが特に好ましく、８〜３０ｍＰａ・ｓの重合性単量体が８０質量％以上であることが最も好ましい。
本発明におけるインプリント用硬化性組成物に含まれる（Ａ）重合性単量体は、２３℃において液体である重合性単量体が全重合性単量体中５０質量％以上であることが経時安定性の観点で好ましい。

（Ｂ）光重合開始剤
本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、光重合開始剤を含む。本発明に用いられる光重合開始剤は、光照射により上述の（Ａ）重合性単量体を重合する活性種を発生する化合物であればいずれのものでも用いることができる。光重合開始剤としては、カチオン重合開始剤、ラジカル重合開始剤が挙げられ、ラジカル重合開始剤が好ましい。また、本発明において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。

本発明に用いられる光重合開始剤の含有量は、溶剤を除く全組成物中、例えば、０．０１〜１５質量％であり、好ましくは０．１〜１２質量％であり、さらに好ましくは０．２〜７質量％である。２種類以上の光重合開始剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。
光重合開始剤の含有量が０．０１質量％以上であると、感度(速硬化性)、解像性、ラインエッジラフネス性、塗膜強度が向上する傾向にあり好ましい。一方、光重合開始剤の含有量を１５質量％以下とすると、光透過性、着色性、取り扱い性などが向上する傾向にあり、好ましい。染料および／または顔料を含む系では、これらがラジカルトラップ剤として働くことがあり、光重合性、感度に影響を及ぼす。その点を考慮して、これらの用途では、光重合開始剤の添加量が最適化される。一方で、本発明に用いられる組成物では、染料および／または顔料は必須成分でなく、光重合開始剤の最適範囲が液晶ディスプレイカラーフィルタ用硬化性組成物等の分野のものとは異なる場合がある。

本発明で使用されるラジカル光重合開始剤としては、例えば、市販されている開始剤を用いることができる。これらの例としては、例えば、特開平２００８−１０５４１４号公報の段落番号００９１に記載のものを好ましく採用することができる。この中でもアセトフェノン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、オキシムエステル系化合物が硬化感度、吸収特性の観点から好ましい。
アセトフェノン系化合物として好ましくはヒドロキシアセトフェノン系化合物、ジアルコキシアセトフェノン系化合物、アミノアセトフェノン系化合物が挙げられる。ヒドロキシアセトフェノン系化合物として好ましくはＣｉｂａ社から入手可能なＩｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）２９５９(1−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８４（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）５００（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾフェノン）、Ｄａｒｏｃｕｒ（登録商標）１１７３（２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−１−プロパン−１−オン）が挙げられる。
ジアルコキシアセトフェノン系化合物として好ましくはＣｉｂａ社から入手可能なＩｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）６５１（２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン）が挙げられる。
アミノアセトフェノン系化合物として好ましくはＣｉｂａ社から入手可能なＩｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）３６９（２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタノン−１）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）３７９（ＥＧ）（２−ジメチルアミノー２ー（４メチルベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イルフェニル）ブタン−１−オン、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）９０７（２−メチル−１［４−メチルチオフェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オンが挙げられる。
アシルホスフィンオキサイド系化合物として好ましくはＣｉｂａ社から入手可能なＩｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）８１９（ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）１８００（ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、ＢＡＳＦ社から入手可能なＬｕｃｉｒｉｎ ＴＰＯ（２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド）、Ｌｕｃｉｒｉｎ ＴＰＯ−Ｌ（２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド）が挙げられる。
オキシムエステル系化合物として好ましくはＣｉｂａ社から入手可能なＩｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）ＯＸＥ０１（１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）フェニル］−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標）ＯＸＥ０２（エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）が挙げられる。
本発明で使用されるカチオン光重合開始剤としては、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、オキシムスルホネート化合物などが好ましく、４−メチルフェニル［４ −（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ローデア製 ＰＩ２０７４）、４−メチルフェニル［４ −（２−メチルプロピル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート（Ｃｉｂａ社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ２５０）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ１０３、１０８、１２１、２０３（Ｃｉｂａ社製）などが挙げられる。

本発明で使用される光重合開始剤は、使用する光源の波長に対して適時に選択する必要があるが、モールド加圧・露光中にガスを発生させないものが好ましい。ガスが発生すると、モールドが汚染されるため、頻繁にモールドを洗浄しなければならなくなったり、光硬化性組成物がモールド内で変形し、転写パターン精度を劣化させるなどの問題を生じたりする。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、（Ａ）重合性単量体がラジカル重合性単量体であり、（Ｂ）光重合開始剤が光照射によりラジカルを発生するラジカル重合開始剤であるラジカル重合性硬化性組成物であることが好ましい。

