JPH10112389A - Multi-color luminescent device - Google Patents
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多色発光装置に関
する。さらに詳しくは、各種発光型のマルチカラーまた
はフルカラーの情報用ディスプレーに好適に用いられる
多色発光装置に関する。The present invention relates to a multicolor light emitting device. More specifically, the present invention relates to a multicolor light emitting device suitably used for various light emitting multicolor or full color information displays.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子
は自己発光のため視認性が高く、また完全固体のため耐
衝撃性に優れるという特徴を有しており、現在、無機，
有機化合物を発光層に用いた様々なＥＬ素子が提案さ
れ、実用化が試みられている。2. Description of the Related Art Electroluminescent (EL) elements have the characteristics of high visibility due to self-emission and excellent impact resistance due to being completely solid.
Various EL devices using an organic compound for a light emitting layer have been proposed and put to practical use.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、無機ＥＬ素子
は、赤色，緑色発光においては、輝度，効率，寿命とも
十分な実用性能を有し、赤，緑の発光画素をもつマルチ
カラーが上市されているものの、青色発光においては、
色純度の良い高輝度の発光素子が得られていないのが現
状である（R.T. Tuenge. Proc. of International Disp
lay Workshops １９９５年９１頁）。一方、有機青色Ｅ
Ｌ素子は、発光材料の進歩が著しく、高輝度，高効率，
長寿命の青色素子が得られているものの、同程度の赤色
素子は得られておらず、かつ青色素子もフルカラー用の
発光画素に用いられるためには色純度が不十分であり、
ＣＩＥ色度座標で、Ｙ座標が０．１９以内のものを得る
のは困難であるのが現状である。本発明は上述の問題に
鑑みなされたものであり、青色発光の色純度を向上させ
るとともに、高輝度、高効率で信頼性、安定性に優れた
多色発光装置を提供することを目的とする。However, the inorganic EL element has sufficient practical performance in red, green light emission in terms of luminance, efficiency, and lifetime, and a multi-color having red and green light emitting pixels is put on the market. However, in blue emission,
At present, a light emitting device with high color purity and high luminance has not been obtained (RT Tuenge. Proc. Of International Disp.
lay Workshops, 1995, 91). On the other hand, organic blue E
In the L element, light-emitting materials have made remarkable progress,
Although a long-life blue element has been obtained, a comparable red element has not been obtained, and the color purity is insufficient for the blue element to be used for a full-color luminescent pixel,
At present, it is difficult to obtain a CIE chromaticity coordinate whose Y coordinate is within 0.19. The present invention has been made in view of the above-described problems, and aims to provide a multicolor light-emitting device that improves color purity of blue light emission, and that has high luminance, high efficiency, reliability, and stability. .
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明によれば、第一の基板上に、赤系統色および緑系
統色の複数の発光画素をそれぞれ分離して配置してなる
第一の発光素子と、第二の基板上に、青系統色の複数の
発光画素を配置してなる第二の発光素子とが、それぞれ
の発光画素面が対向するようにして、重ね合わされて配
設されてなるとともに、赤系統色および緑系統色の発光
画素が、二つの電極間に挟持された、少くとも赤系統色
の発光層を含む第一の無機物層と緑系統色の発光層を含
む第二の無機物層とを有する無機物層から形成され、か
つ青系統色の発光画素が、二つの電極間に挟持された、
青系統色の発光層を含む有機物層から形成されてなり、
さらに青色カラーフィルタが、第一の発光素子の、光取
り出し側とは反対側に配設されてなることを特徴とする
多色発光装置が提供される。According to the present invention, in order to achieve the above object, a plurality of luminescent pixels of red and green colors are separately arranged on a first substrate. One light-emitting element and a second light-emitting element in which a plurality of blue-colored light-emitting pixels are arranged on a second substrate are overlapped with each other so that the light-emitting pixel surfaces face each other. In addition, the red-based and green-based luminescent pixels are sandwiched between two electrodes, and the first inorganic layer including at least the red-based luminescent layer and the green-based luminescent layer are sandwiched between two electrodes. A second inorganic layer including the second inorganic layer, and a blue light emitting pixel is sandwiched between two electrodes,
It is formed from an organic material layer including a blue light emitting layer,
Further, there is provided a multicolor light emitting device, wherein a blue color filter is provided on a side opposite to a light extraction side of the first light emitting element.
【０００５】また、その好ましい態様として、前記青色
カラーフィルタが、第一の発光素子の、光取り出し側と
は反対側の略全体を被覆するように配設されてなること
を特徴とする多色発光装置が提供される。In a preferred embodiment, the blue color filter is disposed so as to cover substantially the entire side of the first light emitting element opposite to the light extraction side. A light emitting device is provided.
【０００７】さらに、その好ましい態様として、前記青
色カラーフィルタが、有機顔料を透明レジンまたは封止
液に分散してなるものであることを特徴とする多色発光
装置が提供される。Further, as a preferred embodiment, there is provided a multicolor light emitting device, wherein the blue color filter is obtained by dispersing an organic pigment in a transparent resin or a sealing liquid.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しつつ具体的に説明する。 １．装置の構成の概要 図１は、本発明の多色発光装置の一の実施形態を模式的
に示す断面図である。図１に示すように、本発明の多色
発光装置は、大別して第一の発光素子１００と第二の発
光素子２００とを重ね合わせた構成となっている。すな
わち、第一の発光素子１００は、第一の基板１０１の上
に、第一の基板電極（透明電極）１０２、少なくとも赤
系統色の発光画素を形成する赤系統色の発光層を含む第
一の無機物層１０４Ｒと、緑系統色の発光画素を形成す
る緑系統色の発光層を含む第二の無機物層１０４Ｇとを
有する無機物層１０４、この無機物層１０４を挟持した
第一および第二の絶縁層１０３，１０３’、第一の対向
電極（透明電極）１０５、および第一の発光素子の光取
り出し側とは反対側の、好ましくは略全面を被覆するよ
うに配設された青色カラーフィルタ１０６を順次積層し
て形成されている。第一の無機物層１０４が、橙色の発
光層を含むものである場合には、第一の基板１０１と第
一の基板電極１０２との間に赤色カラーフィルタ１０７
を配設してもよい。Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. 1. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of the multicolor light emitting device of the present invention. As shown in FIG. 1, the multicolor light emitting device of the present invention has a configuration in which a first light emitting element 100 and a second light emitting element 200 are roughly overlapped. That is, the first light emitting element 100 includes a first substrate electrode (transparent electrode) 102 on a first substrate 101 and at least a first light emitting layer including a red light emitting layer forming red light emitting pixels. Inorganic layer 104R and a second inorganic layer 104G including a green light emitting layer forming a green light emitting pixel, and a first and a second insulation layer sandwiching the inorganic layer 104. The layers 103 and 103 ′, the first counter electrode (transparent electrode) 105, and the blue color filter 106 disposed so as to cover, preferably, substantially the entire surface opposite to the light extraction side of the first light emitting element. Are sequentially laminated. When the first inorganic layer 104 includes an orange light-emitting layer, a red color filter 107 is provided between the first substrate 101 and the first substrate electrode 102.
May be provided.
【０００９】また、第二の発光素子２００は、第二の基
板２０１の上に第二の基板電極２０２、青系統色の発光
画素を形成する青系統色の発光層を含む有機物層２０
３、および第二の対向電極（透明電極）２０４を順次積
層して形成されている。この二つの素子１００，２００
を、貼り合わせ封止材３００を介し、かつそれぞれの発
光画素面が対向するようにして、重ね合わせた構成にな
っている。The second light emitting element 200 includes a second substrate electrode 202 on a second substrate 201 and an organic material layer 20 including a blue light emitting layer for forming blue light emitting pixels.
3 and a second counter electrode (transparent electrode) 204 are sequentially laminated. These two elements 100, 200
Are laminated so that the light emitting pixel surfaces face each other with the bonding sealing material 300 interposed therebetween.
【００１０】本発明においては、第一の基板１０１の外
側から光を取り出し、多色画素（像）表示が可能な多色
発光装置を得ることができる。なお、第二の基板電極
は、陽極または陰極のどちらでも良い。また、第二の対
向電極も陽極または陰極のどちらでも良い。In the present invention, light can be extracted from the outside of the first substrate 101 to obtain a multicolor light emitting device capable of displaying multicolor pixels (images). Note that the second substrate electrode may be either an anode or a cathode. Also, the second counter electrode may be either an anode or a cathode.
【００１１】２．発光画素およびその配置 一の発光画素とは、一の基板電極と、一の対向電極と、
これらに挟持された発光層を含む有機物層または無機物
層とを含み、これに所望の色を実現するため、必要に応
じてカラーフィルタを備えたものであって、独立に点
燈，非点燈の制御が可能な箇所のことを意味する。以
下、ＸＹマトリックスを用いた場合について説明する。
直交するようにして配設された一本の基板電極ラインと
一本の対向電極ラインとに発光層を含む有機物層または
無機物層が挟持されており、その交差する箇所が発光画
素となる。本発明では、必要に応じ、この発光画素の光
取り出し方向にカラーフィルタを設置する。設置場所
は、光取り出し方向に備える必要がある。図１では第一
の対向電極１０５の上に青色フィルター１０６を設置
し、また第一の基板１０１と第一の基板電極１０２との
間に赤色フィルター１０７を設置した場合を示してい
る。2. Light-Emitting Pixel and Its Arrangement One light-emitting pixel has one substrate electrode, one counter electrode,
It includes an organic layer or an inorganic layer including a light emitting layer sandwiched therebetween, and is provided with a color filter as necessary to realize a desired color, and is independently turned on and off. Means a place where the control can be performed. Hereinafter, the case where the XY matrix is used will be described.
An organic material layer or an inorganic material layer including a light emitting layer is sandwiched between one substrate electrode line and one counter electrode line disposed so as to be orthogonal to each other, and a crossing point becomes a light emitting pixel. In the present invention, a color filter is provided in the light extraction direction of the luminescent pixel as needed. The installation location must be provided in the light extraction direction. FIG. 1 shows a case where a blue filter 106 is provided on the first counter electrode 105 and a red filter 107 is provided between the first substrate 101 and the first substrate electrode 102.
