JPH1154273A - Color conversion filter and manufacture thereof - Google Patents
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、色変換フィルタお
よびその製造方法に関する。さらに詳しくは、壁かけT
V,ノートパソコン用ディスプレイ,車載TV,カーナ
ビ用,携帯電話,ポケットベルなど携帯情報機器ディス
プレイ等の民生用または産業用の表示機器等のカラーデ
ィスプレイ一般に好適に用いられる色変換フィルタおよ
びその製造方法に関する。The present invention relates to a color conversion filter and a method for manufacturing the same. For more details,
The present invention relates to a color conversion filter preferably used in general for color displays such as consumer and industrial display devices such as displays for personal computers, portable information devices such as displays for portable computers, portable telephones, pagers, etc. .
【0002】[0002]
【従来の技術】電子ディスプレイデバイスは、一般にma
n-machine interface といわれるように、各種装置(m
achine)からの各種情報を視覚を通して人間(m
an)に伝達する電子デバイスであって、人間と装置と
を結ぶ重要な橋渡し的役割(interface)を担
っている。この電子デバイスには、発光形と受光形とが
あり、発光形としては、例えばCRT(陰極線管),P
DP(プラズマディスプレイ),ELD(エレクトロル
ミネッセンスディスプレイ),VFD(蛍光表示管),
LED(発光ダイオード)などが挙げられる。一方、受
光形としては、例えばLCD(液晶ディスプレイ),E
CD(エレクトロケミカルディスプレイ),EPID
(電気泳動ディスプレイ),SPD(分散粒子配向形デ
ィスプレイ),TBD(着色粒子回転形ディスプレ
イ),PLZT(透明強誘電性PLZT[(Pb,L
a)(Zr,Ti)O3 ]セラミックディスプレイ)な
どが挙げられる。2. Description of the Related Art Electronic display devices are commonly referred to as ma.
Various devices (m
a variety of information from humans (m
An) electronic device that communicates to a person and plays an important bridging interface between humans and equipment. This electronic device includes a light emitting type and a light receiving type. As the light emitting type, for example, a CRT (cathode ray tube), P
DP (plasma display), ELD (electroluminescence display), VFD (fluorescent display tube),
LED (light emitting diode) and the like. On the other hand, as a light receiving type, for example, LCD (liquid crystal display), E
CD (electrochemical display), EPID
(Electrophoretic display), SPD (dispersed particle oriented display), TBD (colored particle rotating display), PLZT (transparent ferroelectric PLZT [(Pb, L
a) (Zr, Ti) O 3 ] ceramic display).
【0003】ここで、電子ディスプレイデバイスのフル
カラー化の方法としては、多色(例えば、赤,青,緑の
三原色)の発光体を平面的に分離配置して、それぞれ発
光させる方法や、単一の発光体の光を複数の異なる色変
換層(例えばカラーフィルタまたは蛍光体)からなる色
変換フィルターが受光して、分解および/または変換し
て異なる発光をさせる方法が挙げられる。特に、後者の
方法では、発光体と色変換フィルタを併置または重ねる
構成となる。ここで、色変換フィルタは、図9に示すよ
うに、透光性基板1上に遮光層2と、一種類以上の色変
換層3とが、互い違いに繰返し平面的に分離配置された
構成が一般的であり、発光体4からの光を各色変換層が
受光して、分解および/または変換して異なる発光をさ
せることができる。ここで、分解とは、発光体の発光を
一部カットして、その発光の一部分を取出すことを意味
し、通常のカラーフィルタが、その機能を有する。一
方、変換とは、発光体の発光を別の発光(より長波長の
光)に変えて取出すことを意味し、通常の蛍光体がその
機能を有する。この色変換フィルタに必要な要件とし
て、遮光層の遮光性が高いこと、および色変換フィルタ
の表面の平坦性を高めることが挙げられる。遮光層の遮
光性が低いと、図10に示すように、主に発光体(ま
た、場合によっては色変換層)からの不必要な漏れ光を
遮光できないので、カラーディスプレイの視野角依存性
を大きくし、混色による視認性の低下を招くこととな
る。ここで、遮光層の遮光性は、可視領域の波長400
〜700nmの光が、どの程度透過するかで評価するこ
とができる。通常は、400〜700nmの光量100
に対して、1以下の透過量(透過率1%以下)であること
が好ましい。また、色変換フィルタの表面の平坦性は、
色変換フィルタ上に発光体を積み重ねるときに重要であ
る。ここで、平坦性とは、遮光層と各色変換層の膜厚の
差、すなわち凹凸を意味する。この凹凸が大きいと、発
光体の積層がうまく行かなくなる。すなわち、エレクト
ロルミネッセンスディスプレイ(ELD)の場合は、図
11に示すように発光体の有機EL素子4の微細な電極
41を色変換フィルタ上に積層することになるが、フィ
ルタの凹凸が大きいと有機EL素子4の微細な電極41
が断線したり、短絡したりして、欠陥なくディスプレイ
を表示することができなくなる。フィルタの表面凹凸
は、2.0μm以下とするのが好ましく、1.0μm以
下がより好ましく、0.5μm以下とするのが一層好ま
しい。これまでの色変換フィルタとしては、特開平5−
258860号公報で有機EL素子の発光が受光できる
ように蛍光媒体を配置した例を開示しているが、遮光層
が設けられていないため、視野角依存性が生じた。ま
た、特開昭64−40888号公報では、有機EL素子
とカラーフィルタとを対向させたカラーディスプレイを
開示しているが、遮光層(ブラックマトリックス)に関
する記載が不十分で、遮光性に関する情報が不明確であ
った。一方、色変換フィルタの平坦化に関しては、液晶
カラーフィルタの分野で数多く開示されているが、特
に、特開平5−173013号公報、特開平5−181
009号公報等によって、カラーレジストを背面露光し
てカラーフィルタを平坦化する方法が開示されている。
しかしながら、遮光層をマスクとして使用しないので、
露光時の紫外光の漏れが生じて不必要なフィルタ残渣が
残ったり、所望のフィルタのパターンの精度が悪くなる
という問題があった。[0003] Here, as a method for full-color electronic display devices, a multicolor (for example, three primary colors of red, blue, and green) luminous bodies are separately arranged in a plane, and each luminous body emits light. Is received by a color conversion filter composed of a plurality of different color conversion layers (for example, color filters or phosphors), and is separated and / or converted to emit different light. In particular, the latter method has a configuration in which the luminous body and the color conversion filter are juxtaposed or overlapped. Here, as shown in FIG. 9, the color conversion filter has a configuration in which a light-shielding layer 2 and one or more types of color conversion layers 3 are alternately and separately arranged in a plane on a light-transmitting substrate 1. In general, each color conversion layer receives light from the light emitter 4 and can be separated and / or converted to emit different light. Here, the term "decomposition" means that a part of the luminescence of the luminous body is cut and a part of the luminescence is extracted, and a normal color filter has the function. On the other hand, the conversion means that the light emitted from the light emitter is changed to another light emission (light having a longer wavelength) and extracted, and a normal phosphor has the function. Requirements necessary for the color conversion filter include a high light-shielding property of the light-shielding layer and an improvement in flatness of the surface of the color conversion filter. If the light-shielding property of the light-shielding layer is low, as shown in FIG. 10, unnecessary leakage light mainly from the luminous body (and, in some cases, the color conversion layer) cannot be shielded, so that the viewing angle dependency of the color display is reduced. In this case, the visibility is reduced due to the color mixture. Here, the light shielding property of the light shielding layer is 400 wavelengths in the visible region.
It can be evaluated how much light of up to 700 nm is transmitted. Usually, the light amount of 100 to 400 nm is 100
On the other hand, the transmission amount is preferably 1 or less (transmittance 1% or less). The flatness of the surface of the color conversion filter is
This is important when illuminants are stacked on a color conversion filter. Here, the flatness means a difference in film thickness between the light shielding layer and each color conversion layer, that is, unevenness. If the irregularities are large, the luminous bodies cannot be laminated properly. That is, in the case of an electroluminescence display (ELD), as shown in FIG. 11, the fine electrodes 41 of the luminescent organic EL element 4 are laminated on the color conversion filter. Fine electrode 41 of EL element 4
Is disconnected or short-circuited, and the display cannot be displayed without any defect. The surface roughness of the filter is preferably 2.0 μm or less, more preferably 1.0 μm or less, and even more preferably 0.5 μm or less. A conventional color conversion filter is disclosed in
Japanese Patent Application Laid-Open No. 258860 discloses an example in which a fluorescent medium is arranged so as to be able to receive light emitted from an organic EL element. Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 64-40888 discloses a color display in which an organic EL element and a color filter are opposed to each other. It was unclear. On the other hand, a number of flattening color conversion filters have been disclosed in the field of liquid crystal color filters, and in particular, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 5-173013 and 5-181.
No. 009 and the like disclose a method of flattening a color filter by back exposure of a color resist.
However, since the light-shielding layer is not used as a mask,
There has been a problem that leakage of ultraviolet light at the time of exposure occurs and unnecessary filter residues remain, or the accuracy of a desired filter pattern deteriorates.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑みなされたものであり、遮光層の遮光性を向上させる
とともに、その表面を高精度に平坦化させて、表示性能
に優れ、表示欠陥の少ない多色発光装置を構築するため
の色変換フィルタおよびその効率的な製造方法を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems. The present invention improves the light-shielding properties of a light-shielding layer and flattens the surface thereof with high precision, thereby achieving excellent display performance. It is an object of the present invention to provide a color conversion filter for constructing a multicolor light emitting device with few defects and an efficient manufacturing method thereof.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、下記を要旨とする色変換フィルタ
およびその製造方法が提供される。 [1]透光性基板上に、遮光層と、一種類以上の蛍光体
層を含む色変換層とが、互い違いに繰返し平面的に分離
配置された、発光体からの発光を分解および/または変
換する色変換フィルタにおいて、遮光層が、発光体およ
び/または、色変換層からの発光を遮光するための第一
遮光層と、この第一遮光層の上面または下面の少なくと
も一方に配設された、第一遮光層の遮光性を補うための
第二遮光層とを有することを特徴とする色変換フィル
タ。 [2]前記第二遮光層が、金属材料を含むものである
[1]記載の色変換フィルタ。 [3]前記発光体が、有機EL素子である[1]または
[2]記載の色変換フィルタ。 [4] [1]または[2]記載の色変換フィルタと有
機EL素子とを有する多色発光装置。 [5]透光性基板上に、遮光層と、一種類以上の蛍光体
層を含む色変換層とが、互い違いに繰返し平面的に分離
配置された、発光体からの発光を分解および/または変
換する色変換フィルタを製造する方法において、下記
(A)〜(C)の工程を含むことを特徴とする色変換フ
ィルタの製造方法。 (A)透光性基板上に、発光体および/または色変換層
からの発光を遮光するための第一遮光層を平面的にパタ
ーン化して分離配置するとともに、この第一遮光層の上
面または下面の少なくとも一方、および透光性基板上
に、第一遮光層の遮光性を補うための第二遮光層を配設
する。 (B)透光性基板上に配設された第二遮光層をエッチン
グにより選択的に除去する。 (C)光硬化型色変換層形成材料を、第一遮光層間の間
隙を埋め込むようにして成膜する。 [6]透光性基板上に、遮光層と、一種類以上の蛍光体
層を含む色変換層とが、互い違いに繰返し平面的に分離
配置された、発光体からの発光を分解および/または変
換する色変換フィルタを製造する方法において、下記
(A)〜(F)の工程を含むことを特徴とする色変換フ
ィルタの製造方法。 (A)透光性基板上に、発光体および/または色変換層
からの発光を遮光するための第一遮光層を平面的にパタ
ーン化して分離配置するとともに、この第一遮光層の上
面または下面の少なくとも一方、および透光性基板上
に、第一遮光層の遮光性を補うための第二遮光層を配設
する。 (B)透光性基板上に配設された第二遮光層をエッチン
グにより選択的に除去する。 (C)光硬化型色変換層形成材料を、第一遮光層間の間
隙を埋め込むようにして成膜する。 (D)透光性基板側から露光して、光硬化型色変換層形
成材料を選択的に光硬化させ、一種類の色変換層を形成
する。 (E)色変換層形成材料の露光されなかった部分を除去
する。 (F)色変換層の種類の数に応じ、必要な回数だけ工程
(B)〜(E)を繰り返す。 [7]前記工程(A)が、透光性基板上に、第一遮光層
を平面的にパターン化して分離配置した後に、第一遮光
層の上面および透光性基板上に第二遮光層を積層して配
設するものである[5]または[6]記載の色変換フィ
ルタの製造方法。 [8]前記工程(A)が、透光性基板の全面に、第二遮
光層を積層して配設した後に、この第二遮光層上に第一
遮光層を平面的にパターン化して分離配置する[5]ま
たは[6]記載の色変換フィルタの製造方法。 [9]前記工程(A)が、透光性基板の全面に、第二遮
光層を積層して配設した後に、この第二遮光層上に第一
遮光層を平面的にパターン化して分離配置し、次に第一
遮光層の上面、および透光性基板上に配設された第二遮
光層上に、さらに第二遮光層を積層して配設する[5]
または[6]記載の色変換フィルタの製造方法。 [10]前記工程(A)が、透光性基板上に第二遮光層
を平面的にパターン化して分離配置した後に、透光性基
板上に第一遮光層を、第二遮光層と互い違いになるよう
に平面的にパターン化して分離配置する[5]または
[6]記載の色変換フィルタの製造方法。 [11]前記工程(A)が、透光性基板上に第二遮光層
を平面的にパターン化して分離配置した後に、透光性基
板上に第一遮光層を、第二遮光層と互い違いになるよう
に平面的にパターン化して分離配置し、次に第一遮光層
の上面、および透光性基板上に配設された第二遮光層上
に、さらに第二遮光層を積層して配設する[5]または
[6]記載の色変換フィルタの製造方法。According to the present invention, there is provided a color conversion filter having the following features and a method of manufacturing the same. [1] A light-shielding layer and a color conversion layer including one or more kinds of phosphor layers are alternately and alternately and separately arranged in a plane on a light-transmitting substrate. In the color conversion filter to be converted, the light-shielding layer is provided on at least one of the first light-shielding layer for shielding light emitted from the light-emitting body and / or the color conversion layer, and the upper surface or the lower surface of the first light-shielding layer. And a second light-shielding layer for supplementing the light-shielding property of the first light-shielding layer. [2] The color conversion filter according to [1], wherein the second light-shielding layer contains a metal material. [3] The color conversion filter according to [1] or [2], wherein the luminous body is an organic EL element. [4] A multicolor light emitting device comprising the color conversion filter according to [1] or [2] and an organic EL element. [5] A light-shielding layer and a color conversion layer including one or more kinds of phosphor layers are alternately and alternately and planarly separated on a light-transmitting substrate. A method of manufacturing a color conversion filter for converting, comprising the following steps (A) to (C). (A) A first light-shielding layer for shielding light emitted from a light-emitting body and / or a color conversion layer is planarly patterned and separately arranged on a light-transmitting substrate, and an upper surface of the first light-shielding layer or A second light-shielding layer for supplementing the light-shielding property of the first light-shielding layer is provided on at least one of the lower surface and the light-transmitting substrate. (B) The second light-shielding layer provided on the light-transmitting substrate is selectively removed by etching. (C) A photo-curable color conversion layer forming material is formed so as to fill the gap between the first light-shielding layers. [6] A light-shielding layer and a color conversion layer including one or more types of phosphor layers are alternately and alternately and planarly separated on a light-transmitting substrate. A method of manufacturing a color conversion filter for converting, comprising the following steps (A) to (F). (A) A first light-shielding layer for shielding light emitted from a light-emitting body and / or a color conversion layer is planarly patterned and separately arranged on a light-transmitting substrate, and an upper surface of the first light-shielding layer or A second light-shielding layer for supplementing the light-shielding property of the first light-shielding layer is provided on at least one of the lower surface and the light-transmitting substrate. (B) The second light-shielding layer provided on the light-transmitting substrate is selectively removed by etching. (C) A photo-curable color conversion layer forming material is formed so as to fill the gap between the first light-shielding layers. (D) Exposure is performed from the light-transmitting substrate side, and the photocurable color conversion layer forming material is selectively photocured to form one type of color conversion layer. (E) The unexposed portions of the color conversion layer forming material are removed. (F) Steps (B) to (E) are repeated as many times as necessary according to the number of types of color conversion layers. [7] In the step (A), the first light-shielding layer is two-dimensionally patterned and separately arranged on the light-transmitting substrate, and then the second light-shielding layer is formed on the upper surface of the first light-shielding layer and on the light-transmitting substrate. The method of manufacturing a color conversion filter according to [5] or [6], wherein [8] In the step (A), after the second light-shielding layer is laminated and provided on the entire surface of the light-transmitting substrate, the first light-shielding layer is patterned and separated in a plane on the second light-shielding layer. The method for producing a color conversion filter according to [5] or [6], wherein the color conversion filter is arranged. [9] In the step (A), after the second light-shielding layer is laminated and provided on the entire surface of the light-transmitting substrate, the first light-shielding layer is planarly patterned and separated on the second light-shielding layer. Then, a second light-shielding layer is further laminated on the upper surface of the first light-shielding layer and the second light-shielding layer provided on the light-transmitting substrate [5].