（Ｃ）極性基含有非重合性化合物
本発明のインプリント用硬化性組成物は、（Ｃ）極性基含有非重合性化合物を含むことが好ましい。本発明では特に、（Ｃ）極性基含有非重合性化合物が、水酸基を含む重合体であることが好ましい。このような化合物を含むことにより、硬化領域におけるパターン欠け欠陥をより効果的に抑制できる。このことは、インプリント用硬化性組成物の硬化時に硬化領域が水分を保持しやすくなり、水分凝集が抑制されることにより液滴生成を抑止するためと考えられ、特に（Ｃ）極性基含有非重合性化合物が水酸基を含む場合に顕著である。
（Ｃ）極性基含有非重合性化合物が有する極性基としては、特に限定されないが、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホ基、アミノ基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、トリス（アルキルスルホニル）メチレン基等を有する化合物が挙げられる。（Ｃ）極性基含有非重合性化合物が重合体である場合、極性基は主鎖、側鎖、末端構造のうちいずれに含まれていてもよい。
（Ｃ）極性基含有非重合性化合物としては、ポリプロピレングリコール、ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレート）、ポリメタクリル酸、ポリヒドロキシスチレン等の重合体、２−ブタノン、３−メチルブタノン、ピナコロン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、３−メチル−２−ペンタノン、アセトン、４−メチル−２−ペンタノン、２−メチル−３−ペンタノン、４，４−ジメチル−２−ペンタノン、２，４−ジメチル−３−ペンタノン、２，２，４，４−テトラメチル−３−ペンタノン、２−ヘキサノン、３−ヘキサノン、５−メチル−３−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−メチル−３−ヘプタノン、５−メチル−３−ヘプタノン、２，６−ジメチル−４−ヘプタノン、２−オクタノン、３−オクタノン、２−ノナノン、３−ノナノン、５−ノナノン、２−デカノン、３−デカノン、４−デカノン、５−ヘキセン−２−オン、３−ペンテン−２−オン、ジイソブチルケトン、フェニルアセトン、メチルナフチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、シクロペンタノン、２−メチルシクロペンタノン、３−メチルシクロペンタノン、２，２−ジメチルシクロペンタノン、２，４，４−トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、３−メチルシクロヘキサノン、４−メチルシクロヘキサノン、４−エチルシクロヘキサノン、２，２−ジメチルシクロヘキサノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、２，２，６−トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、２−メチルシクロヘプタノン、３−メチルシクロヘプタノンイソホロン等のケトン、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のアルキレンカーボネート、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n−ヘキシルアルコール、ｎ−ヘプチルアルコール、n−オクチルアルコール、ｎ−デカノール、４−メチル−２−ペンタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のアルコール、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等のアミド、およびこれらの混合物が例示される。

本発明のインプリント用硬化性組成物における、（Ｃ）極性基含有非重合性化合物の含有量は、固形分に対し、０．０１〜１０質量％であることが好ましく、０．１〜５質量％であることがより好ましい。

（Ｄ）非極性溶剤
本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、さらに、非極性溶剤（Ｄ）を含んでもよい。本発明におけるインプリント用硬化性組成物が溶剤を含むことにより、インプリント用硬化性組成物の粘度を調節することが可能である。
本発明で用いることができる非極性溶剤（Ｄ）としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル等のエステル、β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−オクタノイックラクトン、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン等のラクトンジブチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、アニソール等のエーテル、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、およびこれらの混合物を挙げることができる。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物中には、非極性溶剤（Ｄ）を、全組成物中９９質量％以下の範囲で添加することができるが、通常は、３０質量％以下の範囲で含めてもよく、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。しかしながら、本発明のインプリント用硬化性組成物では、実質的に溶剤を含まないことが好ましい。ここで、実質的に溶剤を含まないとは、非極性溶剤（Ｄ）の含有量が、例えば、３質量％以下、さらには、１質量％以下であることをいう。

（その他成分）
本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、上述の成分の他に種々の目的に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、界面活性剤、酸化防止剤等その他の成分を含んでいてもよい。

−界面活性剤−
本発明におけるインプリント用硬化性組成物には、界面活性剤を含有することが好ましい。本発明に用いられる界面活性剤の含有量は、全溶剤を除く組成物中、例えば、０．００１〜５質量％であり、好ましくは０．００２〜４質量％であり、さらに好ましくは、０．００５〜３質量％である。２種類以上の界面活性剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。界面活性剤が組成物中０．００１〜５質量％の範囲にあると、塗布の均一性の効果が良好であり、界面活性剤の過多によるモールド転写特性の悪化を招きにくい。

前記界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤が好ましい。また、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤（好ましくは、シリコーン系界面活性剤）およびフッ素・シリコン系界面活性剤（好ましくは、フッ素・シリコーン系界面活性剤）の少なくとも１種を含むことが好ましく、フッ素系界面活性剤とシリコン系界面活性剤（好ましくは、シリコーン系界面活性剤）との両方または、フッ素・シリコーン系界面活性剤を含むことがより好ましく、フッ素・シリコン系界面活性剤（好ましくは、フッ素・シリコーン系界面活性剤）を含むことが最も好ましい。尚、前記フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤としては、ノニオン性の界面活性剤が好ましい。
ここで、“フッ素・シリコン系界面活性剤”とは、フッ素系界面活性剤およびシリコン系界面活性剤の両方の要件を併せ持つものをいう。
このような界面活性剤を用いることによって、半導体素子製造用のシリコンウエハや、液晶素子製造用のガラス角基板、クロム膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜、タンタル膜、タンタル合金膜、窒化珪素膜、アモルファスシリコン膜、酸化錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）膜や酸化錫膜などの、各種の膜が形成される基板上に本発明におけるインプリント用硬化性組成物を塗布したときに起こるストリエーションや、鱗状の模様（レジスト膜の乾燥むら）などの塗布不良の問題を解決するが可能となる。また、モールド凹部のキャビティ内への本発明におけるインプリント用硬化性組成物の流動性の向上、モールドとレジストとの間の剥離性の向上、レジストと基板間との密着性の向上、組成物の粘度を下げる等が可能になる。特に、本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、前記界面活性剤を添加することにより、塗布均一性を大幅に改良でき、スピンコーターやスリットスキャンコーターを用いた塗布において、基板サイズに依らず良好な塗布適性が得られる。