【００１２】このような発光画素を、光取り出し方向よ
り観察した場合、ストライプ配置やダイアゴナル配置な
ど、各種の発光画素の配置を保有する多色ディスプレイ
となっている。When such light emitting pixels are observed from the light extraction direction, a multicolor display having various light emitting pixel arrangements such as stripe arrangement and diagonal arrangement is obtained.
【００１３】３．第一の発光素子 （１）第一の基板 本発明に用いられる第一の基板１０１としては、透明で
平坦かつ耐熱性（４００℃以上）を有するものであれ
ば、特に制限はない。たとえば、ガラス，石英，セラミ
ックスを好適例として挙げることができる。3. 1. First Light-Emitting Element (1) First Substrate The first substrate 101 used in the present invention is not particularly limited as long as it is transparent, flat and has heat resistance (400 ° C. or higher). For example, glass, quartz, and ceramics can be mentioned as preferred examples.
【００１４】（２）第一の基板電極 本発明に用いられる第一の基板電極１０２は、透明導電
性酸化物で形成することができる。透明導電性の酸化物
としては、ＩｎＳｎＯ（ＩＴＯ），ＺｎＯ：Ａｌ，Ｓｎ
Ｏ2 ：Ｓｂ，ＩｎＺｎＯ（ＩｎとＺｎの酸化物）が好ま
しい。第一の基板電極の膜厚としては１００〜５００ｎ
ｍ未満が好ましい。１００ｎｍ未満であると面抵抗値が
高くなるため配線抵抗が増大し、表示の均一性が得られ
ないおそれがある。５００ｎｍを超えると、第一の対向
電極の段差部分で短絡等の欠陥が生じやすくなる。(2) First Substrate Electrode The first substrate electrode 102 used in the present invention can be formed of a transparent conductive oxide. Examples of the transparent conductive oxide include InSnO (ITO), ZnO: Al, and Sn.
O 2 : Sb, InZnO (an oxide of In and Zn) is preferable. The thickness of the first substrate electrode is 100 to 500 n
It is preferably less than m. If it is less than 100 nm, the sheet resistance increases, so that the wiring resistance increases, and there is a possibility that uniformity of display cannot be obtained. If it exceeds 500 nm, a defect such as a short circuit tends to occur at the step of the first counter electrode.
【００１５】（３）絶縁層 本発明において、必要に応じて設けられる第一および第
二の絶縁層１０３，１０３’としては、１ＭＶ／ｍ以上
の強電界に耐える絶縁性酸化物または絶縁性窒化物を好
適例として挙げることができる。たとえば、Ｔａ2 Ｏ
3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＯ2 ，Ｓ
ｉＯＮ，ＢａＴａ2 Ｏ5 ，ＳｒＴｉＯ3 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，
ＳｉＡｌＯＮ及びこれらを複数積層したものを挙げるこ
とができる。その膜厚は、１００〜４００ｎｍが好まし
い。(3) Insulating Layer In the present invention, the first and second insulating layers 103 and 103 'provided as needed are made of an insulating oxide or an insulating nitride capable of withstanding a strong electric field of 1 MV / m or more. A thing can be mentioned as a suitable example. For example, Ta 2 O
3, Ta 2 O 5, Y 2 O 3, Si 3 N 4, SiO 2, S
iON, BaTa 2 O 5 , SrTiO 3 , Al 2 O 3 ,
SiAlON and those obtained by laminating a plurality of these are cited. The thickness is preferably 100 to 400 nm.
【００１６】（４）無機物層 本発明に用いられる無機物層１０４は、少なくとも赤系
統色および緑系統色の発光層をそれぞれ含む第一の無機
物層１０４Ｒおよび第二の無機物層１０４Ｇを有してい
る。 赤系統色発光層 第一の無機物層１０４Ｒに用いられる赤系統色発光層
（赤色又は橙色発光層）としては、ＺｎＳ：Ｍｎまたは
ＺｎＳ：ＳｍＦ3 を好適例として挙げることができる。
Ｍｎの濃度はＺｎＳに対し０．３〜１．５重量％が好ま
しい（蛍光体ハンドブック、オーム社出版、３１０〜３
１９頁）。膜厚としては２００ｎｍ〜１μｍが好まし
い。(4) Inorganic Layer The inorganic layer 104 used in the present invention has a first inorganic layer 104R and a second inorganic layer 104G including at least red-based and green-based light-emitting layers, respectively. . Red-based light-emitting layer As a preferred example of the red-based light-emitting layer (red or orange light-emitting layer) used in the first inorganic layer 104R, ZnS: Mn or ZnS: SmF 3 can be given.
The concentration of Mn is preferably 0.3 to 1.5% by weight based on ZnS (Phosphor Handbook, Ohmsha Publishing, 310-3).
19). The thickness is preferably from 200 nm to 1 μm.
【００１７】緑系統色発光層 第二の無機物層１０４Ｇに用いられる緑系統色発光層と
しては、ＺｎＳにＴｂを添加したものを好適例として挙
げることができる。ＺｎＳにＴｂＦ3 を添加したもので
あってもよい。Ｔｂの濃度としてはＺｎＳに対し１〜
２．５重量％が好ましい。膜厚としては、２００ｎｍ〜
１μｍが好ましい。Green-based light-emitting layer A preferred example of the green-based light-emitting layer used for the second inorganic layer 104G is ZnS to which Tb is added. TbF 3 may be added to ZnS. The concentration of Tb is 1 to ZnS.
2.5% by weight is preferred. The thickness is 200 nm
1 μm is preferred.
【００１８】（５）第一の対向電極 本発明に用いられる第一の対向電極１０５としては、こ
の電極面より光を取り出すので透明であることが必要で
あり、ＩＴＯ（ＩｎＳｎＯ），ＺｎＯ：Ａｌ，ＳｎＯ
2 ：Ｓｂ，ＩｎＺｎＯが好ましい。膜厚としては、１０
０〜５００ｎｍが好ましい。この電極は、面抵抗値が２
０Ω／□程度と大きいので、配線抵抗が５ＫΩ以上と大
きくなり問題になることがある。この場合には、特開平
５−２９９１７７号公報に記載されているように、透明
電極上に金属配線を細線化し付属させることが好まし
い。(5) First Counter Electrode The first counter electrode 105 used in the present invention needs to be transparent because light is extracted from this electrode surface, and it is necessary to use ITO (InSnO), ZnO: Al , SnO
2 : Sb, InZnO is preferred. The film thickness is 10
0 to 500 nm is preferred. This electrode has a sheet resistance of 2
Since it is as large as about 0 Ω / □, the wiring resistance may be as large as 5 KΩ or more, which may cause a problem. In this case, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-299177, it is preferable to form a thin metal wire on the transparent electrode and attach it to the transparent electrode.
【００１９】（６）青色カラーフルタ 第二の発光素子２００は青系統色の発光をするが、色純
度を上げるため、青色カラーフィルタ１０６を第一の発
光素子の、光取出し側とは反対側の面上に形成すること
が好ましい。本発明に用いられるカラーフルタとして
は、青色系統の入射光より青色発光を取り出す機能を有
するものであれば特に制限はない。以下、その好適例を
示す。(6) Blue color filter The second light emitting element 200 emits blue light, but in order to increase color purity, the blue color filter 106 is placed on the opposite side of the first light emitting element from the light extraction side. Is preferably formed on the surface. The color filter used in the present invention is not particularly limited as long as it has a function of extracting blue light emission from blue-system incident light. Hereinafter, preferred examples thereof will be described.
【００２０】有機青色顔料を透明樹脂に分散して形成
する。ここで透明樹脂としては、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリ
アクリレートなどを挙げることができる。青色の発光を
取出す場合に用いる顔料としては、青色顔料であり、フ
タロシアニン系が好ましい。なお、カラーフィルタを平
面的に分離配置するためには、透明樹脂として感光性を
附与したアクリル系樹脂を用いることが好ましい。An organic blue pigment is formed by dispersing it in a transparent resin. Here, examples of the transparent resin include polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyvinyl alcohol, and polyacrylate. A pigment used for extracting blue light emission is a blue pigment, and is preferably a phthalocyanine-based pigment. In order to separate and arrange the color filters in a plane, it is preferable to use an acrylic resin having photosensitivity as the transparent resin.
【００２１】無機青色顔料、好ましくはＣｏＡｌＯ系
顔料をポリビニルアルコール系の透明樹脂に分散して形
成する。さらに、ポリビニルアルコールに、重クロム酸
塩等を添加した場合、感光性にすることができ、これを
利用しパターニングを行なうことができる。An inorganic blue pigment, preferably a CoAlO pigment, is formed by dispersing in a polyvinyl alcohol transparent resin. Furthermore, when a dichromate salt or the like is added to polyvinyl alcohol, it can be made photosensitive, and patterning can be performed using this.
【００２２】第一の基板上の素子と第二の基板上の素
子とを貼り合わせてできる間隙中に封止液（好ましくは
シリコーン液またはフッ化炭素液）を入れる場合、この
中に青色有機染料を添加することによりカラーフィルタ
を形成する。この場合は、フィルターをパターン加工す
る必要がない場合に、好ましく用いられる。When a sealing liquid (preferably a silicone liquid or a fluorocarbon liquid) is placed in a gap formed by bonding the element on the first substrate and the element on the second substrate, a blue organic A color filter is formed by adding a dye. This case is preferably used when it is not necessary to pattern the filter.
【００２３】なお、青色カラーフィルタ１０６をパター
ン加工しないで全面に設置すると、コントラストを増強
する顕著な効果があり、特に好ましい。この場合、日光
等の外部の光が入射しても、青色カラーフィルタ１０６
を通過（実際には、第二の対向電極２０４で反射され二
回、青色カラーフィルタ１０６を通過する場合が多い）
するので、外部の光の反射が著しく小さくなり、表示が
極めて読みやすくなる。It is particularly preferable to dispose the blue color filter 106 on the entire surface without pattern processing, because it has a remarkable effect of enhancing the contrast. In this case, even if external light such as sunlight enters, the blue color filter 106
(In practice, it is often reflected by the second counter electrode 204 and passes twice through the blue color filter 106).