Or the method for manufacturing a color conversion filter according to [6]. [10] In the step (A), after the second light-shielding layer is two-dimensionally patterned and separately arranged on the light-transmitting substrate, the first light-shielding layer is alternated with the second light-shielding layer on the light-transmitting substrate. The method for producing a color conversion filter according to [5] or [6], wherein the color conversion filter is patterned and separated and arranged in a plane such that [11] In the step (A), after the second light-shielding layer is two-dimensionally patterned and separately arranged on the light-transmitting substrate, the first light-shielding layer is alternated with the second light-shielding layer on the light-transmitting substrate. It is patterned and separated in a plane so as to be arranged, and then, on the upper surface of the first light-shielding layer, and on the second light-shielding layer provided on the light-transmitting substrate, a second light-shielding layer is further laminated. The method for manufacturing a color conversion filter according to [5] or [6], wherein the color conversion filter is provided.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ具体的に説明する。 I.色変換フィルタ 1.構成 本発明の色変換フィルタは、図1に示すように、透光性
基板1上に、遮光層2と、一種類以上の蛍光体層を含む
色変換層3とが、互い違いに繰返し平面的に分離配置さ
れ、遮光層2が、発光体および/または色変換層からの
発光を遮光するための遮光層21と、この第一遮光層2
1の上面または下面の少なくとも一方、すなわち、上面
(図1(a))、下面(図1(b))または上下面(図
1(c))に配設された、第一遮光層の遮光性を補うた
めの第二遮光層22を有していることを特徴とする。こ
のように構成された本発明の色変換フィルタは、発光
体、たとえば有機EL素子からの発光を有効に分解およ
び/または変換することができる。また、図2に示すよ
うに、第一遮光層21の遮光性が低くても(波長400
〜700nmで透過率が1%を超えても)、第二遮光層
22にて遮光性を補うことができるので、遮光層の遮光
性が高まり、例えば発光体4からの不必要な漏れ光を十
分に遮光できる。その結果、フルカラーディスプレイ
(多色発光装置)の視野角依存性をなくし、混色による
視認性の低下を避けることができる。特に、第一遮光層
が厚膜となり、さらに高精細化すると、フォトリソグラ
フィー法による遮光層の形成が必要となるが、その際、
遮光層の遮光性が高いと光が透過しにくくなるので遮光
層の厚膜、高精細化が困難となる。従って、遮光層の遮
光性を低くして、厚膜、高精細化することになるが、そ
の際に遮光層の遮光性を補うために第二遮光層を配置す
ることは非常に意味がある。本発明では、色変換層に蛍
光体層を含んでいる。蛍光体層は後述するように通常の
カラーフィルタとは違って厚膜が必要となるので、色変
換フィルタの表面の平坦化のためには、遮光層も厚膜と
ならざるを得ない。従って、先の理由によって第二遮光
層を配置することは意味がある。また、第二遮光層とし
ては、遮光性が高く、エッチング等の加工性に優れた金
属材料を含むものが好ましい。また、発光体としては、
有機EL素子が好ましい。有機EL素子は、面状の自己
発光のため、視認性が高く、また完全固体であるため、
耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、現在無機や
有機化合物を発光層に用いた様々なEL素子の開発が進
められている。中でも有機EL素子は、有機化合物を二
つの電極に挟んでなるディスプレイであり、有機化合物
の種類が豊富で様々な色の光を高効率、高輝度で発する
ディスプレイとして期待が大きい。また、本発明の色変
換フィルタと有機EL素子とを組み合わせることによっ
て多色発光装置を提供することができる。Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. I. Color conversion filter Configuration As shown in FIG. 1, the color conversion filter according to the present invention is such that a light-shielding layer 2 and a color conversion layer 3 including at least one kind of phosphor layer are alternately and repeatedly formed on a transparent substrate 1 in a planar manner. A light-shielding layer 21 for shielding light emitted from a light-emitting body and / or a color conversion layer;
1 is a light-shielding layer of a first light-shielding layer disposed on at least one of the upper surface and the lower surface, that is, the upper surface (FIG. 1A), the lower surface (FIG. 1B), or the upper and lower surfaces (FIG. 1C). It has a second light-shielding layer 22 for supplementing the characteristics. The thus configured color conversion filter of the present invention can effectively decompose and / or convert light emitted from a luminous body, for example, an organic EL element. Further, as shown in FIG. 2, even if the first light-shielding layer 21 has a low light-shielding property (wavelength 400
Even if the transmittance exceeds 1% at ~ 700 nm), the second light-blocking layer 22 can supplement the light-blocking property, so that the light-blocking property of the light-blocking layer is enhanced, and for example, unnecessary leakage light from the light-emitting body 4 is reduced. It can fully shield light. As a result, the viewing angle dependency of a full-color display (multicolor light-emitting device) can be eliminated, and a decrease in visibility due to color mixing can be avoided. In particular, when the first light-shielding layer becomes a thick film and further increases the definition, it is necessary to form the light-shielding layer by a photolithography method.
If the light-shielding layer has a high light-shielding property, light becomes difficult to transmit, so that it is difficult to increase the thickness and the definition of the light-shielding layer. Therefore, the light-shielding property of the light-shielding layer is reduced to increase the thickness and the definition of the light-shielding layer. At this time, it is very significant to arrange the second light-shielding layer to supplement the light-shielding property of the light-shielding layer. . In the present invention, the color conversion layer includes a phosphor layer. Since the phosphor layer needs a thick film unlike a normal color filter as described later, the light shielding layer has to be a thick film in order to flatten the surface of the color conversion filter. Therefore, it is meaningful to arrange the second light shielding layer for the above reason. The second light-shielding layer is preferably a layer containing a metal material having high light-shielding properties and excellent workability such as etching. Also, as a luminous body,
Organic EL elements are preferred. The organic EL element has high visibility due to planar self-emission, and is completely solid,
It has a feature of excellent impact resistance, and various EL devices using an inorganic or organic compound for a light emitting layer are currently being developed. Among them, an organic EL element is a display in which an organic compound is sandwiched between two electrodes, and is expected to be a display that has a variety of organic compounds and emits light of various colors with high efficiency and high luminance. Further, a multicolor light emitting device can be provided by combining the color conversion filter of the present invention and an organic EL element.
【0007】2.各構成要素 以下、本発明の色変換フィルタを各構成要素ごとに具体
的に説明する。 (1)透光性基板 本発明に用いられる透光性基板は、多色発光装置を支持
する基板であり、400nm〜700nmの可視領域の
光の透過率が50%以上で、平滑な基板が好ましい。具
体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラ
ス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・スト
ロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石
英等を挙げることができる。また、ポリマー板として
は、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン
等を挙げることができる。[0007] 2. Each component Hereinafter, the color conversion filter of the present invention will be specifically described for each component. (1) Translucent Substrate The translucent substrate used in the present invention is a substrate that supports a multicolor light-emitting device. preferable. Specific examples include a glass plate and a polymer plate. Examples of the glass plate include soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
【0008】(2)色変換層 本発明に用いられる色変換層は、蛍光体層を含むもので
あるが発光体の光を分解(またはカット)して色調整す
る意味のカラーフィルタを含んでいてもよい。この蛍光
体層およびカラーフィルタは所定の色変換層形成材料か
ら形成することができる。(2) Color Conversion Layer The color conversion layer used in the present invention includes a phosphor layer, but may also include a color filter that separates (or cuts) light from the luminous body to adjust the color. Good. The phosphor layer and the color filter can be formed from a predetermined color conversion layer forming material.
【0009】蛍光体層としては、例えば、蛍光色素およ
び樹脂、または蛍光色素のみからなり、蛍光色素および
樹脂からなるものは蛍光色素を顔料樹脂および/または
バインダー樹脂中に溶解または分散させた固体状態のも
のを挙げることができる。具体的な蛍光色素について説
明する。まず、近紫外光からは紫色の発光部材の発光か
ら青色発光に変換する蛍光色素としては、1,4−ビス
(2−メチルスチリル)ベンゼン(以下Bis−MS
B)、トランス−4,4’−ジフェニルスチルベン(以
下DPS)の等スチルベン系色素、7−ヒドロキシ−4
−メチルクマリン(以下クマリン4)等のクマリン系色
素を挙げることができる。The phosphor layer is composed of, for example, a fluorescent dye and a resin, or a fluorescent dye alone, and a layer composed of the fluorescent dye and the resin is prepared by dissolving or dispersing the fluorescent dye in a pigment resin and / or a binder resin. Can be mentioned. A specific fluorescent dye will be described. First, 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene (hereinafter referred to as Bis-MS) is used as a fluorescent dye that converts light emitted from a violet light-emitting member into blue light from near-ultraviolet light.
B), stilbene-based dyes such as trans-4,4'-diphenylstilbene (hereinafter DPS), 7-hydroxy-4
And coumarin-based dyes such as -methyl coumarin (hereinafter coumarin 4).
【0010】次に、青色、青緑色または白色発光部材の
発光から緑色発光に変換する蛍光色素については、例え
ば、2,3,5,6−1H,4H−テトラヒドロ−8−
トリフロルメチルキノリジノ(9,9a,1−gh)ク
マリン(以下クマリン153)、3−(2’−ベンゾチ
アゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(以下クマリ
ン6)、3−(2’−ベンズイミダゾリル)−7−N,
N−ジエチルアミノクマリン(以下クマリン7)等のク
マリン色素、他クマリン色素系染料であるがベーシック
イエロー51、また、ソルベントイエロー11、ソルベ
ントイエロー116等のナフタルイミド色素を挙げるこ
とができる。Next, with respect to a fluorescent dye which converts light emitted from a blue, blue-green or white light-emitting member to green light, for example, 2,3,5,6-1H, 4H-tetrahydro-8-
Trifluoromethylquinolizino (9,9a, 1-gh) coumarin (hereinafter coumarin 153), 3- (2'-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (hereinafter coumarin 6), 3- (2'-benzimidazolyl) -7-N,
Coumarin dyes such as N-diethylaminocoumarin (hereinafter, coumarin 7) and other coumarin dye-based dyes include Basic Yellow 51, and naphthalimide dyes such as Solvent Yellow 11 and Solvent Yellow 116.
【0011】また、青色から緑色までの、または白色の
発光部材の発光から、橙色から赤色までの発光に変換す
る蛍光色素については、例えば、4−ジシアノメチレン
−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチルリル)
−4H−ピラン(以下DCM)等のシアニン系色素、1
−エチル−2−(4−(p−ジメチルアミノフェニル)
−1,3−ブタジエニル)−ピリジニウム−パークロレ
ート(以下ピリジン1)等のピリジン系色素、ローダミ
ンB、ローダミン6G等のローダミン系色素、他にオキ
サジン系が挙げられる。A fluorescent dye that converts light emission from a blue-to-green or white light-emitting member to light emission from orange to red is, for example, 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p- Dimethylaminostillyl)
Cyanine dyes such as -4H-pyran (hereinafter DCM);
-Ethyl-2- (4- (p-dimethylaminophenyl)
Examples thereof include pyridine dyes such as -1,3-butadienyl) -pyridinium-perchlorate (hereinafter, pyridine 1), rhodamine dyes such as rhodamine B and rhodamine 6G, and oxazine dyes.
【0012】さらに、各種染料(直接染料、酸性染料、
塩基性染料、分散染料等)も蛍光性があれば選択するこ
とが可能である。また、前記蛍光色素をポリメタクリル
酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル酢酸ビニル共
重合体、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、
ユリア樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の
顔料樹脂中にあらかじめ練りこんで顔料化したものでも
よい。Further, various dyes (direct dyes, acid dyes,
Basic dyes, disperse dyes, etc.) can also be selected as long as they have fluorescence. Further, the fluorescent dye is a polymethacrylic acid ester, polyvinyl chloride, vinyl chloride vinyl acetate copolymer, alkyd resin, aromatic sulfonamide resin,
It may be kneaded in advance into a pigment resin such as a urea resin, a melamine resin, or a benzoguanamine resin to form a pigment.
【0013】また、これらの蛍光色素または顔料は、必
要に応じて、単独または混合して用いてもよい。[0013] These fluorescent dyes or pigments may be used alone or as a mixture, if necessary.
【0014】一方、バインダー樹脂は、透明な(可視光
領域の光の透過率が50%以上)材料が好ましい。例え
ば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポ
リカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロース等の透明樹脂(高分子)が挙げられる。On the other hand, the binder resin is preferably a transparent material (having a light transmittance of 50% or more in the visible light region). For example, transparent resins (polymers) such as polymethyl methacrylate, polyacrylate, polycarbonate, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, hydroxyethyl cellulose, and carboxymethyl cellulose are exemplified.
【0015】なお、蛍光体層を平面的に分離配置するた
めに、フォトリソグラフィー法が適用できる感光性樹脂
も選ばれる。本発明の製造方法ではこの材料が使用され
る。例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ
皮酸ビニル系、環ゴム系等の反応性ビニル基を有する光
硬化型レジスト材料が挙げられる。また、印刷法を用い
る場合には、透明な樹脂を用いた印刷インキ(メジウ
ム)が選ばれる。例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミ
ン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸
樹脂、ポリアミド樹脂の、オリゴマー、ポリマーまた、
ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチル
セルロース等の透明樹脂を用いることができる。In addition, a photosensitive resin to which a photolithography method can be applied in order to separate and arrange the phosphor layers in a plane is also selected. This material is used in the manufacturing method of the present invention. For example, a photocurable resist material having a reactive vinyl group such as an acrylic acid type, a methacrylic acid type, a polyvinyl cinnamate type, and a ring rubber type may be used. When a printing method is used, a printing ink (medium) using a transparent resin is selected. For example, polyvinyl chloride resin, melamine resin, phenol resin, alkyd resin, epoxy resin, polyurethane resin, polyester resin, maleic acid resin, polyamide resin, oligomer, polymer,
Transparent resins such as polymethyl methacrylate, polyacrylate, polycarbonate, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, hydroxyethyl cellulose, and carboxymethyl cellulose can be used.
【0016】蛍光体層が主に蛍光色素からなる場合は、
所望の蛍光体層パターンのマスクを介して真空蒸着また
はスパッタリング法で成膜され、一方、蛍光色素と樹脂
からなる場合は、蛍光色素と樹脂と適当な溶剤とを混
合、分散または可溶化させて液状とし、スピンコート、
ロールコート、バーコート、キャスト法等の方法で成膜
し、フォトリソグラフィー法で所望の蛍光体層パターン
でパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望
の蛍光体層パターンでパターニングするのが一般的であ
る。When the phosphor layer is mainly composed of a fluorescent dye,
A film is formed by a vacuum evaporation or sputtering method via a mask of a desired phosphor layer pattern.On the other hand, when a fluorescent dye and a resin are used, the fluorescent dye, the resin and an appropriate solvent are mixed, dispersed or solubilized. Liquid, spin coat,
It is common to form a film by a method such as roll coating, bar coating, or a casting method, and pattern it with a desired phosphor layer pattern by a photolithography method, or pattern it with a desired phosphor layer pattern by a method such as screen printing. It is.
【0017】蛍光体層の膜厚は、有機EL素子の発光を
十分に受光(吸収)し、蛍光を発生する機能を妨げるも
のでなければ制限はないが、10nm〜1mm、好まし
くは、1μm〜1mm、より好ましくは10μm〜10
0μmでカラーフィルタに比べて、一般に厚膜が必要と
なる。蛍光色素はカラーフィルタ色素に比べて濃度に敏
感で、顔料樹脂またはバインダー樹脂中により低濃度で
分散または可溶化させたほうがより蛍光性が高いが、一
方、有機EL素子の発光を十分に吸収しなければならな
いので、カラーフィルタ並の吸光度が必要である。従っ
て、Lambert−Beerの法則下記(式1)によ
り、色素の吸光係数を一定とするならば結局蛍光体層
は、厚膜となるのが好ましいことになる。蛍光色素の顔
料樹脂および/またはバインダー樹脂を含めた蛍光体層
中の濃度は、蛍光色素によって異なるが、1〜10-4m
ol/kg、好ましくは0.1〜10-3mol/kg、
より好ましくは、0.05〜10-2mol/kgであ
る。The thickness of the phosphor layer is not limited as long as it does not interfere with the function of sufficiently receiving (absorbing) the light emitted from the organic EL element and generating fluorescence, but it is 10 nm to 1 mm, preferably 1 μm to 1 mm, more preferably 10 μm to 10
A thickness of 0 μm generally requires a thicker film than a color filter. Fluorescent dyes are more sensitive to concentration than color filter dyes, and they are more fluorescent when dispersed or solubilized at a lower concentration in a pigment resin or binder resin. Therefore, an absorbance equivalent to that of a color filter is required. Therefore, according to Lambert-Beer's law (Equation 1), if the extinction coefficient of the dye is kept constant, it is preferable that the phosphor layer eventually becomes a thick film. The concentration of the fluorescent dye in the phosphor layer including the pigment resin and / or the binder resin varies depending on the fluorescent dye, but is 1 to 10 −4 m
ol / kg, preferably 0.1 to 10 -3 mol / kg,
More preferably, it is 0.05 to 10 -2 mol / kg.
【0018】 Lambert−Beerの法則 A=εcl (式1) A:吸光度 ε:吸光係数(色素に固有) c:色素濃度 l:膜厚 そこで色変換層の発光体側の表面の凹凸を平坦化するに
は、各色変換層(蛍光体層またはカラーフィルタ層)の
膜厚を揃えることが有利であるので、各色変換層の膜厚
は蛍光性を考慮して10μm以上とすることが好まし
い。Lambert-Beer's law A = εcl (Equation 1) A: Absorbance ε: Absorption coefficient (specific to dye) c: Dye concentration l: Film thickness Then, unevenness of the surface of the color conversion layer on the luminous body side is flattened. In this case, it is advantageous to make the thickness of each color conversion layer (phosphor layer or color filter layer) uniform, so that the thickness of each color conversion layer is preferably 10 μm or more in consideration of fluorescence.
【0019】一方、カラーフィルタ層としては、例え
ば、下記の色素のみまたは、色素をバインダー樹脂中に
溶解または分散させた固体状態のものを挙げることがで
きる。On the other hand, as the color filter layer, for example, the following dyes alone or a solid state in which the dyes are dissolved or dispersed in a binder resin can be exemplified.
【0020】赤色(R)色素:ペリレン系顔料、レーキ
顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノ
ン系顔料、アントラセン系顔料、イソインドリン系顔
料、イソインドリノン系顔料等の単品および少なくとも
二種類以上の混合物Red (R) dyes: Perylene pigments, lake pigments, azo pigments, quinacridone pigments, anthraquinone pigments, anthracene pigments, isoindoline pigments, isoindolinone pigments and the like, and at least two or more types Mixture of
【0021】緑色(G)色素:ハロゲン多置換フタロシ
アニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔
料、トリフェニルメタン系塩基性染料、イソインドリン
系顔料、イソインドリノン系顔料等の単品および少なく
とも二種類以上の混合物Green (G) dye: a single product of at least two halogen-substituted phthalocyanine-based pigments, halogen-substituted copper phthalocyanine-based pigments, triphenylmethane-based basic dyes, isoindoline-based pigments, and isoindolinone-based pigments; Mixture of
【0022】青色(B)色素:銅フタロシアニン系顔
料、インダンスロン系顔料、インドフェノール系顔料、
シアニン系顔料、ジオキサジン系顔料等の単品および少
なくとも二種類以上の混合物Blue (B) dye: copper phthalocyanine pigment, indanthrone pigment, indophenol pigment,
Single products such as cyanine pigments and dioxazine pigments and mixtures of at least two or more
【0023】前記バインダー樹脂としては、蛍光体層と
同様の材料を選ぶことができる。また、カラーフィルタ
を平面的に分離配置するために必要なバインダー樹脂も
蛍光体層と同様の材料を選ぶことができる。As the binder resin, the same material as the phosphor layer can be selected. Also, the same material as the phosphor layer can be selected for the binder resin necessary for arranging the color filters in a planar manner.
