JPH1126155A - Protection film for electroluminescent element - Google Patents

Protection film for electroluminescent element

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JPH1126155A
JPH1126155A JP17375897A JP17375897A JPH1126155A JP H1126155 A JPH1126155 A JP H1126155A JP 17375897 A JP17375897 A JP 17375897A JP 17375897 A JP17375897 A JP 17375897A JP H1126155 A JPH1126155 A JP H1126155A
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JP
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Patent type
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film
gas
less
diamond
preferably
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Application number
JP17375897A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Komatsu
弘幸 小松
Original Assignee
Mitsui Chem Inc
三井化学株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protection film for an electroluminescent element with less performance drop caused by heat or stress, high gas barrier capability, and high transparency by forming a diamond-like carbon film having the specified hydrogen content and oxygen content on at least one side of a transparent film. SOLUTION: A diamond-like carbon film having a hydrogen content of 50 atomic percent or less, preferably 45 atomic percent or less, more preferably 40 atomic percent or less and an oxygen content of 2-20 atomic percent, preferably 2-15 atomic percent, more preferably 2-10 atomic percent is formed on at least one side of a transparent film. As the transparent film, a film such as polyethylene terephthalate having not so high glass transition temperature, a light transmission of 85% or more, smooth surface, and a thickness of 0.01-1 mm is preferable. The diamond-like carbon film is prepared by using a raw material gas containing methane, carbon monoxide, or the like and by plasma CVD, and preferable to have a thickness of about 0.5 μm or less.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネッセンスの保護に用いられる透明フィルムに関する。 The present invention relates to relates to a transparent film used to protect the electroluminescent.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来から、食品、薬品等の変質防止するため、これらをガスバリアフィルムにより包装することが行われている。 Heretofore, food, to prevent deterioration of chemicals like, it has been made to be packaged by the gas barrier film. また、エレクトロニクスの分野では、 In addition, in the field of electronics,
エレクトロルミネッセンス素子をガスバリアフィルムで保護し、その長寿命化を図っている。 The electroluminescent device was protected with a gas barrier film, thereby achieving the longer life. エレクトロルミネッセンス素子をガスバリアーフィルムで被覆してなるエレクトロルミネッセンス発光装置の寿命は、ガスバリアフィルムの酸素透過性や透湿性によって左右されることが知られており、ガスバリア性を高めて酸素や水蒸気透過量の低減をはかることは重要である。 Lifetime of an electroluminescent light emitting device of the electroluminescent device formed by coating a gas barrier film is known to be influenced by the oxygen permeability and moisture permeability of the gas barrier film, oxygen and water vapor permeability of increasing the gas barrier property it is important to measure the reduction of.

【0003】ガスバリアフィルムとしてはポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリアミドフィルムの上に無機化合物を設けたものが知られている。 [0003] Polyethylene terephthalate film as a gas barrier film, polypropylene film, which provided an inorganic compound is known on the polyamide film. その一例として、フィルム表面に酸化珪素や酸化アルミニウムを蒸着したフィルム(特公昭53−1 As an example, a film was deposited silicon oxide or aluminum oxide film surface (Japanese 53-1
2953号公報、特公昭62−49856号公報)を挙げることができる。 2953 JP, mention may be made of JP 62-49856 Patent Publication). しかしながら、ガスバリアフィルムにより各種物品を包装、被覆する場合、通常、ヒートシールが採用されるが、その際当然のことながらフィルムには熱と応力が作用することになる。 However, packaging various articles by gas barrier film, when coating, usually a heat seal is employed, so that the heat and stress acts on the film while the time granted. そして、これらのガスバリアフィルムを使用した場合、この熱と応力によりフィルムに伸び現象が生じ、この伸び現象に無機化合物層が追随できず、微少なクラックが発生し、ガスバリア性が低下してしまうという問題があった。 When using these gas barrier film, a phenomenon occurs stretch the film by the heat and stress, the inorganic compound layer can not follow this growth phenomenon, minute cracks are generated, that the gas barrier property is lowered there was a problem.