Therefore, the reflection of external light becomes extremely small, and the display becomes extremely readable.
【００２４】（７）赤色カラーフィルタ 本発明においては、赤色カラーフィルタ１０７を用いる
ことが好ましい。特に、赤系統色発光層として橙色発光
層を用いる場合には、赤色カラーフィルタ１０７を設
け、発光を赤色化する必要がある。赤色フィルターとし
ては、赤色有機顔料を透明レジンに分散させたものが好
ましい。さらにこの透明レジンに感光性を附与し、レジ
スト化したものが市販されており好適に用いることがで
きる。また米国特許第４９５４７４７号公報に記載され
ているように、赤色の無機半導体であるＣｄＳｅＳを用
いてもよい。この赤色カラーフィルタの設置位置として
は、たとえば第一の基板１０１と第一の基板電極１０２
との間を挙げることができる。(7) Red Color Filter In the present invention, a red color filter 107 is preferably used. In particular, when an orange light emitting layer is used as the red system color light emitting layer, it is necessary to provide a red color filter 107 to make the light emission red. As the red filter, a filter in which a red organic pigment is dispersed in a transparent resin is preferable. Further, a resin obtained by imparting photosensitivity to this transparent resin and formed into a resist is commercially available and can be suitably used. Further, as described in U.S. Pat. No. 4,954,747, CdSeS which is a red inorganic semiconductor may be used. The position of the red color filter is, for example, a first substrate 101 and a first substrate electrode 102.
And between.
【００２５】（８）第一の発光素子を形成する工程 第一の発光素子１００を形成する工程は、たとえば下記
〜の工程とすることができる。 第一の基板１０１洗浄工程 赤色カラーフィルタ１０７成膜およびパターニング工
程 第一の基板電極１０２成膜及びパターンニング工程 第一の絶縁層１０３成膜工程 赤色または橙色発光層を含む第一の無機物層１０４Ｒ
成膜工程及びパターンニング工程 緑色発光層を含む第二の無機物層１０４Ｇ成膜工程 第二の絶縁層１０３’成膜工程 第一の対向電極１０５成膜及びパターンニング工程 青色カラーフィルタ１０６成膜及びパターンニング工
程(8) Step of Forming First Light-Emitting Element The step of forming the first light-emitting element 100 can be, for example, the following steps: First substrate 101 cleaning step Red color filter 107 film formation and patterning step First substrate electrode 102 film formation and patterning step First insulating layer 103 film formation step First inorganic layer 104R including red or orange light emitting layer
Film forming step and patterning step Second inorganic layer 104G including green light emitting layer Film forming step Second insulating layer 103 ′ film forming step First counter electrode 105 film forming and patterning step Blue color filter 106 film forming Patterning process
【００２６】以下、各工程の好適例を具体的に説明す
る。については、エタノール，イソプロピルアルコー
ルなどの溶媒中で超音波処理を行ない、その後ＵＶとオ
ゾンを併用する洗浄を行なう。については、ＣｄＳＳ
ｅ等の半導体層を用いるカラーフィルタを使用するとき
は、半導体層をスパッタリング，電子ビーム蒸着で成膜
後、フォトリソグラフを用いパターン加工する。につ
いては、スパッタリング，電子ビーム蒸着，イオンプレ
ーティング等で第一の基板電極を成膜する。さらにフォ
トリソグラフ法でパターンニングする。については、
スパッタリングで絶縁層をスパッタリングする。につ
いては、電子ビーム蒸着、スパッタリング又は原子層エ
ピタキシー成膜（ＡＬＥ）法にて成膜する。その後フォ
トリソグラフ法にてパターンニングを行なう。なお、マ
スクを用いてパターン成膜を行なってもよい。につい
ては、と同じようにして成膜後パターン加工する。な
お、，の後、結晶性を向上させるため、３００〜６
００℃でアニーリングすると発光性能の向上を図ること
ができる。については、第一の絶縁層と同じである。
については、と同じである。については、フォト
レジストタイプのカラーレジスト又は無機顔料を分散し
た感光性の透明レジンを用いるときは、スピンコート
法、フォトマスクを通し露光、現像後アニールを行な
い、成膜およびパターン加工する。ＣｄＳＳｅ等の半導
体層を用いるカラーフィルタを使用するときは、半導体
層をスパッタリング，電子ビーム蒸着で成膜後、フォト
ソリソグラフを用いパターン加工する。Hereinafter, preferred examples of each step will be specifically described. Is performed in a solvent such as ethanol or isopropyl alcohol, followed by washing using both UV and ozone. About CdSS
When a color filter using a semiconductor layer such as e is used, the semiconductor layer is formed by sputtering or electron beam evaporation, and then patterned by photolithography. As for the first method, a first substrate electrode is formed by sputtering, electron beam evaporation, ion plating, or the like. Further, patterning is performed by a photolithographic method. about,
The insulating layer is sputtered by sputtering. Is formed by electron beam evaporation, sputtering or atomic layer epitaxy (ALE). Thereafter, patterning is performed by a photolithographic method. Note that pattern deposition may be performed using a mask. Is performed after the film formation in the same manner as described above. After that, 300 to 6 to improve the crystallinity.
Annealing at 00 ° C. can improve light emission performance. Is the same as that of the first insulating layer.
Is the same as When using a photoresist type color resist or a photosensitive transparent resin in which an inorganic pigment is dispersed, spin coating, exposure through a photomask, annealing after development, and film formation and pattern processing. When a color filter using a semiconductor layer of CdSSe or the like is used, the semiconductor layer is formed by sputtering or electron beam evaporation, and then patterned by photolithography.
【００２７】４．第二の発光素子 （１）第二の基板 本発明に用いられる第二の基板２０１としては、多色発
光装置を支えるに十分な剛直な材料が好ましい。具体的
な材料としては、例えば、ガラス板、セラミック板、プ
ラスチック板（ポリカーボネート、アクリル、塩化ビニ
ル、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエ
ステル樹脂等）等を挙げることができる。基板の板厚
は、特に制限はないが、通常は１００μｍ〜２ｍｍの範
囲が好ましい。4. Second Light-Emitting Element (1) Second Substrate The second substrate 201 used in the present invention is preferably a rigid material sufficient to support a multicolor light-emitting device. Specific examples of the material include a glass plate, a ceramic plate, and a plastic plate (such as polycarbonate, acrylic, vinyl chloride, polyethylene terephthalate, polyimide, and polyester resin). The thickness of the substrate is not particularly limited, but is usually preferably in the range of 100 μm to 2 mm.
【００２８】（２）有機ＥＬ素子 本発明においては、第二の基板上２０１に、青系統色の
発光層を含む有機物層２０３が第二の基板電極２０２と
第二の対向電極２０４との間に挟持するように、形成さ
れている。この構成は有機ＥＬ素子と呼ばれる。本発明
に用いられる有機ＥＬ素子においては、有機物層とし
て、再結合領域および発光領域を少なくとも有するもの
が用いられる。この再結合領域および発光領域は、通常
発光層に存在するため、本発明においては、有機物層と
して発光層のみを用いてもよいが、必要に応じ、発光層
以外に、たとえば正孔注入層，電子注入層，有機半導体
層，電子障壁層，付着改善層なども用いることができ
る。(2) Organic EL Device In the present invention, an organic material layer 203 including a blue light emitting layer is provided between the second substrate electrode 202 and the second counter electrode 204 on the second substrate 201. It is formed so as to be sandwiched between. This configuration is called an organic EL device. In the organic EL device used in the present invention, an organic material layer having at least a recombination region and a light emitting region is used. Since the recombination region and the light emitting region are usually present in the light emitting layer, in the present invention, only the light emitting layer may be used as the organic layer, but if necessary, other than the light emitting layer, for example, a hole injection layer, An electron injection layer, an organic semiconductor layer, an electron barrier layer, an adhesion improving layer, and the like can also be used.
【００２９】次に本発明に用いられる有機ＥＬ素子の代
表的な構成例を示す。もちろん、これに限定されるもの
ではない。 （１）透明電極（陽極）／発光層／電極（陰極） （２）透明電極（陽極）／正孔注入層／発光層／電極
（陰極） （３）透明電極（陽極）／発光層／電子注入層／電極
（陰極） （４）透明電極（陽極）／正孔注入層／発光層／電子注
入層／電極（陰極） （５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極 （６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極 （７）陽極／正孔注入層／発光層／付着改善層／陰極 などの構造を挙げることができる。これらの中で、通常
（４）の構成が好ましく用いられる。Next, a typical configuration example of the organic EL device used in the present invention will be described. Of course, it is not limited to this. (1) Transparent electrode (anode) / light-emitting layer / electrode (cathode) (2) Transparent electrode (anode) / hole injection layer / light-emitting layer / electrode (cathode) (3) Transparent electrode (anode) / light-emitting layer / electron Injection layer / electrode (cathode) (4) Transparent electrode (anode) / hole injection layer / emission layer / electron injection layer / electrode (cathode) (5) anode / organic semiconductor layer / emission layer / cathode (6) anode / Organic semiconductor layer / Electron barrier layer / Emission layer / Cathode (7) Structures such as anode / hole injection layer / emission layer / adhesion improving layer / cathode. Of these, the configuration (4) is preferably used.
【００３０】陽極 陽極（第二の基板電極２０２，または第二の対向電極２
０４）としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金
属，合金，電気伝導性化合物またはこれらの混合物を電
極物質とするものが好ましく用いられる。このような電
極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ，ＩＴ
Ｏ，ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ，ＩｎＺｎＯ等の導電性透明材料
が挙げられる。陽極は、これらの電極物質を蒸着法やス
パッタリング法等の方法で、薄膜を形成させることによ
り作製することができる。このように発光層からの発光
を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が
１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシ
ート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は
材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１
０〜２００ｎｍの範囲で選択される。なお、光の取り出
し側に配設される電極、たとえば第二の対向電極２０４
は、透明または半透明であることが好ましい。また、前
述のように、本発明においては、陽極として用いる電極
は、その形成位置から、第二の基板電極２０２または第
二の対向電極２０４のいずれであってもよい。Anode Anode (second substrate electrode 202 or second counter electrode 2
As 04), a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a large work function (4 eV or more) is preferably used as an electrode material. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, CuI, IT
Conductive transparent materials such as O, SnO 2 , ZnO, and InZnO are exemplified. The anode can be manufactured by forming a thin film from these electrode substances by a method such as an evaporation method or a sputtering method. When light emitted from the light emitting layer is extracted from the anode in this manner, it is preferable that the transmittance of the anode with respect to the light emission be greater than 10%. The sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. The thickness of the anode depends on the material, but is usually 10 nm to 1 μm, preferably 1 nm.
