CN105655360B - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置。其中，该阵列基板制作方法包括：在衬底基板上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层的由相互贯通的第一部分和第二部分构成的过孔结构，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分远离所述衬底基板，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内；形成取向层。通过本发明，可以在阵列基板上形成厚度更加均匀的配向膜，从而可以避免显示不良现象的产生，达到了提高阵列基板的产品良率的效果。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着液晶显示产品的高分辨率发展要求，阵列基板上的像素密度越来越高，这给阵列基板上的PI(Polyimide，配向膜)涂覆工艺带来很大挑战。目前，配向膜涂覆工艺中通常采用配向膜喷墨打印技术，但是随着阵列基板上的像素密度的不断提高，产生配向膜扩散不良的几率越来越大，导致阵列基板上的配向膜涂覆容易产生Mura(显示不良)现象。
例如，在ADS(Advanced super Dimension Switch，高级超维场转换技术)显示产品上，阵列基板的PVX层为整面涂覆，然后在需要设置过孔的地方使用曝光刻蚀的方式进行打孔，使得上下金属层之间能够借助过孔通电导通，但是在成盒工艺中涂覆配向膜液体时，由于阵列基板上的过孔本身所具有的表面张力作用，其对配向膜液体的扩散造成阻碍，导致配向膜液体扩散速度不均匀，最终形成在过孔周边的配向膜厚度大于形成在显示区的配向膜厚度，厚度差可能达到
Figure GDA0001727098750000011
容易形成显示不良。为便于理解，请参考图1(图1是根据现有技术的配向膜液体扩散示意图)，图1中，黑色箭头表示配向膜液体的扩散方向，当对配向膜液体进行加热固化时，过孔周边处的配向膜液体与显示区的配向膜液体的固化速度会产生不同，而最终产生Mura现象。
然而针对上述缺陷，现有技术中并没有提供一种有效的解决方案。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种可以避免形成阵列基板的配向膜过程中由于过孔的表面张力作用导致配向膜液体扩散不均，最终造成形成配向膜的厚度不均的技术方案。
为了达到上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的钝化层和取向层，所述钝化层具有贯穿所述钝化层的过孔结构，所述过孔结构包括：相互贯通的第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分靠近所述取向层，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内。
优选地，所述第一部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为多边形或圆形。
优选地，所述第二部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为多边形。
优选地，所述第二部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为圆形。
优选地，所述第二部分被垂直于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为倒等腰梯形。
优选地，所述第二部分的圆形开口的直径范围为10um～14um。
优选地，所述第二部分的高度范围为
Figure GDA0001727098750000021
根据本发明的另一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：上述阵列基板。
根据本发明的又一个方面，提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层的由相互贯通的第一部分和第二部分构成的过孔结构，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分远离所述衬底基板，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内；形成取向层。
优选地，形成所述过孔结构的过程包括：采用半曝光工艺，通过一次构图工艺同时形成所述第一部分和所述第二部分。
优选地，形成所述过孔结构的过程包括：通过两次构图工艺，先后形成所述第一部分和所述第二部分。
与现有技术相比，本发明所述的阵列基板及其制作方法、显示装置，采用在钝化层中过孔的上部形成一个导流结构，使得在形成配向膜的过程中使配向液体顺利通过导流结构进入过孔，最终在阵列基板上形成厚度更加均匀的配向膜，从而可以避免显示不良现象的产生，提高阵列基板的产品良率。
附图说明
图1是根据现有技术的配向膜液体扩散示意图；
图2是根据本发明实施例的阵列基板的结构示意图；
图3是根据本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图；
图4A是根据本发明实施例的制作阵列基板的过程中步骤一的示意图；
图4B是根据本发明实施例的制作阵列基板的过程中步骤二的示意图；
图4C是根据本发明实施例的制作阵列基板的过程中步骤三的示意图；。
图4D是根据本发明实施例的制作阵列基板的过程中步骤四的示意图；
图4E是根据本发明实施例的制作阵列基板的过程中步骤五的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种阵列基板。该阵列基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的钝化层和取向层，所述钝化层具有贯穿所述钝化层的过孔结构，所述过孔结构包括：相互贯通的第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分靠近所述取向层，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内。
由于所述第一部分在衬底基板上的正投影较小，所述第二部分在衬底基板上的正投影较大，因此，所述第一部分和所述第二部分构成一个下部开口较小，上部开口较大的过孔结构。采用这样的过孔，在形成取向层过程中，当取向层液体流入到所述过孔结构是，所述第二部分可以起到导流作用，可以消除现有过孔结构的表面张力作用，从而避免产生取向液体扩散不均，导致最终形成的取向膜膜厚均匀。
作为一个优选示例，所述第一部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为多边形或圆形。也就是说，所述第一部分作为所述过孔结构的下半部分，其开口的形状可以是多边形，例如四边形，六边形，也可以是圆形。
当然边数越多的多边形的形状更接近圆形，而圆形是目前比较常见的通过开口形状。在实际应用中，可以根据实际工艺需求选取所述第一部分的开口形状，对此不予限制。
作为所述过孔结构的上半部分，其开口形状并不必须与所述第一部分的开口形状保持一致，本发明实施例中，所述第二部分的开口形状也可以设计成两种：(1)所述第二部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为多边性，例如，四边形或六边形。(2)所述第二部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为圆形。
