JP2013020981A - El display device - Google Patents

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tft
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Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Mayumi Mizukami
真由美 水上
Toshimitsu Konuma
利光 小沼
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Semiconductor Energy Lab Co Ltd
株式会社半導体エネルギー研究所
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive and high definition EL display device.SOLUTION: A pixel 102 comprising an EL element having a pixel electrode 105 connected to a current control TFT 104 as a cathode is arranged on a substrate. In a counter substrate 110, a shading film 112 is formed at a position corresponding to an edge of the pixel 102 and a color filter 113 is formed at a position corresponding to the pixel 102. By the shading film 112, a contour of the pixel becomes clear and a high definition image display becomes possible. Since an EL display device of this invention can use most of manufacturing lines of a liquid crystal display device, a burden of facility investment is less and overall manufacturing cost is reduced.

Description

本願発明は半導体素子(半導体薄膜を用いた素子、代表的には薄膜トランジスタ)を基板上に作り込んで形成されたEL(エレクトロルミネッセンス)表示装置及びそのEL表示装置を表示部として有する電子装置に関する。 The present invention (elements using a semiconductor thin film, typically thin film transistors) semiconductor device and an electronic apparatus having a display section crowded by forming an EL (electroluminescence) display device and a EL display device made on a substrate.

近年、基板上に薄膜トランジスタ(以下、TFTという)を形成する技術が大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置への応用開発が進められている。 Recently, thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) substrate technique for forming the advanced significantly, has been advanced development of applications to an active matrix display device.
特に、ポリシリコン膜を用いたTFTは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたTFT In particular, the TFT using a polysilicon film, using a conventional amorphous silicon film TFT
よりも電界効果移動度が高いので、高速動作が可能である。 Because of the high field-effect mobility than it can operate at high speed. そのため、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うことが可能となっている。 Therefore, conventionally, the control of the pixel which has been performed by the drive circuit outside the substrate, it is possible to perform a driver circuit formed on the same substrate as the pixel.

このようなアクティブマトリクス型表示装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むことで製造コストの低減、表示装置の小型化、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得られるとして注目されている。 Such active matrix display devices, reduction in manufacturing cost by fabricate various circuits and elements on the same substrate, miniaturization of the display device, increase of yield, such as reduction of throughput can be obtained various advantages It has been attracting attention as.

アクティブマトリクス型EL表示装置は、各画素のそれぞれにTFTでなるスイッチング素子を設け、そのスイッチング素子によって電流制御を行う駆動素子を動作させてEL The active matrix type EL display device, a switching element made of a TFT in each of pixels provided to operate the driving element for current control by the switching element EL
層(厳密には発光層)を発光させる。 Emit layers (strictly light-emitting layer). 例えば特開平10−189252号に記載されたE For example E, which is described in JP-A-10-189252
L表示装置がある。 L display device there is.

本願発明は、安価で高精細な画像表示の可能なEL表示装置を提供することを課題とする。 The present invention aims to provide a possible EL display device with high definition image display at a low cost. そして、そのようなEL表示装置を表示部として用いることにより表示部の視認性が高い電子装置を提供することを課題とする。 Then, it is an object to provide a high electron device visibility of the display section by using such an EL display device as a display unit.

本願発明について図1を用いて説明する。 Will be explained with reference to FIG invention. 図1において、101は絶縁表面を有する基板であり、石英基板などの絶縁基板または表面に絶縁膜を設けたガラス基板、セラミックス基板、結晶化ガラス基板、金属基板もしくはプラスチック基板を用いることができる。 1, reference numeral 101 denotes a substrate having an insulating surface can be used an insulating substrate or the surface of a glass substrate provided with an insulating film such as a quartz substrate, a ceramic substrate, a crystallized glass substrate, a metal substrate or a plastic substrate.

基板101上には画素102が形成される。 Pixel 102 is formed on the substrate 101. なお、図1では三つの画素を図示しているが、実際にはさらに複数の画素がマトリクス状に形成される。 Although illustrated three pixels in Fig. 1, actually into a plurality of pixels are formed in matrix. また、ここでは三つの画素の一つについて説明するが、他の画素も同じ構造である。 In addition, here will be described one of the three pixels, other pixels also have the same structure.

画素102には各々スイッチング用TFT103と電流制御用TFT104の二つのT Two T of each switching TFT103 and the current control TFT104 the pixel 102
FTが形成される。 FT is formed. このとき、スイッチング用TFT103のドレインは電流制御用TF At this time, the drain of the switching TFT103 denotes a current control TF
T104のゲートに電気的に接続されている。 It is electrically connected to the gate of the T104. さらに、電流制御用TFT104のドレインには画素電極(この場合、EL素子の陰極を兼ねる)105が電気的に接続される。 Furthermore, the drain of the current control TFT104 pixel electrode (in this case, also serves as a cathode of the EL element) 105 is electrically connected. こうして画素102が形成される。 Thus the pixel 102 is formed.

TFTの各配線及び画素電極は低抵抗な金属膜を用いて形成すれば良い。 The wiring and the pixel electrode of the TFT may be formed using a low resistance metal film. ここではアルミニウム合金膜を用いると良い。 Here it is preferable to use an aluminum alloy film.

画素電極105まで形成されたら、全ての画素電極の上にアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を含む絶縁性化合物(以下、アルカリ化合物という)106が形成される。 Once formed to the pixel electrode 105, an insulating compound containing an alkali metal or alkaline earth metal over all of the pixel electrode (hereinafter, referred to as alkaline compound) 106 is formed. なお、アルカリ化合物106の輪郭を点線で示しているのは数nm程度と膜厚が薄いため層状に形成されているのか、島状に点在しているのか不明だからである。 Incidentally, it is the one, because of unclear are scattered like islands of shows the outline of the alkaline compound 106 by dotted lines are formed in layers for about several nm and the film thickness is thin.

また、アルカリ化合物としては、フッ化リチウム(LiF)、酸化リチウム(Li 2 As the alkali compound, lithium fluoride (LiF), lithium oxide (Li 2 O
)、フッ化バリウム(BaF 2 )、酸化バリウム(BaO)、フッ化カルシウム(CaF 2 ), Barium fluoride (BaF 2), barium oxide (BaO), calcium fluoride (CaF 2
)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)または酸化セシウム(C ), Calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO) or cesium oxide (C
2 O)を用いることができる。 s 2 O) can be used. これらは絶縁性であるため、層状に形成されたとしても画素電極間のショート(短絡)を招くようなことはない。 Since these are insulating, no such lead to short circuit between the pixel electrodes as it formed in layers.

勿論、MgAg電極のような公知の導電性を有する材料を陰極として用いることも可能であるが、画素電極同士が短絡しないように、陰極自体を選択的に設けるか、パターニングを行う必要がある。 Of course, it is also possible to use a material having a known conductive, such as MgAg electrode as the cathode, so that the pixel electrodes each other not short, either the cathode itself selectively provided, it is necessary to perform patterning.

アルカリ化合物106が形成されたら、その上にEL層(エレクトロルミネッセンス層)107が形成される。 When alkali compound 106 is formed, EL layer (electroluminescence layer) thereon 107 is formed. EL層107は公知の材料や構造を用いることができるが本願発明では白色発光の可能な材料を用いる。 EL layer 107 can be formed of a known material and structure used material capable of white light emission in the present invention. 構造としては、再結合の場を提供する発光層だけでEL層としても良いし、必要に応じて電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔素子層もしくは正孔注入層を積層しても良い。 The structure may be used as the EL layer only emitting layer that provides a recombination site, an electron injection layer as required, an electron transport layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a hole element layer or hole the injection layer may be stacked. 本明細書中では、キャリアの注入、輸送または再結合が行われる層をすべて含めてEL層と呼ぶ。 In this specification, the injection of carriers, transport or recombination referred to as EL layer including all layers takes place.

また、EL層107として用いる有機物質は低分子系有機物質であってもポリマー系( The organic material may be a low molecular weight organic material polymer system used as the EL layer 107 (
高分子系)有機物質であっても良い。 It may be a high molecular weight) organic material. しかし、スピンコート法や印刷法など容易な成膜方法で形成できるポリマー系有機物質を用いることが望ましい。 However, it is desirable to use a polymer-based organic materials that can be formed in an easy film formation method such as a spin coating method or a printing method.
なお、図1の構造は白色発光のEL層とカラーフィルターとを組み合わせたカラー表示方式である。 The structure of FIG. 1 is a color display system that combines the EL layer and the color filter of white light.

また、青色又は青緑発光のEL層と蛍光体(蛍光性の色変換層:CCM)とを組み合わせたカラー表示方式、RGBに対応したEL層を重ねることでカラー表示を行う方式も採用できる。 The blue or blue-green light emission of the EL layer and the phosphor (fluorescent color conversion layer: CCM) color display system that combines the even method of performing color display by overlapping EL layers corresponding to RGB can be adopted.

EL層107の上には、陽極108として透明導電膜が形成される。 On the EL layer 107, a transparent conductive film as an anode 108 is formed. 透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物(ITOと呼ばれる)、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化スズまたは酸化亜鉛などを用いることが可能である。 As the transparent conductive film, (referred to as ITO) compound of indium oxide and tin oxide, a compound of indium oxide and zinc, it is possible to use tin oxide or zinc oxide.

また、陽極108の上にはパッシベーション膜109として絶縁膜が設けられる。 Further, on the anode 108 insulating film is provided as a passivation film 109. パッシベーション膜109としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜(SiOxNyで表される)を用いることが好ましい。 As the passivation film 109, a silicon nitride film, it is preferable to use a silicon nitride oxide film (expressed by SiOxNy). 酸化珪素膜を用いることも可能であるが、なるべく酸素の含有量が少ない絶縁膜が好ましい。 Although it is possible to use a silicon oxide film, as much as possible the content is less insulating film oxygen are preferred.

ここまで完成した基板を本明細書ではアクティブマトリクス基板と呼ぶ。 It referred to as the active matrix substrate is a finished board so far herein. 即ち、TFT In other words, TFT
、そのTFTに電気的に接続された画素電極及びその画素電極を陰極とするEL素子(陰極、EL層及び陽極からなるコンデンサ)の形成された基板をアクティブマトリクス基板と呼ぶ。 Called EL element to the pixel electrode and the pixel electrode electrically connected to the TFT as a cathode substrate formed of (cathode, the capacitor consisting of the EL layer and the anode) and the active matrix substrate.

さらに、アクティブマトリクス基板には、EL素子を封入するようにして対向基板11 Further, the counter substrate 11 so as to the active matrix substrate, encapsulating the EL element
0が貼り付けられ、その対向基板110には遮光膜112及びカラーフィルター113a 0 is attached, the light shielding film 112 and the color filter 113a is in the opposing substrate 110
〜113cが設けられる。 ~113c is provided.

このとき観測者の視線方向(対向基板の法線方向)から見て画素電極105のなす隙間111が隠されるように遮光膜112を設ける、即ち、対向基板の法線方向から見て遮光膜112と画素の縁とが重なる(一致する)ように設ける。 In this case as viewed from the observer's line of sight direction (the normal direction of the counter substrate) provide, as an opening 112 so as to form a gap 111 is hidden in the pixel electrode 105, i.e., the light shielding film 112 as viewed from the normal direction of the opposed substrate and the edges of the pixel overlap (match) is provided as described above. これは、その部分が非発光部であることと、画素電極の端部では電界が複雑になり所望の輝度もしくは色度で発光させることができないからである。 This includes that portion thereof is a non-light emitting portion, the end portions of the pixel electrode is not possible to emit light at a desired luminance or chromaticity field is complicated.

即ち、遮光膜112を画素電極105の縁(端部)及び隙間111に対応した位置に設けることで画素間の輪郭を明瞭なものとすることができる。 That is, it is possible to contour between the pixels as clear by providing a position corresponding to the light shielding film 112 on the edge (end) and a gap 111 of the pixel electrode 105. なお、本発明では画素電極の輪郭が画素の輪郭に一致するため、遮光膜112は画素の縁に対応した位置に設けられているとも言える。 Since the contour of the pixel electrode in the present invention is matched to the contour of the pixel, the light shielding film 112 can be said to be provided at a position corresponding to the edge of the pixel. また、画素の縁に対応した位置とは、前述の対向基板の法線方向から見て画素の縁と重なる位置を指す。 Also, the position corresponding to the edge of the pixel refers to the position that overlaps the edge of the pixel when viewed from the normal direction of the counter substrate described above.

また、カラーフィルター113a〜113cは、113aが赤色、113bが緑色、113 In addition, color filters 113a~113c is, 113a is red, 113b is green, 113
cが青色の光を抽出するカラーフィルターである。 c is a color filter for extracting blue light. これらのカラーフィルターは、画素1 These color filters, pixel 1
02に対応する位置に形成され、これにより画素ごとに取り出す光の色を変えることができる。 02 is formed at a position corresponding to, thereby changing the color of light to be extracted for each pixel. 原理的にはカラーフィルターを用いた液晶表示装置のカラー化方式と同様である。 The principle is similar to the color scheme of the liquid crystal display device using a color filter.
なお、画素に対応した位置とは、前述の対向基板の法線方向から見て画素と重なる(一致する)位置を指す。 Note that the position corresponding to the pixel, overlaps the pixel when viewed from the normal direction of the counter substrate described above (matching) point to the location. 即ち、対向基板の法線方向から見てカラーフィルター113a〜11 That is, the color filter 113a~11 when viewed from the normal direction of the opposed substrate
3cとそれに対応する各画素とが重なるように設ける。 3c and providing it as the pixels corresponding overlap.

但し、カラーフィルターは特定の波長の光を抽出することで透過した光の色純度を向上させるフィルターである。 However, the color filter is a filter to improve the color purity of the light transmitted by extracting light of a specific wavelength. 従って、取り出すべき波長の光成分が少ない場合には、その波長の光の輝度が極端に小さかったり、色純度が悪かったりという不具合を生じうる。 Therefore, when the optical component of the wavelength is small to be taken out, the or extremely small luminance of light of a wavelength can result in inconvenience that the color purity or bad. 従って、本願発明で用いることのできる白色発光のEL層に限定はないが、白色発光のスペクトル成分の中に、可能な限り純度の高い赤色、緑色及び青色の発光スペクトルを含むことが望ましい。 Thus, while not limited to the EL layer of white light emission can be used in the present invention, in the spectral components of the white light-emitting, highly pure red as possible, it is desirable to include green and blue emission spectrum.

ここで本願発明で用いるEL層の代表的なxy色度図を図15に示す。 Here a typical xy chromaticity diagram of the EL layer used in the present invention shown in FIG. 15. 図15(A)は公知の白色発光のポリマー系有機物質が発する光の色度座標を示している。 Figure 15 (A) shows the chromaticity coordinates of the light emitted by the polymeric organic materials known white light. 公知の材料では色純度の高い赤色が実現されておらず、赤色の代用に黄色や橙色が用いられている。 Not been achieved high color purity red a known material, yellow or orange is used for the red substitute. 従って、加法混色により得られた白色は、やや緑みのある白色や黄色みのある白色となる。 Thus, the white obtained by additive color mixture is a white slightly a white or yellowish with greenness.
また、赤色、緑色及び青色の各々の発光スペクトルはブロードなものであるため、それらを混ぜるとやはり純度の高い単色光を取り出すのが難しくなってしまう。 The red, for green and an emission spectrum of blue each are those broad, that still Mixing them retrieve highly pure monochromatic light becomes difficult.

そのため、現状では図16(A)の色度座標で示されるような有機物質をEL層として用いることでも十分にカラー表示を行うことができるが、さらに純度が高く明るいカラー表示を得るためには、図16(B)の色度座標で示されるような有機物質をEL層として用いることが望ましい。 Therefore, although at present it is possible to perform also sufficiently color display by using as an EL layer an organic material as indicated by the chromaticity coordinates of FIG. 16 (A), the in order to obtain further bright color display high purity , it is preferable to use an organic material as indicated by the chromaticity coordinates shown in FIG. 16 (B) as the EL layer.