本発明で用いる非イオン性フッ素系界面活性剤の例としては、商品名フロラードＦＣ−４３０、ＦＣ−４３１（住友スリーエム社製）、商品名サーフロン「Ｓ−３８２」（旭硝子製）、ＥＦＴＯＰ「ＥＦ−１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、ＥＦ−１２１、ＥＦ−１２６、ＥＦ−１２７、ＭＦ−１００」(トーケムプロダクツ社製)、商品名ＰＦ−６３６、ＰＦ−６３２０、ＰＦ−６５６、ＰＦ−６５２０(いずれもＯＭＮＯＶＡ社)、商品名フタージェントＦＴ２５０、ＦＴ２５１、ＤＦＸ１８(いずれも（株）ネオス製)、商品名ユニダインＤＳ−４０１、ＤＳ−４０３、ＤＳ−４５１(いずれもダイキン工業（株）製)、商品名メガファック１７１、１７２、１７３、１７８Ｋ、１７８Ａ、（いずれも大日本インキ化学工業社製）が挙げられ、非イオン性シリコン系界面活性剤の例としては、商品名ＳＩ−１０シリーズ（竹本油脂社製）、メガファックペインタッド３１（大日本インキ化学工業社製）、ＫＰ−３４１(信越化学工業製)が挙げられる。
本発明で用いる、フッ素・シリコーン系界面活性剤の例としては、商品名Ｘ−７０−０９０、Ｘ−７０−０９１、Ｘ−７０−０９２、Ｘ−７０−０９３、（いずれも信越化学工業社製）、商品名メガファックＲ−０８、ＸＲＢ−４（いずれも大日本インキ化学工業社製）が挙げられる。

−酸化防止剤−
さらに、本発明におけるインプリント用硬化性組成物には、公知の酸化防止剤を含有することが好ましい。本発明に用いられる酸化防止剤の含有量は、全重合性単量体に対し、例えば、０．０１〜１０質量％であり、好ましくは０．２〜５質量％である。２種類以上の酸化防止剤を用いる場合は、その合計量が前記範囲となる。
前記酸化防止剤は、熱や光照射による退色およびオゾン、活性酸素、ＮＯ_x、ＳＯ_x（Ｘは整数）などの各種の酸化性ガスによる退色を抑制するものである。特に本発明では、酸化防止剤を添加することにより、硬化膜の着色防止や、分解による膜厚減少を低減できるという利点がある。このような酸化防止剤としては、ヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、含窒素複素環メルカプト系化合物、チオエーテル系酸化防止剤、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、チオシアン酸塩類、チオ尿素誘導体、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体などを挙げることができる。この中でも、特にヒンダードフェノール系酸化防止剤、チオエーテル系酸化防止剤が硬化膜の着色防止、膜厚減少の観点で好ましい。

前記酸化防止剤の市販品としては、商品名 Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、１０３５、１０７６、１２２２（以上、チバガイギー（株）製）、商品名 Ａｎｔｉｇｅｎｅ Ｐ、３Ｃ、ＦＲ、スミライザーＳ、スミライザーＧＡ８０（住友化学工業（株）製）、商品名アデカスタブＡＯ７０、ＡＯ８０、ＡＯ５０３（（株）ＡＤＥＫＡ製）等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。

−重合禁止剤−
さらに、本発明におけるインプリント用硬化性組成物には、重合禁止剤を含有することが好ましい。重合禁止剤の含有量としては、全重合性単量体に対し、０．００１〜１質量％であり、より好ましくは０．００５〜０．５質量％、さらに好ましくは０．００８〜０．０５質量％である、重合禁止剤を適切な量配合することで高い硬化感度を維持しつつ経時による粘度変化が抑制できる。重合禁止剤は重合性単量体の製造時に添加してもよいし、硬化組成物に後から添加してもよい。好ましい重合禁止剤としては、ハイドロキノン、ｐ−メトキシフェノール、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ピロガロール、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、ベンゾキノン、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシアミン第一セリウム塩、フェノチアジン、フェノキサジン、４−メトキシナフトール、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル、ニトロベンゼン、ジメチルアニリン等が挙げられ、好ましくはｐ−ベンゾキノン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル、フェノチアジンである。これら重合禁止剤は重合性単量体の製造時だけでなく、硬化組成物の保存時においてもポリマー不純物の生成を抑制し、インプリント時のパターン形成性の劣化を抑制する。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物には、前記成分の他に必要に応じて離型剤、シランカップリング剤、紫外線吸収剤、光安定剤、老化防止剤、可塑剤、密着促進剤、熱重合開始剤、着色剤、エラストマー粒子、光酸増殖剤、光塩基発生剤、塩基性化合物、流動調製剤、消泡剤、分散剤等を添加してもよい。

２３℃における本発明のインプリント用硬化性組成物の粘度は、５〜３０ｍＰａ・ｓであることが好ましく、７〜２０ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。