【0024】また、特にカラーフィルタが主に色素から
なる場合も、色素とバインダー樹脂からなる場合も蛍光
体層と同様にパターニングできる。In particular, when the color filter is mainly composed of a dye, or when the color filter is composed of a pigment and a binder resin, patterning can be performed in the same manner as the phosphor layer.
【0025】カラーフィルタが、色素とバインダー樹脂
からなるものは、色素の濃度は、カラーフィルタが問題
なくパターニングできて、かつ、有機EL素子の発光を
十分透過できる範囲であればよい。一般的には、色素の
種類にもよるが、使用するバインダー樹脂を含めたカラ
ーフィルタ膜に色素が1〜50重量%含まれる。When the color filter is composed of a dye and a binder resin, the concentration of the dye may be within a range in which the color filter can be patterned without any problem and the emission of the organic EL element can be sufficiently transmitted. Generally, depending on the type of the dye, the color filter film including the binder resin used contains the dye in an amount of 1 to 50% by weight.
【0026】(3)遮光層 本発明の遮光層は、第一遮光層と第二遮光層とを有して
いる。第一遮光層は、色変換フィルタの各色変換層間に
介在して(各色変換層の間に埋め込まれていて)、発光
体および/または色変換層からの発光を遮光して、視野
角依存性のない視認性のよいフルカラーディスプレイを
構築する。第二遮光層は、第一遮光層に不足する遮光性
を補うために、第一遮光層の上面および/または下面に
配置する。また、第二遮光層は、色変換フィルタの表面
を平坦化して、欠陥の少ないフルカラーディスプレイを
構築するための、製造上のフォトマスクとして用いられ
る。第一遮光層は、特に、黒色色素又は金属材料を色変
換層に用いたものと同様なバインダー樹脂中に溶解また
は分散させた固体状態とし、色変換層と同様な方法でパ
ターニングされたものが選ばれる。各色変換層間の間隙
に埋め込まれるので、一般に厚膜が必要となる。(3) Light-Shielding Layer The light-shielding layer of the present invention has a first light-shielding layer and a second light-shielding layer. The first light-shielding layer is interposed between the color conversion layers of the color conversion filter (embedded between the color conversion layers) to shield light emitted from the luminous body and / or the color conversion layer, and has a viewing angle dependence. Build a full-color display with no visibility and good visibility. The second light-shielding layer is disposed on the upper surface and / or the lower surface of the first light-shielding layer in order to supplement the light-shielding property of the first light-shielding layer. The second light-shielding layer is used as a manufacturing photomask for flattening the surface of the color conversion filter and constructing a full-color display with few defects. The first light-shielding layer is, in particular, a solid state in which a black pigment or a metal material is dissolved or dispersed in a binder resin similar to that used for the color conversion layer, and the one patterned by the same method as the color conversion layer is used. To be elected. Since it is embedded in the gap between each color conversion layer, a thick film is generally required.
【0027】一方、第二遮光層は特に、金属または合
金、または金属の酸化物、窒化物、硫化物、硫酸塩等の
薄膜が用いられ、前記第一遮光層の遮光性を補う。ま
た、色変換層と同様な方法でパターニングされるが、特
に色変換フィルタの表面を平坦化するための、製造上の
フォトマスクになり、かつ容易にエッチング等で除去で
きる材料が好ましい。On the other hand, as the second light-shielding layer, a thin film of a metal or an alloy, or a metal oxide, nitride, sulfide, sulfate or the like is particularly used to supplement the light-shielding property of the first light-shielding layer. The patterning is performed by the same method as that for the color conversion layer. However, a material that becomes a photomask in manufacturing for planarizing the surface of the color conversion filter and that can be easily removed by etching or the like is preferable.
【0028】第一遮光層は、各色変換層間に介在して、
発光体の発光および/または色変換層からの発光を遮光
して、視野角依存性のない、視認性のよいフルカラーデ
ィスプレイを構築する。しかしながら、第一遮光層だけ
では遮光性が不十分なことがままあるので、第二遮光層
を第一遮光層の上面および/または下面に、第一遮光層
の遮光性を補う、薄膜の第二遮光層を配置する。その結
果、より視野角依存性のない視認性のよいフルカラーデ
ィスプレイを構築するための色変換フィルタを提供する
ことができる。また、第二遮光層は、色変換フィルタの
表面を平坦化して、欠陥の少ないフルカラーディスプレ
イを構築するための製造上の一時的な(除去が容易な)
フォトマスクとして作用する。The first light shielding layer is interposed between the respective color conversion layers,
A light-emitting element and / or a light-emitting element from a color conversion layer are shielded from light to construct a full-color display with good visibility without dependence on viewing angle. However, since the first light-shielding layer alone may still have insufficient light-shielding properties, the second light-shielding layer may be provided on the upper surface and / or lower surface of the first light-shielding layer to compensate for the light-shielding properties of the first light-shielding layer. Two light shielding layers are arranged. As a result, it is possible to provide a color conversion filter for constructing a full-color display having good visibility without dependence on viewing angle. In addition, the second light-shielding layer is a temporary (easy to remove) in manufacturing for flattening the surface of the color conversion filter and constructing a full-color display with few defects.
Acts as a photomask.
【0029】第一遮光層の膜厚は10nm〜1mm、好
ましくは1μm〜1mm、より好ましくは10μm〜1
00μmであるが、上記したように、色変換層が蛍光体
の場合は、カラーフィルタの場合に比べて厚膜が必要と
なり、その色変換層と第一遮光層の厚さを揃えて平坦化
するには、第一遮光層の膜厚も10μm以上が好まし
い。第二遮光層の膜厚は、1nm〜100μm,好まし
くは10nm〜10μm,より好ましくは100nm〜
1μmで、第一遮光層より薄膜でよい。また、第一およ
び第二遮光層の表面形状は格子状でもストライプ状でも
よいが、色変換層が蛍光体層の場合には、蛍光体層側面
からの光の漏れが著しいので格子状がより好ましい。ま
た、第一および第二遮光層の断面形状は、通常は矩形状
であるが、逆台形状またはT文字状であってもよい。The thickness of the first light-shielding layer is 10 nm to 1 mm, preferably 1 μm to 1 mm, more preferably 10 μm to 1 mm.
However, as described above, when the color conversion layer is made of a phosphor, a thicker film is required as compared with the case of a color filter, and the thickness of the color conversion layer and the first light-shielding layer are made uniform and flattened. For this purpose, the thickness of the first light-shielding layer is also preferably 10 μm or more. The thickness of the second light-shielding layer is 1 nm to 100 μm, preferably 10 nm to 10 μm, more preferably 100 nm to 100 μm.
1 μm, and may be thinner than the first light shielding layer. Further, the surface shape of the first and second light-shielding layers may be a lattice shape or a stripe shape. However, when the color conversion layer is a phosphor layer, light leakage from the phosphor layer side surface is remarkable, so that the lattice shape is more. preferable. The cross-sectional shape of the first and second light-shielding layers is usually rectangular, but may be inverted trapezoidal or T-shaped.
【0030】第一遮光層の透過率は、発光部材の光また
は色変換層(特に蛍光体層)からの光を発する領域、す
なわち波長400nm〜700nmの可視領域における
光において10%以下であることが好ましく、1%以下
がさらに好ましい。10%を超えると発光部材の光また
は色変換層からの光が漏れて多色発光装置の色ずれ(混
色)を発生させ、視野角特性も悪化させる。また、必要
に応じて、少なくとも遮光層の側面を反射性のものにし
てもよい。第二遮光層の透過率は、第一遮光層と同様で
よいが、紫外線露光によるフォトマスクとしても作用す
るので、波長は通常250nm〜400nmの範囲でも
同様の透過率であることが必要である。The transmittance of the first light-shielding layer is not more than 10% in a region where light of the light emitting member or light from the color conversion layer (particularly, the phosphor layer) is emitted, that is, light in a visible region having a wavelength of 400 nm to 700 nm. , And more preferably 1% or less. If it exceeds 10%, light from the light emitting member or light from the color conversion layer leaks, causing color shift (color mixing) of the multicolor light emitting device, and the viewing angle characteristics also deteriorate. If necessary, at least the side surface of the light-shielding layer may be made reflective. The transmittance of the second light-shielding layer may be the same as that of the first light-shielding layer. However, since the second light-shielding layer also functions as a photomask by exposure to ultraviolet light, the wavelength needs to have the same transmittance even in the range of usually 250 nm to 400 nm. .
【0031】次に、第一および第二遮光層の具体的な材
料としては、例えば以下の金属及び黒色色素を挙げるこ
とができる。金属の種類としては、Ag,Al,Au,
Cu,Fe,Ge,In,K,Mg,Ba,Na,N
i,Pb,Pt,Si,Sn,W,Zn,Cr,Ti,
Mo,Ta,ステンレス等の一種以上の金属または合金
が挙げられる。また、上記金属の酸化物、窒化物、硫化
物、硝酸塩、硫酸塩等を用いてもよく、必要に応じて炭
素が含有されていてもよい。Next, specific materials for the first and second light-shielding layers include, for example, the following metals and black pigments. The types of metals include Ag, Al, Au,
Cu, Fe, Ge, In, K, Mg, Ba, Na, N
i, Pb, Pt, Si, Sn, W, Zn, Cr, Ti,
One or more metals or alloys such as Mo, Ta, stainless steel and the like can be mentioned. Further, oxides, nitrides, sulfides, nitrates, sulfates, and the like of the above metals may be used, and carbon may be contained as necessary.
【0032】上記材料は、スパタリング法、蒸着法、C
VD法、イオンプレーティング法、電析法、電気メッキ
法、化学メッキ法等の方法により、所望の基板上に成膜
され、フォトリソグラフィー法等によりパターニングを
行って、主に第二遮光層のパターン(平面的に分離配
置)を形成することができる。The above materials are prepared by sputtering, vapor deposition, C
A film is formed on a desired substrate by a method such as a VD method, an ion plating method, an electrodeposition method, an electroplating method, and a chemical plating method, and is patterned by a photolithography method or the like. A pattern (separately arranged in a plane) can be formed.
【0033】黒色色素としては、カーボンブラック、チ
タンブラック、アニリンブラック、前記カラーフィルタ
色素を混合して黒色化したものが挙げられる。これらの
黒色色素または前記金属材料を色変換層で用いたバイン
ダー樹脂中に溶解または分散させた固体状態とし、色変
換層と同様な方法でパターニングして主に第一遮光層の
パターンを形成する。Examples of the black pigment include carbon black, titanium black, aniline black, and a black pigment obtained by mixing the above color filter pigments. These black pigments or the metal materials are dissolved or dispersed in the binder resin used in the color conversion layer to form a solid state, and the pattern is formed in the same manner as the color conversion layer to mainly form the pattern of the first light-shielding layer. .
【0034】(4)発光体 本発明に用いられる発光体としては、有機EL素子が、
薄型で面発光であり、かつ有機化合物の種類が豊富で様
々な色の光を高効率、高輝度で発することができるので
好ましいが、無機EL、LED、VFD、PDP、場合
によってはLCDの光源を利用することができる。有機
EL素子は、有機物層として、再結合領域および発光領
域を少なくとも有するものが用いられる。この再結合領
域および発光領域は、通常発光層に存在するため、本発
明においては、有機物層として発光層のみを用いてもよ
いが、必要に応じ、発光層以外に、例えば正孔注入層,
電子注入層,有機半導体層,電子障壁層,付着改善層な
ども用いることができる。(4) Light Emitting Element The light emitting element used in the present invention is an organic EL element,
It is preferable because it is thin, emits light from the surface, and can emit various colors of light with high efficiency and high brightness because of a wide variety of organic compounds. However, light sources for inorganic EL, LED, VFD, PDP, and LCD in some cases Can be used. The organic EL element has at least a recombination region and a light-emitting region as an organic material layer. Since the recombination region and the light-emitting region are usually present in the light-emitting layer, in the present invention, only the light-emitting layer may be used as the organic material layer.
An electron injection layer, an organic semiconductor layer, an electron barrier layer, an adhesion improving layer, and the like can also be used.
【0035】次に本発明に用いられる有機EL素子の代
表的な構成例を示す。もちろん、これに限定されるもの
ではない。 陽極/発光層/陰極 陽極/正孔注入層/発光層/陰極 陽極/発光層/電子注入層/陰極 陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極 陽極/有機半導体層/発光層/陰極 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極 陽極/正孔注入層/発光層/付着改善層/陰極 などの構造を挙げることができる。これらの中で、通常
の構成が好ましく用いられる。Next, a typical configuration example of the organic EL device used in the present invention will be described. Of course, it is not limited to this. Anode / light-emitting layer / cathode anode / hole-injection layer / light-emitting layer / cathode anode / light-emitting layer / electron injection layer / cathode anode / hole-injection layer / light-emitting layer / electron injection layer / cathode anode / organic semiconductor layer / light-emitting layer / Cathode anode / organic semiconductor layer / electron barrier layer / emission layer / cathode anode / hole injection layer / emission layer / adhesion improving layer / cathode. Among these, a normal configuration is preferably used.
【0036】(4)−1.陽極 陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属,
合金,電気伝導性化合物またはこれらの混合物を電極物
質とするものが好ましく用いられる。このような電極物
質の具体例としては、Au等の金属、CuI,ITO,
SnO2 ,ZnO等の導電性材料が挙げられる。陽極
は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の
方法で、薄膜を形成させることにより作製することがで
きる。このように発光層からの発光を陽極から取り出す
場合、陽極の発光に対する透過率が10%より大きくす
ることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω
/□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通
常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範
囲で選択される。(4) -1. Anode For the anode, a metal with a large work function (4 eV or more)
Those using an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof as an electrode material are preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, CuI, ITO,
Conductive materials such as SnO 2 and ZnO can be used. The anode can be manufactured by forming a thin film from these electrode substances by a method such as an evaporation method or a sputtering method. When light emitted from the light emitting layer is extracted from the anode in this manner, it is preferable that the transmittance of the anode with respect to the light emission be greater than 10%. The sheet resistance of the anode is several hundred Ω.
/ □ or less is preferred. The thickness of the anode depends on the material, but is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.
【0037】(4)−2.発光層 有機EL素子の発光材料は主に有機化合物であり、具体
的には所望の色調により次のような化合物が挙げられ
る。まず、紫外域から紫色の発光を得る場合には、下記
の一般式であらわされる化合物が挙げられる。(4) -2. Light-Emitting Layer The light-emitting material of the organic EL device is mainly an organic compound, and specific examples include the following compounds depending on a desired color tone. First, in the case of emitting purple light from the ultraviolet region, a compound represented by the following general formula may be mentioned.
【0038】[0038]
【化1】 Embedded image
【0039】この一般式において、Xは下記化合物を示
す。In this general formula, X represents the following compound.
【0040】[0040]
【化2】 Embedded image
【0041】ここでnは、2,3,4または5である。
また、Yは下記化合物を示す。Here, n is 2, 3, 4 or 5.
Y represents the following compound.
【0042】[0042]
【化3】 Embedded image
【0043】上記化合物のフェニル基,フェニレン基,
ナフチル基に炭素数1〜4のアルキル基,アルコキシ
基,水酸基,スルホニル基,カルボニル基,アミノ基,
ジメチルアミノ基またはジフェニルアミノ基等が単独ま
たは複数置換したものであってもよい。また、これらは
互いに結合し、飽和5員環,6員環を形成してもよ。ま
た、フェニル基,フェニレン基,ナフチル基にパラ位で
結合したものが、結合性がよく平滑な蒸着膜の形成のた
めに好ましい。具体的には以下の化合物である。特に、
p−クォーターフェニル誘導体,p−クィンクフェニル
誘導体が好ましい。The phenyl group, phenylene group,
The naphthyl group includes an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a hydroxyl group, a sulfonyl group, a carbonyl group, an amino group,
A dimethylamino group, a diphenylamino group or the like may be used alone or plurally. These may be combined with each other to form a saturated 5-membered ring or 6-membered ring. Further, those bonded to a phenyl group, a phenylene group, or a naphthyl group at the para position are preferable for forming a smooth evaporated film having good bonding properties. Specifically, they are the following compounds. Especially,
P-quarterphenyl derivatives and p-quinphenyl derivatives are preferred.
【0044】[0044]
【化4】 Embedded image
【0045】[0045]
【化5】 Embedded image
【0046】[0046]
【化6】 Embedded image
【0047】[0047]
【化7】 Embedded image
【0048】次に、青色から緑色の発光を得るために
は、例えば、ベンゾチアゾール系,ベンゾイミダゾール
系,ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレー
ト化オキシノイド化合物,スチリルベンゼン系化合物を
挙げることができる。Next, in order to obtain blue to green light emission, for example, fluorescent brighteners such as benzothiazole, benzimidazole and benzoxazole, metal chelated oxinoid compounds and styrylbenzene compounds are mentioned. Can be.
【0049】具体的に化合物名を示せば、例えば、特開
昭59−194393号公報に開示されているものを挙
げることができる。その代表例としては、ベンゾオキサ
ゾール系、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系
等の蛍光増白剤を挙げることができる。さらに、他の有
用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・
ダイズ1971,628〜637頁および640頁に列
挙されている。Specific examples of the compound names include those disclosed in JP-A-59-194393. Typical examples thereof include benzoxazole-based, benzothiazole-based, and benzimidazole-based fluorescent whitening agents. In addition, other useful compounds include chemistry of synthetic
Soybean 1971, pages 628-637 and 640.
