JP2013089534A - 集束イオンビーム装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオンビーム1を放出するエミッタ41と、エミッタ41を収容するイオン源室40と、イオン源室40に窒素を供給するガス供給部46と、窒素をイオン化し、窒素イオンを引き出す電圧を印加するための引出電極49と、エミッタ41を冷却する温度制御部34と、を有するガス電界電離イオン源を備えている集束イオンビーム装置を提供する。
【選択図】図1
Description
ガス電界電離イオン源を用いた装置として、例えば、ガス電界電離イオン源からアルゴンイオンビームを照射し、フォトマスクの欠陥修正などの微細加工を行う集束イオンビーム装置が提案されている(特許文献1参照)。
(1)本発明に係る集束イオンビーム装置は、イオンビームを放出するエミッタと、エミッタを収容するイオン源室と、イオン源室に窒素を供給するガス供給部と、窒素をイオン化し、窒素イオンを引き出す電圧を印加するための引出電極と、エミッタを冷却する温度制御部と、を有するガス電界電離イオン源を備えている。
以下、本発明に係る集束イオンビーム装置の実施形態について説明する。
試料室20は、イオンビーム鏡筒10から照射されるイオンビーム1の照射位置に試料2を移動させる試料ステージ3を収容している。
以上のとおり、本実施形態の集束イオンビーム装置によれば、窒素イオンビームを安定して照射することができる。
実施形態1のガス電界電離イオン源を備えたイオンビーム鏡筒を備えたマスク修正装置の実施形態について説明する。
2…試料
3…試料ステージ
4…検出器
5…ガス供給部
6…真空ポンプ
7…表示部
10…イオンビーム鏡筒
11…コンデンサレンズ電極
12…対物レンズ電極
13…中間室
14、15…オリフィス
16…真空ポンプ
20…試料室
30…制御部
31…像形成部
32…引出電圧制御部
33…イオン源ガス制御部
34…温度制御部
40…イオン源室
41…エミッタ
42…冷却装置
43…接続部
44…壁部
45…ヒータ
46…イオン源ガス供給部
48…真空ポンプ
49…引出電極
50…電源
51…窒素分子
60…マスク
61…試料ステージ
62…デポジションガス供給部
63…エッチングガス供給部
65…試料室
66…遮光パターン部
67…欠陥
Claims (6)
- イオンビームを放出するエミッタと、
前記エミッタを収容するイオン源室と、
前記イオン源室に窒素を供給するガス供給部と、
前記窒素をイオン化し、窒素イオンを引き出す電圧を印加するための引出電極と、
前記エミッタを冷却する温度制御部と、を有するガス電界電離イオン源を備えた集束イオンビーム装置。 - 前記ガス供給部は、前記イオン源室内の圧力が1.0×10-6Pa乃至1.0×10-2Paになるように前記窒素の供給を制御する請求項1に記載の集束イオンビーム装置。
- 前記ガス供給部は、前記イオン源室内の圧力が1.0×10-5Pa乃至1.0×10-3Paになるように前記窒素の供給を制御する請求項1に記載の集束イオンビーム装置。
- 前記温度制御部は、前記エミッタの温度を40K乃至200Kに制御する請求項1乃至3のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
- 前記引出電極に印加する前記電圧は、0.5kV乃至20kVである請求項1乃至4のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
- 前記ガス電界電離イオン源から放出されたイオンビームを用いて、マスクの欠陥を修正する請求項1乃至5のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015018808A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及びその作動方法 |
JP2015018807A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及びその作動方法 |
DE102014112044A1 (de) | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Reperaturvorrichtung |
US9530612B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-12-27 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5830601B2 (ja) * | 2012-04-03 | 2015-12-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ガス電界電離イオン源およびイオンビーム装置 |
JP2015153763A (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
KR101886755B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2018-08-09 | 한국원자력연구원 | 다중 펄스 플라즈마를 이용한 음이온 공급의 연속화 시스템 및 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01265429A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン発生装置およびイオン発生方法 |
JPH0254851A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Fujitsu Ltd | 電界電離型ガスイオン源の制御方法 |
JPH06342638A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Hitachi Ltd | 検査方法およびその装置 |
JP2008270039A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Hitachi High-Technologies Corp | イオン源、イオンビーム加工・観察装置、及び試料断面観察方法 |
JP2011171008A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Sii Nanotechnology Inc | 集束イオンビーム装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5856332A (ja) | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
JPH03122643A (ja) | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Fujitsu Ltd | イオンビーム加工方法 |
JPH08133755A (ja) * | 1994-11-08 | 1996-05-28 | Canon Inc | 光学素子成形用ブランクおよびその製造法、製造装置 |
US6042738A (en) | 1997-04-16 | 2000-03-28 | Micrion Corporation | Pattern film repair using a focused particle beam system |
US6440615B1 (en) | 1999-02-09 | 2002-08-27 | Nikon Corporation | Method of repairing a mask with high electron scattering and low electron absorption properties |
JP2000347384A (ja) | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Toppan Printing Co Ltd | 集束イオンビーム修正装置及び欠陥保証方法 |
US6869574B2 (en) * | 2001-03-14 | 2005-03-22 | Vacuum Products Corporation | Apparatus and method of generating charged particles |
