JP2007298976A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板の上方に形成された第１の電極と、
   前記第１の電極の上方に形成された絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上方に形成された第２の電極と、
   前記第２の電極の上方に配置された液晶とを有し、
   前記第２の電極は、開口を有し、
   前記第２の電極は、前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に設けられ、
   前記第１の電極は、シリコンを含む半導体膜を有することを特徴とする液晶表示装置。
2. 基板の上方に形成された第１の電極と、
   前記第１の電極の上方に形成された絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上方に形成された第２の電極と、
   前記第２の電極の上方に配置された液晶と、
   前記基板の上方に形成されたトランジスタとを有し、
   前記第２の電極は、開口を有し、
   前記第２の電極は、前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に設けられ、
   前記第１の電極は、シリコンを含む半導体膜を有し、
   前記トランジスタは、シリコンを含む半導体膜を有し、
   前記第１の電極が有する前記半導体膜は、前記トランジスタが有する前記半導体膜と同時に成膜されることを特徴とする液晶表示装置。
3. 基板の上方に形成された第１の電極と、
   前記第１の電極の上方に形成された絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上方に形成された第２の電極と、
   前記第２の電極の上方に配置された液晶と、
   前記基板の上方に形成されたトランジスタとを有し、
   前記第２の電極は、開口を有し、
   前記第２の電極は、前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に設けられ、
   前記第１の電極は、シリコンを含む半導体膜を有し、
   前記トランジスタは、シリコンを含む半導体膜を有し、
   前記第１の電極が有する前記半導体膜は、前記トランジスタが有する前記半導体膜と同時に成膜され、
   前記第１の電極が有する前記半導体膜と、前記トランジスタが有する前記半導体膜とは、同じ導電型の不純物を含むことを特徴とする液晶表示装置。
4. 基板の上方に形成されたトランジスタを有し、
   前記トランジスタは、半導体膜を有し、
   前記半導体膜の一部は、第１の電極を構成し、
   前記第１の電極の上方に形成された絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上方に形成された第２の電極と、
   前記第２の電極の上方に配置された液晶とを有し、
   前記第２の電極は、開口を有し、
   前記第２の電極は、前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１の電極は画素電極であり、
   前記第２の電極は共通電極であることを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１の電極は共通電極であり、
   前記第２の電極は画素電極であることを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第１の電極と前記第２の電極との間の電界によって、前記液晶の配向を制御することを特徴とする液晶表示装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の液晶表示装置を具備する電子機器。
9. 基板の上方に形成された第１の電極と、
   前記第１の電極の上方に形成された絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上方に形成された第２の電極とを有し、
   前記第２の電極は、開口を有し、
   前記第２の電極は、前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に設けられ、
   前記第１の電極は、シリコンを含む半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
10. 基板の上方に形成された第１の電極と、
    前記第１の電極の上方に形成された絶縁膜と、
    前記絶縁膜の上方に形成された第２の電極と、
    前記基板の上方に形成されたトランジスタとを有し、
    前記第２の電極は、開口を有し、
    前記第２の電極は、前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に設けられ、
    前記第１の電極は、シリコンを含む半導体膜を有し、
    前記トランジスタは、シリコンを含む半導体膜を有し、
    前記第１の電極が有する前記半導体膜は、前記トランジスタが有する前記半導体膜と同時に成膜されることを特徴とする半導体装置。
11. 基板の上方に形成された第１の電極と、
    前記第１の電極の上方に形成された絶縁膜と、
    前記絶縁膜の上方に形成された第２の電極と、
    前記基板の上方に形成されたトランジスタとを有し、
    前記第２の電極は、開口を有し、
    前記第２の電極は、前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に設けられ、
    前記第１の電極は、シリコンを含む半導体膜を有し、
    前記トランジスタは、シリコンを含む半導体膜を有し、
    前記第１の電極が有する前記半導体膜は、前記トランジスタが有する前記半導体膜と同時に成膜され、
    前記第１の電極が有する前記半導体膜と、前記トランジスタが有する前記半導体膜とは、同じ導電型の不純物を含むことを特徴とする半導体装置。
12. 基板の上方に形成されたトランジスタを有し、
    前記トランジスタは、半導体膜を有し、
    前記半導体膜の一部は、第１の電極を構成し、
    前記第１の電極の上方に形成された絶縁膜と、
    前記絶縁膜の上方に形成された第２の電極とを有し、
    前記第２の電極は、開口を有し、
    前記第２の電極は、前記絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に設けられることを特徴とする半導体装置。
13. 請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
    前記第１の電極は画素電極であり、
    前記第２の電極は共通電極であることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
    前記第１の電極は共通電極であり、
    前記第２の電極は画素電極であることを特徴とする半導体装置。
15. 請求項９乃至請求項１４のいずれか一項に記載の半導体装置を具備する電子機器。