【0050】前記キレート化オキシノイド化合物として
は、例えば特開昭63−295695号公報に開示され
ているものを用いることができる。その代表例として
は、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(以下A
lqと略記する)等の8−ヒドロキシキノリン系金属錯
体やジリチウムエピントリジオン等を挙げることができ
る。As the chelated oxinoid compound, for example, those disclosed in JP-A-63-295695 can be used. A typical example is tris (8-quinolinol) aluminum (hereinafter referred to as A
8-hydroxyquinoline-based metal complex such as 1q) and dilithium epthridione.
【0051】また、前記スチリルベンゼン系化合物とし
ては、例えば欧州特許第0319881号明細書や欧州
特許第0373582号明細書に開示されているものを
用いることができる。Further, as the styrylbenzene-based compound, for example, those disclosed in European Patent Nos. 0319881 and 0375358 can be used.
【0052】また、特開平2−252793号公報に開
示されているジスチリルピラジン誘導体も発光層の材料
として用いることができる。その他のものとして、例え
ば欧州特許第0387715号明細書に開示されている
ポリフェニル系化合物も発光層の材料として用いること
もできる。Further, a distyrylpyrazine derivative disclosed in JP-A-2-252793 can also be used as a material for the light emitting layer. As other materials, for example, a polyphenyl-based compound disclosed in European Patent No. 0377715 can also be used as a material for the light-emitting layer.
【0053】さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレー
ト化オキシノイド化合物、およびスチリルベンゼン系化
合物等以外に、例えば12−フタロペリノン(J. Appl.
Phys., 第27巻,L713(1988年))、1,4
−ジフェニル−1,3−ブタジエン、1,1,4,4−
テトラフェニル−1,3ブタジエン(以上Appl. Phys.
Lett.,第56巻,L799(1990年))、ナフタル
イミド誘導体(特開平2−305886号公報)、ペリ
レン誘導体(特開平2−189890号公報)、オキサ
ジアゾール誘導体(特開平2−216791号公報、ま
たは第38回応用物理学関係連合講演会で浜田らによっ
て開示されたオキサジアゾール誘導体)、アルダジン誘
導体(特開平2−220393号公報)、ピラジリン誘
導体(特開平2−220394号公報)、シクロペンタ
ジエン誘導体(特開平2−289675号公報)、ピロ
ロピロール誘導体(特開平2−296891号公報)、
スチリルアミン誘導体(Appl. Phys. Lett.,第56巻,
L799(1990年))、クマリン系化合物(特開平
2−191694号公報)、国際公開公報WO90/1
3148やAppl. Phys. Lett.,vol 58,18,P1982(1991)
に記載されているような高分子化合物等も、発光層の材
料として用いることができる。Further, in addition to the above-described fluorescent whitening agent, metal chelated oxinoid compound, styrylbenzene compound and the like, for example, 12-phthaloperinone (J. Appl.
Phys., Vol. 27, L713 (1988)), 1, 4
-Diphenyl-1,3-butadiene, 1,1,4,4-
Tetraphenyl-1,3 butadiene (Appl. Phys.
Lett., Vol. 56, L799 (1990)), naphthalimide derivative (JP-A-2-305886), perylene derivative (JP-A-2-189890), oxadiazole derivative (JP-A-2-216791). Gazettes, or oxadiazole derivatives disclosed by Hamada et al. At the 38th Lecture Meeting on Applied Physics, aldazine derivatives (JP-A-2-220393), pyrazirine derivatives (JP-A-2-220394), Cyclopentadiene derivatives (JP-A-2-289675), pyrrolopyrrole derivatives (JP-A-2-29691),
Styrylamine derivatives (Appl. Phys. Lett., Vol. 56,
L799 (1990)), coumarin compounds (JP-A-2-191694), and WO90 / 1.
3148 and Appl. Phys. Lett., Vol 58, 18, P1982 (1991)
Can be used as a material for the light emitting layer.
【0054】本発明では、特に発光層の材料として、芳
香族ジメチリディン系化合物(欧州特許第038876
8号明細書や特開平3−231970号公報に開示のも
の)を用いることが好ましい。具体例としては、4,
4’−ビス(2,2−ジ−t−ブチルフェニルビニル)
ビフェニル、(以下、DTBPBBiと略記する)、
4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニ
ル(以下DPVBiと略記する)等、およびそれらの誘
導体を挙げることができる。In the present invention, an aromatic dimethylidin compound (European Patent No. 038876) is particularly used as a material for the light emitting layer.
No. 8 and JP-A-3-231970) are preferably used. As a specific example,
4'-bis (2,2-di-t-butylphenylvinyl)
Biphenyl, (hereinafter abbreviated as DTBPBBi),
4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (hereinafter abbreviated as DPVBi) and the like and derivatives thereof can be given.
【0055】さらに、特開平5−258862号公報等
に記載されている一般式(RS −Q)2−AL−O−L
であらわされる化合物も挙げられる。(上記式中、Lは
フェニル部分を含んでなる炭素原子6〜24個の炭化水
素であり、O−Lはフェノラート配位子であり、Qは置
換8−キノリノラート配位子を表し、RS はアルミニウ
ム原子に置換8−キノリノラート配位子が2個を上回り
結合するのを立体的に妨害するように選ばれた8−キノ
リノラート環置換基を表す) 具体的には、ビス(2−
メチル−8−キノリノラート)(パラ−フェニルフェノ
ラート)アルミニウム(III )(以下PC−7)、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)(1−ナフトラー
ト)アルミニウム(III )(以下PC−17)等が挙げ
られる。その他、特開平6−9953号公報等によるド
ーピングを用いた高効率の青色と緑色の混合発光を得る
方法が挙げられる。この場合、ホストとしては上記に記
載した発光材料、ドーパントとしては、青色から緑色に
までの強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいは上記記
載のホストとして用いられているものと同様な蛍光色素
を挙げることができる。具体的には、ホストとしてジス
チリルアリーレン骨格の発光材料、特に好ましくは例え
ばDPVBi、ドーパントとしてはジフェニルアミノビ
ニルアリーレン、特に好ましくは例えばN,N−ジフェ
ニルアミノビニルベンゼン(DPAVB)を挙げること
ができる。Further, a compound represented by the general formula (R S -Q) 2 -AL-OL described in JP-A-5-258882 and the like.
And a compound represented by the formula: (Where L is a hydrocarbon of 6 to 24 carbon atoms comprising a phenyl moiety, OL is a phenolate ligand, Q is a substituted 8-quinolinolate ligand, R S Represents an 8-quinolinolate ring substituent selected to sterically hinder the binding of more than two substituted 8-quinolinolate ligands to the aluminum atom. Specifically, bis (2-
Methyl-8-quinolinolate) (para-phenylphenolate) aluminum (III) (hereinafter PC-7), bis (2-methyl-8-quinolinolate) (1-naphtholate) aluminum (III) (hereinafter PC-17), etc. Is mentioned. In addition, there is a method of obtaining highly efficient mixed emission of blue and green light using doping according to JP-A-6-9953. In this case, as the host, the luminescent material described above, and as the dopant, a strong fluorescent dye from blue to green, for example, a coumarin-based fluorescent dye or a fluorescent dye similar to that used as the host described above may be used. it can. Specifically, a luminescent material having a distyrylarylene skeleton as the host, particularly preferably, for example, DPVBi, and a dopant as diphenylaminovinylarylene, particularly preferably, for example, N, N-diphenylaminovinylbenzene (DPAVB).
【0056】白色の発光を得る発光層としては、特に制
限はないが下記のものを挙げることができる。 有機EL積層構造体の各層のエネルギー準位を規定
し、トンネル注入を利用して発光させるもの(ヨーロッ
パ公開特許第0390551号公報) と同じくトンネル注入を利用する素子で実施例とし
て白色発光素子が記載されているもの(特開平3−23
0584号公報) 二層構造の発光層が記載されているもの(特開平2−
220390号公報および特開平2−216790号公
報) 発光層を複数に分割してそれぞれ発光波長の異なる材
料で構成されたもの(特開平4−51491号公報) 青色発光体(蛍光ピーク380nm〜480nm)と
緑色発光体(480nm〜580nm)とを積層させ、
さらに赤色蛍光体を含有させた構成のもの(特開平6−
207170号公報) 青色発光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤
色蛍光色素を含有した領域を有し、さらに緑色蛍光体を
含有する構成のもの(特開平7−142169号公報) 中でも、の構成のものが好ましく用いられる。また、
赤色蛍光体の例を[化8]に示す。The light emitting layer for obtaining white light emission is not particularly limited, but the following can be mentioned. A white light emitting element is described as an example of an element using tunnel injection as in the element using the tunnel injection, which specifies the energy level of each layer of the organic EL laminated structure and emits light using tunnel injection (European Patent Publication No. 0390551). (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 3-23)
No. 0584) A light emitting layer having a two-layer structure is described (Japanese Unexamined Patent Publication No.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 220390 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 216790/1990 The light-emitting layer is divided into a plurality of layers and made of materials having different emission wavelengths (Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-51491). Blue light emitter (fluorescence peak 380 nm to 480 nm) And a green light emitter (480 nm to 580 nm),
Further, a structure containing a red phosphor (Japanese Unexamined Patent Publication No.
207170) A structure in which a blue light-emitting layer contains a blue fluorescent dye, a green light-emitting layer has a region containing a red fluorescent dye, and further contains a green phosphor (Japanese Patent Laid-Open No. 7-142169) Are preferably used. Also,
An example of a red phosphor is shown in [Formula 8].
【0057】[0057]
【化8】 Embedded image
【0058】前記材料を用いて、発光層を形成する方法
としては、例えば蒸着法,スピンコート法,LB法等の
公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分
子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜と
は、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜
や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化さ
れ形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、
LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは凝集構
造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違に
より区分することができる。また、特開昭57−517
81号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と
材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをス
ピンコート法等により薄膜化することによっても、発光
層を形成することができる。このようにして、形成され
る発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じ
て適宜選択することができるた、通常5nm〜5μmの
範囲が好ましい。有機EL素子の発光層は以下の機能を
併せ持つものである。すなわち、注入機能;電界印加
時に陽極または正孔注入層より正孔を注入することがで
き、陰極または電子注入層より電子を注入することがで
きる機能、輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を
電界の力で移動させる機能、発光機能;電子と正孔の
再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能、があ
る。但し、正孔の注入されやすさと電子の注入されやす
さに違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度であ
らわされる輸送能に大小があてもよいが、どちらか一方
の電荷を移動することが好ましい。As a method for forming a light emitting layer using the above-mentioned materials, a known method such as a vapor deposition method, a spin coating method and an LB method can be applied. The light emitting layer is particularly preferably a molecular deposition film. Here, the molecular deposition film is a thin film formed by deposition from a material compound in a gaseous state or a film formed by solidification from a material compound in a solution state or a liquid phase state. Is
It can be distinguished from a thin film (molecule accumulation film) formed by the LB method by a difference in an aggregated structure and a higher-order structure and a functional difference caused by the difference. Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-517
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 81, after a binder such as a resin and a material compound are dissolved in a solvent to form a solution, the solution is formed into a thin film by a spin coating method or the like to form a light emitting layer. be able to. The thickness of the light emitting layer formed in this manner is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the circumstances. Usually, the thickness is preferably in the range of 5 nm to 5 μm. The light emitting layer of the organic EL element has the following functions. That is, an injection function; a function of injecting holes from an anode or a hole injection layer when an electric field is applied, and a function of injecting electrons from a cathode or an electron injection layer; a transport function; injected charges (electrons and holes ) By a force of an electric field and a light-emitting function; a function of providing a field for recombination of electrons and holes and linking it to light emission. However, there may be a difference between the ease with which holes are injected and the ease with which electrons are injected, and the transportability, which is represented by the mobility of holes and electrons, may be large or small. It is preferable to move.
【0059】(4)−3.正孔注入層 次に、正孔注入層は、必ずしも本発明に用いられる素子
に必要なものではないが、発光性能の向上のために用い
た方が好ましいものである。この正孔注入層は発光層へ
の正孔注入を助ける層であって、正孔移動度が大きく、
イオン化エネルギーが、通常5.5eV以下と小さい。
このような正孔注入層としては、より低い電界で正孔を
発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度
が、例えば104 〜106 V/cmの電界印加時に、少
なくとも10-6cm2 /V・秒であればなお好ましい。
このような正孔注入材料については、前記の好ましい性
質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝
材料において、正孔の電荷輸送材として慣用されている
ものや、EL素子の正孔注入層に使用される公知のもの
の中から任意のものを選択して用いることができる。(4) -3. Hole Injection Layer Next, the hole injection layer is not always necessary for the device used in the present invention, but is preferably used for improving light emitting performance. This hole injection layer is a layer that assists hole injection into the light emitting layer, has a large hole mobility,
The ionization energy is usually as low as 5.5 eV or less.
As such a hole injecting layer, a material that transports holes to the light emitting layer with a lower electric field is preferable, and the mobility of holes is at least 10 4 to 10 6 V / cm when an electric field is applied. -6 cm 2 / V · sec is more preferable.
Such a hole injecting material is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties. Conventionally, in a photoconductive material, a material commonly used as a charge transporting material for holes or a positive electrode material of an EL element is used. Any one of known materials used for the hole injection layer can be selected and used.
【0060】具体例としては、例えばトリアゾール誘導
体(米国特許3,112,197号明細書等参照)、オ
キサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号
明細書等参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−1
6096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体
(米国特許3,615,402号明細書、同第3,82
0,989号明細書、同第3,542,544号明細
書、特公昭45−555号公報、同51−10983号
公報、特開昭51−93224号公報、同55−171
05号公報、同56−4148号公報、同55−108
667号公報、同55−156953号公報、同56−
36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体およびピ
ラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細
書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−8
8064号公報、同55−88065号公報、同49−
105537号公報、同55−51086号公報、同5
6−80051号公報、同56−88141号公報、同
57−45545号公報、同54−112637号公
報、同55−74546号公報等参照)、フェニレンジ
アミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細
書、特公昭51−10105号公報、同46−3712
号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53
435号公報、同54−110536号公報、同54−
119925号公報等参照)、アリールアミン誘導体
(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,1
80,703号明細書、同第3,240,597号明細
書、同第3,658,520号明細書、同第4,23
2,103号明細書、同第4,175,961号明細
書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−3
5702号公報、同39−27577号公報、特開昭5
5−144250号公報、同56−119132号公
報、同56−22437号公報、西独特許第1,11
0,518号明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導
体(米国特許第3,526,501号明細書等参照)、
オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号
明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体
(特開昭56−46234号公報等参照)、フルオレノ
ン誘導体(特開昭54−110837号公報等参照)、
ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明
細書、特開昭54−59143号公報、同55−520
63号公報、同55−52064号公報、同55−46
760号公報、同55−85495号公報、同57−1
1350号公報、同57−148749号公報、特開平
2−311591号公報等参照)、スチルベン誘導体
(特開昭61−210363号公報、同61−2284
51号公報、同61−14642号公報、同61−72
255号公報、同62−47646号公報、同62−3
6674号公報、同62−10652号公報、同62−
30255号公報、同60−93445号公報、同60
−94462号公報、同60−174749号公報、同
60−175052号公報等参照)、シラザン誘導体
(米国特許第4,950,950号明細書)、ポリシラ
ン系(特開平2−204996号公報)、アニリン系共
重合体(特開平2−282263号公報)、特開平1−
211399号公報に開示されている導電性高分子オリ
ゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等を挙げることが
できる。正孔注入層の材料としては上記のものを使用す
ることができるが、ポルフィリン化合物(特開昭63−
2956965号公報等に開示のもの)、芳香族第三級
アミン化合物およびスチリルアミン化合物(米国特許第
4,127,412号明細書、特開昭53−27033
号公報、同54−58445号公報、同54−1496
34号公報、同54−64299号公報、同55−79
450号公報、同55−144250号公報、同56−
119132号公報、同61−295558号公報、同
61−98353号公報、同63−295695号公報
等参照)、特に芳香族第三級アミン化合物を用いること
が好ましい。また、米国特許第5,061,569号に
記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する、
例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−
フェニルアミノ]ビフェニル(以下NPDと略記す
る)、また、特開平4−308688号公報で記載され
ているトリフェニルアミンユニットが3つスターバース
ト型に連結された4,4’,4''−トリス[N−(3−
メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニル
アミン(以下MTDATAと略記する)等を挙げること
ができる。また、発光層の材料として示した前述の芳香
族ジメチリディン系化合物の他、p型−Si,p型−S
iC等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用する
ことができる。正孔注入層は、上述した化合物を、例え
ば真空蒸着法,スピンコート法,キャスト法,LB法等
の公知の方法により薄膜化することにより形成すること
ができる。正孔注入層としての膜厚は、特に制限はない
が、通常は5nm〜5μmである。この正孔注入層は、
上述した材料の一種または二種以上からなる一層で構成
されていてもよいし、または、前記正孔注入層とは別種
の化合物からなる正孔注入層を積層したものであっても
よい。また、有機半導体層は、発光層への正孔注入また
は電子注入を助ける層であって、10-10 S/cm以上
の導電率を有するものが好適である。このような有機半
導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや含ア
リールアミンオリゴマーなどの導電性オリゴマー、含ア
リールアミンデンドリマーなどの導電性デンドリマーな
どを用いることができる。As specific examples, for example, triazole derivatives (see US Pat. No. 3,112,197 etc.), oxadiazole derivatives (see US Pat. No. 3,189,447 etc.), imidazole derivatives (Japanese Patent Publication No. 37-1
No. 6096), polyarylalkane derivatives (U.S. Pat. Nos. 3,615,402 and 3,82).
Nos. 0,989, 3,542,544, JP-B-45-555, JP-B-51-10983, JP-A-51-93224, and 55-171.
Nos. 05, 56-4148, 55-108
Nos. 667 and 55-15653 and 56-
No. 36656), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (U.S. Pat. Nos. 3,180,729 and 4,278,746; JP-A-55-8).
Nos. 8064, 55-88065, 49-
Nos. 105537, 55-51086 and 5
Nos. 6-80051, 56-88141, 57-54545, 54-112637 and 55-74546, and phenylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404). Specification, JP-B-51-10105, 46-3712
JP-A-47-25336, JP-A-54-53
No. 435, No. 54-110536, No. 54-
No. 119925), arylamine derivatives (U.S. Pat. Nos. 3,567,450 and 3,1).
