JP2013025088A5 - - Google Patents

Description

上記課題を解決するために、本発明の液晶表示装置は、画素電極とＴＦＴ等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを、所定の間隙を介して配置し、前記間隙に液晶を保持してなる液晶表示装置において、前記ＴＦＴ基板に、パッシベーション膜に形成した、前記ＴＦＴと前記画素電極とを接続するためのコンタクトホールを備えるとともに、前記対向基板には、セルギャップ確保のための柱状スペーサと、前記コンタクトホールに対応する位置に形成した、位置ずれ防止用の柱状突起とを備えることを特徴とする。

Claims (16)

1. 画素電極とＴＦＴ等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを、所定の間隙を介して配置し、前記間隙に液晶を保持してなる液晶表示装置において、
   前記ＴＦＴ基板に、パッシベーション膜に形成した、前記ＴＦＴと前記画素電極とを接続するためのコンタクトホールを備えるとともに、
   前記対向基板には、セルギャップ確保のための柱状スペーサと、前記コンタクトホールに対応する位置に形成した、位置ずれ防止用の柱状突起とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１記載の液晶表示装置において、
   前記パッシベーション膜は、有機パッシベーション膜を含むことを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項１記載の液晶表示装置において、
   前記パッシベーション膜は、無機パッシベーション膜のみから成ることを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項１〜３の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
   前記柱状突起の高さｈ１と前記柱状スペーサの高さｈ２との差Δｈは、前記コンタクトホールの深さｚ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
5. 請求項１〜３の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
   前記柱状突起の高さｈ１は、セルギャップｄより大きく、セルギャップｄとスルーホールの深さｚの和よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項４または請求項５に記載の液晶表示装置において、
   前記柱状突起は、過大な力が加わった際に、前記コンタクトホールの底部に当接することを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項１〜６の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
   前記コンタクトホールは、上部に向かうにつれて径が大きくなる傾斜部を有することを特徴とする液晶表示装置。
8. 請求項１〜７の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
   前記柱状突起の頂上部の径は、前記コンタクトホールの上部の径よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
9. 請求項１〜８の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
   前記柱状突起の断面積は、前記柱状スペーサの断面積よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
10. 請求項１記載の液晶表示装置において、
    前記柱状突起は、液晶パネルの中央の領域よりも周辺領域の密度を高く配置したことを特徴とする液晶表示装置。
11. 請求項１０記載の液晶表示装置において、
    前記柱状スペーサは、液晶パネルの画面全体でほぼ均等に配置したことを特徴とする液晶表示装置。
12. 請求項１記載の液晶表示装置において、
    前記柱状突起同士の間隔が、前記柱状スペーサの間隔よりも広いことを特徴とする液晶表示装置。
13. 請求項１記載の液晶表示装置において、
    前記柱状突起の個数は、前記柱状スペーサの個数よりも少ないことを特徴とする液晶表示装置。
14. 請求項１３記載の液晶表示装置において、
    前記柱状突起の個数は、前記柱状スペーサの個数よりも１桁以上少ないことを特徴とする液晶表示装置。
15. 請求項１〜１４の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
    ＩＰＳ方式であることを特徴とする液晶表示装置。
16. 請求項１〜１４の何れか一つに記載の液晶表示装置において、
    ＴＮ方式またはＶＡ方式であることを特徴とする液晶表示装置。