JP2013055133A - 積層型半導体装置の製造方法と製造装置 - Google Patents

積層型半導体装置の製造方法と製造装置 Download PDF

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【課題】半導体チップ間の接着信頼性を保ちつつ、吸着コレットの離脱不良等の発生を抑制した積層型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の製造方法においては、半導体ウエハ１の回路面に形成された感光性表面保護膜兼接着剤層２Ａ、２Ｂ、２Ｃを露光および現像して開口部を形成した後、半導体ウエハ１を切断して感光性表面保護膜兼接着剤層を有する半導体チップを作製する。第２の半導体チップ７Ｂを吸着コレット９で保持してピックアップした後、第２の半導体チップ７Ｂを第１の感光性表面保護膜兼接着剤層２Ａにより第１の半導体チップ７Ａと接着する。吸着コレット９は第２の半導体チップ７Ａに対する密着力が半導体チップ７Ａ、７Ｂ間の密着力より低い吸着面９ａを有している。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、積層型半導体装置の製造方法と製造装置に関する。
近年、半導体装置の小型化や高密度実装化を実現するために、１つのパッケージ内に複数の半導体チップを積層して封止したスタック型マルチチップパッケージが実用化されている。スタック型マルチチップパッケージのような積層型半導体装置は、配線基板やリードフレーム等の回路基材上に複数の半導体チップを順に積層することにより構成される。半導体チップの積層は、半導体チップの回路面（表面）とは反対側の非回路面（裏面）に形成された接着剤層を用いて行うことが一般的である。
この場合、半導体チップの回路面に形成された表面保護膜と非回路面に形成された接着剤層とが必要となるため、複数の半導体チップを積層した際の積層厚が厚くなることが避けられない。このような点に対して、半導体チップの回路面を保護する表面保護膜と接着剤とを兼ねる表面保護膜兼接着剤層を半導体チップの回路面に形成し、この表面保護膜兼接着剤層を用いて半導体チップを積層することが提案されている。表面保護膜兼接着剤層によれば、表面保護膜と接着剤層とが１層で構成され、その形成工程も１工程で済むため、積層型半導体装置の積層厚や製造コストを低減することができる。
表面保護膜兼接着剤層を用いる場合には、例えば半導体ウエハの表面に表面保護膜兼接着剤層を形成した後、半導体ウエハをチップ形状に応じて切断することによって、表面保護膜兼接着剤層を有する半導体チップが作製される。このような半導体チップを積層するにあたって、半導体チップを順にピックアップして積層する通常の積層工程を適用するためには、半導体チップ間の接着信頼性を保ちつつ、半導体チップをピックアップする吸着コレットの半導体チップからの離脱不良等を抑制することが求められる。
特開２００２−２４６５３９号公報 特開２００６−１１４７５７号公報 特開２０１０−０５０４８０号公報
本発明が解決しようとする課題は、半導体チップの積層に表面保護膜兼接着剤層を適用するにあたって、半導体チップ間の接着信頼性を保ちつつ、吸着コレットの半導体チップからの離脱不良等による不良発生を抑制することを可能にした積層型半導体装置の製造方法と製造装置を提供することにある。
実施形態による積層型半導体装置の製造方法は、複数のチップ領域とそれらを区画するダイシング領域とを備え、複数のチップ領域の回路面にそれぞれ電極パッドが形成されている半導体ウエハの回路面に、感光性表面保護膜兼接着剤層を形成する工程と、感光性表面保護膜兼接着剤層を露光および現像し、感光性表面保護膜兼接着剤層に電極パッドおよびダイシング領域を露出させる開口部を形成する工程と、半導体ウエハの非回路面に支持シートに貼付すると共に、半導体ウエハをダイシング領域に沿って切断し、複数のチップ領域を個片化して前記感光性表面保護膜兼接着剤層を有する半導体チップを作製する工程と、第１の半導体チップを吸着コレットで保持して支持シートからピックアップした後、第１の半導体チップを回路基材上に接着する工程と、第２の半導体チップを吸着コレットで保持して支持シートからピックアップした後、第１の半導体チップの回路面に形成された第１の感光性表面保護膜兼接着剤層を介して、加熱された第１の半導体チップ上に第２の半導体チップを配置し、第１の半導体チップと第２の半導体チップとを接着する工程と、回路基材と第１および第２の半導体チップの電極パッドとを電気的に接続する工程を具備する。このような積層型半導体装置の製造方法において、吸着コレットは第２の半導体チップに対する密着力が第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間の密着力より低い吸着面を有している。