Nos. 80,703, 3,240,597, 3,658,520 and 4,23
2,103, 4,175,961, 4,012,376, JP-B-49-3
5702, 39-27577 and JP-A-5
JP-A-5-144250, JP-A-56-119132, JP-A-56-22437, West German Patent No. 1,11
0,518), amino-substituted chalcone derivatives (see US Pat. No. 3,526,501),
Oxazole derivatives (as disclosed in U.S. Pat. No. 3,257,203), styryl anthracene derivatives (see JP-A-56-46234, etc.), and fluorenone derivatives (see JP-A-54-110837, etc.) ),
Hydrazone derivatives (US Pat. No. 3,717,462, JP-A-54-59143, and JP-A-55-520)
Nos. 63, 55-52064 and 55-46.
760, 55-85495, 57-1
1350, 57-148749, JP-A-2-311591, etc.), stilbene derivatives (JP-A-61-210363, 61-2284)
No. 51, No. 61-14642, No. 61-72
No. 255, No. 62-47646, No. 62-3
Nos. 6,674, 62-10652 and 62-
Nos. 30255, 60-93445 and 60
JP-A-94462, JP-A-60-174747, JP-A-60-175052, etc.), silazane derivatives (U.S. Pat. No. 4,950,950), polysilanes (JP-A-2-204996), Aniline copolymer (JP-A-2-282263), JP-A-1-
Conductive polymer oligomers (especially thiophene oligomers) disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 211399 can be used. As the material for the hole injection layer, those described above can be used.
No. 2,965,965), aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (U.S. Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-27033).
JP-A-54-58445, JP-A-54-1496
Nos. 34, 54-64299, 55-79
No. 450, No. 55-144250, No. 56-
JP-A-119132, JP-A-61-295558, JP-A-61-98353, JP-A-63-295695, etc.), and particularly, an aromatic tertiary amine compound is preferably used. Further, it has two fused aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569 in a molecule,
For example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-
Phenylamino] biphenyl (hereinafter abbreviated as NPD) and 4,4 ′, 4 ″ -tris in which three triphenylamine units described in JP-A-4-308688 are connected in a starburst form. [N- (3-
Methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (hereinafter abbreviated as MTDATA) and the like. Further, in addition to the above-mentioned aromatic dimethylidin compound shown as a material of the light emitting layer, p-type Si, p-type S
An inorganic compound such as iC can also be used as a material for the hole injection layer. The hole injection layer can be formed by thinning the above-mentioned compound by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. The thickness of the hole injection layer is not particularly limited, but is usually 5 nm to 5 μm. This hole injection layer is
It may be composed of one or more of the above-mentioned materials, or may be a layer obtained by laminating a hole injection layer made of a compound different from the hole injection layer. Further, the organic semiconductor layer is a layer that assists hole injection or electron injection into the light emitting layer, and preferably has a conductivity of 10 −10 S / cm or more. As a material for such an organic semiconductor layer, a conductive oligomer such as a thiophene-containing oligomer or an arylamine-containing oligomer, or a conductive dendrimer such as an arylamine-containing dendrimer can be used.
【0061】(4)−4電子注入層 一方電子注入層は、発光層への電子の注入を助ける層で
あって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この
電子注入層の中で、特に陰極との付着が良い材料からな
る層である。電子注入層に用いられる材料としては、例
えば8−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯
体、あるいはオキサジアゾール誘導体が好ましく挙げら
れる。また、付着改善層に用いられる材料としては、特
に8−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体
が好適である。上記8−ヒドロキシキノリンまたはその
誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に
8−キノリノールまたは8−ヒドロキシキノリン)のキ
レートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げら
れる。例えば先に記載したAlqを電子注入層として用
いることができる。一方、オキサジアゾール誘導体とし
ては、一般式(II),(III )および(IV)(4) -4 Electron Injection Layer On the other hand, the electron injection layer is a layer which assists the injection of electrons into the light emitting layer, has a high electron mobility, and the adhesion improving layer is one of the electron injection layers. In particular, a layer made of a material having good adhesion to the cathode. Preferred examples of the material used for the electron injection layer include a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, or an oxadiazole derivative. As a material used for the adhesion improving layer, a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof is particularly suitable. Specific examples of the metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof include a metal chelate oxinoid compound containing a chelate of oxine (generally, 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline). For example, Alq described above can be used as the electron injection layer. On the other hand, as the oxadiazole derivatives, the general formulas (II), (III) and (IV)
【0062】[0062]
【化9】 Embedded image
【0063】(式中Ar10〜Ar13はそれぞれ置換また
は無置換のアリール基を示し、Ar10とAr11およびA
r12とAr13はそれぞれにおいて互いに同一であっても
異なっていてもよく、Ar14置換または無置換のアリレ
ーン基を示す。)で表わされる電子伝達化合物が挙げら
れる。ここで、アリール基としてはフェニル基,ビフェ
ニル基,アントラニル基,ペリレニル基,ピレニル基な
どが挙げられ、アリレーン基としてはフェニレン基,ナ
フチレン基,ビフェニレン基,アントラセニレン基,ペ
ニレニレン基,ピレニレン基などが挙げられる。また、
置換基としては炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1
〜10のアルコキシ基またはシアノ基などが挙げられ
る。この電子伝達化合物は、薄膜形成性のものが好まし
い。上記電子伝達化合物の具体例としては、下記のもの
を挙げることができる。(Wherein Ar 10 to Ar 13 each represent a substituted or unsubstituted aryl group, and Ar 10 , Ar 11 and A
r 12 and Ar 13 may be the same or different, and each represents an Ar 14 substituted or unsubstituted arylene group. )). Here, the aryl group includes a phenyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a perylenyl group, a pyrenyl group, and the like. Can be Also,
As the substituent, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 1 carbon atom
And 10 to 10 alkoxy groups or cyano groups. The electron transfer compound is preferably a thin film-forming compound. Specific examples of the electron transfer compound include the following.
【0064】[0064]
【化10】 Embedded image
【0065】(4)−5.陰極 陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属,
合金,電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物
質とするものが用いられる.このような電極物質の具体
例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、
マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アル
ミニウム/酸化アルミニウム(Al2 O3 )、アルミニ
ウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙
げられる。この陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパ
ッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることに
より、作製することができる。また、陰極としてのシー
ト抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10n
m〜1μm、50〜200nmの範囲が好ましい。な
お、本発明に用いられるEL素子においては、該陽極ま
たは陰極のいずれか一方が透明または半透明であること
が、発光を透過するため、発光の取り出し効率がよいの
で好ましい。(4) -5. Cathode As the cathode, a metal with a small work function (4 eV or less)
An alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof are used as electrode materials. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy,
Examples include magnesium, lithium, magnesium / silver alloy, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum / lithium alloy, indium, and rare earth metals. The cathode can be manufactured by forming a thin film from these electrode materials by a method such as evaporation or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually 10 n.
The range of m to 1 μm and 50 to 200 nm is preferable. In the EL element used in the present invention, it is preferable that one of the anode and the cathode is transparent or translucent, since light is transmitted therethrough and light emission extraction efficiency is high.
【0066】(4)−6.有機EL素子の作製(例) 以上例示した材料および方法により陽極、発光層、必要
に応じて正孔注入層、および必要に応じて電子注入層を
形成し、さらに陰極を形成することにより、有機EL素
子を作製することができる。また、陰極から陽極へ、前
記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。(4) -6. Fabrication of Organic EL Element (Example) An anode, a light emitting layer, a hole injection layer, if necessary, and an electron injection layer, if necessary, are formed by the materials and methods exemplified above. An EL element can be manufactured. Further, the organic EL device can be manufactured in the reverse order from the cathode to the anode.
【0067】以下に支持基板上に陽極/正孔注入層/発
光層/電子注入層/陰極が順次設けられた構成の有機E
L素子の作製例を記載する。まず、適当な基板上に、陽
極材料からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜2
00nmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリン
グ等の方法により形成して、陽極を作製する。次に、こ
の陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、
前述したように真空蒸着法,スピンコート法,キャスト
法,LB法等の方法により行なうことができるが、均質
な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等
の点から、真空蒸着法により形成することが好ましい。
真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着
条件は、使用する化合物(正孔注入層の材料)、目的と
する正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なる
が、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10-7〜
10-3torr、蒸着速度0.01〜50nm/se
c、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの
範囲で適宜選択することが好ましい。An organic E having a structure in which an anode / a hole injection layer / a light emitting layer / an electron injection layer / a cathode is sequentially provided on a support substrate is described below.
An example of manufacturing an L element will be described. First, on an appropriate substrate, a thin film made of an anode material is 1 μm or less, preferably 10 to 2 μm.
An anode is formed by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness in the range of 00 nm. Next, a hole injection layer is provided on the anode. The formation of the hole injection layer
As described above, it can be performed by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. However, from the viewpoint that a uniform film is easily obtained and pinholes are hardly generated, the vacuum deposition method It is preferable to form with.
When the hole injection layer is formed by a vacuum evaporation method, the deposition conditions vary depending on the compound to be used (the material of the hole injection layer), the crystal structure and the recombination structure of the target hole injection layer, etc. Deposition source temperature 50 to 450 ° C, degree of vacuum 10 -7 to
10 -3 torr, deposition rate 0.01 to 50 nm / se
c, the substrate temperature is preferably -50 to 300 ° C., and the film thickness is preferably selected in the range of 5 nm to 5 μm.
【0068】次に正孔注入層上に発光層を設ける発光層
の形成も、所望の有機発光材料を用いて、真空蒸着法,
スパッタリング,スピンコート法,キャスト法等の方法
により有機発光材料を薄膜化することにより形成できる
が、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成し
にくい等の点から、真空蒸着法により形成することが好
ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その
蒸着条件は、使用する化合物により異なるが、一般的に
正孔注入層と同じ様な条件範囲の中から選択することが
できる。Next, the formation of a light-emitting layer in which a light-emitting layer is provided on the hole injection layer is also carried out by using a desired organic light-emitting material by a vacuum evaporation method.
It can be formed by thinning the organic light-emitting material by a method such as sputtering, spin coating, or casting, but is formed by a vacuum evaporation method because a uniform film is easily obtained and pinholes are hardly generated. Is preferred. When the light emitting layer is formed by a vacuum evaporation method, the evaporation conditions vary depending on the compound used, but can be generally selected from the same condition range as the hole injection layer.
【0069】次に、この発光層上に電子注入層を設け
る。正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要か
ら真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件
は、正孔注入層、発光層と同様条件範囲から選択するこ
とができる。Next, an electron injection layer is provided on the light emitting layer. Like the hole injection layer and the light emitting layer, it is preferable to form the film by a vacuum deposition method from the viewpoint of obtaining a uniform film. The deposition conditions can be selected from the same condition range as the hole injection layer and the light emitting layer.
【0070】最後に、陰極を積層して有機EL素子を得
ることができる。陰極は、金属から構成されるもので、
蒸着法,スパッタリングを用いることができる。しか
し、下地の有機物層を成膜時の損傷から守るためには、
真空蒸着法が好ましい。Finally, an organic EL device can be obtained by laminating a cathode. The cathode is made of metal,
Evaporation and sputtering can be used. However, to protect the underlying organic layer from damage during film formation,
Vacuum evaporation is preferred.
【0071】これまで記載してきた有機EL素子の作製
は、一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製す
ることが好ましい。In the production of the organic EL device described so far, it is preferable to produce from the anode to the cathode consistently by one evacuation.
【0072】なお、有機EL素子に直流電圧を印加する
場合、陽極を+、陰極を−の極性にして、5〜40Vの
電圧を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性
で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じな
い。さらに交流電圧を印加した場合には、陽極が+、陰
極が−の極性になったときのみ均一な発光が観測され
る。印加する交流の波形は任意でよい。When a DC voltage is applied to the organic EL element, light emission can be observed by applying a voltage of 5 to 40 V with the anode having a positive polarity and the cathode having a negative polarity. Even if a voltage is applied in the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, uniform light emission is observed only when the anode has a positive polarity and the cathode has a negative polarity. The waveform of the applied alternating current may be arbitrary.
【0073】ここで、平面的に分離配置して発光する有
機EL素子を作製するには、ストライプ状の陽極および
陰極を交差させ、それぞれの電極に直流電圧を印加し、
交差部分を発光させるX−Yドットマトリックス方式と
陽極または陰極のいずれかをドット状に形成し、TFT
(Thin Film Transister)のようなスイッチング素子に
て特定のドット部分だけに直流電圧を印加して発光させ
るアクティブマトリックス方式が挙げられる。ストライ
プ状またはドット状の陽極および陰極はフォトリソグラ
フィー法にてエッチングするかリフトオフするか、また
はマスキング蒸着等の方法にて形成することができる。Here, in order to fabricate an organic EL element which emits light while being separated and arranged in a plane, a striped anode and a cathode are crossed, and a DC voltage is applied to each electrode.
An XY dot matrix system that emits light at the intersection and either an anode or a cathode are formed in a dot shape, and a TFT
An active matrix system in which a switching element such as (Thin Film Transister) applies a DC voltage to only a specific dot portion to emit light. The stripe-shaped or dot-shaped anode and cathode can be formed by etching or lift-off by photolithography, or by masking deposition or the like.
【0074】III .色変換フィルタの製造方法 本発明の色変換フィルタの製造方法は、前述のように、
透光性基板上に、遮光層と、一種類以上の蛍光体層を含
む色変換層とが、互い違いに繰返し平面的に分離配置さ
れた、発光体からの発光を分解および/または変換する
色変換フィルタを製造する方法において、前記(A)〜
(C)の工程を含むものである。 1.工程(A) 透光性基板上に、第一遮光層を平面的にパターン化し
て、分離配置するとともに、この第一遮光層の上面また
は下面の少なくとも一方、および透光性基板上に第二遮
光層を配設する。以下、具体的に説明する。III. Method for manufacturing color conversion filter The method for manufacturing the color conversion filter of the present invention, as described above,
A light-shielding layer and a color conversion layer including one or more types of phosphor layers are alternately and separately separated in a plane on a light-transmitting substrate. In the method for manufacturing a conversion filter, the method (A)
(C) is included. 1. Step (A) A first light-shielding layer is two-dimensionally patterned and separated on a light-transmitting substrate, and at least one of an upper surface or a lower surface of the first light-shielding layer, and A light shielding layer is provided. Hereinafter, a specific description will be given.
【0075】図3(a)および図4には、透光性基板1
上に第一遮光層21を配置した後に、この第一遮光層2
1の上面および透光性基板1上に第二遮光層22を積層
して配設した場合を示す。FIGS. 3A and 4 show the light-transmitting substrate 1.
After disposing the first light shielding layer 21 thereon, the first light shielding layer 2
1 shows a case where a second light-shielding layer 22 is stacked and disposed on the upper surface of the light-transmitting substrate 1 and the light-transmitting substrate 1.
【0076】図5には、透光性基板1の全面に、第二遮
光層22を積層して配設した後に、この第二遮光層22
上に第一遮光層21を平面的にパターン化して分離配置
した場合を示す。FIG. 5 shows that the second light-shielding layer 22 is laminated on the entire surface of the light-transmitting substrate 1 and then disposed.
A case where the first light-shielding layer 21 is separately patterned and arranged on a plane is shown above.
【0077】図6には、透光性基板1の全面に、第二遮
光層22を積層して配設した後に、この第二遮光層22
上に第一遮光層21を平面的にパターン化して分離配置
し、次に、第一遮光層21の上面、および透光性基板1
上に配設された第二遮光層22上に、さらに第二遮光層
22を積層して配設した場合を示す。FIG. 6 shows that the second light-shielding layer 22 is laminated on the entire surface of the light-transmitting substrate 1 and then disposed.
The first light-shielding layer 21 is patterned and separated and arranged on the upper surface, and then the upper surface of the first light-shielding layer 21 and the light-transmitting substrate 1
A case is shown in which the second light-shielding layer 22 is further laminated on the second light-shielding layer 22 provided thereon.
【0078】図7には、透光性基板1上に第二遮光層2
2を平面的にパターン化して分離配置した後に、透光性
基板1上に第一遮光層21を、第二遮光層22と互い違
いになるように平面的にパターン化して分離配置した場
合を示す。FIG. 7 shows a second light shielding layer 2 on a light transmitting substrate 1.
2 shows a case in which the first light-shielding layer 21 is patterned and separated and arranged on the light-transmitting substrate 1 so that the first light-shielding layer 21 and the second light-shielding layer 22 are alternately arranged on the light-transmitting substrate 1. .
【0079】図8には、透光性基板1上に第二遮光層2
2を平面的にパターン化して分離配置した後に、透光性
基板1上に第一遮光層21を、第二遮光層22と互い違
いになるように平面的にパターン化して分離配置し、次
に、第一遮光層21の上面、および透光性基板1上に配
設された第二遮光層22上に、さらに第二遮光層22を
積層して配設した場合を示す。FIG. 8 shows a second light-shielding layer 2 on a light-transmitting substrate 1.
After the second light-shielding layer 21 is patterned and separated and arranged on the light-transmitting substrate 1, the first light-shielding layer 21 is patterned and separated and arranged on the light-transmitting substrate 1 so as to be alternate with the second light-shielding layer 22. The case where the second light-shielding layer 22 is further laminated on the upper surface of the first light-shielding layer 21 and on the second light-shielding layer 22 provided on the light-transmitting substrate 1 is shown.
【0080】2.工程(B) 透光性基板上に配設された第二遮光層をエッチングによ
り選択的に除去する。具体的には、図3(b)に示すよ
うに、透光性基板1上に配設された第二遮光層22の一
部をエッチング(たとえばフォトリソグラフィー法を用
いて)により選択的に除去する。除去の方法としては、
たとえば、エッチング液を用いたウエットエッチングで
もよいし、RIE(リアクティブイオンエッチング)の
ようなエッチングガスを用いたドライエッチングであっ
てもよい。2. Step (B) The second light-shielding layer provided on the light-transmitting substrate is selectively removed by etching. More specifically, as shown in FIG. 3B, a part of the second light-shielding layer 22 provided on the light-transmitting substrate 1 is selectively removed by etching (for example, using a photolithography method). I do. As a method of removal,
For example, wet etching using an etching solution or dry etching using an etching gas such as RIE (reactive ion etching) may be used.