図16(B)の色度座標で示される有機物質は、半値幅が狭く(発光ピークが鋭く)、 The organic substance represented by the chromaticity coordinates of FIG. 16 (B) half-value width is narrow (sharp emission peak)
純度の高い単色光が得られる有機物質を混ぜて白色発光のEL層を形成した場合の例である。 Mix organic substances having high purity monochromatic light can be obtained is an example of a case of forming an EL layer of white light emission. カラーフィルターから色純度の高い赤色、緑色及び青色を得るためには、色純度の高い赤色、緑色及び青色の発光スペクトルを持つ材料を混ぜて白色発光のEL層を形成する必要がある。 Color high from the filter color purity red, in order to obtain green and blue, high color purity red, mix a material with a green and blue emission spectrum it is necessary to form an EL layer of white light emission. また、純度だけでなく半値幅の狭いスペクトルが得られる材料を用いることでスペクトルの鋭い白を再現することができる。 Further, it is possible to reproduce the sharp white of the spectrum by using a material narrow spectral half width not only purity can be obtained. そして、このような白色発光のEL層を本願発明のEL層として用いると、さらに明るいカラー画像を表示することが可能となる。 When the EL layer of such a white light emitting as the EL layer of the present invention, it is possible to display a further brighter color image.

なお、上述のカラーフィルター113a〜113cに酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化リチウムなどの周期表の1族もしくは2族に属する元素の酸化物を乾燥剤として含有させることもできる。 Incidentally, barium oxide to the above-described color filter 113 a to 113 c, calcium oxide, oxides of the elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table, such as lithium oxide can also be contained as a drying agent. この場合、赤色、緑色または青色の顔料と乾燥剤とを含有させた樹脂膜をカラーフィルターとすれば良い。 In this case, the red, the resin film containing the green or the blue pigment desiccant may be a color filter.

ところで、ここでは図示されないが、対向基板110はシール剤によってアクティブマトリクス基板に貼り付けられており、114で示される空間は密閉空間となっている。 Incidentally, although not shown, the counter substrate 110 are attached to the active matrix substrate with a sealing agent, the space shown at 114 and has a closed space.

対向基板110としては、光の進行を妨げないように透光性の基板を用いる必要がある。 The counter substrate 110, it is necessary to use a light-transmitting substrate so as not to hinder the progress of the light. 例えば、ガラス基板、石英基板またはプラスチック基板が好ましい。 For example, a glass substrate, a quartz substrate, or a plastic substrate is preferred.
また、遮光膜112としては、黒色顔料やカーボンを含む樹脂やチタン膜などの遮光性の高い薄膜を用いれば良い。 As the light-shielding film 112 may be used a thin film having high light shielding properties such as resin and a titanium film containing a black pigment or carbon. なお、上述のカラーフィルター113a〜113c同様に遮光膜112に酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化リチウムなどの周期表の1族もしくは2族に属する元素の酸化物を乾燥剤として含有させることも有効である。 Incidentally, barium oxide color filter 113a~113c Similarly shielding film 112 described above, calcium oxide, it is also effective to incorporate an oxide desiccants element belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table, such as lithium oxide .

また、密閉空間114は不活性ガス(希ガスや窒素ガス)を充填しても良いし、不活性液体を充填しても良い。 Also, the enclosed space 114 may be filled with an inert gas (rare gas or nitrogen gas) may be filled with an inert liquid. また、透光性の接着剤を充填して、基板全体を接着させても構わない。 Further, by filling a transparent adhesive, it may be adhered to the entire substrate. さらに、この密閉空間114には酸化バリウム等の乾燥剤を設けておくことが好ましい。 Further, it is preferable to provide a drying agent such as barium oxide in the sealed space 114. EL層107は水分に極めて弱いため、密閉空間114には極力水分が侵入しないようにすることが望ましい。 Since the EL layer 107 is extremely weak to moisture, it is desirable to minimize water in the closed space 114 to prevent entry.

以上のような構成でなる本願発明のEL表示装置はEL素子から発した光が対向基板を透過して放射されて観測者の目に入る。 More EL display device of the present invention, such becomes a configuration as the observer eyes light emitted from the EL element is emitted through the opposite substrate. そのため観測者は対向基板側から画像を認識することができる。 Therefore observer can recognize an image from the opposing substrate side. このとき、本願発明のEL表示装置の特徴は、まず、EL素子と観測者との間に、画素電極105の隙間111を隠すように遮光膜112を設ける点である。 At this time, characteristics of the EL display device of the present invention, first, between the EL element and the observer is the point of providing a light-shielding film 112 to hide the gap 111 of the pixel electrode 105. これにより画素間の輪郭が明瞭なものとなり、高精細な画像表示が可能となる。 Thereby it shall clear outline between the pixels, it is possible to high-definition image display. なお、この効果は対向基板110に遮光膜112が設けられていることにより生じる効果であり、少なくとも遮光膜112が設けられていれば得られる効果である。 This effect is an effect caused by light shielding film 112 is provided on the counter substrate 110, an effect that at least the light shielding film 112 can be obtained if provided.

また、遮光膜112及びカラーフィルター113は対向基板110に設けられ、且つ、 The light shielding film 112 and the color filter 113 is provided on the counter substrate 110, and,
対向基板110はEL素子をEL素子の劣化を抑制するシーリング材としての機能をも兼ねる。 The counter substrate 110 also doubles as the function of an EL element for suppressing the sealing material deterioration of the EL element. 遮光膜112やカラーフィルター113をアクティブマトリクス基板側に設けると、成膜工程とパターニング工程が増えるが、対向基板に設けることによりアクティブマトリクス基板の作製工程数の増加を抑えることができる。 By providing the light shielding film 112 and color filters 113 on the active matrix substrate side, but increases the deposition process and patterning process, it is possible to suppress an increase in the number of manufacturing steps of the active matrix substrate by providing the counter substrate.

また、本願発明のように、対向基板110に遮光膜112やカラーフィルター113を設けて、さらに対向基板とアクティブマトリクス基板とをシール剤で接着するという構造は、液晶表示装置の構造に共通する点がある。 Also, as in the present invention, by providing a light shielding film 112 and color filters 113 on the counter substrate 110, the structure of further bonding the counter substrate and the active matrix substrate with a sealing agent, a point common to the structure of the liquid crystal display device there is. 即ち、現存する液晶表示装置の殆どの製造ラインを転用して本願発明のEL表示装置を作製することが可能であり、設備投資を大幅に削減することで総合的な製造コストの低減が可能である。 That is, it is possible to divert most of the production line of existing liquid crystal display device for producing an EL display device of the present invention, can reduce the overall production cost by significantly reducing capital expenditures is there.

以上のように、本願発明を実施することにより安価で高精細な画像表示を可能とするE As described above, E to enable high-definition image display at a low cost by carrying out the present invention
L表示装置が得られる。 L display device can be obtained. そして、そのようなEL表示装置を表示部として用いることにより表示部の視認性が高い電子装置が得られる。 The visibility of the display unit is high electronic device can be obtained by using such an EL display device as a display unit.

本願発明を実施することでEL表示装置の画素部において画素間の輪郭が明瞭なものとなり、高精細な画像表示の可能なEL表示装置が得られる。 Contour between the pixels becomes as clear in the pixel portion of the EL display device by carrying out the present invention, high-definition image display possible EL display device can be obtained. また、本願発明では画素間の隙間を隠すために遮光膜を用いるが、その遮光膜を対向基板側に設けることで歩留まりの低下を防いでいる。 Further, the present invention uses a light-shielding film to hide the gap between pixels, and prevents a decrease in yield by providing the light shielding film on the counter substrate side. さらに、本願発明のEL表示装置は、液晶表示装置の製造ラインを転用して作製することが可能であるため、設備投資の負担が小さくて済む。 Further, EL display devices of the present invention, since it can be manufactured by diverting the production line of a liquid crystal display device, only a small burden of capital investment. 従って、安価で、且つ、高精細な画像表示の可能なEL表示装置が得られる。 Therefore, inexpensive and high-definition image display possible EL display device can be obtained. また、本願発明のEL表示装置を表示部として用いることにより、安価で視認性の高い電子装置を得ることができる。 Further, by using the EL display device of the present invention as the display unit, it is possible to obtain a high electron device visibility at low cost.

EL表示装置の画素部を示す図。 It shows a pixel portion of an EL display device. EL表示装置の画素の断面構造を示す図。 It shows a cross-sectional structure of a pixel of an EL display device. EL表示装置の画素部の上面構造及び構成を示す図。 It shows a top structure and configuration of the pixel portion of an EL display device. アクティブマトリクス型EL表示装置の作製工程を示す図。 Figure showing a manufacturing process of an active matrix type EL display device. アクティブマトリクス型EL表示装置の作製工程を示す図。 Figure showing a manufacturing process of an active matrix type EL display device. アクティブマトリクス型EL表示装置の作製工程を示す図。 Figure showing a manufacturing process of an active matrix type EL display device. EL表示装置の外観を示す図。 Diagram showing an external view of an EL display device. EL表示装置の回路ブロック構成を示す図。 Diagram illustrating a circuit block structure of an EL display device. EL表示装置の画素を拡大した図。 Enlarged view of a pixel of the EL display device. EL表示装置のサンプリング回路の構造を示す図。 It shows the structure of a sampling circuit of an EL display device. EL表示装置の外観を示す図。 Diagram showing an external view of an EL display device. EL表示装置の画素の構成を示す図。 Diagram showing the structure of a pixel of an EL display device. EL表示装置の画素の断面構造を示す図。 It shows a cross-sectional structure of a pixel of an EL display device. 電子装置の具体例を示す図。 It illustrates a specific example of an electronic device. 電子装置の具体例を示す図。 It illustrates a specific example of an electronic device. 有機物質の色度座標を示す図。 It shows the chromaticity coordinates of organic materials.

本発明の実施の形態について、図2、図3を用いて説明する。 Embodiments of the present invention, FIG. 2 will be described with reference to FIG. 図2に示したのは本願発明であるEL表示装置の画素部の断面図であり、図3(A)はその上面図、図3(B)はその回路構成である。 Shown in FIG. 2 is a cross-sectional view of a pixel portion of an EL display device which is the present invention, FIG. 3 (A) a top view thereof, FIG. 3 (B) is a circuit configuration. 実際には画素がマトリクス状に複数配列されて画素部(画像表示部)が形成される。 In fact pixel in the pixel portion are arrayed in a matrix form (image display portion) is formed. なお、図3(A)をA−A'で切断した断面図が図2に相当する。 The cross-sectional view of FIG. 3 (A) taken along A-A 'corresponds to FIG. 従って図2及び図3で共通の符号を用いているので、適宜両図面を参照すると良い。 Therefore, since common reference numerals are used in Figures 2 and 3, reference may be suitably both figures. また、図3の上面図では二つの画素を図示しているが、どちらも同じ構造である。 Also, although the top view of FIG. 3 illustrates the two pixels, both have the same structure.

図2において、11は基板、12は下地となる絶縁膜(以下、下地膜という) 2, 11 denotes a substrate, 12 denotes an insulating film serving as a base (hereafter referred to as a base film)
である。 It is. 基板11としてはガラス基板、ガラスセラミックス基板、石英基板、シリコン基板、セラミックス基板、金属基板若しくはプラスチック基板(プラスチックフィルムも含む)を用いることができる。 The substrate 11 may be a glass substrate, a glass ceramic substrate, a quartz substrate, a silicon substrate, a ceramic substrate, a metal substrate or a plastic substrate (including a plastic film).

また、下地膜12は特に可動イオンを含む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、石英基板には設けなくても構わない。 Although the base film 12 is especially effective when using a substrate having a substrate and a conductive containing mobile ions, it may be not be provided on a quartz substrate. 下地膜12としては、珪素(シリコン)を含む絶縁膜を用いれば良い。 As the base film 12 may be used an insulating film containing silicon. なお、本明細書において「珪素を含む絶縁膜」とは、具体的には酸化珪素膜、窒化珪素膜若しくは窒化酸化珪素膜(SiOxNyで示される)など珪素、酸素若しくは窒素を所定の割合で含む絶縁膜を指す。 Here, the "insulating film containing silicon" herein, specifically includes a silicon oxide film, silicon, etc. silicon nitride film or a silicon nitride oxide film (indicated by SiOxNy), oxygen or nitrogen at a predetermined ratio It refers to the insulating film.

また、下地膜12に放熱効果を持たせることによりTFTの発熱を発散させることはT Further, it dissipate heat generation of the TFT by providing the heat radiation effect to the base film 12 is T
FTの劣化又はEL素子の劣化を防ぐためにも有効である。 In order to prevent the FT degradation or deterioration of the EL element is effective. 放熱効果を持たせるには公知のあらゆる材料を用いることができる。 To impart heat dissipation can be used any known material.

ここでは画素内に二つのTFTを形成している。 Here they are formed two TFT in the pixel. 201はスイッチング用素子として機能するTFT(以下、スイッチング用TFTという)、202はEL素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機能するTFT(以下、電流制御用TFTという)であり、どちらもnチャネル型TFTで形成されている。 201 TFT functioning as a switching element (hereinafter, referred to as switching TFT), TFT 202 is functioning as a current controlling element for controlling the amount of current flowing to an EL element (hereinafter, referred to as current controlling TFT) is, either It is formed in n-channel type TFT.

nチャネル型TFTの電界効果移動度はpチャネル型TFTの電界効果移動度よりも大きいため、動作速度が早く大電流を流しやすい。 Since the field effect mobility of n-channel type TFT is larger than the field effect mobility of a p-channel TFT, and tends to flow a large current faster operating speed. また、同じ電流量を流すにもTFTサイズはnチャネル型TFTの方が小さくできる。 Further, TFT size to flow the same current amount can be reduced better in n-channel type TFT. そのため、nチャネル型TFTを電流制御用TFTとして用いた方が表示部の有効面積が広くなるので好ましい。 Therefore, preferable to use the n-channel type TFT as the current control TFT is preferable because the effective area of ​​the display portion becomes wide.

pチャネル型TFTはホットキャリア注入が殆ど問題にならず、オフ電流値が低いといった利点があって、スイッチング用TFTとして用いる例や電流制御用TFTとして用いる例が既に報告されている。 p-channel type TFT is not hot carrier injection is almost no problem, there is an advantage that low off current value, an example of using as an example and the current controlling TFT is used as the switching TFT has already been reported. しかしながら本願発明では、LDD領域の位置を異ならせた構造とすることでnチャネル型TFTにおいてもホットキャリア注入の問題とオフ電流値の問題を解決し、全ての画素内のTFT全てをnチャネル型TFTとしている点にも特徴がある。 However, in the present invention, also solves the problem in question and the off current value of the hot carrier injection in the n-channel type TFT by that at different positions of LDD regions structure, all TFT in every pixel n-channel type even to the point that you are TFT is characterized.

ただし、本願発明において、スイッチング用TFTと電流制御用TFTをnチャネル型TFTに限定する必要はなく、両方又はどちらか片方にpチャネル型TFTを用いることも可能である。 However, in the present invention, it is not necessary to limit the switching TFT and the current controlling TFT to the n-channel type TFT, it is also possible to use a p-channel type TFT for both or either one.

スイッチング用TFT201は、ソース領域13、ドレイン領域14、LDD領域15 Switching TFT201 includes a source region 13, drain region 14, LDD regions 15
a〜15d、高濃度不純物領域16及びチャネル形成領域17a、17bを含む活性層、ゲート絶縁膜18、ゲート電極19a、19b、第1層間絶縁膜20、ソース配線21並びにドレイン配線22を有して形成される。 A~15d, the high concentration impurity region 16 and channel formation regions 17a, the active layer comprising 17b, the gate insulating film 18, gate electrodes 19a, 19b, a first interlayer insulating film 20, a source wiring 21, and a drain wiring 22 It is formed.