第１の実施形態の積層型半導体装置の製造方法における感光性表面保護膜兼接着剤層の形成工程から半導体ウエハの切断工程までを示す断面図である。 第１の実施形態の積層型半導体装置の製造方法における第１の半導体チップのピックアップ工程から第２の半導体チップの接着工程までを示す断面図である。 図１に示す積層型半導体装置の製造方法で使用する半導体ウエハのチップ領域およびダイシング領域を拡大して示す断面図である。 第１の実施形態による積層型半導体装置の製造方法を適用して作製した半導体パッケージを示す断面図である。 表面保護膜兼接着剤層の接着時粘度と半導体チップ間の接着成功率との関係の一例を示す図である。 吸着コレットのゴム製吸着面の表面粗さＲａと吸着コレットの離脱成功率および吸着成功率との関係の一例を示す図である。 吸着コレットのゴム製吸着面の表面粗さＲａと吸着コレットの離脱成功率との関係の他の例を示す図である。 吸着コレットの上昇時における処理と吸着コレットの離脱成功率との関係を示す図である。 第２の実施形態による積層型半導体装置の製造方法を適用して作製した半導体パッケージを示す断面図である。 第２の実施形態の積層型半導体装置の製造方法における半導体チップの接着工程を示す断面図である。
以下、実施形態の積層型半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態の積層型半導体装置の製造方法における感光性表面保護膜兼接着剤層の形成工程から半導体ウエハの切断工程までを示す図、図２は第１の実施形態の積層型半導体装置の製造方法における第１の半導体チップのピックアップ工程から第２の半導体チップの接着工程までを示す図である。図３は図１に示す積層型半導体装置の製造方法で使用する半導体ウエハのチップ領域およびダイシング領域を拡大して示す図、図４は第１の実施形態の製造方法を適用して作製した半導体パッケージを示す図である。
まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウエハ１の回路面（表面）１ａに感光性を有する表面保護膜兼接着剤層２を形成する。表面保護膜兼接着剤層２は半導体ウエハ１の回路面１ａ全面に対して一様に形成される。半導体ウエハ１は複数のチップ領域Ｘを有しており、各チップ領域Ｘの回路面１ａには半導体回路や配線層等を有する半導体素子部（図示せず）が形成されている。複数のチップ領域Ｘ間には、それぞれダイシング領域Ｄが設けられている。後述するように、半導体ウエハ１はダイシング領域Ｄに沿って切断される。半導体ウエハ１を切断してチップ領域Ｘを個片化することによって、複数のチップ領域Ｘに相当する複数の半導体チップが作製される。
表面保護膜兼接着剤層２は、チップ領域Ｘの回路面（表面）１ａを保護すると共に、チップ領域Ｘに基づく半導体チップを他の半導体チップと積層する際に接着剤として機能するものである。表面保護膜兼接着剤層２は感光性を有しているため、露光・現像工程でパターニングすることが可能とされている。このような感光性を有する表面保護膜兼接着剤層２には、露光・現像工程を可能にする感光性を有し、かつ半導体チップ間の接着を可能にする接着性等を有するフェノール樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が適用される。表面保護膜兼接着剤層２は、感光性を有する熱可塑性樹脂で形成してもよい。
表面保護膜兼接着剤層２は、例えば感光性や接着性等を有する樹脂組成物（感光性接着剤樹脂組成物）を半導体ウエハ１の回路面１ａにインクジェットやスピンコート等により塗布した後、この樹脂組成物の塗布膜を乾燥させることにより形成される。表面保護膜兼接着剤層２の形成材料としては、例えば２０〜４０質量％のフェノール樹脂と１０質量％以下の感光剤と１０質量％以下の界面活性剤と３０〜８０質量％の溶剤とを含有する樹脂組成物や、３０〜８０質量％のフェノール樹脂と１０質量％以下の感光剤と２０〜４０質量％の架橋剤と１０質量％以下の界面活性剤とを含有する樹脂組成物等が挙げられる。
表面保護膜兼接着剤層２を形成するにあたって、感光性接着剤樹脂組成物の粘度（塗布時の粘度）は１Ｐａ・ｓ（２５℃）以下であることが好ましい。感光性接着剤樹脂組成物の塗布方法にもよるが、２５℃における粘度が１Ｐａ・ｓ以下の感光性接着剤樹脂組成物（液状組成物）を使用することで、表面保護膜兼接着剤層２の形成性が向上すると共に、ボイドの発生等を抑制することができる。液状樹脂組成物の粘度はＢ型粘度計（ＪＩＳ Ｋ７１１７−２）で測定した値を示すものとする。乾燥後の表面保護膜兼接着剤層２中に残存する揮発成分量は３０質量％以下とすることが好ましく、さらに１５質量％以下とすることがより好ましい。これによっても、表面保護膜兼接着剤層２中のボイドが抑制され、さらに露光マスクに接触した際の膜厚バラツキの発生等が抑制される。
次に、図１（ｂ）に示すように、表面保護膜兼接着剤層２を所望のパターンを有するフォトマスク（図示せず）を用いて露光した後、表面保護膜兼接着剤層２の種類等に応じた現像液で現像処理することによって、表面保護膜兼接着剤層２に開口部３を形成する。感光性を有する表面保護膜兼接着剤層２は、ネガ型およびポジ型のいずれであってもよい。ポジ型の表面保護膜兼接着剤層２を使用する場合には、現像した後に後露光を行って硬化させて表面保護膜兼接着剤層２として機能させる。また、表面保護膜兼接着剤層２として熱硬化性樹脂を適用した場合には、半導体ウエハ１の切断工程の前に熱処理（例えば１２０℃×１時間）して半硬化状態（Ｂステージ状態）としておくことが好ましい。