【0081】3.工程(C) 図3(c)に示すように、光硬化型色変換層形成材料
3’を第一遮光層21間の間隙を埋めるようにして成膜
する。この光硬化型色変換層形成材料3’としては、前
述の感光性樹脂や光硬化型レジスト材料をバインダー樹
脂に用いた材料を挙げることができる。その成膜方法も
前述のものを用いることができる。3. Step (C) As shown in FIG. 3C, a photocurable color conversion layer forming material 3 ′ is formed so as to fill the gap between the first light shielding layers 21. Examples of the photo-curable color conversion layer forming material 3 ′ include materials using the above-described photosensitive resin or photo-curable resist material as a binder resin. The film formation method described above can be used.
【0082】本発明においては、さらに前記工程(A)
〜(C)に加えて、さらに工程(D)〜(F)を含んだ
ものが好ましい。 4.工程(D) 図3(d)に示すように、透光性基板1側から露光して
光硬化型色変換層形成材料3’を光硬化させ一種類の色
変換層3を形成する。露光の方法としては特に制限はな
いが、たとえば、水銀、またはハロゲン,キセノンラン
プ等の光源を用いて、光硬化型色変換層形成材料の分光
感度に応じた光を照射する。なお、精度のよい色変換層
を形成するためには、平行光を基板に対して垂直に照射
することが好ましい。In the present invention, the step (A)
What contains process (D)-(F) in addition to (C) is preferable. 4. Step (D) As shown in FIG. 3 (d), the light-curable color conversion layer forming material 3 ′ is light-cured by exposing from the light-transmitting substrate 1 side to form one type of color conversion layer 3. The method of exposure is not particularly limited. For example, light corresponding to the spectral sensitivity of the photocurable color conversion layer forming material is irradiated using a light source such as mercury or a halogen or xenon lamp. In order to form an accurate color conversion layer, it is preferable to irradiate the substrate with parallel light perpendicularly.
【0083】5.工程(E) 図3(e)に示すように、光硬化型色変換層形成材料
3’の露光されなかった部分を除去する。除去の方法と
しては特に制限はないが、たとえば未硬化(未露光)の
材料を溶解するような現象液による処理または分解する
ようなガスによる処理を行う。5. Step (E) As shown in FIG. 3 (e), the unexposed portions of the photocurable color conversion layer forming material 3 ′ are removed. Although there is no particular limitation on the method of removal, for example, treatment with a phenomenon liquid that dissolves uncured (unexposed) material or treatment with a gas that decomposes is performed.
【0084】6.工程(F) 図3(f)に示すように、色変換層の種類の数に応じ、
必要な回数だけ工程(B)〜(E)を繰返して、複数
(図の場合は三種類)の色変換層3を有する色変換フィ
ルター10を得ることができる。6. Step (F) As shown in FIG. 3 (f), according to the number of types of color conversion layers,
By repeating steps (B) to (E) as many times as necessary, a color conversion filter 10 having a plurality (three types in the figure) of color conversion layers 3 can be obtained.
【0085】このようにすることにより、第一および/
または第二遮光層をマスクとして色変換層を露光できる
ので、所望の色変換層のパターンが精度よく形成でき、
色変換フィルタ表面を平坦化することができる。また、
以上により前記視野角依存性のない、視認性のよい多色
発光装置(フルカラーディスプレイ)を作製するための
色変換フィルタを作製することができる。By doing so, the first and / or
Or, since the color conversion layer can be exposed using the second light-shielding layer as a mask, a desired color conversion layer pattern can be formed with high accuracy,
The color conversion filter surface can be flattened. Also,
As described above, it is possible to manufacture a color conversion filter for manufacturing a multicolor light emitting device (full-color display) having good visibility without dependency on the viewing angle.
【0086】[0086]
【実施例】以下、本発明を実施例によってさらに具体的
に説明する。 [実施例1]透光性基板として100mm×100mm
×1.1mm厚のガラス基板(コーニング7059)上
に、1重量%(対固形分)のカーボンブラックを分散し
たアクリレート系光硬化型レジスト(粘度250cp
s)を、スピンコートし、80℃でベーク後、高圧水銀
灯を光源とする露光機にセットした。次いで、50μm
ライン、250μmギャップのストライプ状のパターン
が得られるマスクを介して、900mJ/cm2 (36
5nm)で露光した。次に、1重量%炭酸ナトリウム水
溶液で室温現像後、透光性基板側から3000mJ/c
m2 で全面後露光してから200℃でベークして遮光層
のパターン(第一遮光層)を形成した。第一遮光層の膜
厚は、約15μmであった。また、この第一遮光層の波
長400〜700nmにおける透過率の最大値は10%
以上であった。次に、この基板をスパッタリング装置に
セットし、基板を200℃に加熱してクロム(Cr)を
100nmの膜厚で全面に成膜した(第二遮光層)。こ
こで、第一遮光層と第二遮光層からなる遮光層の波長4
00〜700nmにおける透過率の最大値は1%以下と
なり、遮光層の遮光性が高まった。このようにして、第
一遮光層のパターンと第二遮光層を配置した基板を形成
した(図4,図3(a)に相当)。次に、ポジ型のフォ
トレジスト(富士フィルムオーリン社製HPR204:
ノボラック樹脂−ナフトキノンジアジド系)をこの基板
上にスピンコートし、80℃でベークした。次いで、6
50μmライン、250μmギャップのストライプ状の
パターンが得られるマスクを第一遮光層に位置合わせし
て、300mJ/cm2 (365nm)で露光した。次
に、2.38重量%テトラアンモニウムヒドロキシド
(TMAH)水溶液で室温現像後、露出した第二遮光層
の部分を、硝酸第二セリウムアンモニウム165g、7
0重量%過塩素酸42ml、純水1リットルの組成から
なるエッチャントにてエッチングした。次いで、フォト
レジストを有機アルカリの剥離液(長瀬産業社製N30
3)にて剥離し、選択的に第二遮光層をエッチングした
(図3(b))。次に、2.8重量%(対固形分)の銅
フタロシアニン系顔料(C.I.ピグメントブルー1
5:6)と0.2重量%(対固形分)のジオキサジン系
顔料(C.I.ピグメントバイオレット23)をアクリ
ル系の光硬化型レジスト(日本合成ゴム社製JNPC0
6)中に分散したレジストをスピンコートし、80℃で
ベークした(図3(c))。次に、透光性基板側から6
00mJ/cm2 で露光し(図3(d))、1重量%炭
酸ナトリウム水溶液で室温現像して未露光部の色変換層
を除去後、200℃でベークして青色カラーフィルター
のパターン(色変換層A)を形成した(図3(e))。
色変換層Aの膜厚は、約15μmであり、第一遮光層の
膜厚とほぼ一致した。次に、ポジ型のフォトレジストを
この基板上にスピンコートし、80℃でベークした。次
いで、650μmライン、250μmギャップのストラ
イプ状のパターンが得られるマスクを第一遮光層に位置
合わせして(第一遮光層を介して色変換層Aに隣接する
第二遮光層の部分がギャップになるようにして)、30
0mJ/cm2 (365nm)で露光した。次に、この
レジストを室温現像後、露出した第二遮光層の部分を、
エッチングし、レジストを剥離し、選択的に第二遮光層
をエッチングした。次に、クマリン6をアクリル系の光
硬化型レジスト(前出)の固形分1kgに対して0.0
3molになるように配合して分散したレジストをスピ
ンコートし、80℃でベークした。次に、透光性基板側
から300mJ/cm2 で露光し、1重量%炭酸ナトリ
ウム水溶液で室温現像して未露光部の色変換層を除去
後、200℃でベークして蛍光体層のパターン(色変換
層B)を形成した。色変換層Bの膜厚は、約15μmで
あり、第一遮光層の膜厚とほぼ一致した。次に、ポジ型
のフォトレジストをこの基板上にスピンコートし、80
℃でベークした。次いで、650μmライン、250μ
mギャップのストライプ状のパターンが得られるマスク
を第一遮光層に位置合わせして(第一遮光層を介して色
変換層Bに隣接する第二遮光層の部分がギャップになる
ようにして)、300mJ/cm2 (365nm)で露
光した。次に、このレジストを室温現像後、露出した第
二遮光層の部分を、エッチングし、レジストを剥離し、
選択的に第二遮光層をエッチングした。次に、クマリン
6と、4重量%(対ベンゾグアナミン樹脂)のローダミ
ン6Gと4重量%(対ベンゾグアナミン樹脂)のローダ
ミンBをベンゾグアナミン樹脂中に練り込んだ蛍光顔料
と、アクリル系の光硬化型レジストとを、クマリン6の
配合量を、ローダミン6GおよびローダミンBをベンゾ
グアナミン樹脂中に練り込んだ蛍光顔料とアクリル系の
光硬化型レジストの固形分との合計量1kgに対し0.
03mol、蛍光顔料の配合量を30重量%、並びにア
クリル系の光硬化型レジスト(前出)の固形分の配合量
を70重量%となるようにしたレジストをスピンコート
し、80℃でベークした。次に、透光性基板側から60
0mJ/cm2 で露光し、1重量%炭酸ナトリウム水溶
液で室温現像して未露光部の色変換層を除去後、200
℃でベークして蛍光体層のパターン(色変換層C)を形
成した。色変換層Cの膜厚は、約15μmであり、第一
遮光層の膜厚とほぼ一致した。以上より、色変換フィル
ター(図1(a),図3(f))を作製し、表面粗さ計
(DEKTAK3030)で色変換フィルターの表面凹
凸を測定すると、0.5μm以下に平坦化されていた。
なお、後で積層する有機EL素子の発光輝度および色度
を確認するため、ごく一部の色変換層を削っておいた。
次に、有機EL素子の作製を行なった。まず、基板を1
60℃に加熱し10-6torrの真空度にて、スパッタ
リングにより0.15μm膜厚、表面抵抗20Ω/□の
ITO(インジウム錫酸化物)の透明電極(陽極および
陰極の取り出し電極)を成膜した。次にポジ型のフォト
レジスト(富士ハントエレクトロニクステクノロジー社
製HPR204)をITO上にスピンコートし、80℃
でベークした後、露光機にて、250μmライン50μ
mギャップのストライプ状の陽極用ITOパターン及
び、600μmライン、100μmギャップのストライ
プ状の陰極の取り出し電極用ITOパターンが得られる
マスクを介し、遮光層パターンに位置合わせして、10
0mJ/cm2 で露光した。次に、2.38%TMAH
水溶液にてレジストを現像し、120℃にてポストベー
クし、レジストパターンを形成した。次に、基板を室温
の47%臭化水素水溶液に浸漬して、ITOの露出して
いる部分をエッチングし、レジストを剥離剤(長瀬産業
社製N303)で剥離して、ITOパターンを形成し
た。次に、この基板をIPA洗浄、UV洗浄した後、蒸
着装置(日本真空技術社製)の基板ホルダーに固定し
た。蒸着源は、モリブテン製の抵抗加熱ボートに正孔注
入材料としてMTDATA及びNPD、発光材料として
DPVBi、ドーパントとしてDPAVB、電子注入材
料としてAlqをそれぞれ仕込み、陰極の第二金属とし
てAgをタングステン製フィラメントに、陰極の電子注
入性金属としてMgをモリブテン製ボートに装着した。
その後、真空槽を5×10-7torrまで減圧後、以下
の順序で順次積層していった。正孔注入層から陰極まで
途中で真空を破らず一回の真空引きでおこなった。まず
正孔注入層としては、MTDATAを蒸着速度0.1〜
0.3nm/s、膜厚200nm、NPDを蒸着速度
0.1〜0.3nm/s、膜厚20nm、発光層として
はDPVBiを蒸着速度0.1〜0.3nm/s、DP
AVBを蒸着速度0.05nm/sで同時蒸着して併せ
て膜厚40nm(ホスト材料に対するドーパントの重量
比は1.2〜1.6)とし、電子注入層としては、Al
qを蒸着速度0.1〜0.3nm/s、膜厚20nm、
陰極としては、陽極ITOストライプパターンに対し垂
直とし、取り出し電極用ITOパターンと接続し、60
0μmライン、100μmギャップのストライプパター
ンになるようなマスクを介して、MgとAgを同時蒸着
した。すなわち、Mgは、蒸着速度1.3〜1.4nm
/s、Agは、蒸着速度0.1nm/sで膜厚を200
nmとした。このようにして、有機EL素子を色変換フ
ィルター上に積層した。次に、直流8Vの電圧を陽極と
陰極に印加すると、電圧を印加した陽極と陰極の交差部
分が発光し、色変換層を削った部分から見える有機EL
素子の発光輝度およびCIE色度座標(JIS Z 8
701)はそれぞれ100cd/m2 、色度はx=0.
16、y=0.24で青色の発光が得られることを確認
した。また、青色カラーフィルタ(色変換層A)から見
える光の発光輝度は、50cd/m2 、色度はx=0.
14、y=0.16で色純度の高い青色の発光がでてい
ることを確認した。一方、色変換層Bから見える光の発
光輝度は、113cd/m2 、色度はx=0.23、y
=0.65で黄味がかった緑色(イエロイッシュグリー
ン)の発光がでていることを確認した。また、色変換層
Cから見える光の発光輝度は、15cd/m2 、色度は
x=0.55、y=0.29で赤色の発光がでているこ
とを確認した。このようにして、多色発光装置を作製
し、遮光層の遮光性が高いため、あらゆる角度から観測
しても各色変換層からは本来の色の発光が得られ、視野
角依存性は全くなかった。また、色変換フィルターが平
坦化されているため、クロストーク(色変換層の凹凸に
起因した、陽極と陰極の短絡による所望発光部分以外の
部分の発光)および電極の断線による表示欠陥はほとん
どなく、良好な表示ができることを確認した。EXAMPLES The present invention will be described more specifically with reference to the following examples. [Example 1] 100 mm x 100 mm as a translucent substrate
An acrylate-based photocurable resist (viscosity 250 cp) in which 1% by weight (based on solid content) of carbon black is dispersed on a glass substrate (Corning 7059) having a thickness of 1.1 mm.
s) was spin-coated, baked at 80 ° C., and set in an exposure machine using a high-pressure mercury lamp as a light source. Then 50 μm
900 mJ / cm 2 (36) through a mask that can obtain a stripe pattern with a line and a 250 μm gap.
(5 nm). Next, after developing with a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate at room temperature, 3000 mJ / c from the transparent substrate side.
The whole surface was post-exposed at m 2 and baked at 200 ° C. to form a light-shielding layer pattern (first light-shielding layer). The thickness of the first light shielding layer was about 15 μm. The maximum value of the transmittance of the first light-shielding layer at a wavelength of 400 to 700 nm is 10%.
That was all. Next, this substrate was set in a sputtering apparatus, and the substrate was heated to 200 ° C. to deposit chromium (Cr) with a thickness of 100 nm on the entire surface (second light-shielding layer). Here, the wavelength 4 of the light shielding layer composed of the first light shielding layer and the second light shielding layer.
The maximum value of the transmittance at 00 to 700 nm was 1% or less, and the light-shielding property of the light-shielding layer was enhanced. Thus, a substrate on which the pattern of the first light-shielding layer and the second light-shielding layer were arranged was formed (corresponding to FIGS. 4 and 3A). Next, a positive photoresist (HPR204 manufactured by Fuji Film Orin Co., Ltd .:
A novolak resin-naphthoquinonediazide) was spin-coated on the substrate and baked at 80.degree. Then, 6
A mask capable of forming a stripe pattern having a 50 μm line and a 250 μm gap was aligned with the first light-shielding layer, and exposed at 300 mJ / cm 2 (365 nm). Next, after developing with a 2.38% by weight aqueous solution of tetraammonium hydroxide (TMAH) at room temperature, the exposed portion of the second light-shielding layer was washed with 165 g of ceric ammonium nitrate (7 g).
Etching was performed with an etchant having a composition of 42 ml of 0 wt% perchloric acid and 1 liter of pure water. Next, the photoresist is removed with an organic alkali stripper (N30 manufactured by Nagase & Co., Ltd.).
3), the second light-shielding layer was selectively etched (FIG. 3B). Next, 2.8% by weight (based on solid content) of a copper phthalocyanine pigment (CI Pigment Blue 1)
5: 6) and 0.2% by weight (based on solid content) of a dioxazine-based pigment (CI Pigment Violet 23) was coated with an acrylic photocurable resist (JNPC0 manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.).
6) The resist dispersed therein was spin-coated and baked at 80 ° C. (FIG. 3C). Next, from the translucent substrate side, 6
Exposure at 00 mJ / cm 2 (FIG. 3 (d)), developing with a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate at room temperature to remove the unexposed portion of the color conversion layer, and baking at 200 ° C. to form a blue color filter pattern (color A conversion layer A) was formed (FIG. 3E).
The thickness of the color conversion layer A was about 15 μm, which was almost equal to the thickness of the first light-shielding layer. Next, a positive photoresist was spin-coated on the substrate and baked at 80 ° C. Next, a mask capable of obtaining a striped pattern with a 650 μm line and a 250 μm gap is aligned with the first light shielding layer (a part of the second light shielding layer adjacent to the color conversion layer A via the first light shielding layer becomes a gap). 30)
Exposure was performed at 0 mJ / cm 2 (365 nm). Next, after this resist was developed at room temperature, the exposed portion of the second light-shielding layer was
The resist was peeled off by etching, and the second light-shielding layer was selectively etched. Next, coumarin 6 was added to 0.0 kg of the solid content of the acrylic photo-curable resist (described above) for 1 kg.
The resist compounded and dispersed to be 3 mol was spin-coated and baked at 80 ° C. Next, exposure was performed at 300 mJ / cm 2 from the light-transmitting substrate side, development was performed at room temperature with a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate to remove the unexposed portion of the color conversion layer, and baking was performed at 200 ° C. to form a phosphor layer pattern. (Color conversion layer B) was formed. The thickness of the color conversion layer B was about 15 μm, which was almost the same as the thickness of the first light-shielding layer. Next, a positive photoresist is spin-coated on the substrate,
Bake at ℃. Next, a 650 μm line, 250 μm
A mask for obtaining a stripe-shaped pattern with m gaps is aligned with the first light-shielding layer (so that the portion of the second light-shielding layer adjacent to the color conversion layer B via the first light-shielding layer becomes a gap). , And 300 mJ / cm 2 (365 nm). Next, after developing this resist at room temperature, the exposed portion of the second light-shielding layer is etched, and the resist is peeled off.