【0004】そのため、特開平4−139233号公報には透明フィルムの少なくとも片面に、ガスバリア性を有する無機化合物層が設けられて成るガスバリアフィルムが開示されているが、ガラス転移温度が140℃以上の特定のフィルムを使用する必要があった。 [0004] Therefore, on at least one surface of the transparent film in Japanese Patent Laid-Open No. 4-139233, the gas barrier film comprising an inorganic compound layer is provided with a gas barrier property is disclosed, the glass transition temperature is above 140 ° C. it is necessary to use a specific film. また、特開平6−344495号公報には、エレクトロルミネッセンス素子の保護に使用されるガスバリアーフィルムの開示があるが透明性が悪い。 JP-A-6-344495, is poor but are transparent disclosed gas barrier films used in the protection of the electroluminescent device.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、基材としてガラス転移温度が高いフィルムを用いない場合にも、使用時に作用する熱や応力による性能低下が少なく、ガスバリア性を充分に発揮できる透明性に優れたフィルムを提供するものである。 [0008] The present invention, even when the glass transition temperature of not having a high film as the substrate, there is little performance degradation due to heat or stress acting during use, transparent which can sufficiently exhibit a gas barrier property there is provided a film having excellent resistance.

【0006】 [0006]

【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術の有する上記問題を解決するため、種々研究の結果、汎用のフィルムを用いた場合にも、熱や応力が作用しても性能低下を生ずることの少ないガスバリアフィルムが得られることを見い出し、本発明を完成するに至った。 The present inventors SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems of the prior art, the results of various studies, also, even performance degradation heat or stress is exerted in the case of using a general-purpose film It found that small gas barrier film may arise to obtain, and have completed the present invention. 即ち、本発明に係るガスバリアフィルムは、透明フィルムの少なくとも片面に、水素濃度が50原子%以下であり、かつ、酸素濃度が2〜20原子%であるダイヤモンド状炭素膜を形成することを特徴とするものである。 That is, the gas barrier film according to the present invention, on at least one surface of the transparent film, the hydrogen concentration is less than 50 atomic%, and, and characterized in that the oxygen concentration to form a diamond-like carbon film is from 2 to 20 atomic% it is intended to.

【0007】 [0007]

【発明の実施の形態】本発明でいうダイヤモンド状炭素膜とは、非晶質のダイヤモンドライクカーボンであり、 The diamond-like carbon film referred to in the Detailed Description of the Invention The present invention is an amorphous diamond-like carbon,
ダイヤモンド、グラファイト、ポリマーの各成分を含んでいる。 It includes diamond, graphite, each component of the polymer. このダイヤモンド状炭素膜は、これらの成分の混合する割合で性質が異なり、高い硬度を有するダイヤモンド状炭素膜であっても、必ずしも水蒸気や酸素等のガスバリア層として働くわけではない。 The diamond-like carbon film have different properties at a rate of mixing of these components, even in diamond-like carbon film having a high hardness, not necessarily serve as a gas barrier layer of water vapor and oxygen.

【0008】従来、ダイヤモンド状炭素膜の膜質は、その水素濃度を指標として考えられてきた。 Conventionally, the film quality of diamond-like carbon film has been considered that hydrogen concentration as an index. 即ち、水素濃度が低くなれば、膜はダイヤモンドの性質をより呈し、 That is, the lower the hydrogen concentration, membrane exhibits more properties of the diamond,
一方、水素濃度が高くなると、グラファイトまたはポリマーの性質を呈して膜の硬度が低下する。 On the other hand, when the hydrogen concentration becomes higher, the hardness of the film is reduced exhibit the properties of graphite or a polymer. しかし、ダイヤモンド状炭素膜のガスバリアー性は、必ずしも膜の硬度と対応関係にはないと考えられている。 However, the gas barrier properties of the diamond-like carbon film is not considered necessarily relationship between the hardness of the film. また、ガスバリアー性は、膜を構成する原子同士のつながりが切れるサイトの濃度によって決まるものと考えられるため、水素濃度の低減がガスバリアー性の向上に寄与するものと考えられてきた。 Further, the gas barrier property, because it is deemed to be determined by the concentration of the site expires connection between the atoms constituting the membrane, reduction in hydrogen concentration has been considered to contribute to improvement of gas barrier properties.

