JP2013087012A - 窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、窒化物半導体エピタキシャル基板、並びに窒化物半導体素子 - Google Patents
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 143
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 108
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 21
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 25
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
【解決手段】サファイア基板のC面である主面に、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが0.5μm以上3μm以下で、隣接する前記凸部間の距離が1μm
以上6μm以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下である窒化物半導体成長用基板である。
【選択図】図1
Description
距離が1μm以上6μm以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下である窒化物半導体成長用基板である。
に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部を、隣接する前記凸部間の距離を1μm以上6μm以下として前記主面に格子状に配置して形成した後、前記サファイア基板を酸素を含む零囲気中でアニール処理を施して、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSを10nm以下に平坦化する窒化物半導体成長用基板の製造方法である。
図1(a)は本発明の一実施形態に係る窒化物半導体成長用基板であるサファイア基板の側面図、図1(b)は図1(a)の主面の一部を拡大した平面図、図1(c)は図1(b)のC−C断面図である。
図1(b)、(c)に示すように、サファイア基板1の主面2に、円錐状の凸部3が三角格子状に配置して形成されている。凸部3は主面2からの高さhが0.5μm以上3μ
m以下であり、隣接する凸部3間のピッチ(距離、三角格子の正三角形の辺の長さ)pが1μm以上6μm以下である。凸部3は主面2に対して90°未満で傾斜した傾斜角θの側面(円錐面)4を有する。側面4の傾斜角θは、30°以上70°以下が好ましい。
また、凸部3の側面4の表面粗さは、RMS(二乗平均平方根粗さ)の値が10nm以下の平滑な面となっている。凸部3の側面4の表面粗さRMSは、3nm以下とするのが
より好ましい。凸部3の側面4の平滑化は、例えば、ドライエッチングによる凸部3の形成後に、酸素を含む零囲気中でアニール処理を施せばよい。
また、本実施形態の凸部3は、主面2に三角格子状に配置されているが、三角格子状に限らず、例えば正方格子状などの格子状に配置してもよく、凸部がサファイア基板の主面上に均一に分散配置されるのがよい。
次に、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体成長用基板の製造方法を説明する。図2(a)〜(d)に、本実施形態に係る窒化物半導体成長用基板の製造方法の各工程の断面図を示す。本実施形態の窒化物半導体成長用基板は、サファイア基板のC面である主面に、円錐状の凸部を三角格子状に配置させて形成したものである。
、3’間のピッチpが1μm以上6μm以下である。ただし、円錐状の凸部3’の側面4’及び主面2’の表面は、ドライエッチングによって表面が粗くなり、表面粗さRMS値が10nmより大きく50nm以下程度となる。
(d))。このアニール処理により、10nmを超え50nm以下の表面粗さRMSであった凸部3’の側面4’及び主面2’は平滑化され、アニール後における凸部3の側面4及び主面2のRMSは10nm以下となる。これにより、本実施形態の窒化物半導体成長用基板であるサファイア基板1が得られる。アニール後の側面4及び主面2のRMS値は、アニール温度が高いほど、また、アニール処理時間が長いほど低減し、最良の場合にはRMS値は0.2nmとなった。表面粗さRMS値は、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)を用いて測定した値である。