また、図3に示すように、ゲート電極19a、19bは別の材料(ゲート電極19a、1 Further, as shown in FIG. 3, gate electrodes 19a, 19b is another material (the gate electrode 19a, 1
9bよりも低抵抗な材料)で形成されたゲート配線211によって電気的に接続されたダブルゲート構造となっている。 Has become electrically connected to the double gate structure by a gate wiring 211 formed of a low resistance material) than 9b. 勿論、ダブルゲート構造だけでなく、トリプルゲート構造などいわゆるマルチゲート構造(直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造)であっても良い。 Of course, not only the double gate structure, may be a so-called multi-gate structure such as triple gate structure (structure including an active layer having two or more channel forming regions connected in series). マルチゲート構造はオフ電流値を低減する上で極めて有効であり、本願発明では画素のスイッチング素子201をマルチゲート構造とすることによりオフ電流値の低いスイッチング素子を実現している。 Multi-gate structure is extremely effective in reducing the off current value, the present invention realizes a lower switching element off current value by the switching element 201 of the pixel with the multi-gate structure.

また、活性層は結晶構造を含む半導体膜で形成される。 The active layer is formed of a semiconductor film containing a crystal structure. 即ち、単結晶半導体膜でも良いし、多結晶半導体膜や微結晶半導体膜でも良い。 In other words, it may be a single crystal semiconductor film may be a polycrystalline semiconductor film or microcrystalline semiconductor film. また、ゲート絶縁膜18は珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。 Further, the gate insulating film 18 may be formed of an insulating film containing silicon. また、ゲート電極、ソース配線若しくはドレイン配線としてはあらゆる導電膜を用いることができる。 The gate electrode, as a source wiring or a drain wiring can be used any conductive film.

さらに、スイッチング用TFT201においては、LDD領域15a〜15dは、ゲート絶縁膜18を介してゲート電極19a、19bと重ならないように設ける。 Further, in the switching TFT TFT 201, LDD regions 15a~15d is provided so as not to overlap the gate electrode 19a, and 19b through the gate insulating film 18. このような構造はオフ電流値を低減する上で非常に効果的である。 Such structure is extremely effective in reducing the off current value.

なお、チャネル形成領域とLDD領域との間にオフセット領域(チャネル形成領域と同一組成の半導体層でなり、ゲート電圧が印加されない領域)を設けることはオフ電流値を下げる上でさらに好ましい。 Incidentally, (now in the semiconductor layer having the same composition as the channel forming region, a region where the gate voltage is not applied) offset region between the channel formation region and the LDD region that is more preferable for reducing the off current value to provide. また、二つ以上のゲート電極を有するマルチゲート構造の場合、チャネル形成領域の間に設けられた高濃度不純物領域がオフ電流値の低減に効果的である。 Further, when a multi-gate structure having two or more gate electrodes, the high concentration impurity region provided between the channel formation regions is effective in reducing the off current value.

以上のように、マルチゲート構造のTFTを画素のスイッチング素子201として用いることにより、十分にオフ電流値の低いスイッチング素子を実現することができる。 As described above, by using the TFT of the multi-gate structure as the switching element 201 of the pixel, it is possible to achieve a low switching element sufficiently off current value. そのため、特開平10−189252号公報の図2のようなコンデンサーを設けなくても十分な時間(選択されてから次に選択されるまでの間)電流制御用TFTのゲート電圧を維持しうる。 Therefore, capable of maintaining the gate voltage of the current controlling TFT (until the next selected from is selected) is also sufficient time without providing a capacitor as shown in FIG. 2 of JP-A-10-189252 JP.

次に、電流制御用TFT202は、ソース領域31、ドレイン領域32、LDD領域3 Next, the current control TFT202 is a source region 31, drain region 32, LDD regions 3
3及びチャネル形成領域34を含む活性層、ゲート絶縁膜18、ゲート電極35、第1層間絶縁膜20、ソース配線36並びにドレイン配線37を有して形成される。 3 and the active layer including a channel formation region 34, a gate insulating film 18, gate electrode 35, the first interlayer insulating film 20, a source wiring 36 and drain wiring 37. なお、ゲート電極35はシングルゲート構造となっているが、マルチゲート構造であっても良い。 Although the gate electrode 35 has a single gate structure may be a multi-gate structure.

図2に示すように、スイッチング用TFTのドレインは電流制御用TFTのゲートに接続されている。 As shown in FIG. 2, the drain of the switching TFT is connected to the gate of the current controlling TFT. 具体的には電流制御用TFT202のゲート電極35はスイッチング用T The gate electrode 35 of the current control TFT202 is specifically T switching
FT201のドレイン領域14とドレイン配線(接続配線とも言える)22を介して電気的に接続されている。 FT201 drain region 14 and the drain line via the (connection wiring also say) 22 are electrically connected. また、ソース配線36は電源供給線212に接続される。 Further, the source wiring 36 is connected to the power supply line 212.

電流制御用TFT202はEL素子203に注入される電流量を制御するための素子であるが、EL素子の劣化を考慮するとあまり多くの電流を流すことは好ましくない。 Although the current controlling TFT202 is an element for controlling the amount of current injected to an EL element 203, it is not preferable to passage of a large amount of current in consideration of the deterioration of the EL element. そのため、電流制御用TFT202に過剰な電流が流れないように、チャネル長(L)は長めに設計することが好ましい。 Therefore, so as not excessive current flows through the current control TFT 202, the channel length (L) is preferably designed longer. 望ましくは一画素あたり0.5〜2μm(好ましくは1〜1 Preferably 0.5~2μm per pixel (preferably 1 to 1
. 5μm)となるようにする。 Made to be 5μm).

以上のことを踏まえると、図9に示すように、スイッチング用TFTのチャネル長をL Given the above, as shown in FIG. 9, the channel length of the switching TFT L
1(但しL1=L1a+L1b)、チャネル幅をW1とし、電流制御用TFTのチャネル長をL2、チャネル幅をW2とした時、W1は0.1〜5μm(代表的には0.5〜2μm) 1 (where L1 = L1a + L1b), the channel width is W1, when the channel length of the current controlling TFT L2, in which the channel width is W2, W1 is 0.1 to 5 [mu] m (typically 0.5~2μm is)
、W2は0.5〜10μm(代表的には2〜5μm) , W2 is 0.5~10μm (typically 2~5μm is)
とするのが好ましい。 Preferably with. また、L1は0.2〜18μm(代表的には2〜15μm) In addition, L1 is 0.2~18μm (typically 2~15μm is)
、L2は1〜50μm(代表的には10〜30μm)とするのが好ましい。 , L2 is preferably set to 1 to 50 [mu] m (typically 10~30μm is). 但し、本願発明は以上の数値に限定されるものではない。 However, the present invention is not limited to the above numerical values.

また、スイッチング用TFT201に形成されるLDD領域の長さ(幅)は0.5〜3 The length of the LDD region formed in the switching TFT TFT 201 (width) 0.5 to 3
. 5μm、代表的には2.0〜2.5μmとすれば良い。 5μm, a representative may be set to 2.0~2.5μm in.

また、図2に示したEL表示装置は、電流制御用TFT202において、ドレイン領域32とチャネル形成領域34との間にLDD領域33が設けられ、且つ、LDD領域33 Further, EL display devices illustrated in FIG. 2, the current control TFT 202, LDD region 33 is provided between the drain region 32 and the channel forming region 34, and, LDD regions 33
がゲート絶縁膜18を介してゲート電極35に重なっている領域と重なっていない領域とを有する点にも特徴がある。 There is characterized in that it has a region which does not overlap with the area overlapping the gate electrode 35 via the gate insulating film 18.

電流制御用TFT202は、EL素子203を発光させるための電流を供給すると同時に、その供給量を制御して階調表示を可能とする。 Current control TFT202 is simultaneously supplying a current for emitting the EL element 203, to enable gradation display by controlling the supply quantity. そのため、電流を流しても劣化しないようにホットキャリア注入による劣化対策を講じておく必要がある。 Therefore, it is necessary to take countermeasure against deterioration due to hot carrier injection so as not to deteriorate even by applying a current. また、黒色を表示する際は、電流制御用TFT202をオフ状態にしておくが、その際、オフ電流値が高いときれいな黒色表示ができなくなり、コントラストの低下等を招く。 Further, when displaying the black, although leaving the current control TFT202 off, this time, can not clean black color display and a high OFF current value, deteriorated or the like in contrast. 従って、オフ電流値も抑える必要がある。 Therefore, it is necessary to suppress the off current value.

ホットキャリア注入による劣化に関しては、ゲート電極に対してLDD領域が重なった構造が非常に効果的であることが知られている。 Regarding deterioration due to hot carrier injection, it is known that the LDD region is overlapped structure is very effective for the gate electrode. しかしながら、LDD領域全体をゲート電極に重ねてしまうとオフ電流値が増加してしまうため、本出願人はゲート電極に重ならないLDD領域を直列に設けるという新規な構造によって、ホットキャリア対策とオフ電流値対策とを同時に解決している。 However, since the off current value when thus overlapping the entire LDD region to the gate electrode is increased, by the novel structure of the present applicant providing the LDD region not overlapping the gate electrode in series, hot carrier countermeasures and off current It has solved the value measures at the same time.

この時、ゲート電極に重なったLDD領域の長さは0.1〜3μm(好ましくは0.3 In this case, the length of the LDD region overlapping the gate electrode is 0.1 to 3 m (preferably 0.3
〜1.5μm)にすれば良い。 It may be set to ~1.5μm). 長すぎては寄生容量を大きくしてしまい、短すぎてはホットキャリアを防止する効果が弱くなってしまう。 It is too long will increase the parasitic capacitance, is too short the effect of preventing the hot carrier becomes weak. また、ゲート電極に重ならないLDD領域の長さは1.0〜3.5μm(好ましくは1.5〜2.0μm)にすれば良い。 The length of the LDD region not overlapping the gate electrode may be in 1.0~3.5Myuemu (preferably 1.5-2.0). 長すぎると十分な電流を流せなくなり、短すぎるとオフ電流値を低減する効果が弱くなる。 It is too long will not allowed to flow sufficient current, the effect of reducing off current value too short is weakened.

また、上記構造においてゲート電極とLDD領域とが重なった領域では寄生容量が形成されてしまうため、ソース領域31とチャネル形成領域34との間には設けない方が好ましい。 Further, in a region which overlaps the gate electrode and the LDD region in the structure since the parasitic capacitance from being formed, it is preferable not formed between the source region 31 and the channel forming region 34. 電流制御用TFTはキャリア(ここでは電子)の流れる方向が常に同一であるので、ドレイン領域側のみにLDD領域を設けておけば十分である。 Since the current controlling TFT carrier (electrons in this case) is always the same the direction of flow of a sufficient if provided with an LDD region only on the drain region side.

また、流しうる電流量を多くするという観点から見れば、電流制御用TFT202の活性層(特にチャネル形成領域)の膜厚を厚くする(好ましくは50〜100nm、さらに好ましくは60〜80nm)ことも有効である。 Further, looking from the viewpoint of increasing the amount of current that can flow, increasing the thickness of the active layer of the current control TFT 202 (particularly the channel forming region) (preferably 50 to 100 nm, more preferably 60 to 80 nm) also It is valid. 逆に、スイッチング用TFT201の場合はオフ電流値を小さくするという観点から見れば、活性層(特にチャネル形成領域)の膜厚を薄くする(好ましくは20〜50nm、さらに好ましくは25〜40nm)ことも有効である。 Conversely, looking from the viewpoint of the case of the switching TFT TFT201 to reduce the off current value, reducing the thickness of the active layer (especially the channel forming region) (preferably 20 to 50 nm, more preferably 25 to 40 nm) that it is also effective.

次に、41は第1パッシベーション膜であり、膜厚は10nm〜1μm(好ましくは2 Next, 41 denotes a first passivation film, and the film thickness 10 nm to 1 m (preferably 2
00〜500nm)とすれば良い。 00~500nm) and it should be. 材料としては、珪素を含む絶縁膜(特に窒化酸化珪素膜又は窒化珪素膜が好ましい)を用いることができる。 Material as may be used an insulating film containing silicon (especially a silicon nitride oxide film or a silicon nitride film is preferable). このパッシベーション膜41に放熱効果を持たせることは、EL層の熱劣化を防ぐ意味でも有効である。 Be provided with a heat radiation effect on the passivation film 41 is also effective in terms of preventing thermal degradation of the EL layer.

放熱効果をもつ薄膜としては、B(ホウ素)、C(炭素)、N(窒素)から選ばれた少なくとも一つの元素と、Al(アルミニウム)、Si(珪素)、P(リン)から選ばれた少なくとも一つの元素とを含む絶縁膜が挙げられる。 The thin film having a heat radiating effect, B (boron), C (carbon), N and at least one element selected from the (nitrogen), Al (aluminum), Si (silicon), selected from P (phosphorus) It includes insulating film containing at least one element. 例えば、窒化アルミニウム(Alx For example, aluminum nitride (Alx
Ny)に代表されるアルミニウムの窒化物、炭化珪素(SixCy)に代表される珪素の炭化物、窒化珪素(SixNy)に代表される珪素の窒化物、窒化ホウ素(BxNy)に代表されるホウ素の窒化物、リン化ホウ素(BxPy)に代表されるホウ素のリン化物を用いることが可能である。 Nitrides of aluminum represented by ny), carbides of silicon typified by silicon carbide (SixCy), nitride of silicon typified by silicon nitride (SixNy), nitride of boron typified by boron nitride (BxNy) things, it is possible to use phosphide of boron typified by boron phosphide (BxPy).
また、酸化アルミニウム(AlxOy)に代表されるアルミニウムの酸化物は熱伝導率が20Wm -1-1であり、好ましい材料の一つと言える。 The oxide of aluminum typified by aluminum oxide (AlxOy) has a thermal conductivity of a 20Wm -1 K -1, it can be said that one of the preferred materials. なお、上記透光性材料において、 In the above light-transmitting material,
x、yは任意の整数である。 x, y are arbitrary integers.

なお、上記化合物に他の元素を組み合わせることもできる。 It is also possible to combine other elements to the compound. 例えば、酸化アルミニウムに窒素を添加して、AlNxOyで示される窒化酸化アルミニウムを用いることも可能である。 For example, by adding nitrogen to aluminum oxide, it is also possible to use aluminum nitride oxide indicated by AlNxOy. なお、上記窒化酸化アルミニウムにおいて、x、yは任意の整数である。 In the above aluminum nitride oxide, x, y are arbitrary integers.

また、特開昭62−90260号公報に記載された材料を用いることができる。 Further, it is possible to use the material described in JP-A-62-90260. 即ち、 In other words,
Si、Al、N、O、Mを含む絶縁膜(但し、Mは希土類元素の少なくとも一種、好ましくはCe(セリウム),Yb(イッテルビウム),Sm(サマリウム),Er(エルビウム),Y(イットリウム)、La(ランタン)、Gd(ガドリニウム)、Dy(ジスプロシウム)、Nd(ネオジウム)から選ばれた少なくとも一つの元素)を用いることもできる。 Si, Al, N, O, at least one insulating film (where, M is a rare earth element containing M, preferably Ce (cerium), Yb (ytterbium), Sm (samarium), Er (erbium), Y (yttrium) , La (lanthanum), Gd (gadolinium), Dy (dysprosium), it can also be used to Nd at least one element selected from (neodymium)).

また、ダイヤモンド薄膜またはアモルファスカーボン膜(特にダイヤモンドに特性の近いもの、ダイヤモンドライクカーボン等と呼ばれる。)などの炭素膜を用いることもできる。 Further, (close characteristics in particular diamond, called diamond-like carbon.) Diamond thin film or amorphous carbon film may be a carbon film such. これらは非常に熱伝導率が高く、放熱層として極めて有効である。 These are very has high thermal conductivity, is very effective as a heat radiating layer.