It is selected in the range of 0 to 200 nm. An electrode provided on the light extraction side, for example, the second counter electrode 204
Is preferably transparent or translucent. In addition, as described above, in the present invention, the electrode used as the anode may be either the second substrate electrode 202 or the second counter electrode 204 depending on the formation position.
【００３１】有機物層 本発明における有機物層２０３は、青系統色の発光層等
を含む。 −１．発光層 本発明における青色発光層においては、発光材料（ホス
ト材料）として、一般式（Ｉ）Organic Material Layer The organic material layer 203 in the present invention includes a light emitting layer of a blue system color and the like. -1. Light-Emitting Layer In the blue light-emitting layer of the present invention, a light-emitting material (host material) represented by the general formula (I)
【００３２】[0032]
【化１】 Embedded image
【００３３】で表わされるジスチリルアリレーン系化合
物が好ましく用いられる。この化合物は、特開平２−２
４７２７８号公報に開示されている。A distyryl arylene compound represented by the following formula is preferably used. This compound is disclosed in
No. 47278.
【００３４】上記一般式において、Ｙ1 〜Ｙ4 はそれぞ
れ水素分子、炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６
のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あ
るいは無置換の炭素数６〜１８のアリール基，置換ある
いは無置換のシクロヘキシル基，置換あるいは無置換の
炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のア
ルコキシ基を示す。ここで置換基は、炭素数１〜６のア
ルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８
のアラルキル基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基，
炭素数１〜６のアシル基，炭素数１〜６のアシルオキシ
基，カルボキシル基，スチリル基，炭素数６〜２０のア
リールカルボニル基，炭素数６〜２０のアリールオキシ
カルボニル基，炭素数１〜６のアルコキシカルボニル
基，ビニル基，アニリノカルボニル基，カルバモイル
基，フェニル基，ニトロ基，水酸基あるいはいはハロゲ
ンを示す。これらの置換基は単一でも複数でもよい。ま
た、Ｙ1 〜Ｙ4 は同一でも、また互いに異なってもよ
く、Ｙ1 とＹ2 およびＹ3 とＹ4は互いに置換している
基と結合して、置換あるいは無置換の飽和五員環または
置換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。Ａ
ｒは置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリレーン
基を表わし、単一置換されていても、複数置換されてい
てもよく、また結合部分は、オルト，パラ，メタいずれ
でもよい。但し、Ａｒが無置換フェニレン基の場合、Ｙ
1 〜Ｙ4 はそれぞれ炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素
数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換のナフチ
ル基，ビフェニル基，シクロヘキシル基，アリールオキ
シ基より選ばれたものである。このようなジスチルアリ
ーレン系化合物としては、たとえば、下記のものを挙げ
ることができる。In the above general formula, Y 1 to Y 4 are each a hydrogen molecule, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and 1 to 6 carbon atoms.
An alkoxy group having 7 to 8 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 18 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cyclohexyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms, Shows an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. Here, the substituent is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and 7 to 8 carbon atoms.
An aralkyl group, an aryloxy group having 6 to 18 carbon atoms,
An acyl group having 1 to 6 carbon atoms, an acyloxy group having 1 to 6 carbon atoms, a carboxyl group, a styryl group, an arylcarbonyl group having 6 to 20 carbon atoms, an aryloxycarbonyl group having 6 to 20 carbon atoms, and 1 to 6 carbon atoms Represents an alkoxycarbonyl group, vinyl group, anilinocarbonyl group, carbamoyl group, phenyl group, nitro group, hydroxyl group or halogen. These substituents may be single or plural. Y 1 to Y 4 may be the same or different from each other, and Y 1 and Y 2 and Y 3 and Y 4 are bonded to a mutually substituted group to form a substituted or unsubstituted saturated 5-membered ring. Alternatively, a substituted or unsubstituted saturated six-membered ring may be formed. A
r represents a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, which may be monosubstituted or plurally substituted, and the bonding portion may be any of ortho, para and meta. However, when Ar is an unsubstituted phenylene group, Y
1 to Y 4 are each selected from an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 8 carbon atoms, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a biphenyl group, a cyclohexyl group, and an aryloxy group. Examples of such a distilylylene-based compound include the following.
【００３５】[0035]
【化２】 Embedded image
【００３６】[0036]
【化３】 Embedded image
【００３７】また、別の好ましい発光材料（ホスト材
料）として、８−ヒドロキシキノリン、またはその誘導
体の金属錯体を挙げることができる。具体的には、オキ
シン（一般に８−キノリノールまたは８−ヒドロキシキ
ノリン）のキレートを含む金属キレートオキサノイド化
合物である。このような化合物は高水準の性能を示し、
容易に薄膜形態に成形される。このオキサノイド化合物
の例は、下記構造式を満たすものである。Another preferred light emitting material (host material) is a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof. Specifically, it is a metal chelate oxanoid compound containing a chelate of oxine (generally 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline). Such compounds exhibit a high level of performance,
It is easily formed into a thin film form. Examples of the oxanoid compound satisfy the following structural formula.
【００３８】[0038]
【化４】 Embedded image
【００３９】（式中、Ｍｔは金属を表わし、ｎは１〜３
の整数であり、Ｚはそのそれぞれの位置が独立であっ
て、少なくとも２以上の縮合芳香族環を完成させるため
に必要な原子を示す。） ここで、Ｍｔで表わされる金属は、一価，二価または三
価の金属とすることができるものであり、たとえばリチ
ウム，ナトリウム，カリウムなどのアルカリ金属、マグ
ネシウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属、あるい
はホウ素またはアルミニウムなどの土類金属である。一
般に、有用なキレート化合物であると知られている一
価，二価，または三価の金属はいずれも使用することが
できる。(Wherein Mt represents a metal, and n represents 1 to 3)
And Z represents an atom whose position is independent and which is necessary for completing at least two or more fused aromatic rings. Here, the metal represented by Mt can be a monovalent, divalent or trivalent metal, for example, an alkali metal such as lithium, sodium and potassium, and an alkaline earth metal such as magnesium and calcium. Or an earth metal such as boron or aluminum. Generally, any of the monovalent, divalent, or trivalent metals known to be useful chelating compounds can be used.
【００４０】また、Ｚは、少なくとも２以上の縮合芳香
族環の一方がアゾールまたはアジンからなる複素環を形
成させる原子を示す。ここで、もし必要であれば、上記
縮合芳香族環に他の異なる環を付加することが可能であ
る。また、機能上の改善がないまま嵩ばった分子を回避
するため、Ｚで示される原子の数は１８以下に維持する
ことが好ましい。さらに、具体的にキレート化オキサノ
イド化合物を例示すると、トリス（８−キノリノール）
アルミニウム（以下、Ａｌｑと略記する），ビス（８−
キノリノール）マグネシウム，ビス（ベンゾ−８−キノ
リノール）亜鉛，ビス（２−メチル−８−キノリノラー
ト）アルミニウムオキシド，トリス（８−キノリノー
ル）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノー
ル）アルミニウム，８−キノリノールリチウム，トリス
（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム，ビス（５
−クロロ−８−キノリノール）カルシウム，５，７−ジ
クロル−８−キノリノールアルミニウム、トリス（５，
７−ジプロモ−８−ヒドロキシキノリノール）アルミニ
ウムなどがある。Z represents an atom in which at least one of two or more fused aromatic rings forms a heterocyclic ring composed of azole or azine. Here, if necessary, another different ring can be added to the fused aromatic ring. Further, in order to avoid bulky molecules without improving the function, it is preferable to keep the number of atoms represented by Z at 18 or less. Further, specific examples of chelated oxanoid compounds include tris (8-quinolinol).
Aluminum (hereinafter abbreviated as Alq), bis (8-
(Quinolinol) magnesium, bis (benzo-8-quinolinol) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolate) aluminum oxide, tris (8-quinolinol) indium, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, 8-quinolinol Lithium, tris (5-chloro-8-quinolinol) gallium, bis (5
-Chloro-8-quinolinol) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinol aluminum, tris (5,5
7-dipromo-8-hydroxyquinolinol) aluminum and the like.
【００４１】さらに、特開平５−１９８３７８号公報に
記載されているフェノラート置換８−ヒドロキシキノリ
ンの金属錯体は、青色発光材料として、好ましい物であ
る。このフェノラート置換８−ヒドロキシキノリンの金
属錯体の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノ
リノラート）（フェノラート）アルミニウム（III），
ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ο−クレゾ
ラート）アルミニウム（III） ，ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（ｍ−クレゾラート）アルミニウム
（III） ，ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（ｐ−クレゾラート）アルミニウム（III） ，ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）（ο−フェニルフェノ
ラート）アルミニウム（III） ，ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（ｍ−フェニルフェノラート）アル
ミニウム（III） ，ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（II
I），ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，
３−ジメチルフェノラート）アルミニウム（III） ，ビ
ス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６ジメチ
ルフェノラート）アルミニウム（III） ，ビス（２−メ
チル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノ
ラート）アルミニウム（III） ，ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）
アルミニウム（III） ，ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）ア
ルミニウム（III） ，ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニ
ウム（III） ，ビス（２−メチル−８−キノリノラー
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミ
ニウム（III） などが挙げられる。これらの発光材料
は、一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いて
もよい。Further, the metal complex of phenolate-substituted 8-hydroxyquinoline described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-198338 is a preferable material as a blue light emitting material. Specific examples of the metal complex of the phenolate-substituted 8-hydroxyquinoline include bis (2-methyl-8-quinolinolate) (phenolate) aluminum (III),
Bis (2-methyl-8-quinolinolate) (o-cresolate) aluminum (III), bis (2-methyl-8
-Quinolinolate) (m-cresolate) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolate)
(P-cresolate) aluminum (III), bis (2
-Methyl-8-quinolinolate) (o-phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8)
-Quinolinolate) (m-phenylphenolate) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolate) (p-phenylphenolate) aluminum (II
I), bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2,
3-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2,6 dimethylphenolate) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolate) (3,4-dimethyl Phenolate) aluminum (III), bis (2-methyl-8)
-Quinolinolate) (3,5-dimethylphenolate)
Aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolate) (3,5-di-t-butylphenolate) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2,6-diphenylphenol Latet) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-triphenylphenolato) aluminum (III), and the like. These luminescent materials may be used alone or in combination of two or more.