なお、例えば、半球状のフォトレジスト6が半楕円体状のフォトレジストとなるように、露光条件やベーク条件を調整することにより、円錐状の凸部3の側面4の傾斜角θを調整・変更することができる。
本発明の一実施形態に係る窒化物半導体エピタキシャル基板は、上記のアニール処理されたサファイア基板1の上に、窒化物半導体からなるエピタキシャル層としてのGaN層をその表面が平坦化するまで成長して形成される。
まず、本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板と比較する比較例として、図2(c)に示すアニール前のサファイア基板、つまり、円錐状の凸部3’の側面4’及び主面2’の表面粗さRMSが10nmより大きく50nm以下のサファイア基板1’を用いて、GaN層を成長した。図3に、比較例の窒化物半導体エピタキシャル基板10を示す。
サファイア基板1’上へのGaN層11の成長は、HVPE(有機金属気相成長)により行った。成長条件としては、HVPE装置内の圧力を10kPa〜120kPa、成長温度を800℃〜1200℃とし、Ga原料ガスにGaClガス、窒素原料ガスにNH3、キャリアガスにH2とN2の混合ガスを用いた。
本実施形態に係る窒化物半導体エピタキシャル基板は、上記の図2(d)に示すアニール処理されたサファイア基板1、つまり、円錐状の凸部3の側面4及び主面2の表面粗さRMSが10nm以下のサファイア基板1を用いて、GaN層21を成長した。図4に、本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板20を示す。サファイア基板1上へのGaN層21の成長は、上記の比較例と同様に、HVPEにより同一の成長条件で行った。
、原料ガスが付着しにくく、GaN核が発生しにくい。すなわち、GaN核は主面2に発生し、傾斜した側面4にはほとんど発生せず、成長初期にはC面である主面2上にGaNが成長し、成長初期のGaN成長面f1は、図4中に破線で示すようになる。主面2上に成長する成長面f1のGaN層は、凸部3を埋めるように拡大成長し(成長面f2,f3)、更に、凸部3上方にピットを有する連続した成長面f4のGaN層となり、成長面のピットを縮小しながら成長して、最終的に平坦な表面を有するGaN層21が形成される。
本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板20では、C面である主面2上のGaN成長よりも、傾斜した側面4上のGaN成長が遅れる。したがって、GaNの成長面f1,f2,…におけるC面とは平行でない傾斜した斜面が存在する期間が長くなり、成長面の傾斜した斜面で転位が折り曲げられて、転位同士の会合・消滅が促進される。このため、本実施形態では、GaN層21の転位密度を低く抑えることができ、結晶性が良好なGaN層21を有する窒化物半導体エピタキシャル基板20が得られる。
てくると、従来の凹凸加工を施していない平坦なサファイア基板を用いてGaN成長する場合に近づき、GaNの成長面の傾斜した斜面が存在することによる転位低減効果が得られなくなる。また、凸部3の高さhが3μmよりも高くなってくると、サファイア基板上に成長させるGaN層などの窒化物半導体層の表面を平坦化するのが困難となる。
窒化物半導体エピタキシャル基板のGaN層表面の転位密度を、凹凸加工を施していない平坦なサファイア基板(主面のRMSは1nm以下)を用いた従来の場合、円錐状の凸部3’の側面4’の表面粗さRMSが10nmを超え50nm以下の上記比較例の場合、および円錐状の凸部3の側面4の表面粗さRMSが10nm以下の上記実施形態の場合について、それぞれ測定した。なお、比較例および実施形態において、主面からの凸部の高さhは1μm、隣接する凸部間のピッチpは4μmとした。
従来の平坦なサファイア基板上のGaN層は、転位密度が3×108/cm2であり、比較例のサファイア基板上のGaN層は、転位密度が2×108/cm2より大きく、RMSが50nmの場合、転位密度が2.5×108/cm2であった。また、実施形態の
サファイア基板上のGaN層は、凸部の側面の表面粗さRMSが10nmの場合には、転位密度が2×108/cm2であり、同じくRMSが3nmの場合には、転位密度が1.