また、上記放熱効果をもつ材料からなる薄膜を単体で用いることもできるが、これらの薄膜と、窒化珪素膜(SixNy)や窒化酸化珪素膜(SiOxNy) Although it is also possible to use a thin film made of a material having the heat radiation effect by itself, and these thin films, a silicon nitride film (SixNy) or silicon nitride oxide film (SiOxNy)
)とを積層することは有効である。 ) And it is effective to laminate a. なお、上記窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜において、 In the above silicon nitride film or a silicon nitride oxide film,
x、yは任意の整数である。 x, y are arbitrary integers.

第1パッシベーション膜41の上には、各TFTを覆うような形で第2層間絶縁膜(平坦化膜と言っても良い)42を形成し、TFTによってできる段差の平坦化を行う。 On the first passivation film 41, in such a way as to cover the TFT (may be referred to as planarizing film) second interlayer insulating film 42 is formed, it is planarized in the step that can be by TFT. 第2 The second
層間絶縁膜42としては、有機樹脂膜が好ましく、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、 The interlayer insulating film 42, an organic resin film is preferable, polyimide, polyamide, acrylic,
BCB(ベンゾシクロブテン)等を用いると良い。 BCB may be used to (benzocyclobutene) or the like. 勿論、十分な平坦化が可能であれば、 Of course, sufficient flattening is possible,
無機膜を用いても良い。 Inorganic film may be used.

第2層間絶縁膜42によってTFTによる段差を平坦化することは非常に重要である。 It to planarize the step due to the TFT by the second interlayer insulating film 42 is extremely important.
後に形成されるEL層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。 Since an EL layer formed later is extremely thin, there are possibly causes poor light emission due to the presence of a step. 従って、EL層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。 Therefore, it is preferable to perform leveling before forming a pixel electrode so as to form on as level a surface as possible EL layer.

また、43は遮光性を有する導電膜でなる画素電極(EL素子の陰極に相当する)であり、第2層間絶縁膜42及び第1パッシベーション膜41にコンタクトホール(開孔)を開けた後、形成された開孔部において電流制御用TFT202のドレイン配線37に接続されるように形成される。 Further, 43 denotes a pixel electrode made of a conductive film having light shielding property (corresponding to the cathode of the EL element), after a contact hole (opening) in the second interlayer insulating film 42 and the first passivation film 41, It is formed so as to be connected to the drain wiring 37 of the current control TFT202 in the formed opening portion.

画素電極43の上にはアルカリ化合物44として、5〜10nm厚のフッ化リチウム膜が蒸着法により形成される。 As the alkali compound 44 on the pixel electrode 43, 5 to 10 nm thick lithium fluoride film is formed by vapor deposition. フッ化リチウム膜は絶縁膜なので膜厚が厚すぎるとEL層に電流を流すことができなくなってしまう。 Lithium membrane fluoride makes it impossible to flow a current to the EL layer when a film thickness is too thick because insulator. また、層状に形成されずに島状に点在するように形成されても問題はない。 Further, there is no problem even if formed so as scattered like islands without being formed into a layer.

次にEL層45が形成される。 Then EL layer 45 is formed. 本実施形態では、ポリマー系有機物質をスピンコート法にて形成する。 In the present embodiment, to form a polymeric organic material by spin coating. ポリマー系有機物質としては公知のあらゆる材料を用いることが可能である。 The polymer organic material can be used any known material. また、本実施形態ではEL層45として発光層を単層で用いるが正孔輸送層や電子輸送層と組み合わせた積層構造の方が発光効率は高いものが得られる。 Moreover, the luminous efficiency towards the stacked structure uses a light-emitting layer in a single layer in combination with a hole transport layer or electron transporting layer as the EL layer 45 in this embodiment is high is obtained. 但し、ポリマー系有機物質を積層する場合は蒸着法で形成する低分子有機物質と組み合わせることが望ましい。 However, it is desirable that the case of laminating the polymer organic material is combined with low-molecular organic material formed by vapor deposition. スピンコート法では有機溶媒にEL層となる有機物質を混合して塗布するので、下地に有機物質があると再び溶解してしまう恐れがある。 Since the spin coating is applied by mixing the organic substance serving as EL layers in the organic solvent, there is a fear that dissolving again if there is organic matter in the base.

本実施形態で用いることのできる代表的なポリマー系有機物質としては、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)系、ポリビニルカルバゾール(PVK)系、ポリフルオレン系などの高分子材料が挙げられる。 As typical polymer organic substances that can be used in the present embodiment, polyparaphenylene vinylene (PPV) system, polyvinylcarbazole (PVK) system, a polymeric material such as polyfluorene systems. これらのポリマー系有機物質で電子輸送層、発光層、正孔輸送層または正孔注入層を形成するには、ポリマー前駆体の状態で塗布し、それを真空中で加熱(焼成)することによりポリマー系有機物質に転化すれば良い。 Electron-transporting layer in these polymer organic material, light emitting layer, to form a hole transport layer or a hole injection layer, by applying in the form of polymer precursor, is heated (calcined) it in vacuo it may be converted to a polymer organic material.

具体的には、発光層となる白色発光を示すポリマー系有機物質として、特開平8−96 Specifically, as the polymer organic material showing white luminescence as an emission layer, JP-A-8-96
959号公報または特開平9−63770号公報に記載された材料を用いれば良い。 The materials described in 959 JP or Hei 9-63770 Patent Publication may be used. 例えば、1,2−ジクロロメタンに、PVK(ポリビニルカルバゾール)、Bu−PBD(2 For example, the 1,2-dichloromethane, PVK (polyvinyl carbazole), Bu-PBD (2
−(4'−tert−ブチルフェニル)−5−(4''−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)、クマリン6、DCM1(4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−p−ジメチルアミノスチリル−4H−ピラン)、TPB(テトラフェニルブタジエン)、ナイルレッドを溶解したものを用いれば良い。 - (4'-tert-butylphenyl) -5- (4 '' - biphenyl) -1,3,4-oxadiazole), coumarin 6, DCM1 (4-dicyanomethylene-2-methyl -6-p- dimethylaminostyryl -4H- pyran), TPB (tetra phenyl butadiene), may be used a solution obtained by dissolving Nile Red. このとき膜厚は30〜150nm(好ましくは40 The film thickness at this time is 30 to 150 nm (preferably 40
〜100nm)とすれば良い。 ~100nm) and it should be. また、正孔輸送層としては、ポリマー前駆体であるポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンを用い、加熱によりポリフェニレンビニレンとする。 Further, as the hole transporting layer, using poly tetrahydrothiophenyl phenylene which is a polymer precursor, and polyphenylene vinylene by heating.
膜厚は30〜100nm(好ましくは40〜80nm)とすれば良い。 The film thickness may be set from 30 to 100 nm (preferably 40 to 80 nm).

このように、ポリマー系有機物質は、ホスト材料を溶解させた溶液中に蛍光色素を添加することで容易に色調整が可能であるため、白色発光を行う場合には特に有効である。 Thus, polymer organic materials, because it can be easily color adjustment by adding a fluorescent dye in a solution prepared by dissolving the host material, it is particularly effective in the case of white light emission. また、ここではポリマー系有機物質を用いてEL素子を形成する例を示しているが、低分子系有機物質を用いても構わない。 Although here is shown an example of forming an EL element using polymeric organic materials, it may be used low molecular weight organic material. さらには、EL層として無機物質を用いても良い。 Further, it may be an inorganic material as the EL layer.

以上の例は本願発明のEL層として用いることのできる有機物質の一例であって、本願発明を限定するものではない。 The foregoing example is an example of organic materials which can be used as the EL layer of the present invention and are not intended to limit the present invention.

また、EL層45を形成する際、処理雰囲気は極力水分の少ない乾燥雰囲気とし、不活性ガス中で行うことが望ましい。 Further, when forming the EL layer 45, the treatment atmosphere as much as possible and less dry atmosphere moisture, it is desirable to perform in an inert gas. EL層は水分や酸素の存在によって容易に劣化してしまうため、形成する際は極力このような要因を排除しておく必要がある。 EL layers for easily become degraded by the presence of moisture or oxygen, when forming it is necessary to eliminate such factors as much as possible. 例えば、ドライ窒素雰囲気、ドライアルゴン雰囲気等が好ましい。 For example, a dry nitrogen atmosphere, a dry argon atmosphere or the like are preferable. そのためには、塗布用処理室や焼成用処理室を、不活性ガスを充填したクリーンブースに設置し、その雰囲気中で処理することが望ましい。 For this purpose, the coating process chamber and firing treatment chamber, installed in a clean booth filled with an inert gas, it is desirable to process in its atmosphere.

以上のようにしてEL層45を形成したら、次に透明導電膜でなる陽極46及び第2パッシベーション膜47が形成される。 After forming the EL layer 45 as described above, the anode 46 and the second passivation film 47 next made of a transparent conductive film is formed. 本実施形態では陽極46として、酸化インジウムと酸化亜鉛の化合物でなる導電膜を用いる。 As an anode 46 in this embodiment, a conductive film made of a compound of indium oxide and zinc oxide. これに少量のガリウムを添加しても良い。 This may be the addition of a small amount of gallium. また、第2パッシベーション膜47としては、10nm〜1μm(好ましくは200〜500 As the second passivation film 47, 10 nm to 1 m (preferably 200 to 500
nm)の厚さの窒化珪素膜を用いる。 Using the thickness of the silicon nitride film nm).

なお、上述のようにEL層は熱に弱いので、陽極46及び第2パッシベーション膜47 Since the EL layer as described above weak to heat, the anode 46 and the second passivation film 47
はなるべく低温(好ましくは室温から120℃までの温度範囲)で成膜するのが望ましい。 Desirably deposited in possible low temperatures (preferably at a temperature range up to 120 ° C. from room temperature). 従って、プラズマCVD法、真空蒸着法又は溶液塗布法(スピンコート法)が望ましい成膜方法と言える。 Accordingly, a plasma CVD method, a vacuum deposition method or a solution coating method (spin coating method) is considered desirable film forming method.

こうして完成したアクティブマトリクス基板に対向して、対向基板48が設けられる。 Thus in opposition to finished active matrix substrate, the counter substrate 48 is provided.
本実施形態では対向基板48としてガラス基板を用いる。 In the present embodiment, a glass substrate is used as the counter substrate 48. そして、対向基板48には黒色顔料を分散させた樹脂でなる遮光膜49a、49bと、赤色、緑色または青色の顔料を分散させた樹脂でなるカラーフィルター50が形成される。 Then, the counter substrate 48 light shielding film 49a made of a resin containing a dispersed black pigment, and 49b, a red, a color filter 50 made of a resin containing a dispersed green or blue pigments are formed. この遮光膜49a、49bは画素電極43と隣接する画素電極との隙間を隠すように配置される。 The light shielding film 49a, 49b is arranged to conceal the gap between the pixel electrodes adjacent to the pixel electrode 43. このとき、遮光膜49a、 At this time, the light shielding film 49a,
49bに酸化バリウム等の乾燥剤を含有させておくことは有効である。 It is effective to contain a drying agent such as barium oxide and the like 49b. 乾燥剤としては他にも特開平9−148066号公報に記載されたような材料を用いることができる。 The drying agent can be formed using a material such as those described in JP-A-9-148066 discloses also another. また、カラーフィルター50は画素102に対応した位置に形成される。 The color filter 50 is formed at a position corresponding to the pixel 102.

また、アクティブマトリクス基板と対向基板48はシール剤(図示せず)によって接着され、密閉空間51が形成される。 Further, the active matrix substrate and the counter substrate 48 are bonded by a sealing material (not shown), enclosed space 51 is formed. 本実施形態では、密閉空間51をアルゴンガスで充填している。 In the present embodiment, the closed space 51 is filled with argon gas. 勿論、この密閉空間51内に上記乾燥剤を配置することも可能である。 Of course, it is also possible to arrange the drying agent to the sealed space 51.

本実施形態のEL表示装置は図2のような構造の画素からなる画素部を有し、画素内において機能に応じて構造の異なるTFTが配置されている。 EL display device of this embodiment has a pixel portion comprising pixels having the structure as shown in FIG. 2, it is arranged different TFT having structures according to functions in the pixel. 即ち、オフ電流値の十分に低いスイッチング用TFTと、ホットキャリア注入に強い電流制御用TFTとを同じ画素内に形成することにより、高い信頼性を有し、且つ、高精細な画像表示が可能なEL表示装置が得られる。 That is, a sufficiently low switching TFT through which the off-current, by forming the current-control TFT resistant to hot carrier injection in the same pixel, has high reliability and enables high-definition image display an EL display device can be obtained.

本発明の実施例について図4〜図6を用いて説明する。 For the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. ここでは、画素部とその周辺に設けられる駆動回路部のTFTを同時に作製する方法について説明する。 Here, a method for making a driver circuit portion of the TFT provided in the periphery of the pixel portion at the same time. 但し、説明を簡単にするために、駆動回路に関しては基本回路であるCMOS回路を図示することとする。 However, in order to simplify the explanation, it is assumed that illustrates a CMOS circuit which is a basic circuit for the driver circuits.

まず、図4(A)に示すように、ガラス基板300上に下地膜301を300nmの厚さに形成する。 First, as shown in FIG. 4 (A), to form a base film 301 on a glass substrate 300 to a thickness of 300 nm. 本実施例では下地膜301として窒化酸化珪素膜を積層して用いる。 Is used in this embodiment are laminated silicon nitride oxide film as the base film 301. この時、ガラス基板300に接する方の窒素濃度を10〜25wt%としておくと良い。 In this case, it is preferable nitrogen concentration towards contacting the glass substrate 300 keep the 10 to 25 wt%.

また、下地膜301の一部として、図2に示した第1パッシベーション膜41と同様の材料からなる絶縁膜を設けることは有効である。 Also as part of the base film 301, it is effective to provide an insulating film made of the same material as the first passivation film 41 shown in FIG. 電流制御用TFTは大電流を流すことになるので発熱しやすく、なるべく近いところに放熱効果のある絶縁膜を設けておくことは有効である。 Current control TFT is liable to generate heat it means a large current, it is effective to keep an insulating film having heat radiating effect at as close as possible.

次に下地膜301の上に50nmの厚さの非晶質珪素膜(図示せず))を公知の成膜法で形成する。 Then (not shown) amorphous silicon film with a thickness of 50nm on the base film 301) is formed by a known film formation method. なお、非晶質珪素膜に限定する必要はなく、非晶質構造を含む半導体膜(微結晶半導体膜を含む)であれば良い。 Note that it is not necessary to limit to the amorphous silicon film, may be a semiconductor film (including a microcrystalline semiconductor film) containing an amorphous structure. さらに非晶質シリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜でも良い。 Further it may be a compound semiconductor film containing an amorphous structure such as an amorphous silicon germanium film. また、膜厚は20〜100nmの厚さであれば良い。 In addition, the film thickness may be made of 20~100nm.

そして、公知の技術により非晶質珪素膜を結晶化し、結晶質珪素膜(多結晶シリコン膜若しくはポリシリコン膜ともいう)302を形成する。 Then, an amorphous silicon film is then crystallized by a known method, forming a crystalline silicon film (also referred to as a polycrystalline silicon film or a polysilicon film) 302. 公知の結晶化方法としては、電熱炉を使用した熱結晶化方法、レーザー光を用いたレーザーアニール結晶化法、赤外光を用いたランプアニール結晶化法がある。 As a known crystallization method, a thermal crystallization using an electric furnace, laser annealing crystallization using a laser beam, there is an infrared lamp annealing crystallization method using light. 本実施例では、XeClガスを用いたエキシマレーザー光を用いて結晶化する。 In this embodiment, crystallization is performed using an excimer laser light which uses XeCl gas.