The second light shielding layer was selectively etched. Next, coumarin 6, a fluorescent pigment prepared by kneading 4% by weight (vs. benzoguanamine resin) of rhodamine 6G and 4% by weight (vs. benzoguanamine resin) of rhodamine B into a benzoguanamine resin, and an acrylic photocurable resist were used. The amount of coumarin 6 was adjusted to 0.1 with respect to 1 kg of the total amount of the fluorescent pigment obtained by kneading rhodamine 6G and rhodamine B in a benzoguanamine resin and the solid content of an acrylic photocurable resist.
A resist having a compounding amount of 03 mol, a compounding amount of a fluorescent pigment of 30% by weight, and a compounding amount of a solid content of an acrylic photocurable resist (described above) of 70% by weight was spin-coated and baked at 80 ° C. . Next, from the translucent substrate side, 60
After exposure at 0 mJ / cm 2 and development at room temperature with a 1% by weight aqueous sodium carbonate solution to remove the unexposed portion of the color conversion layer,
The resultant was baked at ℃ to form a phosphor layer pattern (color conversion layer C). The thickness of the color conversion layer C was about 15 μm, which was almost equal to the thickness of the first light-shielding layer. From the above, color conversion filters (FIGS. 1 (a) and 3 (f)) were prepared, and the surface roughness of the color conversion filters was measured using a surface roughness meter (DEKTAK3030). Was.
In order to confirm the light emission luminance and chromaticity of the organic EL element to be laminated later, only a part of the color conversion layer was cut off.
Next, an organic EL device was manufactured. First, the substrate
A transparent electrode (anode and cathode extraction electrodes) of ITO (indium tin oxide) having a thickness of 0.15 μm and a surface resistance of 20 Ω / □ was formed by sputtering at a degree of vacuum of 10 −6 torr by heating to 60 ° C. did. Next, a positive photoresist (HPR204 manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.) is spin-coated on the ITO,
After baking in 250μm line 50μ
The alignment with the light-shielding layer pattern is performed through a mask that can obtain a stripe-shaped ITO pattern for an anode with an m gap and a stripe-shaped ITO electrode for a 600 μm line and a striped cathode with a 100 μm gap.
Exposure was performed at 0 mJ / cm 2 . Next, 2.38% TMAH
The resist was developed with an aqueous solution and post-baked at 120 ° C. to form a resist pattern. Next, the substrate was immersed in a 47% aqueous hydrogen bromide solution at room temperature to etch the exposed portions of the ITO, and the resist was stripped with a stripping agent (N303 manufactured by Nagase & Co., Ltd.) to form an ITO pattern. . Next, this substrate was subjected to IPA cleaning and UV cleaning, and then fixed to a substrate holder of a vapor deposition device (manufactured by Nippon Vacuum Engineering Co., Ltd.). The evaporation source was prepared by charging MTDATA and NPD as hole injecting materials, DPVBi as a light emitting material, DPAVB as a dopant, and Alq as an electron injecting material into a molybdenum resistance heating boat, and using Ag as a cathode second metal in a tungsten filament. Then, Mg was mounted on a molybdenum boat as an electron injecting metal for the cathode.
Thereafter, the pressure in the vacuum chamber was reduced to 5 × 10 −7 torr, and the layers were sequentially laminated in the following order. The vacuum was not broken on the way from the hole injecting layer to the cathode, but was performed by a single evacuation. First, as the hole injection layer, MTDATA was deposited at a deposition rate of 0.1 to
0.3 nm / s, film thickness 200 nm, NPD deposition rate 0.1-0.3 nm / s, film thickness 20 nm, DPVBi as light emitting layer DPVBi deposition rate 0.1-0.3 nm / s, DP
AVB is co-deposited at a deposition rate of 0.05 nm / s to a total thickness of 40 nm (the weight ratio of the dopant to the host material is 1.2 to 1.6).
q is a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm / s, a film thickness of 20 nm,
The cathode is perpendicular to the anode ITO stripe pattern, and is connected to the extraction electrode ITO pattern.
Mg and Ag were co-evaporated through a mask having a stripe pattern of 0 μm line and 100 μm gap. That is, Mg has a deposition rate of 1.3 to 1.4 nm.
/ S and Ag are 200 nm at a deposition rate of 0.1 nm / s.
nm. Thus, the organic EL element was laminated on the color conversion filter. Next, when a voltage of 8 VDC is applied to the anode and the cathode, the intersection of the anode and the cathode to which the voltage is applied emits light, and the organic EL can be seen from the portion where the color conversion layer is shaved.
Light emission luminance and CIE chromaticity coordinates of the element (JIS Z 8
701) is 100 cd / m 2 , and the chromaticity is x = 0.
16. It was confirmed that blue light emission was obtained at y = 0.24. The emission luminance of the light seen from the blue color filter (color conversion layer A) is 50 cd / m 2 , and the chromaticity is x = 0.
14. It was confirmed that blue light with high color purity was emitted at y = 0.16. On the other hand, the emission luminance of light seen from the color conversion layer B is 113 cd / m 2 , the chromaticity is x = 0.23, and y is
It was confirmed that yellowish green (yellowish green) light emission was obtained at 0.65. Further, it was confirmed that the light emission luminance of the light seen from the color conversion layer C was 15 cd / m 2 , the chromaticity was x = 0.55, and y = 0.29, and red light was emitted. In this manner, a multicolor light-emitting device is manufactured, and since the light-shielding layer has high light-shielding properties, light of the original color can be obtained from each color conversion layer even when observed from all angles, and there is no viewing angle dependency. Was. In addition, since the color conversion filter is flattened, there is almost no crosstalk (light emission in a portion other than a desired light emission portion due to short circuit between the anode and the cathode due to unevenness of the color conversion layer) and display defects due to disconnection of the electrode. It was confirmed that good display was possible.
【0087】[実施例2]透光性基板としての100m
m×100mm×1.1mm厚のガラス基板(コーニン
グ7059)をスパッタリング装置にセットし、基板を
200℃に加熱してクロム(Cr)を100nmの膜厚
で全面に成膜した(第二遮光層)。次に、1重量%(対
固形分)のカーボンブラックを分散したアクリレート系
光硬化型レジスト(粘度250cps)を、スピンコー
トし、80℃でベーク後、高圧水銀灯を光源とする露光
機にセットした。次いで、50μmライン、250μm
ギャップのストライプ状のパターンが得られるマスクを
介して、1500mJ/cm2 (365nm)で露光し
た。次に、1重量%炭酸ナトリウム水溶液で室温現像
後、200℃でベークして遮光層のパターン(第一遮光
層)を形成した。第一遮光層の膜厚は、約15μmであ
った。また、この第一遮光層の波長400〜700nm
における透過率の最大値は10%以上であった。ただ
し、第一遮光層と第二遮光層からなる遮光層の波長40
0〜700nmにおける透過率の最大値は1%以下とな
り、遮光層の遮光性が高まった。このようにして、第一
遮光層パターンと第二遮光層とを配置した基板を形成し
た(図5)。以下実施例1と同一の条件で色変換層A,
B,Cを形成して色変換フィルタ(図1(b))を作製
し、さらに有機EL素子を積層した。このようにして、
多色発光装置を作製し、遮光層の遮光性が高いので、あ
らゆる角度から観測しても各色変換層からは本来の色の
発光が得られ、視野角依存性は全くなかった。また、色
変換フィルターが平坦化されているため、クロストーク
および電極の断線による表示欠陥はほとんどなく、良好
な表示ができることを確認した。Example 2 100 m as Translucent Substrate
A glass substrate (Corning 7059) having a thickness of m × 100 mm × 1.1 mm was set in a sputtering apparatus, and the substrate was heated to 200 ° C. to form chromium (Cr) with a thickness of 100 nm over the entire surface (second light-shielding layer). ). Next, an acrylate-based photocurable resist (viscosity 250 cps) in which 1% by weight (based on solid content) of carbon black was dispersed was spin-coated, baked at 80 ° C., and set in an exposure machine using a high-pressure mercury lamp as a light source. . Then, 50 μm line, 250 μm
Exposure was performed at 1500 mJ / cm 2 (365 nm) through a mask capable of obtaining a stripe pattern of gaps. Next, development was performed at room temperature with a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate, followed by baking at 200 ° C. to form a light shielding layer pattern (first light shielding layer). The thickness of the first light shielding layer was about 15 μm. The wavelength of the first light-shielding layer is 400 to 700 nm.
Was 10% or more. However, the wavelength 40 of the light shielding layer composed of the first light shielding layer and the second light shielding layer
The maximum value of the transmittance at 0 to 700 nm was 1% or less, and the light shielding property of the light shielding layer was enhanced. Thus, a substrate on which the first light-shielding layer pattern and the second light-shielding layer were arranged was formed (FIG. 5). Hereinafter, the color conversion layers A,
B and C were formed to produce a color conversion filter (FIG. 1B), and an organic EL element was further laminated. In this way,
Since a multicolor light-emitting device was manufactured and the light-shielding layer had high light-shielding properties, light emission of the original color was obtained from each color conversion layer even when observed from all angles, and there was no viewing angle dependency at all. In addition, since the color conversion filter was flattened, there were almost no display defects due to crosstalk and disconnection of the electrodes, and it was confirmed that good display was possible.
【0088】[実施例3]透光性基板としての100m
m×100mm×1.1mm厚のガラス基板(コーニン
グ7059)をスパッタリング装置にセットし、基板を
200℃に加熱してクロム(Cr)を100nmの膜厚
で全面に成膜した(第二遮光層)。次に、1重量%(対
固形分)のカーボンブラックを分散したアクリレート系
光硬化型レジスト(粘度250cps)を、スピンコー
トし、80℃でベーク後、高圧水銀灯を光源とする露光
機にセットした。次いで、50μmライン、250μm
ギャップのストライプ状のパターンが得られるマスクを
介して、1500mJ/cm2 (365nm)で露光し
た。次に、1重量%炭酸ナトリウム水溶液で室温現像
後、200℃でベークして遮光層のパターン(第一遮光
層)を形成した。第一遮光層の膜厚は、約15μmであ
った。また、この第一遮光層の波長400〜700nm
における透過率の最大値は10%以上であった。さら
に、この基板上にクロム(Cr)を100nmの膜厚で
全面に成膜した(第二遮光層)。ここで、第一遮光層と
第二遮光層からなる遮光層の波長400〜700nmに
おける透過率は1%以下となり、遮光層の遮光性が高ま
った。このようにして、第一遮光層のパターンと第二遮
光層とを配置した基板を形成した(図6)。以下実施例
1と同一の条件で色変換層A,B,Cを形成して色変換
フィルター(図1(c))を作製し、さらに有機EL素
子を積層した。このようにして、多色発光装置を作製
し、遮光層の遮光性が高いので、あらゆる角度から観測
しても各色変換層からは本来の色の発光が得られ、視野
角依存性は全くなかった(図2)。また、色変換フィル
ターが平坦化されているため、クロストークおよび電極
の断線による表示欠陥はほとんどなく、良好な表示がで
きることを確認した。Example 3 100 m as Translucent Substrate
A glass substrate (Corning 7059) having a thickness of m × 100 mm × 1.1 mm was set in a sputtering apparatus, and the substrate was heated to 200 ° C. to form chromium (Cr) with a thickness of 100 nm over the entire surface (second light-shielding layer). ). Next, an acrylate-based photocurable resist (viscosity 250 cps) in which 1% by weight (based on solid content) of carbon black was dispersed was spin-coated, baked at 80 ° C., and set in an exposure machine using a high-pressure mercury lamp as a light source. . Then, 50 μm line, 250 μm
Exposure was performed at 1500 mJ / cm 2 (365 nm) through a mask capable of obtaining a stripe pattern of gaps. Next, development was performed at room temperature with a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate, followed by baking at 200 ° C. to form a light shielding layer pattern (first light shielding layer). The thickness of the first light shielding layer was about 15 μm. The wavelength of the first light-shielding layer is 400 to 700 nm.
Was 10% or more. Further, chromium (Cr) was formed in a thickness of 100 nm on the entire surface of the substrate (second light-shielding layer). Here, the transmittance of the light-shielding layer composed of the first light-shielding layer and the second light-shielding layer at a wavelength of 400 to 700 nm was 1% or less, and the light-shielding properties of the light-shielding layer were enhanced. Thus, a substrate on which the pattern of the first light shielding layer and the second light shielding layer were arranged was formed (FIG. 6). Hereinafter, color conversion layers A, B, and C were formed under the same conditions as in Example 1 to produce a color conversion filter (FIG. 1C), and an organic EL element was further laminated. In this manner, a multicolor light-emitting device is manufactured, and since the light-shielding layer has high light-shielding properties, light emission of an original color can be obtained from each color conversion layer even when observed from all angles, and there is no viewing angle dependency. (FIG. 2). In addition, since the color conversion filter was flattened, there were almost no display defects due to crosstalk and disconnection of the electrodes, and it was confirmed that good display was possible.
【0089】[実施例4]透光性基板として100mm
×100mm×1.1mm厚のガラス基板(コーニング
7059)をスパッタリング装置にセットし、基板を2
00℃に加熱してクロム(Cr)を100nmの膜厚で
全面に成膜した(第二遮光層)。次に、ポジ型のフォト
レジストをこの基板上にスピンコートし、80℃でベー
クした。次いで、650μmライン、250μmギャッ
プのストライプ状のパターンが得られるマスクを介し
て、150mJ/cm2 (365nm)で露光した。次
に、2.38%TMAH水溶液で室温現像後、露出した
第二遮光層の部分を、硝酸第二セリウムアンモニウム1
65g、70重量%過塩素酸42ml、純水1リットル
の組成からなるエッチャントにてエッチングした。次い
で、フォトレジストを有機アルカリの剥離液(長瀬産業
社製N303)にて剥離し、第二遮光層を平面的に分離
配置した。次に、1重量%(対固形分)のカーボンブラ
ックを分散したアクリレート系光硬化型レジスト(粘度
250cps)を、スピンコートし、80℃でベーク
後、高圧水銀灯を光源とする露光機にセットした。次い
で、透光性基板側から1500mJ/cm2 (365n
m)で露光した。次に、1重量%炭酸ナトリウム水溶液
で室温現像後、200℃でベークして遮光層のパターン
(第一遮光層)を形成した。第一遮光層の膜厚は、約1
5μmであった。また、この第一遮光層の波長400〜
700nmにおける透過率の最大値は10%以上であっ
た。さらに、この基板を200℃に加熱してクロム(C
r)を100nmの膜厚で全面に成膜した(第二遮光
層)。ここで、第一遮光層と第二遮光層からなる遮光層
の波長400〜700nmにおける透過率の最大値は1
%以下となり、遮光層の遮光性が高まった。このように
して、第一遮光層のパターンと第二遮光層とを配置した
基板を形成した(図8)。以下実施例1と同一の条件で
色変換層A,B,Cを形成して色変換フィルター(図1
(a))を作製し、さらに有機EL素子を積層した。こ
のようにして、多色発光装置を作製し、遮光層の遮光性
が高いので、あらゆる角度から観測しても各色変換層か
らは本来の色の発光が得られ、視野角依存性は全くなか
った。また、色変換フィルターが平坦化されているた
め、クロストークおよび電極の断線による表示欠陥はほ
とんどなく、良好な表示ができることを確認した。[Embodiment 4] 100 mm as a translucent substrate
A glass substrate (Corning 7059) having a thickness of 100 mm x 1.1 mm was set in a sputtering apparatus, and the substrate was
By heating to 00 ° C., chromium (Cr) was formed on the entire surface in a thickness of 100 nm (second light-shielding layer). Next, a positive photoresist was spin-coated on the substrate and baked at 80 ° C. Next, exposure was performed at 150 mJ / cm 2 (365 nm) through a mask capable of obtaining a striped pattern with a 650 μm line and a 250 μm gap. Next, after developing with a 2.38% TMAH aqueous solution at room temperature, the exposed portion of the second light-shielding layer was treated with ceric ammonium nitrate 1
Etching was performed using an etchant having a composition of 65 g, 42 wt% of 70 wt% perchloric acid, and 1 liter of pure water. Next, the photoresist was peeled off with a stripping solution of an organic alkali (N303 manufactured by Nagase & Co., Ltd.), and the second light-shielding layer was separately arranged in a plane. Next, an acrylate-based photocurable resist (viscosity 250 cps) in which 1% by weight (based on solid content) of carbon black was dispersed was spin-coated, baked at 80 ° C., and set in an exposure machine using a high-pressure mercury lamp as a light source. . Then, 1500 mJ / cm 2 (365 n) from the light transmitting substrate side.
m). Next, development was performed at room temperature with a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate, followed by baking at 200 ° C. to form a light shielding layer pattern (first light shielding layer). The thickness of the first light shielding layer is about 1
It was 5 μm. The wavelength of the first light-shielding layer is 400 to
The maximum value of the transmittance at 700 nm was 10% or more. Further, the substrate is heated to 200 ° C. to make chromium (C
r) was formed on the entire surface in a thickness of 100 nm (second light-shielding layer). Here, the maximum value of the transmittance of the light shielding layer including the first light shielding layer and the second light shielding layer at a wavelength of 400 to 700 nm is 1
% Or less, and the light-shielding property of the light-shielding layer was enhanced. Thus, a substrate on which the pattern of the first light shielding layer and the second light shielding layer were arranged was formed (FIG. 8). Hereinafter, color conversion layers A, B, and C are formed under the same conditions as in Example 1 to form a color conversion filter (FIG. 1).
(A)) was prepared, and an organic EL element was further laminated. In this manner, a multicolor light-emitting device is manufactured, and since the light-shielding layer has high light-shielding properties, light emission of an original color can be obtained from each color conversion layer even when observed from all angles, and there is no viewing angle dependency. Was. In addition, since the color conversion filter was flattened, there were almost no display defects due to crosstalk and disconnection of the electrodes, and it was confirmed that good display was possible.