開口部３は、半導体ウエハ１のダイシング領域Ｄを露出させるように形成される。さらに、各チップ領域Ｘの回路面には、図３に示すように電極パッド４が設けられている。電極パッド４は他の半導体チップや配線基板、リードフレーム等の回路基材との接続部となる。このため、表面保護膜兼接着剤層２にはダイシング領域Ｄに加えて、電極パッド４を露出させる開口部３を形成する。図３において、電極パッド４はチップ領域Ｘに基づく半導体チップの１つの外形辺に沿って配置されている。
この実施形態の製造方法においては、感光性を有する表面保護膜兼接着剤層２を使用しているため、複数のチップ領域Ｘを有する半導体ウエハ１の表面全体に表面保護膜兼接着剤層２を形成した上で、露光・現像工程で開口部３を形成してダイシング領域Ｄおよび電極パッド４を露出させることができる。ダイシング領域Ｄを露出させることで、後工程の半導体ウエハ１の切断工程でダイシングブレードの目詰まりやそれに伴うチッピングの発生、さらに樹脂の飛散による不良発生等を抑制することができる。さらに、電極パッド４を露出させることで、回路基材との電気的な接続工程を安定に実施することができる。
次いで、図１（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１に回路面１ａ側から溝５を形成する。溝５は、開口部３により表面保護膜兼接着剤層２を除去したダイシング領域Ｄを、その幅に応じた刃厚を有するブレードで切削することにより形成される。溝５の深さは、半導体ウエハ１の厚さより浅く、かつ半導体チップの完成時の厚さより深く設定される。半導体ウエハ１にハーフカット状態の溝５を形成する。溝５はエッチング等で形成してもよい。このような深さの溝（ダイシング溝）５を半導体ウエハ１に形成することで、複数のチップ領域Ｘはそれぞれ半導体チップの完成厚さに応じた状態で区分される。
図１（ｄ）に示すように、ハーフカット状態のダイシング溝５を形成した半導体ウエハ１の回路面（表面）１ａに、表面保護膜兼接着剤層２を介して保護テープ６を貼付する。保護テープ６は、後工程で半導体ウエハ１の非回路面（裏面）１ｂを研削する際に、半導体ウエハ１の回路面１ａを保護すると共に、非回路面１ｂの研削工程でチップ領域Ｘを個片化した後の半導体ウエハ１の形状（ウエハ形状）を維持するものである。保護テープ６としては、各種の樹脂テープ等が用いられる。
次に、図１（ｅ）に示すように、保護テープ６に保持された半導体ウエハ１の非回路面（裏面）１ｂを研削および研磨する。半導体ウエハ１の非回路面１ｂは、例えばラッピング定盤を用いて機械的に研削され、続いて研磨定盤を用いて研磨（例えばドライポリッシング）される。半導体ウエハ１の非回路面１ｂの研削・研磨工程は、回路面１ａ側から形成されたダイシング溝５に達するように実施される。このように、半導体ウエハ１の非回路面１ｂを研削することによって、各チップ領域Ｘは分割されて個片化される。
図１（ｅ）に示すように、複数のチップ領域Ｘはそれぞれ個片化され、これにより複数の半導体チップ７が作製される。ただし、半導体ウエハ１の全体形状は保護テープ６で保持されているため、ウエハ形状が維持されている。個片化された半導体チップ７の表面には、それぞれ表面保護膜兼接着剤層２が設けられている。表面保護膜兼接着剤層２は、半導体チップ７に設けられた電極パッド４を露出させるように形成されている。この後、図１（ｆ）に示すように、個片化された半導体チップ７を有する半導体ウエハ１の非回路面１ｂに、ピックアップ用の支持シート８を貼付した後、保護テープ６を剥離する。
図１（ｆ）に示すように、複数の半導体チップ７は半導体ウエハ１の非回路面１ｂに貼付された支持シート８によりウエハ形状が維持されている。複数の半導体チップ７を有し、かつ全体としては支持シート８によりウエハ形状が維持されている半導体ウエハ１は、次工程のピックアップ工程に送られる。支持シート８としては、例えば紫外線硬化型粘着テープが用いられる。紫外線硬化型粘着テープは、例えばポリエチレンやポリプロピレンのようなポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等からなる基材シートに紫外線硬化型樹脂からなる粘着層を形成したテープである。
図１（ｃ）〜（ｆ）は、半導体ウエハ１の切断工程として、いわゆる先ダイシング工程を示している。半導体ウエハ１の切断工程は先ダイシング工程に限られるものではなく、通常のダイシング工程を適用してもよい。すなわち、開口部３が形成された表面保護膜兼接着剤層２を有する半導体ウエハ１（図１（ｂ））の非回路面２ｂに、ダイシングテープを兼ねる支持シートを貼付する。次いで、半導体ウエハ１の回路面１ａ側からダイシング領域Ｄに沿って、半導体ウエハ１をブレード等で切断する。このような切断工程によって、半導体ウエハ１を切断して複数の半導体チップ７を作製してもよい。