なお、本実施例では線状に加工したパルス発振型のエキシマレーザー光を用いるが、矩形であっても良いし、連続発振型のアルゴンレーザー光や連続発振型のエキシマレーザー光を用いることもできる。 In the present embodiment uses a pulse emission type excimer laser light formed into a linear shape, a rectangular shape may also be used, it is also possible to use an excimer laser beam of argon laser light and continuous emission of continuous wave .

本実施例では結晶質珪素膜をTFTの活性層として用いるが、非晶質珪素膜を用いることも可能である。 In this embodiment, a crystalline silicon film as an active layer of a TFT, but it is also possible to use an amorphous silicon film. また、オフ電流を低減する必要のあるスイッチング用TFTの活性層を非晶質珪素膜で形成し、電流制御用TFTの活性層を結晶質珪素膜で形成することも可能である。 Also, to form the active layer of the switching TFT, in which there is a necessity to reduce the off current amorphous silicon film, it is also possible to form the active layer of the current control TFT by the crystalline silicon film. 非晶質珪素膜はキャリア移動度が低いため電流を流しにくくオフ電流が流れにくい。 Amorphous silicon film is hard off current does not easily flow electric current is low carrier mobility. 即ち、電流を流しにくい非晶質珪素膜と電流を流しやすい結晶質珪素膜の両者の利点を生かすことができる。 That is, it is possible to utilize the advantages of both flow easily, the crystalline silicon film, an amorphous silicon film and current hardly flow of current.

次に、図4(B)に示すように、結晶質珪素膜302上に酸化珪素膜でなる保護膜30 Next, as shown in FIG. 4 (B), a protective film 30 made of a silicon oxide film on the crystalline silicon film 302
3を130nmの厚さに形成する。 3 formed to a thickness of 130 nm. この厚さは100〜200nm(好ましくは130〜 The thickness is 100 to 200 nm (preferably 130 to
170nm)の範囲で選べば良い。 It may be selected in the range of 170nm). また、珪素を含む絶縁膜であれば他の膜でも良い。 Furthermore, other films may also be used as long as the insulating film containing silicon. この保護膜303は不純物を添加する際に結晶質珪素膜が直接プラズマに曝されないようにするためと、微妙な濃度制御を可能にするために設ける。 The protective film 303 is formed so that the crystalline silicon film is not directly exposed to plasma during addition of an impurity, and so that it is possible to have delicate concentration control.

そして、その上にレジストマスク304a、304bを形成し、保護膜303を介してn Then, the resist mask 304a thereon, 304b to form, through the protective film 303 n
型を付与する不純物元素(以下、n型不純物元素という)を添加する。 Impurity element imparting type (hereinafter, referred to as n-type impurity element) is added.
なお、n型不純物元素としては、代表的には15族に属する元素、典型的にはリン又は砒素を用いることができる。 As the n-type impurity element, typically an element belonging to Group 15 in the typically can be used phosphorus or arsenic. なお、本実施例ではフォスフィン(PH 3 In this embodiment phosphine (PH 3)
を質量分離しないでプラズマ励起したプラズマドーピング法を用い、リンを1×10 18 at Used without mass separation plasma doping method in which plasma excitation, phosphorus 1 × 10 18 at
oms/cm 3の濃度で添加する。 added at a concentration of oms / cm 3. 勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いても良い。 Of course, it may be used an ion implantation method with mass separation.

この工程により形成されるn型不純物領域305、306には、n型不純物元素が2× The n-type impurity regions 305 and 306 formed by this process, n-type impurity element is 2 ×
10 16 〜5×10 19 atoms/cm 3 (代表的には5×10 17 〜5×10 18 atoms/cm 3 )の濃度で含まれるようにドーズ量を調節する。 (Typically 5 × 10 17 ~5 × 10 18 atoms / cm 3) 10 16 ~5 × 10 19 atoms / cm 3 to adjust the dose so as to be contained at a concentration of.

次に、図4(C)に示すように、保護膜303を除去し、添加した15族に属する元素の活性化を行う。 Next, as shown in FIG. 4 (C), the protective film 303 is removed, to activate the element belonging to Group 15 is added. 活性化手段は公知の技術を用いれば良いが、本実施例ではエキシマレーザー光の照射により活性化する。 Activating means may be a known technology, in the present embodiment is activated by irradiation of excimer laser light. 勿論、パルス発振型でも連続発振型でも良いし、エキシマレーザー光に限定する必要はない。 Of course, it may be a continuous wave at pulse oscillation type, need not be limited to an excimer laser beam. 但し、添加された不純物元素の活性化が目的であるので、結晶質珪素膜が溶融しない程度のエネルギーで照射することが好ましい。 However, because activation of the doped impurity element is the object, it is preferable that the crystalline silicon film is irradiated with energy of a degree that does not melt. なお、保護膜303をつけたままレーザー光を照射しても良い。 It is also possible to the laser irradiation with the protective film 303.

なお、このレーザー光による不純物元素の活性化に際して、熱処理による活性化を併用しても構わない。 Incidentally, upon activation of the impurity element by laser light it may also be performed along with activation by heat treatment. 熱処理による活性化を行う場合は、基板の耐熱性を考慮して450〜5 When activation is performed by heat treatment, considering the heat resistance of the substrate 450-5
50℃程度の熱処理を行えば良い。 The heat treatment may be performed at about 50 ℃.

この工程によりn型不純物領域305、306の端部、即ち、n型不純物領域305、 End of the n-type impurity regions 305 and 306 by this process, i.e., n-type impurity regions 305,
306の周囲に存在するn型不純物元素を添加していない領域との境界部(接合部)が明確になる。 Boundary between the n-type impurity element is not added to the regions existing around the 306 (junction) becomes clear. このことは、後にTFTが完成した時点において、LDD領域とチャネル形成領域とが非常に良好な接合部を形成しうることを意味する。 This means that in the time the TFT is completed later, means that the LDD region and the channel formation region can form a very good junction.

次に、図4(D)に示すように、結晶質珪素膜の不要な部分を除去して、島状の半導体膜(以下、活性層という)307〜310を形成する。 Next, as shown in FIG. 4 (D), by removing unnecessary portions of the crystalline silicon film, island-like semiconductor films (hereinafter, referred to as active layers) to form a 307 to 310.

次に、図4(E)に示すように、活性層307〜310を覆ってゲート絶縁膜311を形成する。 Next, as shown in FIG. 4 (E), a gate insulating film 311 covering the active layers 307 to 310. ゲート絶縁膜311としては、10〜200nm、好ましくは50〜150n As the gate insulating film 311, 10 to 200 nm, preferably 50~150n
mの厚さの珪素を含む絶縁膜を用いれば良い。 It may be used an insulating film including the thickness of the silicon m. これは単層構造でも積層構造でも良い。 This or a lamination structure may be used in a single layer structure. 本実施例では110nm厚の窒化酸化珪素膜を用いる。 A silicon nitride oxide film of 110nm thickness in this embodiment.

次に、200〜400nm厚の導電膜を形成し、パターニングしてゲート電極312〜 Next, a 200~400nm thickness of the conductive film, patterning the gate electrode 312~
316を形成する。 316 to the formation. このゲート電極312〜316の端部をテーパー状にすることもできる。 It is also possible to the end of the gate electrode 312 to 316 in a tapered shape. なお、本実施例ではゲート電極と、ゲート電極に電気的に接続された引き回しのための配線(以下、ゲート配線という)とを別の材料で形成する。 Note that the gate electrode in this embodiment, electrically connected to wiring for the lead to the gate electrode (hereinafter, referred to as gate wirings) and the formation of another material. 具体的にはゲート電極よりも低抵抗な材料をゲート配線として用いる。 Specifically, using a low resistance material as a gate wiring than the gate electrode.
これは、ゲート電極としては微細加工が可能な材料を用い、ゲート配線には微細加工はできなくとも配線抵抗が小さい材料を用いるためである。 This use of a material capable of microfabrication as a gate electrode, a gate wiring is because a material smaller wiring resistance but is not able to fine processing. 勿論、ゲート電極とゲート配線とを同一材料で形成してしまっても構わない。 Of course, it may be lost to form the gate electrodes and the gate wirings with the same material.

また、ゲート電極は単層の導電膜で形成しても良いが、必要に応じて二層、三層といった積層膜とすることが好ましい。 The gate electrode may be formed of a conductive film of a single layer but two layers as required, it is preferable to form a lamination film such three layers. ゲート電極の材料としては公知のあらゆる導電膜を用いることができる。 The gate electrode material may be any known any conductive film. ただし、上述のように微細加工が可能、具体的には2μm以下の線幅にパターニング可能な材料が好ましい。 However, the above-described manner can be fine processing, specifically, patternable material to a line width less than 2μm are preferred.

代表的には、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、クロム(Cr)、シリコン(Si)から選ばれた元素でなる膜、または前記元素の窒化物膜(代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化チタン膜)、または前記元素を組み合わせた合金膜(代表的にはMo−W合金、Mo−Ta合金)、または前記元素のシリサイド膜(代表的にはタングステンシリサイド膜、チタンシリサイド膜)を用いることができる。 Typically, tantalum (Ta), titanium (Ti), molybdenum (Mo), tungsten (W), chromium (Cr), consisting of an element selected from silicon (Si) film or a nitride film of the element, (typically, a tantalum nitride film, tungsten nitride film, a titanium nitride film), or an alloy film of a combination of the above elements (typically, a Mo-W alloy, Mo-Ta alloy), or a silicide film of the element (representative it can be used tungsten silicide film, titanium silicide film) in manner. 勿論、単層で用いても積層して用いても良い。 Of course, it may be used by laminating be used in a single layer.

本実施例では、50nm厚の窒化タングステン(WN)膜と、350nm厚のタングステン(W)膜とでなる積層膜を用いる。 In this embodiment, a 50nm thick tungsten nitride (WN) film, a laminated film made of a 350nm thick tungsten (W) film is used. これはスパッタ法で形成すれば良い。 This may be formed by a sputtering method. また、スパッタガスとしてXe、Ne等の不活性ガスを添加すると応力による膜はがれを防止することができる。 Further, Xe as a sputtering gas, film due to stress that the addition of inert gas Ne, etc. can prevent peeling.

またこの時、ゲート電極313、316はそれぞれn型不純物領域305、306の一部とゲート絶縁膜311を介して重なるように形成する。 At this time, the gate electrodes 313 and 316 formed so as to respectively overlap through a portion with the gate insulating film 311 of the n-type impurity regions 305 and 306. この重なった部分が後にゲート電極と重なったLDD領域となる。 This overlapping portion later becomes an LDD region overlapping the gate electrode.

次に、図5(A)に示すように、ゲート電極312〜316をマスクとして自己整合的にn型不純物元素(本実施例ではリン)を添加する。 Next, as shown in FIG. 5 (A), adding (phosphorus in this embodiment) self-aligning manner n-type impurity element using the gate electrode 312 to 316 as masks. こうして形成される不純物領域31 Impurity regions 31 thus formed
7〜323にはn型不純物領域305、306の1/2〜1/10(代表的には1/3〜 1 / 2-1 / 10 of the seven to three hundred and twenty-three n-type impurity regions 305 and 306 (typically 1/3
1/4)の濃度でリンが添加されるように調節する。 Adjusted to phosphorus is added at a concentration of 1/4).
具体的には、1×10 16 〜5×10 18 atoms/cm 3 (典型的には3×10 17 〜3×10 18 ato Specifically, 1 × 10 16 ~5 × 10 18 atoms / cm 3 ( typically 3 × 10 17 ~3 × 10 18 ato
ms/cm 3 )の濃度が好ましい。 ms / cm 3 concentration) is preferred.

次に、図5(B)に示すように、ゲート電極等を覆う形でレジストマスク324a〜3 Next, as shown in FIG. 5 (B), resist masks 324a~3 so as to cover the gate electrode and the like
24cを形成し、n型不純物元素(本実施例ではリン)を添加して高濃度にリンを含む不純物領域325〜331を形成する。 24c is formed, (phosphorus in this embodiment) n-type impurity element to form impurity regions 325 to 331 containing phosphorus at a high concentration by the addition of. ここでもフォスフィン(PH 3 )を用いたイオンドープ法で行い、この領域のリンの濃度は1×10 20 〜1×10 21 atoms/cm 3 (代表的には2×10 20 〜5×10 21 atoms/cm 3 )となるように調節する。 Ion doping using any phosphine (PH 3) where the phosphorous concentration of these regions is 1 × 10 20 ~1 × 10 21 atoms / cm 3 ( typically 2 to × 10 20 ~5 × 10 21 atoms / cm 3) and adjusted to be.

この工程によってnチャネル型TFTのソース領域若しくはドレイン領域が形成されるが、スイッチング用TFTでは、図5(A)の工程で形成したn型不純物領域320〜3 A source region or a drain region of n-channel type TFT is formed by this process, the switching TFT, n-type impurity regions formed in the step of FIG. 5 (A) 320~3
22の一部を残す。 Leaving a part of the 22. この残された領域が、図2におけるスイッチング用TFTのLDD領域15a〜15dに対応する。 The remaining regions correspond to the LDD regions 15a~15d of the switching TFT in Fig.

次に、図5(C)に示すように、レジストマスク324a〜324cを除去し、新たにレジストマスク332を形成する。 Next, as shown in FIG. 5 (C), the resist mask 324a~324c is removed, and a new resist mask 332. そして、p型不純物元素(本実施例ではボロン)を添加し、高濃度にボロンを含む不純物領域333、334を形成する。 Then, it was added (boron in this embodiment) p-type impurity element, forming impurity regions 333 and 334 containing boron at a high concentration. ここではジボラン(B Here, diborane (B
26 )を用いたイオンドープ法により3×10 20 〜3×10 21 atoms/cm 3 (代表的には5 2 H 6) by ion doping using 3 × 10 20 ~3 × 10 21 atoms / cm 3 ( typically 5
×10 20 〜1×10 21 atoms/cm 3ノ)濃度となるようにボロンを添加する。 × boron is added so that 10 20 ~1 × 10 21 atoms / cm 3 Bruno) concentration.

なお、不純物領域333、334には既に1×10 20 〜1×10 21 atoms/cm 3の濃度でリンが添加されているが、ここで添加されるボロンはその少なくとも3倍以上の濃度で添加される。 Although already phosphorus at a concentration of 1 × 10 20 ~1 × 10 21 atoms / cm 3 in the impurity regions 333 and 334 are added, boron added here is added at a concentration of at least 3 times It is. そのため、予め形成されていたn型の不純物領域は完全にP型に反転し、P型の不純物領域として機能する。 Therefore, pre-impurity regions formed have a n-type completely inverted to P-type, and functions as a P-type impurity regions.

次に、レジストマスク332を除去した後、それぞれの濃度で添加されたn型またはp Next, after removing the resist mask 332, n-type is added at each concentration or p
型不純物元素を活性化する。 To activate the impurity elements. 活性化手段としては、ファーネスアニール法、レーザーアニール法、またはランプアニール法で行うことができる。 The activation means can be performed by furnace annealing, laser annealing or lamp annealing. 本実施例では電熱炉において窒素雰囲気中、550℃、4時間の熱処理を行う。 In a nitrogen atmosphere in electric furnace in this embodiment, 550 ° C., heat treatment is performed for 4 hours at.

このとき雰囲気中の酸素を極力排除することが重要である。 It is important to oxygen as much as possible the elimination of the atmosphere at this time. なぜならば酸素が少しでも存在していると露呈したゲート電極の表面が酸化され、抵抗の増加を招くと共に後にオーミックコンタクトを取りにくくなるからである。 A surface oxidation of the gate electrode if it oxygen is exposed to be present even slightly because after together leads to increased resistance because less likely to take an ohmic contact. 従って、上記活性化工程における処理雰囲気中の酸素濃度は1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが望ましい。 Therefore, the oxygen concentration in the surrounding atmosphere for the activation process is 1ppm or less, preferably to 0.1ppm or less.