本発明のインプリント用硬化性組成物は、各種成分を配合して調整するが、かかる調整は、湿度の低い雰囲気下で行なうことが好ましい。具体的には、２３℃における湿度が３０％以下であることが好ましく、５〜２５％であることがより好ましく、１０〜２０％であることがさらに好ましい。また、調整時の温度は、低温であることが好ましく、３０℃以下の雰囲気下で調整することが好ましく、１５〜２５℃の雰囲気下で行なうことがより好ましい。本発明のインプリント用硬化性組成物は、調整後に、蒸留や精製をすることが難しい。これは、インプリント用硬化性組成物が、熱によって反応して固まることや、通常、粘度が高いことに基づく。従って、インプリント用硬化性組成物の調整段階で、水分を吸収しないように注意を払って調整することが好ましい。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、調製後にフィルターを通過させることが好ましい。フィルターは、有効濾過面積が２００ｃｍ²以上のものを用いることが好ましい。ろ過も、上記インプリント用硬化性組成物の調整時と同様の湿度下、温度下で行なうことが好ましい。フィルターの有効濾過面積は、３００ｃｍ²以上が好ましく、５００ｃｍ²以上がより好ましく、１０００ｃｍ²以上がさらに好ましい。
本発明における有効濾過面積とは、濾過工程において、フィルター接液部分のうちフィルターを透過しない粒子が堆積する部分の面積を示し、通常は、濾過フィルターの表面積である。

インプリント用硬化性組成物をフィルターに複数回通過させる手段としては、特に限定されないが、好ましい例としてフィルターを含む装置内で組成物を循環させる方式、直列に接続した複数のフィルターを各々１回以上通過させる方式、濾過工程後に同一のまたは異なるフィルターを用いて再度ろ過を行なう方式およびそれらの組み合わせによる方式が挙げられる。

２回以上フィルターを通過させる場合、後に通過させるフィルターの方が、孔径が小さいことが好ましい。このような構成とすることにより、パターン剥がれがより効果的に抑制される傾向にある。

フィルターを通過させる工程における印加圧力は、ろ過の際の圧力印加は、フィルター・ろ過装置の材質や硬化性組成物の化学構造などにより変化しうるが、０．５ＭＰａ以下であることが好ましい。このような範囲とすることにより、不純物によって、パーティクルがフィルターを透過してしまうのをより効果的に抑止できる。
印加圧力は、より好ましくは、０．０５ＭＰａ〜０．３ＭＰａであり、さらに好ましくは、０．０５ＭＰａ〜０．１ＭＰａである。
本発明では、インプリント用硬化性組成物の平均流量が、毎分０．０１Ｌ以上であることが好ましく、毎分０．０５Ｌ〜３．０Ｌであることがより好ましい。

本発明で用いるフィルターのうち、少なくとも１種類の孔径が０．１μｍ以下であることが好ましく、いずれのフィルターも、０．１μｍ以下であることがより好ましい。
孔径は、０．０５μｍ以下であることがより好ましく、０．００５〜０．０５μｍであることがさらに好ましい。前記孔径のフィルターを通過させることでサブミクロンサイズの微細粒子や異物を除去することができる。

本発明で用いるフィルターの材質は、特に定めるものではないが、少なくとも１種類が、ポリプロピレン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ナイロン系樹脂などのものが好ましく使用できる。特に、少なくとも１種類が、フッ素樹脂系フィルターまたはポリエチレン系フィルターが異物除去およびフィルターの経時安定性の観点から好ましい。

本発明で用いるフィルターは、少なくとも１種類が、メンブレンフィルターをプリーツ状に加工したフィルターカートリッジであることが好ましい。プリーツ状に加工したフィルターカートリッジは有効濾過面積を大きく製造することができるという点でメリットがある。

次に、本発明のインプリント用硬化性組成物の保存方法について述べる。本発明のインプリント用硬化性組成物は、通常、密封型の保存容器に封入する。本発明では、インプリント用硬化性組成物の充填率が、保存容器への投入時において、３０体積％以上であることが好ましく、４０体積％以上であることがさらに好ましい。ここで、充填率とは、容器の内容積に対する、インプリント用硬化性組成物の体積の割合（体積％）をいう。内容積とは、実際にインプリント用硬化性組成物を入れることが可能な容積をいう。従って、例えば、空隙を減らすために、容器内にインプリント用硬化性組成物と未反応の固体などを入れて、インプリント用硬化性組成物を入れることができる空間を減らした場合、該減らされた後の空間の体積が内容積となる。
保存温度は、１０℃以下であることが好ましく、０〜１０℃であることがより好ましい。このような温度で保存することにより、硬化性組成物の反応がより進行しにくくすることができる。
湿度は、３０％以下が好ましく、２０％以下がより好ましい。
本発明のインプリント用硬化性組成物をこのような方法で保存することにより、保存容器に保存したインプリント用硬化性組成物の一部を取り出してパターン形成を行ない、残りを引き続き保存することができる。パターン形成後の残りのインプリント用硬化性組成物を保存するとき、さらに、上記保存方法で保存することが好ましい。すなわち、パターン形成後の残りのインプリント用硬化性組成物も、保存容器に対するインプリント用硬化性組成物の投入時の充填率が３０体積％以上となるように保存することが好ましい。
保存していたインプリント用硬化性組成物を用いてパターン形成を行なう場合、インプリント用硬化性組成物を常温（例えば、２０〜３０℃）に戻してからパターン形成を行なうのが好ましい。常温に戻す作業は、１２時間〜１日かけて行なうのが好ましい。
保存容器の大きさは、特に定めるものではないが、１０ｍＬ〜１０Ｌが好ましく、５０ｍＬ〜５Ｌがより好ましい。
保存容器は、光の透過率が、２５０〜４４０ｎｍの波長範囲で１％以下であることが好ましい。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、光ナノインプリント法により微細なパターンを低コストかつ高い精度で形成することが可能である。このため、従来のフォトリソグラフィ技術を用いて形成されていたものをさらに高い精度且つ低コストで形成することができる。例えば、基板または支持体上に本発明の組成物を適用し、該組成物からなる層を露光、硬化、必要に応じて乾燥させることによって、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などに用いられる、オーバーコート層や絶縁膜などの永久膜や、半導体集積回路、記録材料、あるいはフラットパネルディスプレイなどのエッチングレジストとして適用することも可能である。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などに用いられる永久膜（構造部材用のレジスト）や電子材料の基板加工に用いられるレジストにおいては、製品の動作を阻害しないようにするため、レジスト中の金属あるいは有機物のイオン性不純物の混入を極力避けることが望ましい。このため、本発明におけるインプリント用硬化性組成物中における金属または有機物のイオン性不純物の濃度としては、１０００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００ｐｐｂ以下にすることが好ましい。