次に、図２（ａ）に示すように、上述した表面保護膜兼接着剤層２の形成工程から切断工程までを経た半導体ウエハ１、すなわち支持シート８に貼り付けられた複数の半導体チップ７を有する半導体ウエハ１を用意し、支持シート８から複数の半導体チップ７を順にピックアップする。半導体チップ７のピックアップは、例えば支持シート８に紫外線を照射して粘着層を硬化させて粘着力を低下させてから実施される。まず、第１の半導体チップ７Ａを吸着コレット９で保持して支持シート８からピックアップする。吸着コレット９は半導体チップ７を吸着して保持する吸着面９ａを有している。
支持シート８からピックアップされた第１の半導体チップ７Ａは、次工程の実装工程に送られる。第１の半導体チップ７Ａを回路基材に搭載するにあたって、図２（ｂ）に示すように、配線基板１０のような回路基材は加熱機構を有するステージ（加熱ステージ）１１上に載置されている。半導体チップ７を搭載する回路基材は配線基板１０に限らず、リードフレーム等であってもよい。支持シート８からピックアップされた第１の半導体チップ７Ａは、加熱ステージ１１上に載置された配線基板１０の所定の位置に配置される。配線基板１０のチップ搭載位置には、予め接着剤層１２が形成されている。接着剤層１２は、接着剤の塗布や接着剤フィルムの貼り付け等により形成される。
第１の半導体チップ７Ａを配線基板１０に接着するにあって、配線基板１０は予め加熱ステージ１１により所定の温度に加熱されている。加熱温度は接着剤層１２の接着温度に応じて設定される。接着剤層１２を熱硬化性樹脂で構成した場合、例えばＢステージの熱硬化性樹脂が加熱流動する温度まで加熱する。そして、配線基板１０上の接着剤層１２を所定の温度に加熱しつつ、吸着コレット９で第１の半導体チップ７Ａを接着剤層１２に押圧することによって、第１の半導体チップ７Ａを配線基板１０に接着する。
次に、図２（ｃ）に示すように、第１の半導体チップ７Ａ上に第２の半導体チップ７Ｂを接着する。まず、図２（ａ）に示した工程と同様にして、第２の半導体チップ７Ｂを吸着コレット９で保持して支持シート８からピックアップする。支持シート８からピックアップされた第２の半導体チップ７Ｂは、第１の半導体チップ７Ａの所定の位置に配置される。第１の半導体チップ７Ａと第２の半導体チップ７Ｂとの接着には、第１の半導体チップ７Ａの回路面に形成された第１の表面保護膜兼接着剤層２Ａにより実施される。
第２の半導体チップ７Ｂを第１の半導体チップ７Ａ上に接着するにあって、第１の半導体チップ７Ａは配線基板１０を介して加熱ステージ１１により所定の温度まで加熱されている。加熱温度は、表面保護膜兼接着剤層２の接着温度に応じて設定される。表面保護膜兼接着剤層２を熱硬化性樹脂で構成した場合、例えばＢステージの熱硬化性樹脂が加熱流動する温度まで加熱する。そして、配線基板１０上に搭載された第１の半導体チップ７Ａおよび第１の表面保護膜兼接着剤層２Ａを所定の温度に加熱しつつ、吸着コレット９で第２の半導体チップ７Ｂを第１の表面保護膜兼接着剤層２Ａに押圧することによって、第２の半導体チップ７Ｂを第１の半導体チップ７Ａに接着する。
第１の半導体チップ７Ａと第２の半導体チップ７Ｂとを接着するにあたって、第１の表面保護膜兼接着剤層２Ａを加熱しつつ加圧することによって、半導体チップ７Ａ、７Ｂ間の接着性が向上する。すなわち、第２の半導体チップ７Ｂに対する第１の表面保護膜兼接着剤層２Ａの濡れ性が向上し、半導体チップ７Ａ、７Ｂ間の接着信頼性を高めることができる。表面保護膜兼接着剤層２Ａの接着時粘度（加熱時粘度）は１０〜１００００Ｐａ・ｓの範囲であることが好ましく、さらに１０〜３０００Ｐａ・ｓの範囲であることがより好ましい。このような接着時粘度を有する表面保護膜兼接着剤層２Ａに半導体チップ７Ｂを押し付けることで、半導体チップ７Ａ、７Ｂ間の接着信頼性を高めることができる。
図５に表面保護膜兼接着剤層２Ａの接着時粘度と半導体チップ７Ａ、７Ｂ間の接着成功率（％）との関係を示す。図５から明らかなように、表面保護膜兼接着剤層２Ａを加熱して接着時粘度を１００００Ｐａ・ｓ以下とすることによって、表面保護膜兼接着剤層２Ａの半導体チップ７Ｂに対する濡れ性が向上し、半導体チップ７Ａ、７Ｂ間の接着信頼性を高めることができる。表面保護膜兼接着剤層２Ａの接着時粘度は接着信頼性等の観点から３０００Ｐａ・ｓ以下とすることがより好ましい。表面保護膜兼接着剤層２Ａの接着時粘度が低すぎると、溶剤等の揮発成分が発泡してボイドとなり、半導体チップ７Ｂの位置ずれ等が生じるおそれがあるため、表面保護膜兼接着剤層２Ａの接着時粘度は１０Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。表面保護膜兼接着剤層２Ａの接着時粘度は、ＪＩＳ Ｋ７２４４−１０に定められた粘度測定法に基づいて測定するものとする。この場合、動的粘弾性測定装置（平行平板振動レオメータ）を用いて粘度を測定できる。