【0009】本発明者は、膜のガスバリアー性を改善するため、膜中の水素原子含有量の低減を検討してきたが、得られる膜の透明性は必ずしも好ましいものではなかった。 [0009] The present inventors, in order to improve the gas barrier properties of the film, has been investigated to reduce the hydrogen atom content in the film, the transparency of the resulting film was not always preferable. そこで、膜内の水素濃度を増加させずに、この膜の透明性を上げるための方法を検討したところ、驚くべきことに、従来においてガスバリアー性を悪化させる要因と考えられてきた酸素原子を、膜中で適度に含有させることによって、膜のガスバリアー性を悪化させることなく、透明性を上げる効果が得られることが分かった。 Therefore, without increasing the concentration of hydrogen in the film was investigated a method for increasing the transparency of the film, surprisingly, an oxygen atom which has been considered a factor to deteriorate the gas barrier properties in the conventional , by appropriately contained in the film, without deteriorating the gas barrier properties of the film, it was found that the effect of increasing the transparency is obtained. すなわち、本発明の水蒸気や酸素等のバリア層として働くダイヤモンド状炭素膜に含まれる水素濃度は、5 In other words, the hydrogen concentration in the diamond-like carbon film acting as a barrier layer for water vapor or oxygen present invention, 5
0原子%以下であり、好ましくは45原子%以下、さらに好ましくは40原子%以下である。 0 atom% or less, preferably 45 atomic% or less, more preferably at most 40 atomic%. また、酸素濃度は、2〜20原子%であり、好ましくは2〜15原子%、さらに好ましくは2〜10原子%である。 The oxygen concentration is 2 to 20 atomic%, preferably 2 to 15 atomic%, more preferably 2-10 atomic%.

【0010】上記ダイヤモンド状炭素膜を形成するためには、炭素と水素を含有する原料ガスが使用される。 [0010] In order to form the diamond-like carbon film, the raw material gas is used which contains carbon and hydrogen. 炭素と水素を含有する原料ガスとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類;エチレン、プロピレン、ブテン、 As a raw material gas containing carbon and hydrogen, such as methane, ethane, propane, butane, pentane, alkane gases such as hexane, ethylene, propylene, butene,
ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類;アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類;ベンゼン、トルエン、 Alkene gas such as pentene, pentadiene, alkadienes based gases such as butadiene; acetylene, alkynes based gas such as methylacetylene; benzene, toluene,
キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類;シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルケン系ガス類;メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類;メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。 Xylene, indene, naphthalene, aromatic hydrocarbon-based gas such as phenanthrene; cyclopropane, cycloalkenes based gas such as cyclohexane; methanol, an alcohol-based gas such as ethanol, acetone, ketone-based gas such as methyl ethyl ketone; methanal , and aldehyde gases such as ethanal are. 上記ガスは、単独で使用されても良いし、二種以上が併用されても良い。 The gas may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

【0011】また、炭素と水素を含有する原料ガスとしては、上記原料ガスとしては、上記原料ガスと水素ガスの混合物;一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等炭素と酸素のみから構成されるガスと上記ガスの混合物;一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等炭素と酸素のみから構成されるガスと水素ガスとの混合物;一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等炭素と酸素のみから構成されるガスと酸素ガス、水蒸気との混合物などが挙げられる。 [0011] As a raw material gas containing carbon and hydrogen, as the raw material gas, a mixture of the raw material gas and hydrogen gas; and carbon monoxide gas, a gas composed only of carbon dioxide gas such as carbon and oxygen mixtures of the gas; carbon monoxide gas, a mixture of gas and hydrogen gas composed only of carbon dioxide gas such as carbon and oxygen; carbon monoxide gas, carbon dioxide gas or the like gas and oxygen comprised exclusively of carbon and oxygen gas, like a mixture of water vapor. さらに、炭素と水素を含有する原料ガスとしては、上記原料ガスと希ガスとの混合ガスが挙げられる。 Further, as the raw material gas containing carbon and hydrogen, mixed gas of the raw material gas and a rare gas. 例えば、ヘリウム、 For example, helium,
アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられ、これらは単独で使用されても良いし、2種以上が併用されても良い。 Argon, neon, xenon, and the like. These may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