次に、活性化工程が終了したら300nm厚のゲート配線335を形成する。 Next, the activation process to form a 300nm thickness of the gate wiring 335 when finished.
ゲート配線335の材料としては、アルミニウム(Al)又は銅(Cu)を主成分(組成として50〜100%を占める。)とする金属膜を用いれば良い。 As a material of the gate wiring 335, a metallic film may be used for the aluminum (Al) or copper (Cu) as a main component (occupied 50 to 100% by composition.). 配置としては図3のゲート配線211のように、スイッチング用TFTのゲート電極314、315(図3のゲート電極19a、19bに相当する)を電気的に接続するように形成する。 The arrangement as the gate wiring 211 of FIG. 3, formed gate electrodes 314 and 315 of the switching TFT (the gate electrode 19a of FIG. 3, corresponds to 19b) so as to be electrically connected. (図5(D)) (FIG. 5 (D))

このような構造とすることでゲート配線の配線抵抗を非常に小さくすることができるため、面積の大きい画像表示領域(画素部)を形成することができる。 It is possible to very small wiring resistance of the gate wiring by such a structure, it is possible to form a large image display area of ​​the area (pixel portion). 即ち、画面の大きさが対角10インチ以上(さらには30インチ以上)のEL表示装置を実現する上で、本実施例の画素構造は極めて有効である。 That is, on the size of the screen to achieve the EL display device of a 10 inch diagonal or larger (more than 30 inches), the pixel structure of this embodiment is very effective.

次に、図6(A)に示すように、第1層間絶縁膜336を形成する。 Next, as shown in FIG. 6 (A), a first interlayer insulating film 336. 第1層間絶縁膜3 The first interlayer insulating film 3
36としては、珪素を含む絶縁膜を単層で用いるか、その中で組み合わせた積層膜を用いれば良い。 The 36, an insulating film containing silicon is used as a single layer, it may be used a laminated film of a combination therein. また、膜厚は400nm〜1.5μmとすれば良い。 In addition, the film thickness may be set 400nm~1.5μm. 本実施例では、200n In this embodiment, 200n
m厚の窒化酸化珪素膜の上に800nm厚の酸化珪素膜を積層した構造とする。 I m a structure obtained by stacking a silicon oxide film of 800nm ​​thick on the silicon nitride oxide film with a thickness.

さらに、3〜100%の水素を含む雰囲気中で、300〜450℃で1〜12時間の熱処理を行い水素化処理を行う。 Further, in an atmosphere containing 3 to 100% hydrogen, performing hydrogenation heat treatment is performed for 1 to 12 hours at 300 to 450 ° C.. この工程は熱的に励起された水素により半導体膜の不対結合手を水素終端する工程である。 This process is one of hydrogen termination of dangling bonds in the semiconductor film by thermally excited hydrogen. 水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマにより励起された水素を用いる)を行っても良い。 As another means for hydrogenation may be performed Plasma hydrogenation (using hydrogen excited by plasma).

なお、水素化処理は第1層間絶縁膜336を形成する間に入れても良い。 Note that the hydrogenation processing may also be inserted during the formation of the first interlayer insulating film 336. 即ち、200 In other words, 200
nm厚の窒化酸化珪素膜を形成した後で上記のように水素化処理を行い、その後で残り8 nm hydrogen processing may be performed as above after forming the silicon nitride oxide film having a thickness, remaining thereafter 8
00nm厚の酸化珪素膜を形成しても構わない。 00nm may be a silicon oxide film of thickness.

次に、第1層間絶縁膜336に対してコンタクトホールを形成し、ソース配線337〜 Next, a contact hole is formed in the first interlayer insulating film 336, source wiring 337~
340と、ドレイン配線341〜343を形成する。 And 340, a drain interconnection 341 to 343. なお、本実施例ではこの電極を、T In this embodiment the electrodes, T
i膜を100nm、Tiを含むアルミニウム膜を300nm、Ti膜150nmをスパッタ法で連続形成した3層構造の積層膜とする。 The i layer 100 nm, 300 nm aluminum film containing Ti, a stacked film of three-layer structure in which a continuous form Ti film 150nm by sputtering. 勿論、他の導電膜でも良い。 Of course, other conductive films may be used.

次に、50〜500nm(代表的には200〜300nm)の厚さで第1パッシベーション膜344を形成する。 Next, (typically 200- 300nm) 50 to 500 nm to form the first passivation film 344 in a thickness of. 本実施例では第1パッシベーション膜344として300nm In this embodiment 300nm as the first passivation film 344
厚の窒化酸化珪素膜を用いる。 A silicon nitride oxide film with a thickness. これは窒化珪素膜で代用しても良い。 This may also be substituted by a silicon nitride film. 勿論、図2の第1パッシベーション膜41と同様の材料を用いることが可能である。 Of course, it is possible to use the same material as the first passivation film 41 of FIG.

なお、窒化酸化珪素膜の形成に先立ってH 2 、NH 3等水素を含むガスを用いてプラズマ処理を行うことは有効である。 Note that it is effective to perform plasma processing using a gas containing H 2, NH 3, etc. hydrogen prior to the formation of the silicon nitride oxide film. この前処理により励起された水素が第1層間絶縁膜336 Hydrogen excited by this pre-treatment is first interlayer insulating film 336
に供給され、熱処理を行うことで、第1パッシベーション膜344の膜質が改善される。 Is fed to, by performing heat treatment, the film quality of the first passivation film 344 is improved.
それと同時に、第1層間絶縁膜336に添加された水素が下層側に拡散するため、効果的に活性層を水素化することができる。 At the same time, the hydrogen added to the first interlayer insulating film 336 diffuses to the lower side, effectively active layers can be hydrogenated.

次に、図6(B)に示すように有機樹脂からなる第2層間絶縁膜345を形成する。 Next, a second interlayer insulating film 345 made of organic resin as shown in FIG. 6 (B). 有機樹脂としてはポリイミド、ポリアミド、アクリル、BCB(ベンゾシクロブテン)等を使用することができる。 As the organic resin, it is possible to use polyimide, polyamide, acryl, BCB (benzocyclobutene) or the like. 特に、第2層間絶縁膜345は平坦化の意味合いが強いので、平坦性に優れたアクリルが好ましい。 In particular, since the second interlayer insulating film 345 has a strong sense of leveling, acryl is preferable which is excellent in flatness. 本実施例ではTFTによって形成される段差を十分に平坦化しうる膜厚でアクリル膜を形成する。 Forming an acrylic film with a film thickness sufficient to level a step difference formed by the TFT in the present embodiment.
好ましくは1〜5μm(さらに好ましくは2〜4μm)とすれば良い。 Preferably it may be a 1 to 5 [mu] m (more preferably 2-4 [mu] m).

次に、第2層間絶縁膜345及び第1パッシベーション膜344にドレイン配線343 Then, the drain wire in the second interlayer insulating film 345 and the first passivation film 344 343
に達するコンタクトホールを形成し、画素電極346を形成する。 A contact hole is formed to reach to form the pixel electrode 346. 本実施例では画素電極346として300nm厚のアルミニウム合金膜(1wt%のチタンを含有したアルミニウム膜)を形成する。 To form a (aluminum film containing 1 wt% titanium) 300 nm thick aluminum alloy film as the pixel electrode 346 in the present embodiment. なお、347は隣接する画素電極の端部である。 Note that 347 is an end portion of the adjacent pixel electrodes.

次に、図6(C)に示すように、アルカリ化合物348を形成する。 Next, as shown in FIG. 6 (C), to form an alkaline compound 348. 本実施例ではフッ化リチウム膜を5nmの厚さを狙って蒸着法により形成する。 In this embodiment, formed by evaporation aiming a thickness of 5nm lithium fluoride film. そして、その上に100n Then, 100n on it
m厚のEL層349をスピンコート法により形成する。 The EL layer 349 m thick is formed by spin coating.

本実施例では、白色発光を示すポリマー系有機物質として、特開平8−96959号公報または特開平9−63770号公報に記載された材料を用いる。 In this embodiment, as the polymer organic material showing white light emission, a material described in JP-A-8-96959 discloses or Hei 9-63770. 例えば、1,2−ジクロロメタンに、PVK(ポリビニルカルバゾール)、Bu−PBD(2−(4'−tert− For example, the 1,2-dichloromethane, PVK (polyvinyl carbazole), Bu-PBD (2- (4'-tert-
ブチルフェニル)−5−(4''−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)、クマリン6、DCM1(4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−p−ジメチルアミノスチリル−4H−ピラン)、TPB(テトラフェニルブタジエン)、ナイルレッドを溶解したものを用いれば良い。 Butylphenyl) -5- (4 '' - biphenyl) -1,3,4-oxadiazole), coumarin 6, DCM1 (4-dicyanomethylene-2-methyl -6-p-dimethylaminostyryl -4H- pyran ), TPB (tetra phenyl butadiene), may be used a solution obtained by dissolving Nile Red.

なお、本実施例ではEL層349を上記発光層のみの単層構造とするが、必要に応じて電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層もしくは正孔素子層を設けても良い。 Incidentally, the EL layer 349 in this embodiment is a single-layer structure of only the light emitting layer, an electron injection layer as required, an electron transport layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron blocking layer or hole it may be provided with a device layer.

次に、EL層349を覆って200nm厚の透明導電膜でなる陽極350を形成する。 Next, to form the anode 350 made of a transparent conductive film of 200nm thickness over the EL layer 349.
本実施例では酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物からなる膜を蒸着法により形成し、パターニングを行って陽極とする。 In this embodiment a film made of a compound of indium oxide and zinc is formed by vapor deposition to form an anode by patterning.

最後に、プラズマCVD法により窒化珪素膜でなる第2パッシベーション膜351を1 Finally, a second passivation film 351 made of a silicon nitride film by a plasma CVD method 1
00nmの厚さに形成する。 It is formed to a thickness of 00nm. この第2パッシベーション膜351はEL層349を水分等から保護する。 The second passivation film 351 protects the EL layer 349 from moisture or the like. また、EL層349で発生した熱を逃がす役割も果たす。 In addition, also serves to dissipate the heat generated in the EL layer 349. 放熱効果をさらに高めるために、窒化珪素膜と炭素膜(好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜)を積層して第2パッシベーション膜とすることも有効である。 To further enhance the heat dissipation effect, the silicon nitride film and a carbon film (preferably a diamond like carbon film) is also effective as the second passivation film by laminating.

こうして図6(C)に示すような構造のアクティブマトリクス型EL表示装置が完成する。 Thus the active matrix type EL display device having a structure as shown in FIG. 6 (C) is completed. ところで、本実施例のアクティブマトリクス型EL表示装置は、画素部だけでなく駆動回路部にも最適な構造のTFTを配置することにより、非常に高い信頼性を示し、動作特性も向上しうる。 Meanwhile, active matrix EL display device of this embodiment, by arranging the TFT optimal structures in a driving circuit portion as well the pixel portion, a very high reliability and improved operating characteristics.

まず、極力動作速度を落とさないようにホットキャリア注入を低減させる構造を有するTFTを、駆動回路を形成するCMOS回路のnチャネル型TFT205として用いる。 First, a TFT having a structure to decrease hot carrier injection so as not to drop as much as possible operating speed is used as an n-channel type TFT205 of a CMOS circuit forming a driving circuit.
なお、ここでいう駆動回路としては、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、サンプリング回路(サンプル及びホールド回路)などが含まれる。 Note that the driver circuit here includes a shift register, a buffer, a level shifter, a sampling circuit (sample and hold circuit) and the like. デジタル駆動を行う場合には、D/Aコンバータなどの信号変換回路も含まれうる。 When performing digital driving, it may also include a signal conversion circuit such as a D / A converter.

本実施例の場合、図6(C)に示すように、nチャネル型205の活性層は、ソース領域355、ドレイン領域356、LDD領域357及びチャネル形成領域358を含み、 In this embodiment, as shown in FIG. 6 (C), the active layer of the n-channel type 205 includes a source region 355, drain region 356, LDD regions 357 and a channel forming region 358,
LDD領域357はゲート絶縁膜311を介してゲート電極313と重なっている。 The LDD region 357 overlaps with the gate electrode 313 through the gate insulating film 311.

ドレイン領域側のみにLDD領域を形成しているのは、動作速度を落とさないための配慮である。 What form the LDD region on only the drain region side is a consideration for not to drop the operation speed. また、このnチャネル型TFT205はオフ電流値をあまり気にする必要はなく、それよりも動作速度を重視した方が良い。 In addition, the n-channel type TFT205 does not need to worry too much about the off current value, it is better to focus on the operating speed than that. 従って、LDD領域357は完全にゲート電極に重ねてしまい、極力抵抗成分を少なくすることが望ましい。 Thus, LDD region 357 is made to completely overlap the gate electrode, it is desirable to decrease a resistance component to a minimum. 即ち、いわゆるオフセットはなくした方がよい。 In other words, the so-called offset is better to without.

また、CMOS回路のpチャネル型TFT206は、ホットキャリア注入による劣化が殆ど気にならないので、特にLDD領域を設けなくても良い。 Further, p-channel type TFT206 the CMOS circuit, since deterioration due to hot carrier injection is not much need to worry about, it is not particularly provided with an LDD region. 勿論、nチャネル型TFT Of course, n-channel type TFT
205と同様にLDD領域を設け、ホットキャリア対策を講じることも可能である。 Similarly provided with an LDD region and 205, it is also possible to take action against hot carriers.

なお、駆動回路の中でもサンプリング回路は他の回路と比べて少し特殊であり、チャネル形成領域を双方向に大電流が流れる。 Incidentally, a sampling circuit among driving circuits is somewhat special when compared with other circuits, a large current flows in both directions in the channel forming region. 即ち、ソース領域とドレイン領域の役割が入れ替わるのである。 That is, the interchanged the roles of the source region and the drain region. さらに、オフ電流値を極力低く抑える必要があり、そういった意味でスイッチング用TFTと電流制御用TFTの中間程度の機能を有するTFTを配置することが望ましい。 Furthermore, it is necessary to suppress the off current value as low as possible, it is desirable to dispose a TFT having an approximately intermediate function of the switching TFT and the current controlling TFT in this sense.

従って、サンプリング回路を形成するnチャネル型TFTは、図10に示すような構造のTFTを配置することが望ましい。 Thus, n-channel TFT forming the sampling circuit, it is desirable to dispose a TFT having a structure as shown in FIG. 10. 図10に示すように、LDD領域901a、901b As shown in FIG. 10, LDD regions 901a, 901b
の一部がゲート絶縁膜902を介してゲート電極903と重なる。 Some of the overlaps with the gate electrode 903 through the gate insulating film 902. この効果は電流制御用TFT202の説明で述べた通りであり、サンプリング回路の場合はチャネル形成領域9 This effect is as stated in the explanation of the current controlling TFT 202, in the case of the sampling circuit channel forming region 9
04を挟む形で設ける点が異なる。 04 points provided is different in a way that both sides of the.

なお、実際には図6(C)まで完成したら、図1、図2で説明したように遮光膜を有する対向基板を用いてEL層を密閉空間に封入する。 Note that device reaching actually FIG. 6 (C), encapsulating the EL layer in the closed space by using the counter substrate having a light shielding film as described in FIG. 1, FIG. その際、密閉空間の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料(例えば酸化バリウム)を配置することでEL層の信頼性(寿命)が向上する。 At that time, the inside of the enclosed space or in an inert atmosphere, thereby improving the reliability of the EL layer (life) is by placing a hygroscopic material (e.g., barium oxide) therein. このEL層の封入処理は、液晶表示装置のセル組み工程に用いられる技術を転用しても良い。 Encapsulation process of the EL layer may be diverted to techniques employed cell assembling process of a liquid crystal display device.