实际设计中，所述第一部分和所述第二部分均可以优选设计为圆形开口，采用这样设计方式，在制作所述过孔时，可以先刻蚀形成开口直径较小的所述第一部分，再刻蚀形成开口直径较大的所述第二部分。
这种设计方式下，为了使所述第二部分的导流效果较好，可以从所述第二部分的开口部分相对所述第一部分的开口部分(即所述第二部分与所述第一部分相接的位置)形成一个倾斜侧面，作为所述过孔结构的侧面的一部分。作为一个优选示例，该所述第二部分被垂直于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为倒等腰梯形。也就是说，该倾斜侧面是圆锥侧面的一部分。
当然，在实际应用中，也可以将所述第二部分的侧面设计为圆柱形侧面，即所述第二部分的顶部开口与底部开口的直径相等。
为便于理解，请参考图2(图2是根据本发明实施例的阵列基板的结构示意图)，在图2中，所述第二部分和所述第一部分的开口都为圆形，所述第二部分的开口直径为d，所述第二部分的高度为h，为了更好地使所述第二部分发挥导流所述取向液体的作用，可以对所述第二部分的圆形开口的直径以及所述第二部分的高度做出优选，作为一个优选示例，可以将所述第二部分的圆形开口的直径d的范围设定为10um～14um，并将所述第二部分的高度h的范围设定为
Figure GDA0001727098750000041
从图2可以看出，在钝化层(PVX)中位于所述第一部分的上部位置形成一个大致呈井口形状的所述第二部分作为导流通道，可以使得取向膜液体在扩散时通过该导流通道顺利进入过孔的下部(即所述第一部分)中。因此，采用图2中的过孔结构，可以消除现有过孔由于孔口的表面张力对取配向膜液体扩散速度的影响，从而可以保证配向膜液体扩散的均一性，避免产生膜厚不均容易导致的显示不良。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述阵列基板。该显示装置的改进在于上述阵列基板的改进，因此不再对该显示装置进行详细说明。
在上述阵列基板的基础上，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，用于制作上述阵列基板。图3是根据本发明实施例的阵列基板的制作方法流程图，如图3所示，该流程包括以下步骤(步骤S302-步骤S304)：
步骤S302、在衬底基板上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层的由相互贯通的第一部分和第二部分构成的过孔结构，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分远离所述衬底基板，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内；
步骤S304、形成取向层。
其中，形成所述过孔结构的过程可以采用以下两种方式：
方式一，采用半曝光工艺，通过一次构图工艺同时形成所述第一部分和所述第二部分。
方式二，通过两次构图工艺，先后形成所述第一部分和所述第二部分。
以下以在钝化层(PVX层)形成一个井口型的导流结构(即所述第二部分)为例，对采用上述方式一形成所述过孔结构的过程进行介绍：
(1)如图4A所示，在Glass基板上完成PVX与PR光刻胶的涂覆后，使用半曝光HalfTone Mask技术，在PVX层形成所需图形。
(2)如图4B所示，随着PR胶刻蚀的进行，逐渐在PVX层上形成所需图形。
(3)如图4C所示，在图形上形成一深孔，对该深孔继续刻蚀即可得到过孔结构的下半部分(所述第一部分)。
(4)如图4D所示，对深孔进行刻蚀，完全形成后得到过孔的下半部分，并将剩余PR胶刻蚀掉。
(5)如图4E所示，在PVX上完成ITO膜的制作。
本发明实施例，通过更改阵列基板上贯穿钝化层的过孔的形状，在靠近钝化层的位置曝光刻蚀出一导流结构，使得在形成配向膜的过程中使配向液体顺利通过导流结构进入过孔，最终在阵列基板上形成厚度更加均匀的配向膜，从而可以避免显示不良现象的产生，提高阵列基板的产品良率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种阵列基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的钝化层和取向层，所述钝化层具有贯穿所述钝化层的过孔结构，其特征在于，所述过孔结构包括：
相互贯通的第一部分和第二部分，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分靠近所述取向层，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内，所述第二部分被垂直于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为倒等腰梯形，所述第一部分被垂直于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为长方形，所述第一部分的高度大于所述第二部分的高度；
所述第二部分的圆形开口的直径范围为10um～14um，所述第二部分的高度范围为
Figure FDF0000007065910000011
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为多边形或圆形。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为多边形。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二部分被平行于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为圆形。
5.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至4中任一项所述的阵列基板。
6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成钝化层，并形成贯穿所述钝化层的由相互贯通的第一部分和第二部分构成的过孔结构，所述第一部分靠近所述衬底基板，所述第二部分远离所述衬底基板，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二部分在所述衬底基板上的正投影区域内，所述第二部分被垂直于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为倒等腰梯形，所述第一部分被垂直于所述衬底基板的平面所截得的截面形状为长方形，所述第一部分的高度大于所述第二部分的高度，所述第二部分的圆形开口的直径范围为10um～14um，所述第二部分的高度范围为
Figure FDF0000007065910000021
形成取向层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述过孔结构的过程包括：
采用半曝光工艺，通过一次构图工艺同时形成所述第一部分和所述第二部分。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述过孔结构的过程包括：
通过两次构图工艺，先后形成所述第一部分和所述第二部分。
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