【0012】上記混合ガス中における水素ガス、希ガスの混合量は、使用する装置の種類、混合ガスの種類や成膜圧力等により変化する。 [0012] mixing amount of hydrogen gas, a rare gas in the mixed gas, the type of equipment used, varies depending on the kind of a mixed gas and the film forming pressure and the like. 具体的には、成膜されたダイヤモンド状炭素膜に含まれる水素濃度が50原子%になるように、好ましくは45原子%以下、さらに好ましくは40%以下となるように調整し、しかも、酸素濃度が2〜20%、好ましくは2〜15原子%、さらに好ましくは2〜10原子%となるように調整する。 Specifically, as the hydrogen concentration in the deposited diamond-like carbon film is 50 atomic%, preferably 45 atomic% or less, more preferably adjusted to 40% or less, moreover, oxygen concentration 2-20%, preferably 2-15 atomic%, more preferably adjusted to be from 2 to 10 atomic%. また、炭素源としては、黒鉛、ダイヤモンド等の炭素同位体の固体も使用可能であり、水素ガスや希ガス雰囲気プラズマ中に設置して使用される。 As the carbon sources, graphite, solid carbon isotope such as diamond may be used, it is installed and used in a hydrogen gas or rare gas atmosphere in the plasma.

【0013】上記原料ガスをプラズマによって励起する手段としては、例えば、直流を印加してプラズマ分解する方法;高周波を印加してプラズマ分解する方法;マイクロ波放電によってプラズマ分解する方法;電子サイクロトロン共鳴によってプラズマ分解する方法;熱フィラメントによる加熱によって熱分解する方法等が挙げられる。 [0013] As a means for exciting the material gas by a plasma, for example, by applying a DC plasma decomposing method; by electron cyclotron resonance; by applying a high frequency plasma decomposing method; plasma decomposing method by microwave discharge thermal decomposition method, and the like by heating with a hot filament; plasma decomposing method. これらの中で、直流プラズマを印加する方法は、基板が絶縁物であるプラスチックスフィルムである場合にはプラズマが発生しないため、好ましくない。 Among these, a method for applying a DC plasma, because the substrate is not plasma is generated in the case of a plastic film which is an insulator, is not preferred. また、熱フィラメント法を用いる場合には、フィラメントを50 In the case of using the hot filament method, the filament 50
0℃以上と高温にしなければならないため、基板の耐熱性を考慮すると好ましくない場合がある。 Since 0 ℃ or higher and must be a high temperature, it may not be preferable in consideration of the heat resistance of the substrate. マイクロ波プラズマ法や電子サイクロトロン共鳴によってプラズマを分解する方法は成膜速度が速く成膜温度が低いので好ましい。 Method of degrading plasma by a microwave plasma method or an electron cyclotron resonance preferred because fast deposition temperature low deposition rate. また、大面積の樹脂フィルムに成膜する場合においては、高周波プラズマ法を用いるのが好ましい。 Further, in the case of forming the resin film having a large area, it uses a high-frequency plasma method is preferred. また、ダイヤモンド状炭素膜を形成する方法としては、イオンビームスパッタリングやイオンプレーティング法等の物理蒸着法があり、これらの方法を採用してもよい。 Further, as a method for forming a diamond-like carbon film has an ion beam sputtering and ion plating method physical vapor deposition or the like may be employed of these methods.

【0014】上記のダイヤモンド状炭素膜の膜厚は必要に応じて決定されるが、厚くなると基材フィルムとの密着性が悪くなったり、膜応力により被覆物が変形したり、透明性が悪くなるため、0.5μm以下が好ましく、より好ましくは0.1μm以下、さらに好ましくは0.05μm以下が好ましい。 [0014] The thickness of the diamond-like carbon film is determined as necessary, may become poor adhesion between the thickened when the substrate film, or coating is deformed by the film stress, poor transparency becomes therefore, preferably 0.5μm or less, more preferably 0.1μm or less, still more preferably 0.05μm or less.

【0015】上記のプラスチックスフィルム基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルフィルム;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィンフィルム;ポリスチレンフィルム;ポリアミドフィルム;ポリカーボネートフィルム; Examples of the plastic film substrate described above, as for example, polyester films such as polyethylene terephthalate; polystyrene films; polyamide films; polyolefin films of polyethylene, polypropylene, polybutene and polycarbonate films;
ポリアクリロニトリルフィルム;ポリエーテルイミド; Polyacrylonitrile films; polyetherimides;
ポリエーテルサルフォン;ポリサルフォン;ポリイミド等が使用可能である。 Polyether sulfone; polysulfone; polyimide or the like can be used.