また、EL層の封入処理が完了したら、基板上に形成された素子又は回路から引き回された端子と外部信号端子とを接続するためのコネクター(フレキシブルプリントサーキット:FPC)を取り付けて製品として完成する。 Moreover, when encapsulating process of the EL layer is completed, a connector for connecting terminals led from elements or circuits formed on the substrate and external signal terminals (flexible printed circuit: FPC) is attached to complete a product to.

ここで本実施例のアクティブマトリクス型EL表示装置の構成を図7の斜視図を用いて説明する。 Here the structure of an active matrix type EL display device of this embodiment is explained using the perspective view of FIG. 本実施例のアクティブマトリクス型EL表示装置は、ガラス基板601上に形成された、画素部602と、ゲート側駆動回路603と、ソース側駆動回路604で構成される。 The active matrix type EL display device of this example was formed on a glass substrate 601, a pixel portion 602, a gate side driver circuit 603, and a source side driver circuit 604. 画素部のスイッチング用TFT605はnチャネル型TFTであり、ゲート側駆動回路603に接続されたゲート配線606、ソース側駆動回路604に接続されたソース配線607の交点に配置されている。 Switching TFT605 pixel portion is an n-channel TFT, a gate wiring 606 connected to the gate side driver circuit 603, is disposed at the intersection of the source line 607 connected to the source side driver circuit 604. また、スイッチング用TFT605のドレインは電流制御用TFT608のゲートに接続されている。 The drain of the switching TFT TFT605 is connected to the gate of the current control TFT 608.

さらに、電流制御用TFT606のソース側は電源供給線609に接続される。 Further, the source side of the current control TFT606 is connected to the power supply line 609. 本実施例のような構造では、電源供給線609は、EL素子610のソースに接続され、また、 The structure of this embodiment, the power supply line 609 is connected to the source of the EL element 610, also,
電流制御用TFT608のドレインにはEL素子610が接続されている。 The drain of the current control TFT 608 EL element 610 is connected.

電流制御用TFT608がnチャネル型TFTである場合、ドレインにEL素子610 If the current control TFT608 is an n-channel type TFT, EL element 610 to the drain
の陰極が電気的に接続される。 Cathode are electrically connected. また、電流制御用TFT608がpチャネル型TFTである場合、ドレインにEL素子610の陽極が電気的に接続される。 Further, the current control TFT608 be a p-channel TFT, and an anode of the EL element 610 is electrically connected to the drain.

そして、外部入出力端子となるFPC611には駆動回路まで信号を伝達するための接続配線(接続配線)612、613、及び電源供給線609に接続された接続配線614 The connection wiring for transmitting signals to the driving circuit in FPC611 serving as an external input-output terminal (connection wirings) 612 and 613 connected to the connection wiring, and the power supply line 609 614
が設けられている。 It is provided.

また、図7に示したEL表示装置の回路構成の一例を図8に示す。 Further, Fig. 8 shows an example of a circuit configuration of the EL display device shown in FIG. 本実施例のEL表示装置は、ソース側駆動回路701、ゲート側駆動回路(A)707、ゲート側駆動回路( EL display device of this embodiment includes a source side driver circuit 701, a gate side driving circuit (A) 707, a gate side driving circuit (
B)711、画素部706を有している。 B) 711, and a pixel portion 706. なお、本明細書中において、駆動回路とはソース側処理回路およびゲート側駆動回路を含めた総称である。 In this specification, the driver circuit is a generic term including the source side processing circuit and the gate side driver circuit.

ソース側駆動回路701は、シフトレジスタ702、レベルシフタ703、バッファ7 The source side driver circuit 701 includes a shift register 702, a level shifter 703, a buffer 7
04、サンプリング回路(サンプル及びホールド回路)705を備えている。 04, and a sampling circuit (sample and hold circuit) 705. また、ゲート側駆動回路(A)707は、シフトレジスタ708、レベルシフタ709、バッファ7 Further, the gate side driver circuit (A) 707 includes a shift register 708, a level shifter 709, a buffer 7
10を備えている。 It is equipped with a 10. ゲート側駆動回路(B)711も同様な構成である。 Gate side driver circuit (B) 711 has a similar structure.

ここでシフトレジスタ702、708は駆動電圧が5〜16V(代表的には10V)であり、回路を形成するCMOS回路に使われるnチャネル型TFTは図6(C)の205 Here the shift register 702, 708 is a drive voltage is 5~16V (typically 10V is), n-channel type TFT used in a CMOS circuit forming the circuit of FIG. 6 (C) 205
で示される構造が適している。 In shown the structure is suitable.

また、レベルシフタ703、709、バッファ704、710はシフトレジスタと同様に、図6(C)のnチャネル型TFT205を含むCMOS回路が適している。 Also, the level shifters 703,709, buffers 704 and 710 are similar to the shift register, the CMOS circuit including the n-channel type TFT205 shown in FIG. 6 (C) are suitable. なお、ゲート配線をダブルゲート構造、トリプルゲート構造といったマルチゲート構造とすることは、各回路の信頼性を向上させる上で有効である。 Note that it is effective in improving the reliability of each circuit to the gate line double gate structure, a multi-gate structure such as triple gate structure.

また、サンプリング回路705はソース領域とドレイン領域が反転する上、オフ電流値を低減する必要があるので、図10のnチャネル型TFT208を含むCMOS回路が適している。 The sampling circuit 705 on the source region and the drain region are inverted and it is necessary to reduce the off current value, it is CMOS circuit including the n-channel type TFT208 in FIG. 10 are suitable.

また、画素部706は図2に示した構造の画素を配置する。 The pixel portion 706 to place the pixel having the structure shown in FIG.

なお、上記構成は、図4〜6に示した作製工程に従ってTFTを作製することによって容易に実現することができる。 The above structure can be easily realized by manufacturing a TFT in accordance with the manufacturing steps shown in FIGS. 4-6. また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の作製工程に従えば、その他にも信号分割回路、D/Aコンバータ回路、 Although this embodiment shows only the configuration of the drive circuit pixel unit, according to the manufacturing steps of this embodiment, a signal division circuit, D / A converter circuit,
オペアンプ回路、γ補正回路など駆動回路以外の論理回路を同一基板上に形成することが可能であり、さらにはメモリ部やマイクロプロセッサ等を形成しうると考えている。 Operational amplifier circuit, it is possible to form a logical circuit other than the driving circuit, such as on the same substrate γ correction circuit, further believes can form the memory portion, a microprocessor, or the like.

さらに、本実施例のEL表示装置について図11(A)、(B)を用いて説明する。 Furthermore, the EL display device of this embodiment FIG. 11 (A), the will be described with reference to (B). なお、必要に応じて図7、図8で用いた符号を引用することにする。 Note that to reference 7 as needed, the numerals used in FIG.

基板(TFTの下の下地膜を含む)1000はアクティブマトリクス基板であり、基板上に画素部1001、ソース側駆動回路1002、ゲート側駆動回路1003が形成されている。 Substrate (including a base film below the TFT) 1000 is an active matrix substrate, a pixel portion 1001 on the substrate, the source side driver circuit 1002, a gate side driving circuit 1003 are formed. それぞれの駆動回路からの各種配線は、接続配線612〜614を経てFPC6 Various wirings from the respective driver circuits, via connection wires 612 to 614 FPC 6
11に至り外部機器へと接続される。 It is connected to external equipment lead to 11.

このとき少なくとも画素部、好ましくは駆動回路及び画素部を囲むようにして対向基板1004を設ける。 At least the pixel portion at this time, preferably provided with a counter substrate 1004 so as to surround the driving circuit and the pixel portion. なお、対向基板1004は接着剤(シール剤)1005によって、アクティブマトリクス基板1000と共同して密閉空間1006を形成するように接着される。 The counter substrate 1004 by an adhesive (sealing agent) 1005, is bonded so as to form a sealed space 1006 in cooperation with the active matrix substrate 1000. このとき、EL素子は完全に前記密閉空間1006に封入された状態となり、外気から遮断される。 At this time, EL element is in a state of being completely sealed in the closed space 1006 and shut off from the outside air.

また、本実施例では接着剤1005として光硬化性のエポキシ系樹脂を用いるが、アクリレート系樹脂等の接着剤を用いることも可能である。 Further, in this embodiment uses a light-curable epoxy resin as an adhesive 1005, it is also possible to use an adhesive such as acrylate resin. また、EL層の耐熱性が許せば熱硬化性樹脂を用いることもできる。 It is also possible to use a thermosetting resin permitting the heat resistance of the EL layer. 但し、可能な限り酸素、水分を透過しない材質であることが必要である。 However, it is necessary that a material that does not transmit oxygen and water as much as possible. 接着剤1005はディスペンサー等の塗布装置を用いて形成すれば良い。 The adhesive 1005 may be formed by using a coating apparatus such as a dispenser.

さらに、本実施例では対向基板1004とアクティブマトリクス基板1000との間の密閉空間1006には窒素ガスを充填しておく。 Furthermore, the closed space 1006 between the counter substrate 1004 and the active matrix substrate 1000 in this embodiment is kept filled with nitrogen gas. さらに、対向基板1004の内側(密閉空間側)には図1、図2で説明したように遮光膜1007及びカラーフィルター1008 Furthermore, Figure 1 is the inner (enclosed space side) of the counter substrate 1004, the light-shielding as explained in FIG. 2 film 1007 and a color filter 1008
が設けられており、本実施例では遮光膜1007として酸化バリウムと黒色の顔料を含有させた樹脂膜を、カラーフィルター1008として赤色、緑色または青色の顔料を含有させた樹脂膜を用いている。 Is provided, the resin film containing the pigment of barium oxide and a black as a light-shielding film 1007 in this embodiment, is used as a color filter 1008 red, resin film containing green or blue pigment.

また、図11(B)に示すように、画素部には個々に孤立したEL素子を有する複数の画素が設けられ、それらは全て陽極1009を共通電極としている。 Further, as shown in FIG. 11 (B), the pixel portion a plurality of pixels is provided with an EL element isolated individually, they are a common electrode of all anode 1009. このとき、EL層は画素部のみ設ければよく、駆動回路の上に設ける必要はない。 At this time, EL layer may be provided only the pixel portion need not be provided on the drive circuit.
EL層を選択的に設けるには、シャドーマスクを用いた蒸着法、リフトオフ法、ドライエッチング法もしくはレーザースクライブ法を用いれば良い。 To the EL layer selectively provided, an evaporation method using a shadow mask, a lift-off method may be used a dry etching method or a laser scribing method.

陽極1009は、接続配線1010に電気的に接続される。 The anode 1009 is electrically connected to the connection wiring 1010. 接続配線1010は陽極1 The connection wiring 1010 anode 1
009に所定の電圧を与えるための電源供給線であり、導電性ペースト材料1011を介してFPC611に電気的に接続される。 009 to a power supply line for supplying a predetermined voltage and is electrically connected to FPC611 through a conductive paste material 1011. なお、ここでは接続配線1010について説明したが、他の接続配線612〜614も同様にしてFPC611に電気的に接続される。 Note that, although described connection wiring 1010 is electrically connected to FPC611 in the other connection wirings 612 to 614 as well.

以上説明したような図11に示す状態は、FPC611を外部機器の端子に接続することで画素部に画像を表示することができる。 Above-described such a state shown in FIG. 11, it is possible to display an image on the pixel portion by connecting the FPC611 to an external device pins. 本明細書中では、FPCを取り付けることで画像表示が可能な状態となる物品、即ち、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせた物品(FPCが取り付けられている状態を含む)をEL表示装置と定義している。 In this specification, an article comprising an image display capable state by mounting the FPC, i.e., EL display devices articles bonding the active matrix substrate and the counter substrate (a state in which an FPC is attached) It is defined as.

本実施例では、画素の構成を図3(B)に示した構成と異なるものとした例を図12に示す。 In this embodiment, an example in which a structure different from that shown the configuration of the pixel in FIG. 3 (B) in FIG. 12. 本実施例では、図3(B)に示した二つの画素を、接地電位を与えるための電源供給線212について対称となるように配置する。 In this embodiment, two pixels shown in FIG. 3 (B), arranged to be symmetrical about the power supply line 212 for providing a ground potential. 即ち、図12に示すように、電源供給線213を隣接する二つの画素間で共通化することで、必要とする配線の本数を低減することができる。 That is, as shown in FIG. 12, by common between two pixels adjacent the power supply line 213, it is possible to reduce the number of wiring required. なお、画素内に配置されるTFT構造等はそのままで良い。 Incidentally, TFT structure or the like arranged in the pixel may be intact.

このような構成とすれば、より高精細な画素部を作製することが可能となり、画像の品質が向上する。 In such a configuration, it is possible to produce a higher-definition pixel portion, the quality of the image is improved.

なお、本実施例の構成は実施例1の作製工程に従って容易に実現可能であり、TFT構造等に関しては実施例1や図2の説明を参照すれば良い。 Incidentally, the structure of this embodiment is readily realized in accordance with the manufacturing steps of the embodiment 1, the description of Embodiment 1 and FIG. 2 for a TFT structure or the like.

実施例1、2ではトップゲート型TFTの場合について説明したが、本願発明はTFT Has been described for the case of a top gate type TFT in Examples 1 and 2, the present invention is TFT
構造に限定されるものではないので、ボトムゲート型TFT(代表的には逆スタガ型TF Because it is not limited to the structure, a bottom gate type TFT (typically, inverted stagger type TF
T)を用いて実施しても構わない。 It may be carried out using the T). また、逆スタガ型TFTは如何なる手段で形成されたものでも良い。 Further, inverted stagger type TFT may be one formed by any means.

逆スタガ型TFTは工程数がトップゲート型TFTよりも少なくし易い構造であるため、本願発明の課題である製造コストの低減には非常に有利である。 Reverse stagger type TFT is because the number of steps is liable structure less than the top gate type TFT, and is very advantageous in reducing the problems in that the manufacturing cost of the present invention. なお、本実施例の構成は、実施例2、3のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能である。 The constitution of this embodiment can be freely combined with any structure described in Embodiments 2 and 3.

図3(B)ではEL表示装置の画素においてスイッチング用TFTをマルチゲート構造とすることによりスイッチング用TFTのオフ電流値を低減し、保持容量の必要性を排除している。 Reducing the off current value of the switching TFT by the switching TFT and the multi-gate structure in the pixel shown in FIG. 3 (B) In the EL display device, eliminating the need of the storage capacitor. しかしながら、従来通りに保持容量を設ける構造としても構わない。 However, it may be a structure in which a storage capacitor in a conventional manner. その場合、図14に示すように、スイッチング用TFT201のドレインに対して電流制御用TF In that case, as shown in FIG. 14, TF current control with respect to the drain of the switching TFT201
T202のゲートと並列に保持容量1301を形成することになる。 It will form a storage capacitor 1301 in parallel with the gate of T202.

なお、本実施例の構成は、実施例1〜3のいずれの構成とも自由に組み合わせることができる。 The constitution of this embodiment can be freely combined with any structure of Examples 1 to 3. 即ち、画素内に保持容量が設けられるだけであって、TFT構造やEL層の材料等に限定を加えるものではない。 That is, merely storage capacitor is provided in a pixel, not intended to be limited to the materials of the TFT structure or EL layer.

実施例1では、結晶質珪素膜302の形成手段としてレーザー結晶化を用いているが、 In the first embodiment, although a laser crystallization as means for forming the crystalline silicon film 302,
本実施例では異なる結晶化手段を用いる場合について説明する。 In this embodiment illustrates the case of using a different crystallization unit.