【００４２】以下、さらに具体的に説明する。本発明に
用いられる青系統色発光層としては、各種公知の発光材
料が用いることができるが、好ましい青系統色発光層と
しては、上記オキサノイド化合物に青緑色蛍光色素を
０．２〜３重量％微量添加したものを挙げることができ
る。ここで添加される緑色蛍光色素としては、クマリン
系、キナクリドン系である。これらを添加することによ
り第一発光層を保有する素子は、５〜２０（ｌｍ／ｗ）
の高効率の青緑色発光を実現することができる。また、
たとえばジスチリルアリレーン誘導体，トリススチリル
アリーレン誘導体，アリルオキシ化キノリラート金属錯
体も高水準な青色発光材料である。さらに、ポリマーと
しては、ポリパラフェニレン誘導体を挙げることができ
る。Hereinafter, a more specific description will be given. As the blue light emitting layer used in the present invention, various known light emitting materials can be used. As a preferred blue light emitting layer, a blue-green fluorescent dye is added to the oxanoid compound in an amount of 0.2 to 3% by weight. Those added in a small amount can be mentioned. The green fluorescent dye added here is a coumarin type or a quinacridone type. By adding these, the element having the first light emitting layer is 5 to 20 (lm / w).
High efficiency blue-green light emission can be realized. Also,
For example, distyryl arylene derivatives, tristyryl arylene derivatives, and allyloxyquinolate metal complexes are also high-level blue light-emitting materials. Furthermore, examples of the polymer include a polyparaphenylene derivative.
【００４３】本発明に用いられる第二の発光素子におけ
る青系統色の有機発光層の形成方法としては、たとば、
蒸着法、スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法などの公
知の方法により薄膜化することで形成することができる
が、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで、分
子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形成さ
れた薄膜や、該化合物の溶融状態または液相状態から固
体化され形成された膜のことである。通常、この分子堆
積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）と
凝集構造，高次構造の相違や、それに起因する機能的な
相違により区別することができる。また、この発光層
は、樹脂などの結着材と共に溶剤に溶かして溶液とした
後、これをスピンコート法などにより薄膜化して形成す
ることができる。このようにして形成された発光層の膜
厚については、特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶ
ことができるが、好ましくは１ｎｍ〜１０μｍ、特に好
ましくは５ｎｍ〜５μｍの範囲がよい。The method of forming the blue light emitting organic light emitting layer in the second light emitting element used in the present invention includes, for example,
It can be formed by thinning by a known method such as an evaporation method, a spin coating method, a casting method, and an LB method, but a molecular deposition film is particularly preferable. Here, the molecular deposition film refers to a thin film formed by depositing the compound from a gaseous state or a film formed by solidifying the compound from a molten state or a liquid state. Usually, this molecular deposited film can be distinguished from a thin film (molecule accumulation film) formed by the LB method by a difference in an aggregated structure and a higher-order structure, and a functional difference resulting therefrom. Further, this light emitting layer can be formed by dissolving in a solvent together with a binder such as a resin to form a solution, and then thinning the solution by spin coating or the like. The thickness of the light emitting layer formed in this manner is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the situation, but is preferably 1 nm to 10 μm, and particularly preferably 5 nm to 5 μm.
【００４４】−２．正孔注入層 次に、有機物層２０５には正孔注入層を含んでいてもよ
い。すなわち、正孔注入層は、必ずしも本発明に用いら
れる素子に必要なものではないが、発光性能の向上のた
めに用いた方が好ましいものである。この正孔注入層は
発光層への正孔注入を助ける層であって、正孔移動度
が大きく、イオン化エネルギーが、通常５．５ｅＶ以下
と小さい。このような正孔注入層としては、より低い電
界で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正
孔の移動度が、たとえば１０4 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界
印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2 〜／Ｖ・秒であれば
なお好ましい。このような正孔注入材料については、前
記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はな
く、従来、光導伝材料において、正孔の電荷輸送材とし
て慣用されているものや、ＥＬ素子の正孔注入層に使用
される公知のものの中から任意のものを選択して用いる
ことができる。-2. Hole injection layer Next, the organic material layer 205 may include a hole injection layer. That is, the hole injection layer is not always necessary for the device used in the present invention, but is preferably used for improving light emitting performance. This hole injection layer is a layer that assists the injection of holes into the light emitting layer, and has a high hole mobility and a small ionization energy of usually 5.5 eV or less. As such a hole injecting layer, a material that transports holes to the light emitting layer with a lower electric field is preferable, and the mobility of holes is at least 10 4 to 10 6 V / cm when an electric field is applied. -6 cm 2- / V · sec is more preferable. Such a hole injecting material is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable properties. Conventionally, in a photoconductive material, a material commonly used as a charge transporting material for holes or a positive electrode material of an EL element is used. Any one of known materials used for the hole injection layer can be selected and used.
【００４５】具体例としては、例えばトリアゾール誘導
体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オ
キサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号
明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１
６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体
（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２
０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細
書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号
公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１
０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８
６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−
３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体およびピ
ラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細
書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８
８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−
１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５
６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同
５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公
報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジ
アミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細
書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２
号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３
４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−
１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体
（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１
８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細
書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３
２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細
書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３
５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５
５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公
報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１
０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導
体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、
オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号
明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体
（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノ
ン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、
ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明
細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０
６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６
７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１
１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平
２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体
（特開昭６１−２１０３６３号公報、同６１−２２８４
５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２
２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３
６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−
３０２５５号公報、同６０−９３４４５号公報、同６０
−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同
６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体
（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラ
ン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共
重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−
２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリ
ゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることが
できる。正孔注入層の材料としては上記のものを使用す
ることができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−
２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級
アミン化合物およびスチリルアミン化合物（米国特許第
４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３
号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６
３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９
４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−
１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同
６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報
等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いること
が好ましい。As specific examples, for example, a triazole derivative (see US Pat. No. 3,112,197), an oxadiazole derivative (see US Pat. No. 3,189,447, etc.), an imidazole derivative (Japanese Patent Publication No. 37-1
No. 6096), polyarylalkane derivatives (U.S. Pat. Nos. 3,615,402 and 3,82).
Nos. 0,989, 3,542,544, JP-B-45-555, JP-B-51-10983, JP-A-51-93224, and 55-171.
Nos. 05, 56-4148, 55-108
Nos. 667 and 55-15653 and 56-
No. 36656), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (U.S. Pat. Nos. 3,180,729 and 4,278,746; JP-A-55-8).
Nos. 8064, 55-88065, 49-
Nos. 105537, 55-51086 and 5
Nos. 6-80051, 56-88141, 57-54545, 54-112637 and 55-74546, and phenylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404). Specification, JP-B-51-10105, 46-3712
JP-A-47-25336, JP-A-54-53
No. 435, No. 54-110536, No. 54-
No. 119925), arylamine derivatives (U.S. Pat. Nos. 3,567,450 and 3,1).
Nos. 80,703, 3,240,597, 3,658,520 and 4,23
2,103, 4,175,961, 4,012,376, JP-B-49-3
5702, 39-27577 and JP-A-5
JP-A-5-144250, JP-A-56-119132, JP-A-56-22437, West German Patent No. 1,11
0,518), amino-substituted chalcone derivatives (see US Pat. No. 3,526,501),
Oxazole derivatives (as disclosed in U.S. Pat. No. 3,257,203), styryl anthracene derivatives (see JP-A-56-46234, etc.), and fluorenone derivatives (see JP-A-54-110837, etc.) ),
Hydrazone derivatives (US Pat. No. 3,717,462, JP-A-54-59143, and JP-A-55-520)
Nos. 63, 55-52064 and 55-46.
760, 55-85495, 57-1
1350, 57-148749, JP-A-2-311591, etc.), stilbene derivatives (JP-A-61-210363, 61-2284)
No. 51, No. 61-14642, No. 61-72
No. 255, No. 62-47646, No. 62-3
Nos. 6,674, 62-10652 and 62-
Nos. 30255, 60-93445 and 60
JP-A-94462, JP-A-60-174747, JP-A-60-175052, etc.), silazane derivatives (U.S. Pat. No. 4,950,950), polysilanes (JP-A-2-204996), Aniline copolymer (JP-A-2-282263), JP-A-1-
Conductive polymer oligomers (especially thiophene oligomers) disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 211399 can be used. As the material for the hole injection layer, those described above can be used.
No. 2,965,965), aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (U.S. Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-27033).
JP-A-54-58445, JP-A-54-1496
Nos. 34, 54-64299, 55-79
No. 450, No. 55-144250, No. 56-
JP-A-119132, JP-A-61-295558, JP-A-61-98353, JP-A-63-295695, etc.), and particularly, an aromatic tertiary amine compound is preferably used.