ところで、第２の半導体チップ７Ｂの表面には第２の表面保護膜兼接着剤層２Ｂが形成されており、吸着コレット９の吸着面９ａは第２の表面保護膜兼接着剤層２Ｂと接しているため、第２の表面保護膜兼接着剤層２Ｂの状態や吸着コレット９によっては、吸着コレット９の第２の半導体チップ７Ｂからの離脱性が低下するおそれがある。吸着コレット９の離脱不良は、表面保護膜兼接着剤層２を用いた場合の特有の不良モードである。すなわち、通常の表面保護膜（回路面）と接着剤層（非回路面）とを用いた場合には、接着時に加熱しても吸着コレットが表面保護膜に接着するおそれはない。
そこで、この実施形態では吸着コレット９の吸着面９ａの第２の半導体チップ７Ｂに対する密着力を、第１の半導体チップ７Ａと第２の半導体チップ７Ｂとの間の密着力より低くしている。このような第２の半導体チップ７Ｂに対する密着力を有する吸着面９ａを備える吸着コレット９を使用することによって、第１の半導体チップ７Ａと第２の半導体チップ７Ｂとを接着した後に、吸着コレット９が第２の半導体チップ７Ｂに接着して離脱できないという吸着コレット９の離脱不良の発生を防止することができる。
吸着コレット９の吸着面９ａは、一般的にゴムにより形成される。ゴム製吸着面９ａの半導体チップ７Ｂに対する密着力を半導体チップ７Ａ、７Ｂ間の密着力より低くする上で、吸着面９ａはシリコーンゴムで形成することが好ましい。シリコーンゴムは離型性等に優れるため、吸着コレット９の離脱不良の発生が抑制される。さらに、ゴム製吸着面９ａの表面粗さを算術平均粗さＲａで０．１〜１００μｍの範囲とすることが好ましい。このような表面粗さを有する吸着面９ａを適用することで、半導体チップ７の吸着性を維持しつつ、吸着コレット９の離脱不良の発生を抑制することができる。ゴム製吸着面９ａの算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６５１−１９７６に基づいて測定するものとする。
ゴム製吸着面９ａの表面粗さＲａが０．１μｍ未満であると、半導体チップ７に対する密着力が高くなりすぎて、吸着コレット９の離脱不良が発生するおそれがある。一方、ゴム製吸着面９ａの表面粗さＲａが１００μｍを超えると、半導体チップ７の吸着性が低下するおそれがある。図６にシリコーンゴム製吸着面９ａの表面粗さＲａと吸着コレット９の離脱成功率および半導体チップ７の吸着成功率との関係を示す。図６から明らかなように、表面粗さＲａが０．１〜１００μｍの範囲とゴム製吸着面９ａを有する吸着コレット９を使用することによって、半導体チップ７の吸着性を維持しつつ、吸着コレット９の離脱不良の発生を抑制することができる。吸着コレット９のゴム製吸着面９ａの表面粗さＲａは１〜２μｍの範囲であることがより好ましい。
吸着コレット９は、少なくとも吸着面９ａがシリコーンゴムからなり、かつ吸着面９ａの表面粗さＲａが０．１〜１００μｍの範囲であることがより好ましい。また、吸着面９ａの形状は、凸状の湾曲形状であることが好ましい。このような吸着面９ａは半導体チップ７Ｂに対する密着力が低く、半導体チップ７Ｂの離脱性に優れることから、吸着コレット９の離脱不良の発生をより安定的に抑制することが可能となる。なお、吸着面９ａを形成する他のゴム材料としては、フッ素系ゴム（ポリテトロフルオロエチレン等）、アクリルゴム、ウレタンゴム等が挙げられる。これらゴム材料からなる吸着面９ａの表面粗さＲａを０．１〜１００μｍの範囲とすることで、吸着コレット９の離脱性を高めることができる。図７にフッ素系ゴム製吸着面９ａの表面粗さＲａと吸着コレット９の離脱成功率との関係を示す。この場合、フッ素系ゴム製吸着面９ａの表面粗さＲａは１〜２μｍの範囲とすることがより好ましい。
さらに、吸着コレット９のゴム製吸着面９ａは、ＪＩＳ Ｋ−６２５３の加硫ゴムおよび熱可塑性ゴム−硬さ試験方法に基づいて測定したゴム硬さが３０〜１００の範囲の硬度を有することが好ましい。このような硬度を有するゴム製吸着面９ａを適用することで、吸着コレット９の離脱性をより一層高めることができる。すなわち、ゴム製吸着面９ａのゴム硬さを３０以上とすることで、吸着コレット９の離脱性を向上させることができる。ただし、ゴム製吸着面９ａのゴム硬さが高すぎると、半導体チップ７の平行吸着性が低下するため、ゴム製吸着面９ａのゴム硬さは１００以下とすることが好ましい。ゴム製吸着面９ａのゴム硬さは５０〜８０の範囲とすることがより好ましい。
吸着コレット９の吸着面９ａには、シリコーン樹脂コーティングのような表面エネルギーを低下させる表面処理を施すことも有効である。表面処理としては、シリコーン樹脂コーティング以外にフッ素系樹脂コーティング、トシカルコーティング等を適用することができる。吸着コレット９の吸着面９ａは、純水に対する接触角が９０〜１７０度の範囲であることが好ましい。このような接触角を有する吸着面９ａを適用することによって、吸着コレット９の離脱性を再現性よく高めることができる。吸着面９ａの純水に対する接触角は１１０〜１５０度の範囲であることがより好ましい。