次に、本発明におけるインプリント用硬化性組成物を用いたパターン（特に、微細凹凸パターン）の形成方法について説明する。
本発明のパターン形成方法では、本発明におけるインプリント用硬化性組成物を基板または支持体（基材）上に適用してパターン形成層を形成する工程と、前記パターン形成層表面にモールドを圧接する工程と、前記パターン形成層に光を照射する工程と、を経て本発明の組成物を硬化することで、微細な凹凸パターンを形成することができる。
ここで、本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、光照射後にさらに加熱して硬化させることが好ましい。具体的には、基材（基板または支持体）上に少なくとも本発明の組成物からなるパターン形成層を適用し、必要に応じて乾燥させて本発明の組成物からなる層（パターン形成層）を形成してパターン受容体（基材上にパターン形成層が設けられたもの）を作製し、当該パターン受容体のパターン形成層表面にモールドを圧接し、モールドパターンを転写する加工を行ない、微細凹凸パターン形成層を光照射により硬化させる。本発明のパターン形成方法による光インプリントリソグラフィは、積層化や多重パターニングもでき、通常の熱インプリントと組み合わせて用いることもできる。

以下において、本発明におけるインプリント用硬化性組成物を用いたパターン形成方法（パターン転写方法）について具体的に述べる。
本発明のパターン形成方法においては、まず、本発明の組成物を基材上に適用してパターン形成層を形成する。
本発明におけるインプリント用硬化性組成物を基材上に適用する方法としては、一般によく知られた適用方法、例えば、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート方法、スリットスキャン法、あるいはインクジェット法などを用いることで基材上に塗膜あるいは液滴を適用することができる。中でも本発明の製造方法で得られるインプリント用硬化性組成物はインクジェット法に適している。
また、本発明の組成物からなるパターン形成層の膜厚は、使用する用途によって異なるが、０．０１〜１μｍ程度である。また、本発明の組成物を、多重塗布により塗布してもよい。さらに、基材と本発明の組成物からなるパターン形成層との間には、例えば平坦化層等の他の有機層などを形成してもよい。これにより、パターン形成層と基板とが直接接しないことから、基板に対するごみの付着や基板の損傷等を防止することができる。尚、本発明の組成物によって形成されるパターンは、基材上に有機層を設けた場合であっても、有機層との密着性に優れる。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物を適用するための基材（基板または支持体）は、種々の用途によって選択可能であり、例えば、石英、ガラス、光学フィルム、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属基板、紙、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ポリエステルフイルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等のポリマー基板、ＴＦＴアレイ基板、ＰＤＰの電極板、ガラスや透明プラスチック基板、ＩＴＯや金属などの導電性基材、絶縁性基材、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの半導体作製基板など特に制約されない。また、基材の形状も特に限定されるものではなく、板状でもよいし、ロール状でもよい。また、後述のように前記基材としては、モールドとの組み合わせ等に応じて、光透過性、または、非光透過性のものを選択することができる。

次いで、本発明のパターン形成方法においては、パターン形成層にパターンを転写するために、パターン形成層表面にモールドを押接する。これにより、モールドの押圧表面にあらかじめ形成された微細なパターンをパターン形成層に転写することができる。
また、パターンを有するモールドに本発明の組成物を適用し、基板を押接してもよい。
本発明で用いることのできるモールド材について説明する。本発明の組成物を用いた光ナノインプリントリソグラフィは、モールド材および／または基材の少なくとも一方に、光透過性の材料を選択する。本発明に適用される光インプリントリソグラフィでは、基材の上に本発明におけるインプリント用硬化性組成物を適用してパターン形成層を形成し、この表面に光透過性のモールドを押接し、モールドの裏面から光を照射し、前記パターン形成層を硬化させる。また、光透過性基材上に硬化性組成物を適用し、モールドを押し当て、基材の裏面から光を照射し、硬化性組成物を硬化させることもできる。
前記光照射は、モールドを付着させた状態で行ってもよいし、モールド剥離後に行ってもよいが、本発明では、モールドを密着させた状態で行なうのが好ましい。

本発明で用いることのできるモールドは、転写されるべきパターンを有するモールドが使われる。前記モールド上のパターンは、例えば、フォトリソグラフィや電子線描画法等によって、所望する加工精度に応じてパターンが形成できるが、本発明では、モールドパターン形成方法は特に制限されない。
本発明において用いられる光透過性モールド材は、特に限定されないが、所定の強度、耐久性を有するものであればよい。具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂などの光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示される。

本発明において光透過性の基材を用いた場合に使われる非光透過型モールド材としては、特に限定されないが、所定の強度を有するものであればよい。具体的には、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属基板、ＳｉＣ、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの基板などが例示され、特に制約されない。また、モールドの形状も特に制約されるものではなく、板状モールド、ロール状モールドのどちらでもよい。ロール状モールドは、特に転写の連続生産性が必要な場合に適用される。