【００４６】上記ポルフィリン化合物の代表例として
は、ポルフィン、１，１０，１５，２０−テトラフェニ
ル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（II）、１，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィン亜鉛（II）、５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィン、シリコンフタロシアニンオキシド、アルミニウム
フタロシアニンクロリド、フタロシアニン（無金属）、
ジリチウムフタロシアニン、銅テトラメチルフタロシア
ニン、銅フタロシアニン、クロムフタロシアニン、亜鉛
フタロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニウムフタロ
シアニンオキシド、Ｍｇフタロシアニン、銅オクタメチ
ルフタロシアニン等を挙げることができる。Representative examples of the porphyrin compounds include porphine, 1,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphine copper (II), 1,10,
15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphine zinc (II), 5,10,15,20-tetrakis (pentafluorophenyl) -21H, 23H-porphine, silicon phthalocyanine oxide, aluminum phthalocyanine chloride, phthalocyanine (metal-free ),
Examples thereof include dilithium phthalocyanine, copper tetramethyl phthalocyanine, copper phthalocyanine, chromium phthalocyanine, zinc phthalocyanine, lead phthalocyanine, titanium phthalocyanine oxide, Mg phthalocyanine, and copper octamethyl phthalocyanine.
【００４７】また、前記芳香族第三級アミン化合物およ
びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェ
ニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−
メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，
４’−ジアミン（以下ＴＰＤと略記する）、４，４’−
ビス［Ｎ，Ｎ−ジ−（３−トリル）アミノ］−４”−フ
ェニル−トリフェニルアミン（以下、ＴＰＤ７４と略記
する）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェ
ニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルア
ミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−
テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノフェニル、
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−
４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−
ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニルエ
ーテル、４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオード
リフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、
４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４（ジ−ｐ−
トリルアミノ）スチリル］スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジ
フェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、
３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチル
ベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、米国特許第５，
０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環
を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１
−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（以下
ＮＰＤと略記する）、また、特開平４−３０８６８８号
公報で記載されているトリフェニルアミンユニットが３
つスターバースト型に連結された４，４’，４''−トリ
ス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記す
る）等を挙げることができる。また、発光層の材料とし
て示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ
型−Ｓｉ，ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材
料として使用することができる。Representative examples of the aromatic tertiary amine compound and styrylamine compound include N, N,
N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N, N'-diphenyl-N, N'-bis- (3-
Methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,
4′-diamine (hereinafter abbreviated as TPD), 4,4′-
Bis [N, N-di- (3-tolyl) amino] -4 "-phenyl-triphenylamine (hereinafter abbreviated as TPD74), 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane , 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N, N ', N'-
Tetra-p-tolyl-4,4′-diaminophenyl,
1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl)-
4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane, bis (4-
Di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N,
N'-diphenyl-N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N, N, N ',
N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl ether, 4,4′-bis (diphenylamino) quadriphenyl, N, N, N-tri (p-tolyl) amine,
4- (di-p-tolylamino) -4 ′-[4 (di-p-
Tolylamino) styryl] stilbene, 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene,
3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene, N-phenylcarbazole, U.S. Pat.
No. 061,569, which has two fused aromatic rings in the molecule, for example, 4,4′-bis [N- (1
-Naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (hereinafter abbreviated as NPD) and triphenylamine unit described in JP-A-4-308688,
And 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (hereinafter abbreviated as MTDATA) and the like in a starburst type. Further, in addition to the above-mentioned aromatic dimethylidin compound shown as a material for the light emitting layer, p
Inorganic compounds such as -Si and p-type SiC can also be used as the material of the hole injection layer.
【００４８】正孔注入層は、上述した化合物を、例えば
真空蒸着法，スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法等の
公知の方法により薄膜化することにより形成することが
できる。正孔注入層としての膜厚は、特に制限はない
が、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入層は、
上述した材料の一種または二種以上からなる一層で構成
されていてもよいし、または、前記正孔注入層とは別種
の化合物からなる正孔注入層を積層したものであっても
よい。また、有機半導体層は、発光層への正孔注入また
は電子注入を助ける層であって、１０-10 Ｓ／ｃｍ以上
の導電率を有するものが好適である。このような有機半
導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや含ア
リールアミンオリゴマーなどの導電性オリゴマー、含ア
リールアミンデンドリマーなどの導電性デンドリマーな
どを用いることができる。The hole injection layer can be formed by thinning the above-mentioned compound by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. The thickness of the hole injection layer is not particularly limited, but is usually 5 nm to 5 μm. This hole injection layer is
It may be composed of one or more of the above-mentioned materials, or may be a layer obtained by laminating a hole injection layer made of a compound different from the hole injection layer. Further, the organic semiconductor layer is a layer that assists hole injection or electron injection into the light emitting layer, and preferably has a conductivity of 10 −10 S / cm or more. As a material for such an organic semiconductor layer, a conductive oligomer such as a thiophene-containing oligomer or an arylamine-containing oligomer, or a conductive dendrimer such as an arylamine-containing dendrimer can be used.
【００４９】−３．電子注入層 有機物層２０５には、電子注入層を含んでもよい。電子
注入層は、発光層への電子の注入を助ける層であって、
電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入
層の中で、特に陰極との付着が良い材料からなる層であ
る。電子注入層に用いられる材料としては、たとえば８
−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体、あ
るいはオキサジアゾール誘導体が好ましく挙げられる。
また、付着改善層に用いられる材料としては、特に８−
ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適
である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体
の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キ
ノリノールまたは８−ヒドロキシキノリン）のキレート
を含む金属キレートオキサノイド化合物が挙げられる。
一方、オキサジアゾール誘導体としては、一般式（I
I），（III） および（IV）-3. Electron injection layer The organic material layer 205 may include an electron injection layer. The electron injection layer is a layer that assists injection of electrons into the light emitting layer,
The electron mobility is high, and the adhesion improving layer is a layer made of a material having a good adhesion to the cathode, particularly in the electron injection layer. As a material used for the electron injection layer, for example, 8
A metal complex of -hydroxyquinoline or a derivative thereof, or an oxadiazole derivative.
In addition, as a material used for the adhesion improving layer,
Metal complexes of hydroxyquinoline or its derivatives are preferred. Specific examples of the metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof include a metal chelate oxanoid compound containing a chelate of oxine (generally, 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline).
On the other hand, as the oxadiazole derivative, general formula (I
I), (III) and (IV)
【００５０】[0050]
【化５】 Embedded image
【００５１】（式中Ａｒ10〜Ａｒ13はそれぞれ置換また
は無置換のアリール基を示し、Ａｒ10とＡｒ11およびＡ
ｒ12とＡｒ13はそれぞれにおいて互いに同一であっても
異なっていてもよく、Ａｒ14置換または無置換のアリレ
ーン基を示す。）で表わされる電子伝達化合物が挙げら
れる。ここで、アリール基としてはフェニル基，ビフェ
ニル基，アントラニル基，ペリレニル基，ピレニル基な
どが挙げられ、アリレーン基としてはフェニレン基，ナ
フチレン基，ビフェニレン基，アントラセニレン基，ペ
ニレニレン基，ピレニレン基などが挙げられる。また、
置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基またはシアノ基などが挙げられ
る。この電子伝達化合物は、薄膜形成性のものが好まし
い。上記電子伝達化合物の具体例としては、下記のもの
を挙げることができる。(Wherein Ar 10 to Ar 13 each represent a substituted or unsubstituted aryl group, and Ar 10 , Ar 11 and A
r 12 and Ar 13 may be the same or different, and each represents an Ar 14 substituted or unsubstituted arylene group. )). Here, the aryl group includes a phenyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a perylenyl group, a pyrenyl group, and the like. Can be Also,
As the substituent, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 1 carbon atom
And 10 to 10 alkoxy groups or cyano groups. The electron transfer compound is preferably a thin film-forming compound. Specific examples of the electron transfer compound include the following.
【００５２】[0052]
【化６】 Embedded image
【００５３】陰極 陰極（第二の基板電極２０２，または第二の対向電極２
０４）としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金
属，合金，電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電
極物質とするものが用いられる．このような電極物質の
具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合
金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、
アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、アル
ミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属など
が挙げられる。また、これらの金属、合金を１５ｎｍ以
下と薄く形成した後に、透明電極であるＺｎＯ：Ａｌ，
ＩｎＳｎＯなどを５０〜３００ｎｍの範囲で形成したも
のも透明陰極として用いることができる。陰極は、これ
らの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法によ
り、薄膜を形成させることにより、作製することができ
る。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が
好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、５０〜２００
ｎｍの範囲が好ましい。なお、本発明に用いられるＥＬ
素子においては、光取り出し側に配設される、陽極また
は陰極のいずれか一方は、透明または半透明であること
が、発光を透過するため、発光の取り出し効率がよいの
で好ましい。なお、前述のように、本発明においては、
陰極として用いる電極は、その形成位置から、第二の基
板電極２０２または第二の対向電極２０４のいずれであ
ってもよい。Cathode Cathode (second substrate electrode 202 or second counter electrode 2
As 04), a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a small work function (4 eV or less), and a mixture thereof are used as an electrode material. Specific examples of such an electrode material include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium-silver alloy,
Aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum / lithium alloy, indium, rare earth metal and the like can be mentioned. After these metals and alloys are formed as thin as 15 nm or less, the transparent electrodes ZnO: Al,
Those formed of InSnO or the like in the range of 50 to 300 nm can also be used as the transparent cathode. The cathode can be manufactured by forming a thin film from these electrode substances by a method such as evaporation or sputtering. The sheet resistance as a cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually 10 nm to 1 μm, and 50 to 200 μm.
The range of nm is preferred. The EL used in the present invention
In the device, it is preferable that either the anode or the cathode disposed on the light extraction side is transparent or translucent, since the light emission is transmitted therethrough and the light emission extraction efficiency is high. As described above, in the present invention,
The electrode used as the cathode may be either the second substrate electrode 202 or the second counter electrode 204 depending on the formation position.