【0016】基材フィルムの光線透過率は85%以上とするのが好ましく、より好ましくは88%以上である。 The light transmittance of the base film is preferably to 85% or more, more preferably 88% or more.
また、上記プラスチックフィルム基材は、延伸フィルムまたは未延伸フィルムでも良く、厚さは0.01〜1m Further, the plastic film substrate may be a stretched film or an unstretched film, the thickness 0.01~1m
mが好ましい。 m is preferable. フィルム表面の平滑性はできるかぎり高い方が好ましい。 Smoothness of the film surface higher as possible are preferable. 表面平滑性が低いと、ガスバリアー性が低下するおそれがあるためである。 The low surface smoothness, there is a possibility that the gas barrier property is lowered. 具体的には、表面粗さを表すRmax(山と谷の差の最大値)が0.10 Specifically, Rmax representing the surface roughness (maximum difference peaks and valleys) 0.10
μm以下が好ましく、さらに好ましくは0.05μm以下である。 The following are preferred [mu] m, further preferably 0.05μm or less. 平均粗さを表すRaが,10nm以下,好ましくは5nm以下である。 Ra representing the average roughness is, 10 nm or less and preferably 5nm or less.

【0017】上記プラスチックスフィルム基材表面の密着性を高めるために、必要に応じて、該基材表面を脱脂、脱水するための洗浄等の清浄化処理、基材表面に真空容器内でHe等の不活性ガスや酸素ガス等の活性ガスによるプラズマ処理などの公知の処理を行っても良い。 [0017] In order to enhance the adhesion of the plastic film substrate surface, if necessary, He and the substrate surface degreasing, cleaning treatment such as washing to dewatering, in a vacuum chamber to the substrate surface known treatment may be performed such as a plasma treatment with inert gas such as an inert gas or oxygen gas and the like.

【0018】<ダイヤモンド状炭素膜の生成方法>以下、図面を参照しながら本発明に使用される装置を説明する。 The following <produce a diamond-like carbon film>, illustrating the apparatus used in the present invention with reference to the drawings. 図1は、本発明のダイヤモンド状炭素膜を生成する装置の1例を示す模式図である。 Figure 1 is a schematic view showing an example of a device for generating a diamond-like carbon film of the present invention. 図1において、1は真空容器であり、2は高周波電極、3はSiウエハーに貼り付けた基材フィルムである。 In Figure 1, 1 is a vacuum vessel, 2 is a high-frequency electrode, 3 is a substrate film adhered to Si wafer. 4は整合器、5は高周波電源、6は熱電対、7は冷却板、8はガス導入管である。 4 matching box, 5 a high frequency power source, 6 is a thermocouple, 7 the cooling plate, 8 is a gas inlet tube.

【0019】上記基材フィルムの温度制御は、液体あるいは気体の循環方式、赤外線、通電加熱等の方法によって行われるが、少なくとも基材フィルムのガラス転移点以下に保持されるのが好ましく、そのために熱容量の大きい液体の循環方式が好ましい。 The temperature control of the substrate film, liquid or circulation system of the gas, infrared, is carried out by a method such as electrical heating, is preferably held below the glass transition point of at least a substrate film, for which circulation system of a large liquid heat capacity are preferred. この際、循環させる液体としては、所定の温度に加温あるいは冷却された液体が挙げられ、循環される液体としては、水、エチレングリコール(不凍液)、アルコール類、さらに低温化する場合には、液体窒素、液体ヘリウム等が好適に使用される。 In this case, as the liquid to circulate, include heating or cooling liquid at a predetermined temperature, the liquid to be circulated, water, ethylene glycol (antifreeze), alcohols, if further temperature reduction is liquid nitrogen, liquid helium or the like is preferably used.

【0020】使用できる原料ガスの組成範囲を広げるたり、膜の質を良くするために基材に直流バイアスを印加するのが好ましく、直流バイアス値としては−500〜 [0020] or widen the composition range of the raw material gas can be used, it is preferable to apply a DC bias to the substrate in order to improve the quality of the film, as the DC bias value -500
100Vが好ましく、より好ましくは−400〜10V 100V, more preferably -400~10V
である。 It is.

【0021】次に成膜操作について説明する。 [0021] Next, the film forming operation will be described. まず、真空容器1内の冷却板7の上にSiウエハーに貼り付けたプラスチックフィルム基材を設置した後、真空容器内を高真空とする。 First, after the setting of the plastic film substrate adhered to Si wafer on the cooling plate 7 in the vacuum chamber 1, a vacuum container with a high vacuum. このときの真空度は、他の不純物ガスの残留による成膜への影響をなくすために10 -4 Torr The degree of vacuum, 10 -4 Torr in order to eliminate the influence on the film by the residual of the other impurity gases
以下が好ましい。 The following are preferred. 次いで、ガス導入管から原料ガスを導入して所定の圧力に保つ。 Then, it kept at a predetermined pressure by introducing a source gas from a gas inlet pipe. このときの圧力は1×10 -3 In this case, the pressure 1 × 10 -3
〜10Torrが好ましい。 ~10Torr is preferable.