2×108/cm2であり、同じくRMSが0.2nmの場合には、転位密度が0.5×108/cm2であった。
6.5μmの範囲および凸部3の高さhを0.2μm〜3.1μmの範囲で種々に変更した
場合において、凸部3の側面4の表面粗さRMSをそれぞれ10nm、3nm、0.2n
mとしたときに、サファイア基板上に形成されるGaN層表面の転位密度を測定した。なお、凸部3の側面4の傾斜角θは約45°とした。
転位密度(×108/cm2)の測定結果を表1〜表3に示す。側面4のRMS値が10nmの場合を表1に、側面4のRMS値が3nmの場合を表2に、側面4のRMS値が0.2nmの場合を表3にそれぞれ示す。なお、表1〜表3に示すように、サファイア基
板の主面に形成され隣接する凸部3が互いに一部でも重ならない範囲で凸部3を作製している。
m以上6μm以下を満足する実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板(表1〜表3において、グレーの塗りを施した範囲)では、転位密度が低く抑えられていることが分かる。また、側面4の表面粗さRMSの値が小さい程、すなわち側面4が平滑である程、転位密度が低減されることが分かる。更に、サファイア基板表面のC面である主面2の割合が小さくなる程、転位密度が低減されることが分かる。
本発明の一実施形態に係る窒化物半導体素子は、上記実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板20を用い、窒化物半導体エピタキシャル基板20に窒化物半導体層や電極などの素子構造を形成して作製される窒化物半導体素子である。この窒化物半導体素子は、上記実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板20の窒化物半導体層21の表面が低転位であるため、特性の優れた窒化物半導体素子を作製できる。
窒化物半導体エピタキシャル基板20をMOVPE装置に設置し、エピタキシャル基板20上に青色LED構造の積層半導体を成長する。青色LED構造の積層半導体は、GaN層21上に順次積層して成長した、n型GaNクラッド層41と、InGaN/GaN多重量子井戸構造の活性層42と、p型AlGaNクラッド層43と、p型GaNコンタクト層44とからなる。
上記の積層半導体を成長した後に、LED用基板をMOVPE装置より取出し、得られたLED用基板の積層半導体層をRIE(Reactive Ion Etching)により部分的にエッチング除去し、n型GaNクラッド層41の一部を露出する。露出したn型GaNクラッド層41上にn側電極45を形成すると共に、p型GaNコンタクト層44上にp側電極46を形成し、その後、チップ化等を行うことにより、図5に示す構造の青色LEDが作製される。窒化物半導体エピタキシャル基板20の結晶性のよいGaN層21上に、n型GaNクラッド層41、活性層42、p型AlGaNクラッド層43などを積層して作製したLEDは、光出力が大きく、信頼性を向上できた。
次に、本発明の他の実施形態に係る窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに当該窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板について説明する。図6に、本実施形態に係る窒化物半導体エピタキシャル基板の断面図を示す。
以上6μm以下である。また、凸部13の側面14は主面2に対して90°未満の所定の傾斜角で傾斜しており、側面14の傾斜角は、30°以上70°以下が好ましい。また、凸部13の側面4の表面粗さは、RMS値が10nm以下の平滑な面となっている。
まず、サファイア基板1のC面である主面の全面に、フォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィによってパターン露光、現像を行い、主面上にフォトレジストパターンを形成する。次に、フォトレジストパターンが形成されたサファイア基板の主面をプラズマエッチング装置を用いてドライエッチングする。このドライエッチングの実施時間を上述した実施形態の場合よりも短く設定することで、フォトレジストの下に、円錐台状の凸部が形成される。次に、フォトレジストを除去した後、ドライエッチングにより多数の凸部が形成されたサファイア基板を電気炉を用いてアニールする。アニール処理は、電気炉内を酸素を含む零囲気とし、800℃以上1200℃以下のアニール温度で、1時間以上、実施する。このアニール処理により、10nmを超えた表面粗さRMSであった円錐台状の凸部の側面及び主面は平滑化され、アニール後における凸部13の側面14及び主面2のRMSは10nm以下となる(なお、凸部13の上面15は、フォトレジストに覆われているので、ドライエッチングを受けず、平滑面のままである)。これにより、図6に
示す本実施形態の円錐台状で平滑面からなる凸部13が形成されたサファイア基板1が得られる。
なお、例えば、フォトレジストを円錐台状とし、その側面の傾斜角を変更したり、あるいはドライエッチング条件を調整したりすることにより、円錐台状の凸部13の側面14の傾斜角を調整・変更することができる。
本実施形態の窒化物半導体エピタキシャル基板30では、C面である主面2及び上面15上のGaN成長よりも、傾斜した側面14上のGaN成長が遅れる。したがって、GaN成長面におけるC面とは平行でない傾斜した斜面が存在する期間が長くなり、成長面の傾斜した斜面で転位が折り曲げられ、転位同士の会合・消滅が多く起こる。このため、本実施形態においても、GaN層31の転位密度を低く抑えることができ、低転位密度のGaN層31を有する窒化物半導体エピタキシャル基板30が得られる。
また、上記実施形態と同様の凸部3、凸部13を主面2に正方格子状に配置したサファイア基板を作製し、この正方格子状に凸部を配置したサファイア基板を用いて、窒化物半導体エピタキシャル基板および窒化物半導体素子を作製したが、上記実施形態と同様な優れた結果が得られた。
また、サファイア基板の主面をドライエッチングして凸部を形成する際のマスクは、フォトレジストに限定されるものではなく、また、主面上の凸部の側面の平坦化は、アニール処理に限らず、側面の表面粗さRMSを10nm以下に平坦化できる方法であるならば、どのような方法を用いてもよい。