本発明のパターン形成方法で用いられるモールドは、硬化性組成物とモールド表面との剥離性を向上させるために離型処理を行ったものを用いてもよい。このようなモールドとしては、シリコン系やフッ素系などのシランカップリング剤による処理を行ったもの、例えば、ダイキン工業（株）製のオプツールＤＳＸや、住友スリーエム（株）製のNovec EGC−1720等、市販の離型剤も好適に用いることができる。

本発明の組成物を用いて光インプリントリソグラフィを行なう場合、本発明のパターン形成方法では、通常、モールド圧力を１０気圧以下で行なうのが好ましい。モールド圧力を１０気圧以下とすることにより、モールドや基板が変形しにくくパターン精度が向上する傾向にある。また、加圧が低いため装置を縮小できる傾向にある点からも好ましい。モールド圧力は、モールド凸部の硬化性組成物の残膜が少なくなる範囲で、モールド転写の均一性が確保できる領域を選択することが好ましい。

本発明のパターン形成方法中、前記パターン形成層に光を照射する工程における光照射の照射量は、硬化に必要な照射量よりも十分大きければよい。硬化に必要な照射量は、硬化性組成物の不飽和結合の消費量や硬化膜のタッキネスを調べて適宜決定される。
また、本発明に適用される光インプリントリソグラフィにおいては、光照射の際の基板温度は、通常、室温で行われるが、反応性を高めるために加熱をしながら光照射してもよい。光照射の前段階として、真空状態にしておくと、気泡混入防止、酸素混入による反応性低下の抑制、モールドと硬化性組成物との密着性向上に効果があるため、真空状態で光照射してもよい。また、本発明のパターン形成方法中、光照射時における好ましい真空度は、１０^-1Ｐａから１気圧の範囲である。

本発明におけるインプリント用硬化性組成物を硬化させるために用いられる光は特に限定されず、例えば、高エネルギー電離放射線、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光または放射線が挙げられる。高エネルギー電離放射線源としては、例えば、コッククロフト型加速器、ハンデグラーフ型加速器、リニヤーアクセレーター、ベータトロン、サイクロトロン等の加速器によって加速された電子線が工業的に最も便利且つ経済的に使用されるが、その他に放射性同位元素や原子炉等から放射されるγ線、Ｘ線、α線、中性子線、陽子線等の放射線も使用できる。紫外線源としては、例えば、紫外線螢光灯、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノン灯、炭素アーク灯、太陽灯、ＬＥＤ等が挙げられる。放射線には、例えばマイクロ波、ＥＵＶが含まれる。また、ＬＥＤ、半導体レーザー光、あるいは２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光や１９３ｎｍＡｒＦエキシマレーザーなどの半導体の微細加工で用いられているレーザー光も本発明に好適に用いることができる。これらの光は、モノクロ光を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(ミックス光)でもよい。

露光に際しては、露光照度を１ｍＷ／ｃｍ²〜５０ｍＷ／ｃｍ²の範囲にすることが好ましい。１ｍＷ／ｃｍ²以上とすることにより、露光時間を短縮することができるため生産性が向上し、５０ｍＷ／ｃｍ²以下とすることにより、副反応が生じることによる永久膜の特性の劣化を抑止できる傾向にあり好ましい。露光量は５ｍＪ／ｃｍ²〜１０００ｍＪ／ｃｍ²の範囲にすることが望ましい。５ｍＪ／ｃｍ²未満では、露光マージンが狭くなり、光硬化が不十分となりモールドへの未反応物の付着などの問題が発生しやすくなる。一方、１０００ｍＪ／ｃｍ²を超えると組成物の分解による永久膜の劣化の恐れが生じる。
さらに、露光に際しては、酸素によるラジカル重合の阻害を防ぐため、窒素やアルゴンなどの不活性ガスを流して、酸素濃度を１００ｍｇ／Ｌ未満に制御してもよい。

本発明のパターン形成方法においては、光照射によりパターン形成層を硬化させた後、必要に応じて硬化させたパターンに熱を加えてさらに硬化させる工程を含んでいてもよい。光照射後に本発明の組成物を加熱硬化させる熱としては、１５０〜２８０℃が好ましく、２００〜２５０℃がより好ましい。また、熱を付与する時間としては、５〜６０分間が好ましく、１５〜４５分間がさらに好ましい。

［パターン］
上述のように本発明のパターン形成方法によって形成されたパターンは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などに用いられる永久膜（構造部材用のレジスト）やエッチングレジストとして使用することができる。また、前記永久膜は、製造後にガロン瓶やコート瓶などの容器にボトリングし、輸送、保管されるが、この場合に、劣化を防ぐ目的で、容器内を不活性な窒素、またはアルゴンなどで置換しておいてもよい。また、輸送、保管に際しては、常温でもよいが、より永久膜の変質を防ぐため、−２０℃から０℃の範囲に温度制御してもよい。勿論、反応が進行しないレベルで遮光することが好ましい。

また、本発明におけるインプリント用硬化性組成物を用いたパターンは、耐溶剤性も良好である。本発明におけるインプリント用硬化性組成物は多種の溶剤に対する耐性が高いことが好ましいが、一般的な基板製造工程時に用いられる溶剤、例えば、２３℃のＮ−メチルピロリドン溶媒に１０分間浸漬した場合に膜厚変動を起こさないことが特に好ましい。