本実施例では、非晶質珪素膜を形成した後、特開平7−130652号公報に記載された技術を用いて結晶化を行う。 In this embodiment, after forming the amorphous silicon film, crystallization is performed using the technique described in JP-A-7-130652. 同公報に記載された技術は、結晶化を促進(助長)する触媒として、ニッケル等の元素を用い、結晶性の高い結晶質珪素膜を得る技術である。 Technique described in this publication, as a catalyst for promoting crystallization (facilitator), using an element such as nickel, it is a technique to obtain a highly crystalline crystalline silicon film.

また、結晶化工程が終了した後で、結晶化に用いた触媒を除去する工程を行っても良い。 Further, after the crystallization process is completed, it may be performed a step of removing the catalyst used in crystallization. その場合、特開平10−270363号若しくは特開平8−330602号に記載された技術により触媒をゲッタリングすれば良い。 In that case, it is sufficient gettering a catalyst by the technique described in JP-A-10-270363 or JP-A-8-330602.

また、本出願人による特願平11−076967の出願明細書に記載された技術を用いてTFTを形成しても良い。 It is also possible to form a TFT using the techniques described in application specification of Japanese Patent Application No. 11-076967 by the present applicant.

以上のように、実施例1に示した作製工程は一実施例であって、図2又は実施例1の図6(C)の構造が実現できるのであれば、他の作製工程を用いても問題はない。 As described above, the manufacturing process shown in Embodiment 1 are merely examples, as long as the structure shown in FIG. 6 (C) of FIG. 2 or Example 1 can be achieved, even when using other manufacturing process No problem.

なお、本実施例の構成は、実施例1〜4のいずれの構成とも自由に組み合わせることが可能である。 The constitution of this embodiment can be freely combined with any structure described in Embodiments 1-4.

本願発明のEL表示装置を駆動するにあたって、画像信号としてアナログ信号を用いたアナログ駆動を行うこともできるし、デジタル信号を用いたデジタル駆動を行うこともできる。 In driving the EL display device of the present invention, it can either be performed analog driving using an analog signal as an image signal, can be performed digital driving using a digital signal.

アナログ駆動を行う場合、スイッチング用TFTのソース配線にはアナログ信号が送られ、その階調情報を含んだアナログ信号が電流制御用TFTのゲート電圧となる。 When performing analog driving, an analog signal is sent to a source wiring of a switching TFT, and the analog signal containing the gradation information becomes a gate voltage of the current controlling TFT. そして、電流制御用TFTでEL素子に流れる電流を制御し、EL素子の発光強度を制御して階調表示を行う。 Then, by controlling the current flowing in the current controlling TFT to the EL element performs gradation display by controlling the luminous intensity of the EL element.

一方、デジタル駆動を行う場合、アナログ的な階調表示とは異なり、時分割駆動と呼ばれる階調表示を行う。 On the other hand, when performing digital drive, unlike analog gradation display performs gradation display referred to as time-division driving. 即ち、発光時間の長さを調節することで、視覚的に色階調が変化しているように見せる。 That is, by adjusting the length of the emission time, appear as visually color gradation is changed.

EL素子は液晶素子に比べて非常に応答速度が速いため、高速で駆動することが可能である。 EL element for very high speed response in comparison to a liquid crystal element, it is possible to drive at a high speed. そのため、1フレームを複数のサブフレームに分割して階調表示を行う時分割駆動に適した素子であると言える。 Therefore, it can be said that by dividing one frame into a plurality of sub-frames is a device suitable for time division driving of performing gradation display.

このように、本願発明は素子構造に関する技術であるので、駆動方法は如何なるものであっても構わない。 Thus, since the present invention is a technique related to the element structure, a driving method may be any one.

EL表示装置は自発光により画像表示を行うため、バックライトを必要としない。 Since the EL display device for displaying an image by self-emitting and does not require a backlight. また、反射型液晶表示装置は屋外の光を用いて画像表示を行える点に特徴があるが、暗い所では明るさが足りずに結局バックライトが必要となる。 The reflection type liquid crystal display device is is characterized in that perform image display by using the outdoor light, it is necessary to eventually backlight insufficient brightness in a dark place. その点、EL表示装置は暗い所であっても自発光型であるから何ら問題はない。 That point, EL display devices are no problem because it is self-luminous even dark.

しかしながら、実際にEL表示装置を表示部とする電子装置を屋外で使う場合、当然暗い所で見る場合も明るい所で見る場合もある。 However, in practice when using the electronic device to display the EL display device outdoors, it may be viewed at brighter when viewed at naturally dark. このとき、暗い所ではさほど輝度が高くなくても十分に認識できるが、明るい所では輝度が高くないと認識できない場合がありうる。 At this time, although less can be sufficiently recognized even if no high brightness in a dark place, can may not recognize that there is no high luminance in a bright place.

EL層の発光は流す電流量によって変化するため、輝度を高くするには流す電流も増え、それに応じて消費電力も増してしまう。 To change the amount of current emission flow of EL layer, even more current to flow to increase the luminance, thereby also increasing the power consumption accordingly. しかし、発光輝度をそのような高いレベルに合わせてしまうと、暗い所では消費電力ばかり大きくで必要以上に明るい表示となってしまうことになる。 However, if the combined emission luminance to such a high level, so that becomes brighter display than necessary large and only power consumption in a dark place.

そのような場合に備えて、本願発明のEL表示装置には、外部の明るさをセンサーで感知して、明るさの程度に応じてEL層の発光輝度を変える機能を持たせることが望ましい。 For such a case, the EL display device of the present invention, by sensing the external brightness in the sensor, which has the function of changing the light emission luminance of the EL layer according to the degree of brightness desired. 即ち、明るい所では発光輝度を高くし、暗い所では発光輝度を低くして消費電力の増加を防ぐ。 That is, in a bright place by increasing the light emission luminance, prevents an increase in power consumption by reducing the emission luminance in a dark place. その結果、本願発明のEL表示装置の消費電力を低減することが可能となる。 As a result, it is possible to reduce the power consumption of the EL display device of the present invention.

なお、外部の明るさを感知するセンサーとしては、CMOSセンサーやCCD等を用いることができる。 As the sensor for sensing the external brightness, it is possible to use CMOS sensor or a CCD. CMOSセンサーは公知の技術を用いてEL表示装置の駆動回路や画素部と同一の基板上に形成すれば良い。 CMOS sensor may be formed in the driver circuit and the pixel portion and the same substrate of an EL display device using known techniques. また、CCDを形成した半導体チップをEL表示装置に貼り付けても良いし、EL表示装置を表示部として用いた電子装置の一部にCCDやCMOSセンサーを設ける構成としても構わない。 Further, to the semiconductor chip having a CCD may be attached to the EL display device, it may be provided with a CCD or CMOS sensor in a part of an electronic device using an EL display device as a display unit.

こうして外部の明るさを感知するセンサーによって得られた信号に応じて、EL層に流す電流を変えるための回路を設け、それにより外部の明るさに応じてEL層の発光輝度を調節しうる。 Thus in accordance with an external signal obtained by the sensor for sensing the brightness, the circuit for changing the current supplied to the EL layer provided, thereby capable of modulating light emission brightness of the EL layer according to an external brightness.

なお、本実施例の構成は、実施例1〜6のいずれの構成とも自由に組み合わせて実施することが可能である。 The constitution of this embodiment can be freely implemented in combination of any structures of Examples 1-6.

本願発明を実施して形成されたEL表示装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。 EL display device of the present invention formed by implementing the superior visibility in bright locations in comparison to a liquid crystal display device because it is a self-luminous type, moreover viewing angle is wide. 従って、様々な電子装置の表示部として用いることができる。 Accordingly, it can be used as a display portion of various electronic devices. 例えば、TV放送等を大画面で鑑賞するには対角30インチ以上(典型的には40インチ以上)のELディスプレイ(EL表示装置を筐体に組み込んだディスプレイ)の表示部として本願発明のEL表示装置を用いるとよい。 For example, EL of the present invention TV broadcast or the like as a display portion of a diagonal 30 inches or more to watch a large screen EL display (typically 40 inches or more in) (display incorporating the EL display device in the housing) preferably used display device.

なお、ELディスプレイには、パソコン用ディスプレイ、TV放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれる。 It is to be noted that the EL display, a personal computer for display, TV broadcast reception display, includes all of the information display for the display of such advertising display for display. また、その他にも様々な電子装置の表示部として本願発明のEL表示装置を用いることができる。 Further, Besides it is possible to use the EL display device of the present invention as a display portion of various electronic devices.

その様な電子装置としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、カーナビゲーションシステム、カーオーディオ、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはコンパクトディスク(CD)、レーザーディスク(LD)又はデジタルビデオディスク( As such electronic devices, video camera, digital camera, a goggle-type display (head mounted display), a car navigation system, car audio, a notebook personal computer, a game machine, a portable information terminal (mobile computer, mobile phone, portable game machine, or an electronic book), an image reproducing device provided with a recording medium (compact disc (CD specifically), laser disc (LD) or digital video disks (
DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。 Reproduce a recording medium DVD) or the like, having a display that can display the image), and the like. 特に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、EL表示装置を用いることが望ましい。 In particular, because portable information terminals are often viewed from a diagonal direction is required to have a wide viewing angle is important, it is preferable to use an EL display device. それら電子装置の具体例を図14に示す。 Specific examples of these electronic devices are shown in FIG. 14.

図14(A)はELディスプレイであり、筐体2001、支持台2002、表示部20 Figure 14 (A) is an EL display, a casing 2001, a support 2002, a display portion 20
03等を含む。 Including the 03 or the like. 本願発明は表示部2003に用いることができる。 The present invention can be used in the display portion 2003. ELディスプレイは自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすることができる。 EL display requires no backlight because it is of a self-emission type, it can make a thinner display unit than liquid crystal display.

図14(B)はビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部21 Figure 14 (B) shows a video camera including a main body 2101, a display portion 2102, an audio input portion 21
03、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。 03, operation switch 2104, a battery 2105, an image receiving portion 2106, and the like. 本願発明のEL表示装置は表示部2102に用いることができる。 EL display device of the present invention can be applied to the display portion 2102.

図14(C)は頭部取り付け型のELディスプレイの一部(右片側)であり、本体22 Figure 14 (C) is part of the EL display of head-mounted (right side), the main body 22
01、信号ケーブル2202、頭部固定バンド2203、表示部2204、光学系220 01, a signal cable 2202, a head fixing band 2203, a display portion 2204, an optical system 220
5、EL表示装置2206等を含む。 5, including the EL display device 2206, and the like. 本願発明はEL表示装置2206に用いることができる。 The present invention can be used as the EL display device 2206.

図14(D)は記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDVD再生装置) Figure 14 (D) an image reproducing device provided with a recording medium (specifically, a DVD playback device)
であり、本体2301、記録媒体(CD、LDまたはDVD等)2302、操作スイッチ2303、表示部(a)2304、表示部(b)2305等を含む。 , And the containing body 2301, recording medium (CD, LD, DVD, or the like) 2302, operation switches 2303, a display portion (a) 2304, a display portion (b) 2305, or the like. 表示部(a)は主として画像情報を表示し、表示部(b)は主として文字情報を表示するが、本願発明のEL Display unit (a) mainly displays image information, display unit (b) mainly displays character information, EL of the present invention
表示装置はこれら表示部(a)、(b)に用いることができる。 The display of these display section (a), it is possible to use in (b). なお、記録媒体を備えた画像再生装置には、CD再生装置、ゲーム機器なども含まれうる。 Note that the image reproducing device provided with a recording medium, CD reproduction apparatus can also include a game device.

図14(E)は携帯型(モバイル)コンピュータであり、本体2401、カメラ部24 Figure 14 (E) shows a portable (mobile) computer, which includes a main body 2401, a camera unit 24
02、受像部2403、操作スイッチ2404、表示部2405等を含む。 02, an image receiving portion 2403, operation switches 2404, a display portion 2405 and the like. 本願発明のE E of the present invention
L表示装置は表示部2405に用いることができる。 L display device can be used in the display portion 2405.

図14(F)はパーソナルコンピュータであり、本体2501、筐体2502、表示部2503、キーボード2504等を含む。 Figure 14 (F) is a personal computer which includes a main body 2501, a housing 2502, a display portion 2503, a keyboard 2504 and the like. 本願発明のEL表示装置は表示部2503に用いることができる。 EL display device of the present invention can be applied to the display portion 2503.

なお、将来的にEL材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。 Incidentally, the higher the light emission luminance in the future EL material, it can be used for a front or rear projector light including output image information is enlarged projected by a lens or the like.

また、上記電子装置はインターネットやCATV(ケーブルテレビ)などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。 In addition, the electronic device are more likely to be used for display information distributed through electronic communication lines such as the Internet and CATV (cable TV), and in particular likely to display moving picture information. EL材料の応答速度は非常に高いため、EL表示装置は動画表示に好ましいが、画素間の輪郭がぼやけてしまっては動画全体もぼけてしまう。 The response speed of EL materials is extremely high, EL display device is suitable for displaying moving pictures, it is got blurred contours between pixels blurred even entire video. 従って、画素間の輪郭を明瞭にするという本願発明のEL表示装置を電子装置の表示部として用いることは極めて有効である。 Therefore, it is extremely effective to use the EL display device of the present invention that the clarity of the outline between the pixels as a display portion of an electronic device.

また、EL表示装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。 Further, the EL display device for the portion is emitting light consumes power, it is desirable that the light emitting portion to display information such that as small as possible. 従って、携帯情報端末、特に携帯電話やカーオーディオのような文字情報を主とする表示部にEL表示装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。 Accordingly, a portable information terminal, particularly when using the EL display device in a display portion mainly for character information, such as mobile phones and car audio, display text information non-emitting portions as background and forming the light-emitting portion it is desirable to.

ここで図15(A)は携帯電話であり、本体2601、音声出力部2602、音声入力部2603、表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ2606を含む。 Here, FIG. 15 (A) is a mobile phone which includes a main body 2601, an audio output portion 2602, an audio input portion 2603, a display portion 2604, operation switches 2605, an antenna 2606. 本願発明のEL表示装置は表示部2604に用いることができる。 EL display device of the present invention can be applied to the display portion 2604. なお、表示部2604は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。 The display unit 2604 can reduce power consumption of the portable telephone by displaying white characters on a black background.

また、図15(B)はカーオーディオであり、本体2701、表示部2702、操作スイッチ2703、2704を含む。 Further, FIG. 15 (B) is a car audio includes a main body 2701, a display portion 2702, and operation switches 2703 and 2704. 本願発明のEL表示装置は表示部2702に用いることができる。 EL display device of the present invention can be applied to the display portion 2702. また、本実施例では車載用カーオーディオを示すが、据え置き型のカーオーディオに用いても良い。 Further, in the present embodiment is an in-car car audio may be used to stationary car audio. なお、表示部2704は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。 The display unit 2704 can suppress the power consumption by displaying white characters on a black background. これは据え置き型のカーオーディオにおいて特に有効である。 This is particularly effective in a stationary car audio.

以上の様に、本願発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子装置に用いることが可能である。 As described above, the applicable range of the present invention can be used in extremely wide, electronic devices in all fields. また、本実施例の電子装置は実施例1〜7の構成を自由に組み合わせたE The electronic device of this example was freely combining the structure of Embodiment 1 to 7 E
L表示装置を用いることで得ることができる。 It can be obtained by using a L display device.

Claims (1)

  1. TFT、該TFTに電気的に接続された画素電極及び該画素電極を陰極とするEL素子を含む画素が配列されたアクティブマトリクス基板並びに前記アクティブマトリクス基板に貼り合わせられた対向基板を有し、 TFT, has an active matrix substrate and a counter substrate which is bonded to the active matrix substrate pixels are arranged, including an EL element as a cathode electrically connected to the pixel electrode and the pixel electrode in the TFT,
    前記対向基板には前記画素の縁に対応した位置に遮光膜が設けられていることを特徴とするEL表示装置。 EL display device on the opposing substrate, wherein a light shielding film is provided at a position corresponding to the edge of the pixel.
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