1’サファイア基板(アニール前)
2 主面(アニール後)
2’主面(アニール前)
3 凸部(アニール後)
3’凸部(アニール前)
4 側面(アニール後)
4’側面(アニール前)
5 フォトレジスト(ベーク前)
6 フォトレジスト(ベーク後)
13 凸部
14 側面
15 上面
20 窒化物半導体エピタキシャル基板
21 GaN層
30 窒化物半導体エピタキシャル基板
31 GaN層
h 凸部の高さ
p 凸部間のピット(距離)
Claims (4)
- サファイア基板のC面である主面に、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが0.5μm以上3μm以下で、隣接する前記凸部間の距離が1μm以上6μm
以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下であることを特徴とする窒化物半導体成長用基板。 - サファイア基板のC面である主面に、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、前記主面からの高さが0.5μm以上3μm以下で、前記主面に対して90°未満で傾
斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部を、隣接する前記凸部間の距離を1μm以上6μm以下として前記主面に格子状に配置して形成した後、
前記サファイア基板を酸素を含む零囲気中でアニール処理を施して、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSを10nm以下に平坦化することを特徴とする窒化物半導体成長用基板の製造方法。 - 請求項1に記載の窒化物半導体成長用基板の上に、窒化物半導体からなるエピタキシャル層をその表面が平坦化するまで成長して形成されたことを特徴とする窒化物半導体エピタキシャル基板。
- 請求項3に記載の窒化物半導体エピタキシャル基板上に、素子構造を形成したことを特徴とする窒化物半導体素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011228307A JP5724819B2 (ja) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | 窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、窒化物半導体エピタキシャル基板、並びに窒化物半導体素子 |
US13/615,421 US20130092950A1 (en) | 2011-10-17 | 2012-09-13 | Nitride semiconductor growth substrate and manufacturing method of the same, nitride semiconductor epitaxial substrate and nitride semiconductor element |
CN201210390922.9A CN103050597B (zh) | 2011-10-17 | 2012-10-15 | 氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011228307A JP5724819B2 (ja) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | 窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、窒化物半導体エピタキシャル基板、並びに窒化物半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013087012A true JP2013087012A (ja) | 2013-05-13 |
JP5724819B2 JP5724819B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=48063170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011228307A Active JP5724819B2 (ja) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | 窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、窒化物半導体エピタキシャル基板、並びに窒化物半導体素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130092950A1 (ja) |
JP (1) | JP5724819B2 (ja) |
CN (1) | CN103050597B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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CN103050597B (zh) | 2017-03-01 |
JP5724819B2 (ja) | 2015-05-27 |
CN103050597A (zh) | 2013-04-17 |
US20130092950A1 (en) | 2013-04-18 |
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TWI297959B (ja) | ||
US20140357063A1 (en) | Manufacturing methods of semiconductor substrates |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R371 | Transfer withdrawn |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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