【0022】本発明に係るガスバリアフィルムは、その所定枚数を接着剤等や熱融着により接合する方法等により一体化せしめた積層タイプのものであってもよい。 The gas barrier film according to the present invention may be of laminated type allowed integrally by a method such as joining the predetermined number by adhesive or heat sealing. また、使用時におけるヒートシール性を向上させるため、 In order to improve the heat sealability in use,
ホットメルト接着剤を設けることができる。 It can be provided with a hot melt adhesive. この接着剤層はダイヤモンド状炭素膜層に設けるのが好適であるが、透明フィルム上に設けることもできる。 This adhesive layer is preferable to provide a diamond-like carbon film layer may be provided on a transparent film. ホットメルト接着剤は汎用のものが使え、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン等を主成分とするものを使用できる。 Hot melt adhesives used those generic, ethylene - vinyl acetate copolymer, polyethylene, those based on polypropylene and the like can be used.

【0023】 [0023]

【実施例】 【Example】

(実施例1)厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ株式会社製「ルミラー高透明タイプ」)をSiウエハーに貼り付けた後、図1に示す真空容器1内の冷却板7上に設置し、真空容器内を1×10 After the polyethylene terephthalate film (Example 1) a thickness of 50μm (produced by Toray Industries, Inc. "Lumirror high transparent type") was stuck to the Si wafer, it was placed on the cooling plate 7 of the vacuum chamber 1 shown in FIG. 1, the vacuum container 1 × 10
-5 Torrに減圧した。 It was reduced to -5 Torr. 次いで、ガスを導入管8より導入する。 Then introduced from the inlet tube 8 gas. 22を50sccmに設定する。 Setting the C 2 H 2 to 50 sccm. 反応室の圧力を10×10 -3 Torrにした後、周波数13.56 After the pressure in the reaction chamber to 10 × 10 -3 Torr, frequency 13.56
MHz、150Wの高周波電力を印加することによって、2分間成膜を行った。 MHz, by applying a high-frequency power of 150 W, film formation was carried out for 2 minutes.

【0024】透過電子顕微鏡の観察により決定した膜の厚さは約0.1μmであった。 The thickness of the film was determined by observation of a transmission electron microscope was about 0.1 [mu] m. 得られた膜をラマン分光法で評価した結果、ダイヤモンド状炭素膜であることが確認された。 Results The resulting membrane was evaluated by Raman spectroscopy, it was confirmed that the diamond-like carbon film. また、膜の組成をSIMSを用いて決定すると、ダイヤモンド状炭素膜には、水素が43原子%、 Furthermore, when determined by SIMS the composition of the film, the diamond-like carbon film, hydrogen 43 atom%,
酸素が5原子%含まれていた。 Oxygen was contained 5 atom%.

【0025】(実施例2)厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ株式会社製「ルミラー」)に、実施例1と同様の方法で成膜した。 The polyethylene terephthalate film (Example 2) thickness 50 [mu] m (manufactured by Toray Industries, Inc. "Lumirror") was formed in the same manner as in Example 1.

【0026】(実施例3)厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東セロ株式会社製「OPE [0026] (Example 3) thickness 12μm polyethylene terephthalate film of (East Cerro Co., Ltd. "OPE
T」)に、実施例1と同様の方法で成膜した。 To T ") was formed in the same manner as in Example 1.

【0027】(比較例1)厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ株式会社製「ルミラー高透明タイプ」)に、実施例1と同様の方法で成膜した。 The polyethylene terephthalate film (Comparative Example 1) Thickness 50 [mu] m (manufactured by Toray Industries, Inc. "Lumirror high transparent type") was formed in the same manner as in Example 1.

【0028】(比較例2)厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ株式会社製「ルミラー」)に、実施例1と同様の方法で成膜した。 The polyethylene terephthalate film (Comparative Example 2) thickness 50 [mu] m (manufactured by Toray Industries, Inc. "Lumirror") was formed in the same manner as in Example 1.