【００５４】（３）第二の発光素子を形成する工程 第二の発光素子２００を形成する工程は、たとえば下記
〜の工程とすることができる。 第二の基板２０１洗浄工程 第二の基板電極２０２成膜工程 有機物層２０３成膜工程 第二の対向電極（透明電極）２０４成膜およびパター
ニング工程(3) Step of Forming Second Light-Emitting Element The step of forming the second light-emitting element 200 can be, for example, the following steps. Second substrate 201 cleaning step Second substrate electrode 202 film forming step Organic layer 203 film forming step Second counter electrode (transparent electrode) 204 film forming and patterning step
【００５５】に関しては、無機ＥＬ素子１００を形成
する場合と同様である。に関しては、公知のスパッタ
リングや蒸着法で成膜し、さらに、フォトリングラフ法
によりパターニングを行なうことができる。に関して
は、有機物層は、真空蒸着により多層の成膜を行なうこ
とができる。に関しては、第二の対向電極の成膜およ
びパターニングは、シャドーマスクを利用しての電極用
金属の蒸着を用いることができる。As to the case, the same as when the inorganic EL element 100 is formed. With regard to the above, a film can be formed by a known sputtering or vapor deposition method, and further, patterning can be performed by a photolinography method. As for the organic material layer, a multilayer film can be formed by vacuum evaporation. With regard to the above, the deposition and patterning of the second counter electrode can be performed by vapor deposition of an electrode metal using a shadow mask.
【００５６】５．両者を重ね合わせる工程 両者を重ね合せる工程は、たとえば位置合せをした後、
熱硬化性または光硬化性接着剤により第一と第二の発光
素子１００，２００の素子形成側を内側にして貼り合わ
せることを挙げることができる。この際、第一の発光素
子１００と第二の発光素子２００が接触しないように、
貼り合わせ封止材３００を介して間隙を設けることが好
ましい。この貼り合わせ封止材３００としては、たとえ
ば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂を挙げることがで
きる。具体的には、アクリレート系、エポキシ系の樹脂
が好ましい。5. Step of superimposing both The step of superimposing both is performed, for example, after positioning.
The first and second light-emitting elements 100 and 200 may be bonded together with the element forming sides inside using a thermosetting or photocurable adhesive. At this time, the first light emitting element 100 and the second light emitting element 200 do not come into contact with each other,
It is preferable to provide a gap via the bonding sealing material 300. As the bonding sealing material 300, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin can be used. Specifically, acrylate resins and epoxy resins are preferable.
【００５７】[0057]
【実施例】以下本発明を実施例によってさらに具体的に
説明する。 ［実施例１］ （無機赤色，緑色二色発光素子の作製）７５ｍｍ×７５
ｍｍ×厚さ１．１ｍｍサイズのガラス基板を洗浄後、カ
プトン（ポリイミド）フィルムをマスクとしてカプトン
開口部にＲＦスパッタリングにてＣｄＳxＳｅ1-x（x＝
０．３）の赤色カラーフィルタを膜厚０．８μｍだけ形
成した。具体的には、基板温度は２００℃スパッタリン
グ内の圧力は真空度０．４Ｐａであり、雰囲気はアルゴ
ンガスとした。スパッタリング出力は３Ｗ／ｃｍ2 であ
った。次に、インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）が、０．８３であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物の
焼結体を、スパッタリングターゲットとしＲＦスパッタ
リングにて、上記ガラス基板上に厚さ２００ｎｍのＩｎ
−Ｚｎ−Ｏ系非晶質導電性酸化物膜（Ｉｎの原子比Ｉｎ
／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は約０．８）を成膜した。この酸化物
の膜は透明であった。なお、このときのスパッタリング
は、スパッタリング雰囲気をアルコンガスと酸素ガスの
混合ガス（Ａｒ：Ｏ2 ＝１０００：２．８）とし、スパ
ッタリングの真空度を０．２Ｐａとした。スパッタリン
グ出力は２Ｗ／ｃｍ2 であった。このＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系
酸化物膜を第一の基板電極とした。次に、この上に第一
の絶縁層とする五酸化タンタルからなる膜を厚さ４００
ｎｍスパッタリングによって形成した。具体的には基板
温度を２００℃としてスパッタリング真空度を１Ｐａと
しスパッタリング出力を５Ｗ／ｃｍ2 とした。スパッタ
リング雰囲気はアルコンガスと酸素ガスの混合ガスとし
た。この第一の絶縁層上に硫化亜鉛を発光層の母体とし
てマンガンを０．６重量％添加したＺｎＳ：Ｍｎ発光層
を膜厚６００ｎｍだけ電子ビーム蒸着して形成した。真
空槽内の真空度は１×１０-4Ｐａであった。ＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光層は赤系統色発光層であり、カプトン（ポリイミ
ドフィルム）をマスクとしてカプトン開口部に形成され
ている。次に、別のパターンのカプトンをマスクとし
て、カブトン開口部にＺｎＳ：Ｔｂをスパッタリングタ
ーゲットとするＲＦスパッタリングにてＺｎＳ：Ｔｂを
膜厚５００ｎｍ形成した。このときの基板温度は２００
℃スパッタ内の真空度は０．７Ｐａであり、雰囲気はア
ルゴンガスのみとした。このようにして緑系統色発光層
であるＺｎＳ：Ｔｂ第二発光層が形成された。次に、赤
系統色と緑系統色の発光層上に、第二の絶縁層であるＴ
ａ2 Ｏ3 を第一の絶縁層と同じ条件で膜厚４００ｎｍ形
成した。最後に、第一の対向電極であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ
の酸化物電極を第一の基板電極と同様の条件で厚さ３０
０ｎｍ形成した。次に、富士ハント社製青色カラーレジ
ストをスピンコートにより第一の対向電極上に塗布し
た。得られた青色カラーフィルタを２００℃でベークし
硬化した。。この二色発光素子に、１ＫＨｚ２４０Ｖの
交流電圧を印加したところ、赤色カラーフィルタ面より
輝度５００Ｃｄ／ｍ2 の赤色発光が、ＺｎＳ：Ｔｂの発
光層に対応する面より輝度６００Ｃｄ／ｍ2 の緑色発光
が観察された。EXAMPLES The present invention will be described more specifically with reference to the following examples. [Example 1] (Production of inorganic red and green two-color light emitting elements) 75 mm x 75
After cleaning a glass substrate having a size of mm × 1.1 mm in thickness, CdSxSe1-x (x =
0.3) was formed in a thickness of 0.8 μm. Specifically, the substrate temperature was 200 ° C., the pressure in the sputtering was 0.4 Pa in vacuum, and the atmosphere was argon gas. The sputtering output was 3 W / cm 2 . Next, the atomic ratio of indium (In) In / (In)
+ Zn) is a sintered body of an In—Zn—O-based oxide having a ratio of 0.83, and a RF sputtering is used as a sputtering target on the glass substrate to form a 200 nm-thick layer of In.
-Zn-O based amorphous conductive oxide film (In atomic ratio In
/ (In + Zn) is about 0.8). This oxide film was transparent. In this case, the sputtering atmosphere was a mixed gas of arcon gas and oxygen gas (Ar: O 2 = 1000: 2.8), and the vacuum degree of sputtering was 0.2 Pa. The sputtering output was 2 W / cm 2 . This In-Zn-O-based oxide film was used as a first substrate electrode. Next, a film made of tantalum pentoxide as a first insulating layer having a thickness of 400
It was formed by nm sputtering. Specifically, the substrate temperature was 200 ° C., the degree of sputtering vacuum was 1 Pa, and the sputtering output was 5 W / cm 2 . The sputtering atmosphere was a mixed gas of arcon gas and oxygen gas. On this first insulating layer, a ZnS: Mn light emitting layer containing zinc sulfide as a base of the light emitting layer and containing 0.6% by weight of manganese was formed by electron beam evaporation to a thickness of 600 nm. The degree of vacuum in the vacuum chamber was 1 × 10 −4 Pa. ZnS: M
The n light emitting layer is a red system color light emitting layer, and is formed in a Kapton opening using Kapton (polyimide film) as a mask. Next, using another pattern of Kapton as a mask, a 500 nm-thick ZnS: Tb film was formed at the Kavton opening by RF sputtering using ZnS: Tb as a sputtering target. The substrate temperature at this time is 200
The degree of vacuum in the sputtering at 0 ° C. was 0.7 Pa, and the atmosphere was only argon gas. Thus, a ZnS: Tb second light emitting layer, which is a green light emitting layer, was formed. Next, a second insulating layer, T, is formed on the red and green light emitting layers.
a 2 O 3 was formed to a thickness of 400 nm under the same conditions as the first insulating layer. Finally, the first counter electrode In-Zn-O
Oxide electrode having a thickness of 30 under the same conditions as the first substrate electrode.
0 nm was formed. Next, a blue color resist manufactured by Fuji Hunt was applied on the first counter electrode by spin coating. The obtained blue color filter was baked and cured at 200 ° C. . When an alternating voltage of 1 KHz and 240 V was applied to the two-color light-emitting element, red light emission having a luminance of 500 Cd / m 2 from the red color filter surface and green light emission having a luminance of 600 Cd / m 2 from the surface corresponding to the ZnS: Tb light-emitting layer were obtained. Was observed.