【0090】[実施例5]透光性基板として100mm
×100mm×1.1mm厚のガラス基板(コーニング
7059)をスパッタリング装置にセットし、基板を2
00℃に加熱してクロム(Cr)を100nmの膜厚で
全面に成膜した(第二遮光層)。次に、ポジ型のフォト
レジストをこの基板上にスピンコートし、80℃でベー
クした。次いで、650μmライン、250μmギャッ
プのストライプ状のパターンが得られるマスクを介し
て、150mJ/cm2 (365nm)で露光した。次
に、2.38%TMAH水溶液で室温現像後、露出した
第二遮光層の部分を、硝酸第二セリウムアンモニウム1
65g、70重量%過塩素酸42ml、純水1リットル
の組成からなるエッチャントにてエッチングした。次い
で、フォトレジストを有機アルカリの剥離液(長瀬産業
社製N303)にて剥離し、第二遮光層を平面的に分離
配置した。次に、5重量%(対固形分)のカーボンブラ
ックを分散したアクリレート系光硬化型レジスト(粘度
250cps)を、スピンコートし、80℃でベーク
後、高圧水銀灯を光源とする露光機にセットした。次い
で、透光性基板側から3000mJ/cm2 (365n
m)で露光した。次に、1重量%炭酸ナトリウム水溶液
で室温現像後、200℃でベークして遮光層のパターン
(第一遮光層)を形成した。第一遮光層の膜厚は、約1
5μmであった。また、この第一遮光層の波長400〜
700nmにおける透過率の最大値は5%以上であっ
た。このようにして、第一遮光層のパターンと第二遮光
層とを配置した基板を形成した(図7)。以下実施例1
と同一の条件で色変換層A,B,Cを形成して色変換フ
ィルターを作製し、さらに有機EL素子を積層した。こ
のようにして、多色発光装置を作製したが、遮光層の第
一遮光層のみからなり、遮光性は低くなった。従って、
各色変換層からは本来の色の発光が得られない角度が1
0度程度存在し、視野角依存性を若干生じたが、実用上
問題のないレベルであった。ただし、色変換フィルター
が平坦化されているため、クロストークおよび電極の断
線による表示欠陥はほとんどなく、良好な表示ができる
ことを確認した。[Embodiment 5] 100 mm as a translucent substrate
A glass substrate (Corning 7059) having a thickness of 100 mm x 1.1 mm was set in a sputtering apparatus, and the substrate was
By heating to 00 ° C., chromium (Cr) was formed on the entire surface in a thickness of 100 nm (second light-shielding layer). Next, a positive photoresist was spin-coated on the substrate and baked at 80 ° C. Next, exposure was performed at 150 mJ / cm 2 (365 nm) through a mask capable of obtaining a striped pattern with a 650 μm line and a 250 μm gap. Next, after developing with a 2.38% TMAH aqueous solution at room temperature, the exposed portion of the second light-shielding layer was treated with ceric ammonium nitrate 1
Etching was performed using an etchant having a composition of 65 g, 42 wt% of 70 wt% perchloric acid, and 1 liter of pure water. Next, the photoresist was peeled off with a stripping solution of an organic alkali (N303 manufactured by Nagase & Co., Ltd.), and the second light-shielding layer was separately arranged in a plane. Next, an acrylate-based photocurable resist (viscosity 250 cps) in which 5% by weight (based on solid content) of carbon black was dispersed was spin-coated, baked at 80 ° C., and set in an exposure machine using a high-pressure mercury lamp as a light source. . Next, 3000 mJ / cm 2 (365 n) from the translucent substrate side.
m). Next, development was performed at room temperature with a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate, followed by baking at 200 ° C. to form a light shielding layer pattern (first light shielding layer). The thickness of the first light shielding layer is about 1
It was 5 μm. The wavelength of the first light-shielding layer is 400 to
The maximum value of the transmittance at 700 nm was 5% or more. Thus, a substrate on which the pattern of the first light shielding layer and the second light shielding layer were arranged was formed (FIG. 7). Example 1 below
Color conversion layers A, B, and C were formed under the same conditions as described above to produce a color conversion filter, and an organic EL element was further laminated. In this way, a multicolor light-emitting device was manufactured, but it was composed of only the first light-shielding layer of the light-shielding layer, and the light-shielding property was low. Therefore,
The angle at which light emission of the original color cannot be obtained from each color conversion layer is 1
Although it was present at about 0 degrees and slightly dependent on the viewing angle, it was at a level at which there was no practical problem. However, since the color conversion filter was flattened, there were almost no display defects due to crosstalk and disconnection of the electrodes, and it was confirmed that good display was possible.
【0091】[比較例1]実施例5において、第一遮光
層として5重量%(対固形分)のカーボンブラックを分
散したアクリレート系光硬化型レジストの代わりに、1
重量%(対固形分)のカーボンブラックを分散したアク
リレート系光硬化型レジストを用いたこと以外は、実施
例5と同一の条件で色変換フィルターおよび多色発光装
置を作製した。この装置においては、第二遮光層を形成
せず、第一遮光層のみの遮光層であって、この第一遮光
層の波長400〜700nmにおける透過率の最大値は
10%以上であり、遮光性が低かった。その結果、この
装置は、斜めからみると各色変換層の本来の色の発光が
変化し、視野角依存性が大きく、実用上問題が生じた
(図10)。[Comparative Example 1] In Example 5, instead of the acrylate photocurable resist in which 5% by weight (based on solids) of carbon black was dispersed as the first light-shielding layer, 1
A color conversion filter and a multicolor light-emitting device were produced under the same conditions as in Example 5, except that an acrylate-based photocurable resist in which carbon black was dispersed in a percentage by weight (based on solid content) was used. In this device, the second light-shielding layer is not formed, and only the first light-shielding layer is formed. The maximum value of the transmittance of the first light-shielding layer at a wavelength of 400 to 700 nm is 10% or more. Sex was low. As a result, in this device, the emission of the original color of each color conversion layer changes when viewed obliquely, the viewing angle dependence is large, and there is a practical problem (FIG. 10).
【0092】[比較例2]実施例5において、第一遮光
層として5重量%(対固形分)のカーボンブラックを分
散したアクリレート系光硬化型レジストの代わりに、2
0重量%(対固形分)のカーボンブラックを分散したア
クリレート系光硬化型レジストを用いた。その結果、レ
ジストの遮光性が高すぎて、露光の光が透過せず、第一
遮光層のパターンを形成することができなかった。従っ
て、色変換フィルターおよび多色発光装置を作製するこ
とができなかった。[Comparative Example 2] In Example 5, instead of the acrylate photocurable resist in which 5% by weight (solid content) of carbon black was dispersed as the first light-shielding layer, 2
An acrylate-based photocurable resist in which 0% by weight (based on solid content) of carbon black was dispersed was used. As a result, the light-shielding property of the resist was too high, the light for exposure did not pass, and the pattern of the first light-shielding layer could not be formed. Therefore, a color conversion filter and a multicolor light emitting device could not be manufactured.
【0093】[0093]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によって、
遮光層の遮光性を向上させるとともに、その表面を高精
度に平坦化させて、表示性能に優れ、表示欠陥の少ない
多色発光装置を構築するための色変換フィルタおよびそ
の効率的な製造方法を提供することができる。As described above, according to the present invention,
A color conversion filter for improving the light-shielding property of the light-shielding layer and flattening the surface thereof with high precision to provide a multicolor light-emitting device having excellent display performance and few display defects, and an efficient manufacturing method thereof. Can be provided.
【図1】本発明の色変換フィルタの一実施形態を模式的
に示す断面図であり、(a)は第一遮光層が第一遮光層
の上面に、(b)は下面に、(c)は上下面にそれぞれ
配設される場合を示す。FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views schematically showing one embodiment of a color conversion filter of the present invention, wherein FIG. ) Shows the case where they are arranged on the upper and lower surfaces, respectively.
【図2】図1に示す色変換フィルタと、発光体(有機E
L素子)とを用いた多色発光装置を模式的に示す断面図
である。FIG. 2 shows a color conversion filter shown in FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a multicolor light emitting device using the same (L element).
【図3】本発明の色変換フィルタの製造方法の一実施形
態を工程ごとに模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a method for manufacturing a color conversion filter of the present invention for each process.
【図4】本発明の色変換フィルタの製造方法の一実施形
態の工程(A)において、第二遮光層の配設方法の一実
施形態を模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a method for disposing a second light-shielding layer in step (A) of one embodiment of the method for manufacturing a color conversion filter of the present invention.
【図5】本発明の色変換フィルタの製造方法の一実施形
態の工程(A)において、第二遮光層の配設方法の他の
実施形態を模式的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of a method for disposing a second light-shielding layer in step (A) of the embodiment of the method for manufacturing a color conversion filter of the present invention.
【図6】本発明の色変換フィルタの製造方法の一実施形
態の工程(A)において、第二遮光層の配設方法の他の
実施形態を模式的に示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of a method for disposing a second light-shielding layer in step (A) of the embodiment of the method for manufacturing a color conversion filter of the present invention.
【図7】本発明の色変換フィルタの製造方法の一実施形
態の工程(A)において、第二遮光層の配設方法の他の
実施形態を模式的に示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of a method for disposing a second light-shielding layer in step (A) of one embodiment of the method for manufacturing a color conversion filter of the present invention.
【図8】本発明の色変換フィルタの製造方法の一実施形
態の工程(A)において、第二遮光層の配設方法の他の
実施形態を模式的に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of a method for disposing a second light-shielding layer in step (A) of one embodiment of the method for manufacturing a color conversion filter of the present invention.
【図9】従来の多色発光装置(色変換フィルタと発光体
との組み合わせ)を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a conventional multicolor light emitting device (a combination of a color conversion filter and a light emitting body).
【図10】図9に示す多色発光装置の視野角依存性を模
式的に示す断面図である。10 is a cross-sectional view schematically showing the viewing angle dependency of the multicolor light emitting device shown in FIG.
【図11】従来の色変換フィルタにおける断線や短絡の
発生を模式的に示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing the occurrence of disconnection or short circuit in a conventional color conversion filter.
1 透光性基板 2 遮光層 21 第一遮光層 22 第二遮光層 3 色変換層 3’ 光硬化型色変換層形成材料 4 発光体(有機EL素子) 10 色変換フィルタ REFERENCE SIGNS LIST 1 translucent substrate 2 light-shielding layer 21 first light-shielding layer 22 second light-shielding layer 3 color conversion layer 3 ′ photocurable color conversion layer forming material 4 light-emitting body (organic EL element) 10 color conversion filter
Claims (11)
の蛍光体層を含む色変換層とが、互い違いに繰返し平面
的に分離配置された、発光体からの発光を分解および/
または変換する色変換フィルタにおいて、 遮光層が、発光体および/または色変換層からの発光を
遮光するための第一遮光層と、この第一遮光層の上面ま
たは下面の少なくとも一方に配設された、第一遮光層の
遮光性を補うための第二遮光層とを有することを特徴と
する色変換フィルタ。1. A light-shielding layer and a color conversion layer including one or more kinds of phosphor layers are alternately and separately arranged in a plane on a light-transmitting substrate. /
Alternatively, in the color conversion filter for conversion, a light-shielding layer is provided on at least one of a first light-shielding layer for shielding light emitted from the luminous body and / or the color conversion layer, and an upper surface or a lower surface of the first light-shielding layer. And a second light-shielding layer for supplementing the light-shielding property of the first light-shielding layer.
である請求項1記載の色変換フィルタ。2. The color conversion filter according to claim 1, wherein the second light-shielding layer contains a metal material.
項1または2記載の色変換フィルタ。3. The color conversion filter according to claim 1, wherein the luminous body is an organic EL element.
と有機EL素子とを有する多色発光装置。4. A multicolor light emitting device comprising the color conversion filter according to claim 1 and an organic EL element.
の蛍光体層を含む色変換層とが、互い違いに繰返し平面
的に分離配置された、発光体からの発光を分解および/
または変換する色変換フィルタを製造する方法におい
て、下記(A)〜(C)の工程を含むことを特徴とする
色変換フィルタの製造方法。 (A)透光性基板上に、発光体および/または色変換層
からの発光を遮光するための第一遮光層を平面的にパタ
ーン化して分離配置するとともに、この第一遮光層の上
面または下面の少なくとも一方、および透光性基板上
に、第一遮光層の遮光性を補うための第二遮光層を配設
する。 (B)透光性基板上に配設された第二遮光層をエッチン
グにより選択的に除去する。 (C)光硬化型色変換層形成材料を、第一遮光層間の間
隙を埋め込むようにして成膜する。5. A light-shielding layer and a color conversion layer including one or more kinds of phosphor layers are alternately and separately arranged in a plane on a light-transmitting substrate. /
Alternatively, a method of manufacturing a color conversion filter to be converted includes the following steps (A) to (C). (A) A first light-shielding layer for shielding light emitted from a light-emitting body and / or a color conversion layer is planarly patterned and separately arranged on a light-transmitting substrate, and an upper surface of the first light-shielding layer or A second light-shielding layer for supplementing the light-shielding property of the first light-shielding layer is provided on at least one of the lower surface and the light-transmitting substrate. (B) The second light-shielding layer provided on the light-transmitting substrate is selectively removed by etching. (C) A photo-curable color conversion layer forming material is formed so as to fill the gap between the first light-shielding layers.
の蛍光体層を含む色変換層とが、互い違いに繰返し平面
的に分離配置された、発光体からの発光を分解および/
または変換する色変換フィルタを製造する方法におい
て、下記(A)〜(F)の工程を含むことを特徴とする
色変換フィルタの製造方法。 (A)透光性基板上に、発光体および/または色変換層
からの発光を遮光するための第一遮光層を平面的にパタ
ーン化して分離配置するとともに、この第一遮光層の上
面または下面の少なくとも一方、および透光性基板上
に、第一遮光層の遮光性を補うための第二遮光層を配設
する。 (B)透光性基板上に配設された第二遮光層をエッチン
グにより選択的に除去する。 (C)光硬化型色変換層形成材料を、第一遮光層間の間
隙を埋め込むようにして成膜する。 (D)透光性基板側から露光して、光硬化型色変換層形
成材料を選択的に光硬化させ、一種類の色変換層を形成
する。 (E)色変換層形成材料の露光されなかった部分を除去
する。 (F)色変換層の種類の数に応じ、必要な回数だけ工程
(B)〜(E)を繰り返す。6. A light-shielding layer and a color conversion layer including at least one kind of phosphor layer are alternately and separately arranged in a plane on a light-transmitting substrate. /
Alternatively, a method for manufacturing a color conversion filter to be converted includes the following steps (A) to (F). (A) A first light-shielding layer for shielding light emitted from a light-emitting body and / or a color conversion layer is planarly patterned and separately arranged on a light-transmitting substrate, and an upper surface of the first light-shielding layer or A second light-shielding layer for supplementing the light-shielding property of the first light-shielding layer is provided on at least one of the lower surface and the light-transmitting substrate. (B) The second light-shielding layer provided on the light-transmitting substrate is selectively removed by etching. (C) A photo-curable color conversion layer forming material is formed so as to fill the gap between the first light-shielding layers. (D) Exposure is performed from the light-transmitting substrate side, and the photocurable color conversion layer forming material is selectively photocured to form one type of color conversion layer. (E) The unexposed portions of the color conversion layer forming material are removed. (F) Steps (B) to (E) are repeated as many times as necessary according to the number of types of color conversion layers.
一遮光層を平面的にパターン化して分離配置した後に、
第一遮光層の上面および透光性基板上に第二遮光層を積
層して配設するものである請求項5または6記載の色変
換フィルタの製造方法。7. In the step (A), after the first light-shielding layer is planarly patterned and separated on the light-transmitting substrate,
7. The method for producing a color conversion filter according to claim 5, wherein a second light-shielding layer is laminated and disposed on the upper surface of the first light-shielding layer and on the light-transmitting substrate.
に、第二遮光層を積層して配設した後に、この第二遮光
層上に第一遮光層を平面的にパターン化して分離配置す
る請求項5または6記載の色変換フィルタの製造方法。8. In the step (A), a second light-shielding layer is laminated and provided on the entire surface of the light-transmitting substrate. 7. The method for manufacturing a color conversion filter according to claim 5, wherein the color conversion filters are separately arranged.
に、第二遮光層を積層して配設した後に、この第二遮光
層上に第一遮光層を平面的にパターン化して分離配置
し、次に第一遮光層の上面、および透光性基板上に配設
された第二遮光層上に、さらに第二遮光層を積層して配
設する請求項5または6記載の色変換フィルタの製造方
法。9. In the step (A), after a second light-shielding layer is laminated and provided on the entire surface of the light-transmitting substrate, the first light-shielding layer is patterned in a plane on the second light-shielding layer. The second light-shielding layer is further laminated and disposed on the upper surface of the first light-shielding layer and on the second light-shielding layer disposed on the light-transmitting substrate. Method for manufacturing a color conversion filter.
二遮光層を平面的にパターン化して分離配置した後に、
透光性基板上に第一遮光層を、第二遮光層と互い違いに
なるように平面的にパターン化して分離配置する請求項
5または6記載の色変換フィルタの製造方法。10. The method according to claim 1, wherein in the step (A), after the second light-shielding layer is two-dimensionally patterned and separately arranged on the light-transmitting substrate,
7. The method for manufacturing a color conversion filter according to claim 5, wherein the first light-shielding layer is separately patterned and arranged on the light-transmitting substrate so as to be alternate with the second light-shielding layer.
二遮光層を平面的にパターン化して分離配置した後に、
透光性基板上に第一遮光層を、第二遮光層と互い違いに
なるように平面的にパターン化して分離配置し、次に第
一遮光層の上面、および透光性基板上に配設された第二
遮光層上に、さらに第二遮光層を積層して配設する請求
項5または6記載の色変換フィルタの製造方法。11. The method according to claim 11, wherein in the step (A), after the second light-shielding layer is two-dimensionally patterned and separately arranged on the light-transmitting substrate,
The first light-shielding layer is formed on the light-transmitting substrate, is separately patterned and arranged in a plane so as to be alternate with the second light-shielding layer, and is then provided on the upper surface of the first light-shielding layer and on the light-transmitting substrate. 7. The method for manufacturing a color conversion filter according to claim 5, wherein a second light-shielding layer is further laminated and disposed on the second light-shielding layer.
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