【0029】(比較例3)厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東セロ株式会社製「OPE [0029] (Comparative Example 3) polyethylene terephthalate with a thickness of 12μm phthalate film (East Cerro Co., Ltd. "OPE
T」)に、実施例1と同様の方法で成膜した。 To T ") was formed in the same manner as in Example 1.

【0030】<ダイヤモンド状炭素膜の評価>上記実施例、比較例において基材に形成されたダイヤモンド状炭素膜を、下記の評価方法により蒸着したフィルム及び基材フィルムについて評価を行い、その結果を表1に示す。 The above examples <Evaluation of diamond-like carbon film>, the diamond-like carbon film formed on a substrate in Comparative Example, evaluated for the film and the base film deposited by the following evaluation methods, and the results It is shown in Table 1. (1)透湿度 Mocon社製ガス透過率測定装置を使用して、40 (1) using a water vapor permeability Mocon Co. gas permeability measuring device, 40
℃、相対湿度90%の条件で測定した。 ° C., it was measured at 90% relative humidity conditions. (2)酸素透過度 ヤナコ社製ガス透過率測定装置を使用して、23℃の酸素雰囲気で行った。 (2) using an oxygen permeability Yanaco Co. gas permeability measuring apparatus, it was carried out in an oxygen atmosphere at 23 ° C.. (3)光線透過率、かすみ度(HAZE)、b値(黄、 (3) light transmittance, haze (HAZE), b values ​​(yellow,
青の割合) 積分球式ヘイズメータ(日本電色製ND−1001D) Blue fraction) integrating sphere type haze meter (Nippon Denshoku Ltd. ND-1001D)
を用いて測定した。 It was measured using a.

【0031】 [0031]

【表1】 [Table 1]

【0032】<耐屈曲性の評価> (実施例4)実施例と同様の条件で作製したフィルムをゲルボフレックステスタを用いて100回屈曲し、透湿度、酸素等過度を測定した。 [0032] <flex resistance evaluation> (Example 4) A film was prepared in the same conditions as in Example bent 100 times using Gelbo flex tester was measured moisture permeability, oxygen, etc. excessively.

【0033】(比較例4)公知の真空蒸着装置で、蒸発源としてSiOを用いて、圧力6×10-5Torrの酸素雰囲気下で、厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ株式会社製「ルミラー」)の基材表面に約0.1μmの酸化ケイ素を成膜した。 [0033] (Comparative Example 4) known vacuum deposition apparatus, using SiO as a vapor source, under an oxygen atmosphere at a pressure 6 × 10 @ -5 Torr, a polyethylene terephthalate film having a thickness of 12 [mu] m (manufactured by Toray Industries, Inc. "Lumirror" silicon oxide of approximately 0.1μm on the surface of the substrate of) was formed. ゲルボフレックステスタを用いて100回屈曲し、その前後の透湿度、酸素透過度を測定した。 Using Gelbo flex tester bent 100 times, before and after the moisture permeability was measured oxygen permeability.

【0034】 [0034]

【表2】 [Table 2]

【0035】<EL素子の試作> (実施例5)ガラス転移70℃、波長550nmの光線の透過率88%、厚さ50μmのポリエステルフィルム(東レ株式会社製「ルミラー」の片面に、ダイヤモンド状炭素膜(DLC)をプラズマCVD法により膜厚が10 [0035] <Fabrication of EL device> (Example 5) Glass transition 70 ° C., the transmittance 88% of light having a wavelength of 550 nm, on one surface of a polyester film having a thickness of 50 [mu] m (manufactured by Toray Industries, Inc. "Lumirror", diamond-like carbon film thickness by the (DLC) plasma CVD method is 10
0nmになるように成膜した。 It was formed so as to 0nm. そしてこの蒸着フィルム2枚をフィルム−DLC−フィルム−DLCの順になるように重ね合わせ、透明接着剤により接合一体化した。 The superposed so the two this deposited film in the order of the film -DLC- film-DLC, and integrally bonded by a transparent adhesive.
次に、DLC層上にエチレン−酢酸ビニル共重合体(酢酸ビニル含量8重量%)から成るホットメルト接着剤を溶融押出法により形成することにより、積層タイプのガスバリアフィルムを得た。 Next, ethylene over DLC layer - by forming by melt extrusion of hot melt adhesive comprising a vinyl acetate copolymer (vinyl acetate content 8% by weight), to obtain the gas barrier film of the laminated type.