さらに、第１の半導体チップ７Ａと第２の半導体チップ７Ｂとを接着した後、吸着コレット９を上昇させる際に、吸着コレット９を例えば０．１〜５０μｍ程度の幅でスクラブさせる処理を実施したり、また吸着コレット９に高圧エアのような冷却用気体を吹き付けて急冷する処理等を実施することも有効である。これらの処理を実施することによって、吸着コレット９の離脱性をさらに高めることができる。吸着コレット９のスクラブ処理や急冷処理は、いずれか一方を実施してもよいし、両者を同時に実施してもよい。
図８に吸着コレット９の上昇時にスクラブ処理を実施した際の吸着コレット９の離脱成功率、急冷処理を実施した際の吸着コレット９の離脱成功率、これらの処理を実施しなかった場合の吸着コレット９の離脱成功率を示す。なお、吸着コレット９の吸着面９ａは、いずれもシリコーンゴム製とし、その表面粗さＲａは０．２μｍとした。図８から明らかなように、吸着コレット９の上昇時にスクラブ処理や急冷処理を実施することによって、吸着コレット９の離脱成功率がより一層向上することが分かる。
半導体チップ７の接着工程は、半導体チップ７の積層数に応じて繰り返し実施される。すなわち、図２（ａ）に示す半導体チップのピックアップ工程と、図２（ｃ）に示す半導体チップ７の接着工程とを繰り返し実施し、配線基板１０上に必要数の半導体チップ７を積層する。図４は配線基板１０上に第１ないし第５の半導体チップ７Ａ〜７Ｅを積層した状態を示している。第１ないし第５の半導体チップ７Ａ〜７Ｅは、それぞれの電極パッド４が露出するように、配線基板１０上に階段状積層されている。第１ないし第５の半導体チップ７Ａ〜７Ｅの電極パッド４は、それぞれ配線基板１０の接続パッド（接続部）１３と金属ワイヤ１４を介して電気的に接続されている。電極パッド４と接続パッド１３との接続は、金属ワイヤ１４に代えて導電性樹脂等による印刷配線層により実施してもよい。
半導体チップ７Ａ〜７Ｅに対してワイヤボンディングを実施するにあたって、予め各チップ７Ａ〜７Ｅ上の表面保護膜兼接着剤層２にキュア処理を施して硬化させておくことが好ましい。これによって、ワイヤボンディング性を高めることができる。表面保護膜兼接着剤層２のキュア処理は、必要数の半導体チップ７Ａ〜７Ｅを積層した後に実施することが好ましい。半導体チップ７Ａ〜７Ｅに対するワイヤボンディングは、表面保護膜兼接着剤層２をキュア処理した半導体チップ７Ａ〜７Ｅに一括して実施することが好ましい。
キュア処理後の表面保護膜兼接着剤層２は、１７５℃における貯蔵弾性率が４０ＭＰａ以上であることが好ましい。表面保護膜兼接着剤層２はワイヤボンディング時に加圧および加熱されて軟化する。この際に、１７５℃における貯蔵弾性率が４０ＭＰａ未満であると、半導体チップ７が撓んで接合不良やチップ割れ等が生じるおそれがある。すなわち、１７５℃における貯蔵弾性率が４０ＭＰａ以上である表面保護膜兼接着剤層２を適用することによって、ワイヤボンディングによる接続信頼性等を高めることが可能となる。表面保護膜兼接着剤層２の１７５℃における貯蔵弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７２４４−４の「プラスチック・動的機械特性の試験方法」に準拠して測定するものとする。
さらに、キュア処理後の表面保護膜兼接着剤層２は、２６０℃における貯蔵弾性率が２ＭＰａ以上であることが好ましく、２６０℃における半導体チップ７とのダイシェア強度が０．６ＭＰａ以上であることが好ましく、温度８５℃、相対湿度８５％の環境下に２４時間放置した際の吸水率が０．８％以下であることが好ましい。これらによって、半田リフロー工程における表面保護膜兼接着剤層２の信頼性等を高めることができる。すなわち、耐リフロー性を評価するリフロー性試験（２６０℃の水蒸気圧下で実施）の際に、接着剤とチップとの界面剥離や接着剤の凝集破壊等を抑制する上で、上記した３つの条件を満足させることが好ましい。上記した３つの条件はＪＩＳ Ｋ７２４４−４の「プラスチック・動的機械特性の試験方法」に準拠して測定するものとする。
そして、半導体チップ７Ａ〜７Ｅの電極パッド４と配線基板１０の接続パッド１３とを電気的に接続した後、半導体チップ７Ａ〜７Ｅを金属ワイヤ１４等と共に封止樹脂層１５で封止することによって、半導体パッケージ１６が作製される。配線基板１０の下面側には、図示を省略した半田バンプ等による外部電極が設けられる。半導体パッケージ１６には各種公知の構成を適用することができる。例えば、半導体チップ７を実装する回路基材は、配線基板１０に代えてリードフレーム等であってもよい。
第１の実施形態の製造方法によれば、表面保護膜兼接着剤層２を用いた場合においても、半導体ウエハ２から半導体チップ７を順にピックアップして積層する通常の積層工程を適用して、信頼性に優れる積層型半導体装置を歩留りよく作製することができる。すなわち、半導体チップ７間の接着信頼性を保ちつつ、吸着コレット９の半導体チップ７からの離脱不良等による不良発生を抑制することができる。さらに、表面保護膜兼接着剤層２を用いることで、積層型半導体装置の厚さを低減することができる。なお、第１の実施形態では第１ないし第５の半導体チップ７Ａ〜７Ｅを配線基板１０上に順に積層したが、半導体チップ７の積層数はこれに限定されるものではなく、回路基材上に搭載した半導体チップ７Ａ上に少なくとも１つの半導体チップ７を積層する構成であればよい。