【００５８】（有機青色発光素子の作製）Ｉｎ−Ｓｎ−
Ｏ系透明電極を形成した後のガラス基板について、イソ
プロピルアルコール中での超音波洗浄を５分間行なった
後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明
電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装
着し、まず透明電極が形成されている側の面上に、前記
透明電極を覆うようにして膜厚８０ｎｍの４，４’−ビ
ス［Ｎ，Ｎ−ジ（３−メチルフェニル）アミノ］−４”
−フェニル−トリフェニルアミン膜（以下「ＴＰＤ７４
膜」と略記する。）を成膜した。このＴＰＤ７４膜は、
第一の正孔注入層として機能する。ＴＰＤ７４膜の成膜
に続けて、このＴＰＤ７４膜上に膜厚２０ｎｍの４，
４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］ビフェニル膜（以下「ＮＰＤ膜」」と略記する。）
を成膜した。このＮＰＤ膜は、第２の正孔注入層（正孔
輸送層））として機能する。さらに、ＮＰＤ膜の成膜に
続けて、このＮＰＤ膜上に膜厚４０ｎｍの４，４’−ビ
ス［２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル膜（以下
「ＤＰＶＢｉ膜」と略記する。）を成膜した。このＤＰ
ＶＢｉ膜は、青色発光層として機能する。そして、ＤＰ
ＶＢｉ膜の成膜に続けて、このＤＰＶＢｉ膜上に膜厚２
０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム膜
（以下「Ａｌｑ膜」と略記する。）を成膜した。このＡ
ｌｑ膜は、電子注入層として機能する。この後、上記Ａ
ｌｑ膜まで成膜した透明電極付ガラス基板の下方（蒸着
源側）に、開口を有するマスクを装着し、マグネシウム
（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）とを二元蒸着させて、膜厚１０ｎ
ｍのＭｇ：Ａｇ合金膜を前記のＡｌｑ膜上の所定位置に
成膜した。このとき、Ｍｇの蒸着レートは２ｎｍ／秒と
し、Ａｇの蒸着レートは０．１ｎｍ／秒とした。各Ｍ
ｇ：Ａｇ合金膜は、陰極（第二の対向電極）として機能
する。また、この膜は６５％の光を透過する。(Preparation of Organic Blue Light-Emitting Element) In-Sn-
The glass substrate after the O-based transparent electrode was formed was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then to UV ozone cleaning for 30 minutes. The washed glass substrate with a transparent electrode is mounted on a substrate holder of a vacuum evaporation apparatus. First, a 4,4′-film having a thickness of 80 nm is formed on the surface on the side where the transparent electrode is formed so as to cover the transparent electrode. Bis [N, N-di (3-methylphenyl) amino] -4 "
-Phenyl-triphenylamine film (hereinafter referred to as “TPD74
Film ". ) Was formed. This TPD74 film is
Functions as a first hole injection layer. Subsequent to the formation of the TPD74 film, a 20 nm thick 4
4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl film (hereinafter abbreviated as “NPD film”)
Was formed. This NPD film functions as a second hole injection layer (hole transport layer). Further, following the formation of the NPD film, a 4,4′-bis [2,2-diphenylvinyl) biphenyl film (hereinafter abbreviated as “DPVBi film”) having a thickness of 40 nm is formed on the NPD film. did. This DP
The VBi film functions as a blue light emitting layer. And DP
Subsequent to the formation of the VBi film, a film thickness of 2
A 0 nm tris (8-quinolinol) aluminum film (hereinafter abbreviated as “Alq film”) was formed. This A
The lq film functions as an electron injection layer. Thereafter, the above A
A mask having an opening is attached below the glass substrate with a transparent electrode (evaporation source side) formed up to the lq film, and magnesium (Mg) and silver (Ag) are binary-evaporated to a thickness of 10 n.
An m: Mg: Ag alloy film was formed at a predetermined position on the Alq film. At this time, the deposition rate of Mg was 2 nm / sec, and the deposition rate of Ag was 0.1 nm / sec. Each M
g: The Ag alloy film functions as a cathode (second counter electrode). This film transmits 65% of the light.
【００５９】（二つの素子の貼り合わせ）前述のように
作製した二色（緑色、赤色）無機ＥＬ素子と青色有機Ｅ
Ｌ素子とを図１に示すように張り合わせた。貼り合わせ
には紫外線硬化樹脂を用い、Ｎ2雰囲気下で行なった。
二色無機ＥＬ素子に交流２４０Ｖ（１ＫＨｚ）、青色有
機ＥＬ素子に直流１０Ｖを印加し点燈テストをしたとこ
ろ、赤，緑，青とも輝度５００Ｃｄ／ｍ2 以上の高輝度
で発光することが確認された。また、青系統色のみを発
光した場合、その色純度は、ＣＩＥ座標（０．１５，
０．１６）であり、極めて良好であった。また、通常の
室内照明下でコントラストを測定したところ、コントラ
スト５０であり良好であった。(Lamination of Two Elements) The two-color (green, red) inorganic EL element and the blue organic
The L element was adhered as shown in FIG. Lamination was performed in an N 2 atmosphere using an ultraviolet curable resin.
A lighting test was performed by applying AC 240 V (1 KHz) to the two-color inorganic EL element and DC 10 V to the blue organic EL element. As a result, it was confirmed that red, green, and blue emitted light with a luminance of 500 Cd / m 2 or more. Was done. In the case where only blue system light is emitted, the color purity is determined by the CIE coordinates (0.15, 0.15).
0.16), which was extremely good. Further, when the contrast was measured under normal room illumination, the contrast was 50, which was good.
【００６０】［比較例］第一の対向電極上に青色カラー
フィルタを作製しなかったこと以外は実施例と同様にし
て、無機赤色，緑色二色発光素子を作製した。次に、実
施例と同様にして有機青色ＥＬ素子を作製し、さらに実
施例と同様にして上記二つの素子を貼り合わせた。実施
例と同じ条件で測定したところ輝度は３色とも５００Ｃ
ｄ／ｍ2 以上あったが、通常の照明下でのコントラスト
が３程度と低く、良い表示が得られなかった。また、青
色の色純度も、ＣＩＥ座標で（０．１９，０．２５）と
良くなかった。この素子は第二の基板背後からの外部光
を透過してしまうため、コントラストが低い。さらに有
機青色ＥＬ素子のＭｇ：Ａｇ電極も３０％程度の反射率
をもつのでコントラストが低下してしまう。一方、本発
明の素子は、青色カラーフィルタを備えているため、
Ｍｇ：Ａｇ電極で反射する光を減少し、さらに外部光
の透過をも減少させる。また、青色の色純度も良好で
ある。[Comparative Example] An inorganic red and green two-color light emitting device was manufactured in the same manner as in Example except that no blue color filter was manufactured on the first counter electrode. Next, an organic blue EL device was manufactured in the same manner as in the example, and the above two devices were bonded together as in the example. When measured under the same conditions as in the example, the luminance was 500 C for all three colors.
d / m 2 or more, but the contrast under ordinary illumination was as low as about 3, and good display was not obtained. Further, the color purity of blue was not good at (0.19, 0.25) in CIE coordinates. This device has low contrast because it transmits external light from behind the second substrate. Further, since the Mg: Ag electrode of the organic blue EL element also has a reflectance of about 30%, the contrast is reduced. On the other hand, since the device of the present invention has a blue color filter,
The light reflected by the Mg: Ag electrode is reduced, and the transmission of external light is also reduced. The blue color purity is also good.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上説明したように本発明によって、青
色発光の色純度を向上させるとともに、高輝度、高効率
で信頼性、安定性に優れた多色発光装置を提供すること
ができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a multicolor light-emitting device having improved color purity of blue light emission, high luminance, high efficiency, and excellent reliability and stability.
【図１】本発明の多色発光装置の一の実施形態を模式的
に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a multicolor light emitting device of the present invention.
１００ 第一の発光素子 １０１ 第一の基板 １０２ 第一の基板電極 １０３ 第一の絶縁層 １０３’ 第二の絶縁層 １０４ 無機物層 １０４Ｒ 赤系統色の発光層を含む第一の無機物層 １０４Ｇ 緑系統色の発光層を含む第二の無機物層 １０５ 第一の対向電極 １０６ 青色カラーフィルタ １０７ 赤色カラーフィルタ ２００ 第二の発光素子 ２０１ 第二の基板 ２０２ 第二の基板電極 ２０３ 青系統色の発光層を含む有機物層 ２０４ 第二の対向電極 REFERENCE SIGNS LIST 100 First light emitting element 101 First substrate 102 First substrate electrode 103 First insulating layer 103 ′ Second insulating layer 104 Inorganic layer 104 R First inorganic layer including red light emitting layer 104 G Green system Second inorganic layer including light emitting layer of color 105 First counter electrode 106 Blue color filter 107 Red color filter 200 Second light emitting element 201 Second substrate 202 Second substrate electrode 203 Light emitting layer of blue system color Containing organic material layer 204 Second counter electrode
Claims (3)
色の複数の発光画素をそれぞれ分離して配置してなる第
一の発光素子と、第二の基板上に、青系統色の複数の発
光画素を配置してなる第二の発光素子とが、それぞれの
発光画素面が対向するようにして、重ね合わされて配設
されてなるとともに、赤系統色および緑系統色の発光画
素が、二つの電極間に挟持された、少くとも赤系統色の
発光層を含む第一の無機物層と緑系統色の発光層を含む
第二の無機物層とを有する無機物層から形成され、かつ
青系統色の発光画素が、二つの電極間に挟持された、青
系統色の発光層を含む有機物層から形成されてなり、さ
らに青色カラーフィルタが、第一の発光素子の、光取り
出し側とは反対側に配設されてなることを特徴とする多
色発光装置。1. A first light emitting element in which a plurality of light emitting pixels of red and green colors are separately arranged on a first substrate, and a blue light is arranged on a second substrate. And a second light-emitting element in which a plurality of light-emitting pixels are arranged, and the light-emitting pixels of the red system color and the green system color are arranged so as to overlap with each other so that the respective light-emitting pixel surfaces face each other. Is sandwiched between two electrodes, formed from an inorganic layer having at least a first inorganic layer including a red-based light emitting layer and a second inorganic layer including a green-based light emitting layer, and A blue light emitting pixel is formed from an organic layer including a blue light emitting layer sandwiched between two electrodes, and further a blue color filter is provided on the light extraction side of the first light emitting element. Is a multicolor light emitting device which is disposed on the opposite side.
素子の、光取り出し側とは反対側の略全体を被覆するよ
うに配設されてなることを特徴とする請求項１記載の多
色発光装置。2. The multi-color filter according to claim 1, wherein the blue color filter is provided so as to cover substantially the whole of the first light emitting element on the side opposite to the light extraction side. Light emitting device.
透明樹脂または封止液に分散してなるものであることを
特徴とする請求項１または２記載の多色発光装置。3. The multicolor light emitting device according to claim 1, wherein the blue color filter is formed by dispersing an organic pigment in a transparent resin or a sealing liquid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8285954A JPH10112389A (en) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | Multi-color luminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8285954A JPH10112389A (en) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | Multi-color luminescent device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112389A true JPH10112389A (en) | 1998-04-28 |
Family
ID=17698116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8285954A Pending JPH10112389A (en) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | Multi-color luminescent device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10112389A (en) |
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-
1996
- 1996-10-08 JP JP8285954A patent/JPH10112389A/en active Pending
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