【0036】一方、これとは別にポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に酸化インジウムと酸化スズの混合物から成る透明電極層を設けて成る透明電極と、硫化亜鉛系の蛍光粉末をシアノエチル化セルロース中に分散した発光層と酸化チタン粉末をシアノエチル化セルロース中に分散した絶縁層と、アルミニウム製の透明電極とをこの順序で積層したエレクトロルミネッセンス素子を用意する。 On the other hand, apart from the polyethylene terephthalate transparent electrode comprising a transparent electrode layer made of a mixture of indium oxide and tin oxide on one surface of the film, emission fluorescence powder zinc sulfide dispersed in a cyanoethylated cellulose thereto providing a dispersed titanium oxide powder and the layer during cyanoethylated cellulose insulating layer, an electroluminescent element and aluminum transparent electrode were laminated in this order. そして、この素子の両面に上記積層タイプのガスバリアフィルムをホットメルト接着剤層が内側になるように重ね合わせ、温度130℃、ロール線圧5kg Then, the gas barrier film of the laminated type on both surfaces of the element superimposed to the hot-melt adhesive layer on the inside, a temperature 130 ° C., a roll line pressure 5kg
/cm、張力3kgfの条件でロールを用いて加熱加圧することによりガスバリアフィルムで被覆保護した構造のエレクトロルミネッセンス装置を得た。 / Cm, to obtain an electroluminescent device having a structure that is covered and protected by a gas barrier film by heating and pressing with a roll under the conditions of tension 3 kgf. このエレクトロルミネッセンス装置を100V、400Hzの電源により連続動作させ、その輝度半減期を測定したところ、 When the electroluminescent device 100 V, is continuously operated by 400Hz power thereof was measured luminance half-life,
2000時間であった。 It was 2000 hours.

【0037】(比較例5)ガラス転移温度70℃で、波長550nmの光線透過率88%、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ株式会社製「ルミラー」)をガスバリアフィルムの基材として用い酸化珪素をガスバリア層として用いること以外は実施例4と同様にして、積層タイプのガスバリアフィルムおよびエレクトロルミネッセンス装置を得た。 [0037] (Comparative Example 5) with a glass transition temperature of 70 ° C., light transmittance of 88% in the wavelength 550 nm, a silicon oxide using polyethylene terephthalate film having a thickness of 50μm (produced by Toray Industries, Inc. "Lumirror") as a base material of the gas barrier film the except for using as the gas barrier layer in the same manner as in example 4, to obtain the gas barrier film and electroluminescence device of the laminate type. このエレクトロルミネッセンス装置を実施例と同様に連続作動させたところ、約200時間で透過水分により発光面の部分的黒化現象を生じ、また、輝度半減期も800時間と短かった。 The place where the electroluminescent device was similarly continuous operation and embodiments resulting partial blackening of the light-emitting surface by a transmission moisture at about 200 hours, also, the luminance half-life was as short as 800 hours.

【0038】 [0038]

【発明の効果】本発明は上記のように構成されており、 According to the present invention is constituted as described above,
基材として特別なフィルムを用いることなく、汎用の透明フィルムを使用した場合にも、使用時に作用する熱や応力による性能低下が少なく、ガスバリア性を充分に発揮できる。 Without using a special film as a substrate, even when using a transparent film of generic, less performance degradation due to heat or stress acting during use, it can be sufficiently exhibited gas barrier properties.

【0039】 [0039]

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】図1は、本発明に係わる積層フィルムを生成するための成膜装置を示す概略図である。 [1] Figure 1 is a schematic diagram showing a film forming apparatus for producing a laminated film according to the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 真空容器 2 高周波電極 3 Siウェハーに貼り付けた基材フィルム 4 整合器 5 高周波電源 6 熱電対 7 冷却板 8 ガス導入管 1 vacuum chamber 2 a high frequency electrode 3 Si pasted substrate the wafer film 4 matching 5 high frequency power source 6 Thermocouple 7 cooling plate 8 gas inlet tube

Claims (1)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 透明フィルムの少なくとも片面に、水素濃度が50原子%以下であり、かつ酸素濃度が2〜20 On at least one surface according to claim 1 transparent film, the hydrogen concentration is less than 50 atomic%, and the oxygen concentration is 2 to 20
    原子%であるダイヤモンド状炭素膜が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子用保護フィルム。 Protective film for electroluminescence device characterized by diamond-like carbon film is atomic% is formed.
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