本発明のパターン形成方法によって形成されたパターンは、エッチングレジストとしても有用である。本発明におけるインプリント用硬化性組成物をエッチングレジストとして利用する場合には、まず、基材として例えばＳｉＯ₂等の薄膜が形成されたシリコンウエハ等を用い、基材上に本発明のパターン形成方法によってナノオーダーの微細なパターンを形成する。その後、ウェットエッチングの場合にはフッ化水素等、ドライエッチングの場合にはＣＦ₄等のエッチングガスを用いてエッチングすることにより、基材上に所望のパターンを形成することができる。本発明におけるインプリント用硬化性組成物は、フッ化炭素等を用いるドライエッチングに対するエッチング耐性も良好であることが好ましい。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。

本実施例では、以下の材料を採用した。

（Ａ１）重合性単量体：ｍ−キシリレンジアクリレートの合成
蒸留水１０００ｍｌに水酸化ナトリウム４１１ｇを加え、これに氷冷下アクリル酸７８１ｇを滴下して加えた。これにベンジルトリブチルアンモニウムクロリド１０７ｇ、α，α’−ジクロロメタキシレン６００ｇ加え、８５℃で７時間反応させた。反応液に酢酸エチル１６００ｍｌ加え有機層を１％塩酸水溶液、１％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、蒸留水で洗浄し、有機層に重合禁止剤としてｐ−ベンゾキノン０．０１ｇ添加し、有機層を溶剤含量が１質量％以下になるまで真空濃縮し、重合性単量体（Ａ１）を得た。

（Ａ２）重合性単量体：２−ナフチルメチルアクリレートの合成
窒素気流下２−メチルナフタレン６００ｇを酢酸エチル６０００ｍｌに溶解させ、これに１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン４２２ｇを加え４０℃に加熱した。これに和光純薬工業製Ｖ−６５を７．４ｇ、添加し４０℃で７時間反応した。その後反応液を６５℃で３時間反応し、放冷した。反応液を炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水で洗浄した後、濃縮した。これにイソプロパノール３６００ｍｌ加え、３０分攪拌した後、蒸留水９００ｍｌを加えさらに３０分攪拌した。析出した固体を濾取し、これにイソプロパノール１８００ｍｌ加え、３０分攪拌した後、蒸留水４５０ｍｌを加えさらに３０分攪拌した。固体を濾取、乾燥すると２−ブロモメチルナフタレンが３００ｇ得られた。
蒸留水２００ｍｌに水酸化ナトリウム８１．４ｇを加え、これに氷冷下アクリル酸１４７ｇを滴下して加えた。これにベンジルトリブチルアンモニウムクロリド４２．４ｇ、２−ブロモメチルナフタレン３００ｇを加え、７５℃で２時間反応させた。反応液に酢酸エチル／ヘキサン＝２／８（体積比）８００ｍｌ加え有機層を１％塩酸水溶液、１％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、蒸留水で洗浄し、有機層に重合禁止剤としてｐ−ベンゾキノン０．０１ｇ添加し、有機層を溶剤含量が１質量％以下になるまで真空濃縮し、重合性単量体（Ａ２）を得た。

Ａ３：イソボロニルアクリレート（ＩＢＸＡ、大阪有機化学（株）製）
Ａ’１：パーフロロヘキシルエチルアクリレート（関東化学社製）
Ａ’２：特開２０１０−２３９１２１号公報に記載の方法で合成

（Ｂ）重合開始剤
（Ｂ１）光重合開始剤：ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９ＥＧ（ＢＡＳＦ社製）
（Ｂ２）光重合開始剤：Ｄａｒｏｃｕｒ１１７３（ＢＡＳＦ社製）

（Ｃ）極性基含有非重合性化合物
Ｃ１：ポリプロピレングリコール：和光純薬工業(株)製、161-17635
Ｃ２：エチレングリコール：和光純薬工業(株)製、055-00996
Ｃ３：ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレート）
前記繰り返し単位に対応するモノマーをＰＧＭＥＡに溶解し、固形分濃度１５質量％の溶液４５０ｇを調製した。この溶液に和光純薬製重合開始剤Ｖ−６０１を１ｍｏｌ％加え、これを窒素雰囲気下、６時間かけて、１００℃に加熱したＰＧＭＥＡ５０ｇに滴下した。滴下終了後、反応液を２時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、メタノール５Ｌに晶析、析出した白色粉体を濾取し、目的物である樹脂Ｃ３を回収した。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は３０００、分散度２．０であった。
Ｃ４：ポリメタクリル酸：和光純薬工業(株)製、551-77711
Ｃ５：ポリヒドロキシスチレン
前記繰り返し単位に対応するモノマーを使用した以外は、上記Ｃ３の合成と同様にして、Ｃ５を合成した。ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は５０００、分散度１．８であった。
Ｃ６：ポリエチレングリコール：和光純薬工業(株)製、165-09085

インプリント用硬化性組成物の作製
下記表に示す配合割合で各成分を配合して、インプリント用硬化性組成物を調整した。一部の実施例・比較例については、表に示す水分量となるように水を添加した。これらの調製は、室温（２３℃）で、表に示す環境湿度で行った。なお、上記純水としては、ミリポア製純水製造システムＭｉｌｌｉ−Ｑ Ｊｒ．を用いて比抵抗１８．３ＭΩ・ｃｍとしたものを用いた。フィルターとして孔径０．１μｍおよび０．０２μｍのオプチマイザーＤ３００（日本インテグリス製超高分子量ポリエチレンフィルター）を直列に接続し、得られた液を各２回通過させた。この際の印加圧力は、流速が０．０５Ｌ／分となるよう調整した。