JP2003228162A (ja) | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Seiko Instruments Inc | フォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法 |
US7511280B2 (en) * | 2003-10-16 | 2009-03-31 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US8110814B2 (en) * | 2003-10-16 | 2012-02-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US20070228287A1 (en) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Alis Technology Corporation | Systems and methods for a gas field ionization source |
JP4339106B2 (ja) | 2003-12-25 | 2009-10-07 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
EP1979925A2 (en) * | 2006-01-13 | 2008-10-15 | Technion Research And Development Foundation, Ltd. | Method and apparatus for generating ion beam |
DE102008064781B3 (de) * | 2007-04-23 | 2016-01-07 | Hitachi High-Technologies Corporation | lonenstrahlbearbeitungs-/Betrachtungsvorrichtung |
WO2009022603A1 (ja) | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sii Nanotechnology Inc. | フォトマスクの欠陥修正方法および装置 |
US8815474B2 (en) * | 2007-08-10 | 2014-08-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Photomask defect correcting method and device |
WO2009114230A2 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-17 | Carl Zeiss Smt, Inc. | Reducing particle implantation |
US8026492B2 (en) * | 2008-11-04 | 2011-09-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Dual mode gas field ion source |
WO2010082466A1 (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
JP5564299B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-07-30 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料加工観察方法 |
-
2011
- 2011-10-20 JP JP2011230769A patent/JP5898454B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-10-18 DE DE102012109961.8A patent/DE102012109961B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-18 US US13/654,509 patent/US8963100B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-07 US US14/591,843 patent/US9336979B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01265429A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン発生装置およびイオン発生方法 |
JPH0254851A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Fujitsu Ltd | 電界電離型ガスイオン源の制御方法 |
JPH06342638A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Hitachi Ltd | 検査方法およびその装置 |
JP2008270039A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Hitachi High-Technologies Corp | イオン源、イオンビーム加工・観察装置、及び試料断面観察方法 |
JP2011171008A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Sii Nanotechnology Inc | 集束イオンビーム装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015018808A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及びその作動方法 |
JP2015018807A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー | 荷電粒子ビームシステム及びその作動方法 |
US9530612B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-12-27 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
US9530611B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-12-27 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
US9536699B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-01-03 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
US9627172B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-04-18 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
US9640364B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-05-02 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
DE102014112044A1 (de) | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Reperaturvorrichtung |
CN104425199A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 修正装置 |
JP2015062170A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-04-02 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 修正装置 |
US9378858B2 (en) | 2013-08-23 | 2016-06-28 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Repair apparatus |
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