（第２の実施形態）
図９は第２の実施形態の積層型半導体装置の製造方法を適用して作製した半導体パッケージを示す断面図である。図９に示す半導体パッケージ２０は、第１の実施形態と同様にして作製並びにピックアップすると共に、配線基板１０上に順に積層された第１ないし第４の半導体チップ７Ａ〜７Ｄを有している。ただし、第１および第２の半導体チップ７Ａ、７Ｂと第３および第４の半導体チップ７Ｃ、７Ｄの階段方向は逆向きとされている。第１および第２の半導体チップ７Ａ、７Ｂは、配線基板１０上に階段状に順に積層されている。第３および第４の半導体チップ７Ｃ、７Ｄは第２の半導体チップ７Ｂ上に、第１および第２の半導体チップ７Ａ、７Ｂの階段方向とは逆方向に順に積層されている。
第１ないし第４の半導体チップ７Ａ〜７Ｄは、いずれも第１の実施形態の半導体チップ７と同様な構成を有している。すなわち、第１ないし第４の半導体チップ７Ａ〜７Ｄの回路面には、それぞれ第１ないし第４の表面保護膜兼接着剤層２Ａ〜２Ｄを有している。表面保護膜兼接着剤層２Ａ〜２Ｄの具体的な構成等は、第１の実施形態と同様である。さらに、第１ないし第４の表面保護膜兼接着剤層２Ａ〜２Ｄには、ウエハ段階の露光・現像工程（図１（ａ）〜（ｂ））で、電極パッドを露出させる開口部が設けられている。
図９に示す半導体パッケージ２０の製造工程について、図１０を参照して説明する。まず、図１０（ａ）に示すように、図２（ａ）〜（ｃ）と同様な工程を実施して、配線基板１０上に第１および第２の半導体チップ７Ａ、７Ｂを階段状に順に積層する。次いで、第１および第２の半導体チップ７Ａ、７Ｂの電極パッド４にワイヤボンディングを実施して、電極パッド４と配線基板１０の接続パッド１３とを金属ワイヤ１４を介して電気的に接続する。この際、ワイヤボンディング性を高めるために、ワイヤボンディング工程の前に第１の表面保護膜兼接着剤層２Ａをキュア処理して硬化させておくことが好ましい。
第１および第２の半導体チップ７Ａ、７Ｂを積層した後にキュア処理を行うと、第２の表面保護膜兼接着剤層２Ｂも硬化して接着性が損なわれてしまう。また、ワイヤボンディング工程の前にキュア処理を実施しなくても、ワイヤボンディング工程における熱履歴で硬化が進み、接着性が損なわれるおそれがある。そこで、図１０（ｂ）に示すように、第２の表面保護膜兼接着剤層２Ｂ上に接着剤層２１を形成した後、第３の半導体チップ７Ｃを積層する。接着剤層２１は、第２の表面保護膜兼接着剤層２Ｂ上に熱硬化性樹脂からなる接着剤を塗布したり、また接着剤フィルムを貼り付けることにより形成される。接着剤層２１を適用することで、チップ積層体の階段方向を逆方向にする場合においても、ワイヤボンディング性を維持しつつ、半導体チップ７間の接着信頼性を高めることができる
第３の半導体チップ７Ｃは、図２（ａ）に示した工程と同様にして、吸着コレット９で保持して支持シート８からピックアップされた後、第２の半導体チップ７Ｂの所定の位置に配置される。第３の半導体チップ７Ｃは、電極パッド４の位置が第２の半導体チップ７Ｂとは逆方向となるように配置される。第２の半導体チップ７Ｂと第３の半導体チップ７Ｃとの接着は、第２の表面保護膜兼接着剤層２Ｂ上に形成された接着剤層２１により実施される。接着工程は第１の実施形態と同様であり、第２の半導体チップ７Ｂを所定の温度に加熱しつつ、吸着コレット９で第３の半導体チップ７Ｃを接着剤層２１に押圧することによって、第３の半導体チップ７Ｃを第２の半導体チップ７Ｂに接着する。
次に、図１０（ｃ）に示すように、第３の半導体チップ７Ｃ上に第４の半導体チップ７Ｄを接着する。第３の半導体チップ７Ｃと第４の半導体チップ７Ｄとの接着は、第３の半導体チップ７Ｃの回路面に形成された第３の表面保護膜兼接着剤層２Ｃにより実施される。第４の半導体チップ７Ｄは、電極パッド４の位置が第３の半導体チップ７Ｃと同方向となるように配置される。接着工程は第１の実施形態と同様である。そして、第３および第４の表面保護膜兼接着剤層２Ｃ、２Ｄをキュア処理して硬化させた後、第３および第４の半導体チップ７Ｃ、７Ｄの電極パッド４にワイヤボンディングを実施する。
この後、図４に示した半導体パッケージ１６と同様に、半導体チップ７Ａ〜７Ｄを金属ワイヤ１４等と共に封止樹脂層１５で封止することによって、図９に示す半導体パッケージ２０が作製される。配線基板１０の下面側には、図示を省略した半田バンプ等による外部電極が設けられる。図９および図１０では２つの半導体チップ７を同方向に積層してチップ積層体を構成すると共に、そのような２個のチップ積層体を階段方向が逆方向となるように積層した状態を示している。チップ積層体を構成する半導体チップの数やチップ積層体の積層数は特に限定されず、それぞれ複数であればよい。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１…半導体ウエハ、２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ…感光性を有する表面保護膜兼接着剤層、３…開口部、４…電極パッド、５…ダイシング溝、６…保護テープ、７，７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ…半導体チップ、８…支持シート、９…吸着コレット、９ａ…吸着面、１０…配線基板、１２，２１…接着剤層、１３…接続パッド、１４…金属ワイヤ、１６，２０…半導体パッケージ。