インプリント用硬化性組成物の保存
上記で得られたインプリント用硬化性組成物を、下記表に示す容量の保存容器に、下記表に示す充填率となるように投入し、封止した。１℃で８時間保存した後、下記表に示す態様に従い、封止したままあるいは開封の後に室温（２３℃）に、８時間放置した。これらの作業を下記表に示す回数行なった。表に示す水分量は、保存後の水分量を示している。
得られたインプリント用硬化性組成物の水分量は、カールフィッシャー法に従って測定した。

＜パターン欠け＞
インクジェット法を用い、上記で調製した硬化性組成物による塗膜を８インチシリコン基板上に作成し、これに４０ｎｍのライン／スペース１／１を有し、溝深さが８０ｎｍのパターンを有し、表面がパーフロロポリエーテル構造を有するシランカップリング剤（ダイキン社製、オプツールＨＤ１１００）で離型処理されたモールドを乗せ、窒素気流下１ＭＰａの圧力でモールドを組成物に押し付けながら３６５ｎｍの光を含有する水銀ランプ光にて、露光照度１０ｍＷ／ｃｍ²、露光量２００ｍＪ／ｃｍ²で硬化させ、硬化後、ゆっくりモールドを剥がした。得られたパターンを走査型顕微鏡にて観察し、硬化パターンの欠けを以下のように評価した。上記評価を各２０回連続で行なった。１０回の連続評価が可能であった水準に対してパターン欠けを下記Ａ〜Ｅの５通りに分類し、それぞれの例における基板の枚数を比較した結果を下記表に示す。

Ａ：パターンの欠損が全くみられなかった。
Ｂ：パターンの欠損がみられる領域が、パターン形成面積中１％未満であった。
Ｃ：パターンの欠損がみられる領域が、パターン形成面積中１％以上３％未満であった。
Ｄ：パターンの欠損がみられる領域が、パターン形成面積中３％以上１０％未満であった。
Ｅ：パターンの欠損がみられる領域が、パターン形成面積中１０％以上２０％未満であった。
Ｆ：パターンの欠損がみられる領域が、パターン形成面積中２０％以上であった。

上記表において、環境湿度は、卓上型温湿度計６０８−Ｈ１（株式会社テストー製）を用いて測定した相対湿度であり、その単位は、％である。また、粘度は２３℃の値であり、単位はｍＰａ・ｓである。
保存容器充填率は、インプリント用硬化性組成物の体積／保存容器の容積×１００（体積％）を示したものであり、インプリント用硬化性組成物の体積は投入時における値を基準としている。

上記表から明らかなとおり、本発明のインプリント用硬化性組成物を用いた場合、硬化パターンの欠けを抑制できることが分かった。すなわち、インプリント用硬化性組成物における水分量を極めて微量にすることによって、パターン欠陥を抑制できたものである。さらに、（Ｃ）極性基含有非重合性化合物として、水酸基を有する化合物を採用することにより、本発明の効果がより効果的に発揮されることが分かった。

Claims (17)

1. （Ａ）重合性化合物および（Ｂ）光重合開始剤を含有するインプリント用硬化性組成物であって、溶剤を除く全成分の合計重量に対する含有水分の割合が０．８重量％未満であるインプリント用硬化性組成物。
2. ラジカル重合反応によって硬化することを特徴とする、請求項１に記載のインプリント用硬化性組成物。
3. 前記硬化性組成物が更に（Ｃ）極性基含有非重合性化合物を含有する、請求項１または２に記載のインプリント用硬化性組成物。
4. 前記極性基含有非重合性化合物（Ｃ）が水酸基を有する化合物である、請求項３に記載のインプリント用硬化性組成物。
5. 前記極性基含有非重合性化合物（Ｃ）が水酸基を有する重合体である、請求項３に記載のインプリント用硬化性組成物。
6. 前記インプリント用硬化性組成物が、実質的に溶剤を含まない、請求項１〜５のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物。
7. 前記インプリント用硬化性組成物の粘度が、５〜３０ｍＰａ・ｓである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物。
8. 温度２３度、湿度３０％以下の雰囲気下において、各種成分を配合することを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物の製造方法。
9. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物を保存容器に封入することを含み、かつ、保存容器に対するインプリント用硬化性組成物の投入時の充填率が３０体積％以上となるように、該組成物を保存することを特徴とする、インプリント用硬化性組成物の保存方法。
10. 請求項９で保存した後のインプリント用硬化性組成物を用いてパターン形成を行った後、再度、保存容器に対するインプリント用硬化性組成物の投入時の充填率が３０体積％以上となるように該組成物を保存することを含む、請求項９に記載の保存方法。
11. １０℃以下で保存することを特徴とする、請求項９または１０に記載のインプリント用硬化性組成物の保存方法。
12. 請求項１１で保存した後のインプリント用硬化性組成物を室温に戻した後、該インプリント用硬化性組成物を用いてパターン形成を行ない、その後、保存容器に対するインプリント用硬化性組成物の投入時の充填率が３０体積％以上となるように該組成物を再度保存することを含む、請求項１１に記載の保存方法。
13. 請求項１〜７のいずれか１項に記載のインプリント用硬化性組成物を基材上に適用する工程と、該インプリント用硬化性組成物にモールドを圧接する工程と、インプリント用硬化性組成物に光を照射する工程と、を含むパターン形成方法。
14. インプリント用硬化性組成物を基材上にインクジェット法によって適用する、請求項１３に記載のパターン形成方法。
15. 請求項１３または１４に記載のパターン形成方法により形成されたパターン。
16. 請求項１５に記載のパターンを含む電子デバイス。
17. 請求項１３または１４に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。