JP2014041268A5 - - Google Patents

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Claims (8)

  1. ＴＦＴ基板側に、対向電極、層間絶縁膜、画素電極及び配向膜が形成され、液晶層を挟んで、対向基板が配置された液晶表示装置において、
    前記ＴＦＴ基板又は前記対向基板にカラーフィルタが形成され、
    前記画素電極と、前記層間絶縁膜又は前記配向膜との間には半導体層が形成されており、
    前記半導体層はＳｉ半導体層又は酸化物半導体層であることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記半導体層は、前記画素電極と前記配向膜との間に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 前記半導体層は、前記画素電極と前記層間絶縁膜との間に形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
  4. 前記半導体層は、前記配向膜と前記層間絶縁膜との間に形成されていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
  5. 前記半導体層はＳｉ半導体層である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
  6. 前記Ｓｉ半導体層の比抵抗は、前記配向膜の比抵抗よりも一桁以上小さい、請求項５に記載の液晶表示装置。
  7. 前記Ｓｉ半導体層はａ−Ｓｉであることを特徴とする請求項５又は６に記載の液晶表示装置。
  8. 前記Ｓｉ半導体層の厚さは５ｎｍ〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
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