Claims (5)

  1. 複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域を区画するダイシング領域とを備え、前記複数のチップ領域の回路面にそれぞれ電極パッドが形成されている半導体ウエハの前記回路面に、感光性表面保護膜兼接着剤層を形成する工程と、
    前記感光性表面保護膜兼接着剤層を露光および現像し、前記感光性表面保護膜兼接着剤層に前記電極パッドおよび前記ダイシング領域を露出させる開口部を形成する工程と、
    前記半導体ウエハの非回路面に支持シートに貼付すると共に、前記半導体ウエハを前記ダイシング領域に沿って切断し、前記複数のチップ領域を個片化して前記感光性表面保護膜兼接着剤層を有する半導体チップを作製する工程と、
    第１の半導体チップを吸着コレットで保持して前記支持シートからピックアップした後、前記第１の半導体チップを回路基材上に接着する工程と、
    第２の半導体チップを前記吸着コレットで保持して前記支持シートからピックアップした後、前記第１の半導体チップの回路面に形成された第１の感光性表面保護膜兼接着剤層を介して、加熱された前記第１の半導体チップ上に前記第２の半導体チップを配置し、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを接着する工程と、
    前記回路基材の接続部と前記第１および第２の半導体チップの前記電極パッドとを電気的に接続する工程を具備し、
    前記吸着コレットは、前記第２の半導体チップに対する密着力が前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの間の密着力より低い吸着面を有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１記載の積層型半導体装置の製造方法において、
    前記吸着コレットの前記吸着面はシリコーンゴムからなり、かつ前記吸着面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．１〜１００μｍの範囲であることを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
  3. 請求項１または請求項２記載の積層型半導体装置の製造方法において、
    前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを接着した後に前記吸着コレットを上昇させる際に、前記吸着コレットをスクラブさせる処理、および前記吸着コレットに冷却用気体を吹き付けて急冷する処理の少なくとも一方を実施することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
  4. 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の積層型半導体装置の製造方法において、
    前記半導体ウエハの切断工程は、前記ダイシング領域に溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの前記回路面に保護テープを貼付する工程と、前記半導体ウエハの前記非回路面を研削し、前記複数のチップ領域を個片化する工程と、前記半導体ウエハの前記非回路面に前記支持シートを貼付する工程と、前記保護テープを剥離する工程とを備えることを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
  5. 回路面に第１の感光性表面保護膜兼接着剤層が形成された第１の半導体チップと、回路面に第２の感光性表面保護膜兼接着剤層が形成された第２の半導体チップとを含む複数の半導体チップを有し、支持テープでウエハ形状が維持された半導体ウエハから、前記複数の半導体チップを吸着コレットで順に保持してピックアップするピックアップ部と、
    前記吸着コレットでピックアップされた前記第１の半導体チップを前記回路基材上に接着すると共に、前記吸着コレットでピックアップされた前記第２の半導体チップを前記第１の半導体チップ上に配置し、前記第１の感光性表面保護膜兼接着剤層により前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを接着するチップ接着部とを具備し、
    前記吸着コレットは、前記半導体チップに対する密着力が前記半導体チップ間の密着力より低い吸着面を有することを特徴とする積層型半導体装置の製造装置。
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