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JPH10289784A - Organic electroluminescnet element - Google Patents

Organic electroluminescnet element

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JPH10289784A
JPH10289784A JP9542497A JP9542497A JPH10289784A JP H10289784 A JPH10289784 A JP H10289784A JP 9542497 A JP9542497 A JP 9542497A JP 9542497 A JP9542497 A JP 9542497A JP H10289784 A JPH10289784 A JP H10289784A
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JP
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Patent type
Prior art keywords
layer
organic
luminous
transparent
insulation
Prior art date
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Pending
Application number
JP9542497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiharu Sato
佳晴 佐藤
Original Assignee
Mitsubishi Chem Corp
三菱化学株式会社
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Publication date

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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H01L2251/50Organic light emitting devices
    • H01L2251/53Structure
    • H01L2251/5307Structure specially adapted for controlling the direction of light emission
    • H01L2251/5315Top emission
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
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    • H01L27/3206Multi-colour light emission
    • H01L27/322Multi-colour light emission using colour filters or colour changing media [CCM]
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    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a display state and raise the yield of a panel for reducing production cost by constituting such that a transparent support body having a luminous conversion layer is provided, so as to be faced to an insulation substrate having an organic electroluminescent cell made of an organic luminous layer or the like clamped with a cathode and an anode, and an active matrix circuit element for driving the cell, respectively at an upper level.
SOLUTION: TFTs 2 to 6, and an organic electroluminescent cell clamped with a lower electrode 22 and an upper electrode 23, and formed out of an organic luminous layer 9 for forming each pixel are arranged on the insulation substrate 21 made of a glass panel, silicon wafer or the like. Furthermore, the upper electrode 23 formed so as to have transmissivity in a visible ray zone and used as a cathode is preferably a laminate of a low work function material layer, such as Mg and Al coming in contact with the organic luminous layer 9 and giving a work function equal to or below 4 eV, and a transparent conductive layer such as ITO and ZnO, thereby improving electron injection efficiency. Also, a transparent support body 24 with a fluorescent conversion layer, containing a fluorescent pigment or a color filter luminous conversion layer 7, and the insulation substrate 21 are kept at the prescribed gap from each other via a spacer.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子に関するものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するものである。 The present invention relates is related to an organic electroluminescent device, and more particularly to a thin film type device that emits light by applying an electric field to the light-emitting layer comprising an organic compound.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子としては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn As a conventional, thin-film field emission (EL) element, a Group II-VI compound semiconductor of an inorganic material Zn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。 S, CaS, etc. SrS, which is an emission center Mn or a rare earth element (Eu, Ce, Tb, Sm etc.) doped with is generally, EL elements prepared from the inorganic material, 1) AC driving is necessary (50~1000Hz), 2) the driving voltage is high (~200V) 3) full color is difficult (especially blue), 4) the high cost of the peripheral drive circuit, has a problem that .

【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、 [0003] However, in recent years, because of the improvement of the above-mentioned problems,
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになった。 Development of the EL element using an organic thin film was to be performed. 特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリアー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phys.Le In particular, in order to enhance the luminous efficiency, optimizes the type of electrode as a purpose of improving the efficiency of injecting carriers from the electrode, a light emitting layer comprising an aluminum complex of the hole transport layer and 8-hydroxyquinoline consisting of aromatic diamines development of the organic electroluminescent device having a (Appl.Phys.Le
tt. tt. ,51巻,913頁,1987年)により、従来のアントラセン等の単結晶を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性に近づいている。 , Vol. 51, p. 913, by 1987), a significant improvement in luminous efficiency compared to EL element using a single crystal, such as a conventional anthracene is made, is approaching the practical properties.

【0004】上記の様な低分子材料を用いた電界発光素子の他にも、発光層の材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)(Nature,347巻,539頁,1 [0004] In addition to the electroluminescent device using the low molecular materials such as described above, as a material of the light-emitting layer, poly (p- phenylene vinylene) (Nature, 347, pp. 539 pp., 1
990年他)、ポリ〔2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン〕(A 990 years other), poly [2-methoxy-5- (2-ethylhexyl oxy) -1,4-phenylene vinylene] (A
ppl. ppl. Phys. Phys. Lett. Lett. ,58巻,1982頁, , Vol. 58, 1982 pp.,
1991年他)、ポリ(3−アルキルチオフェン)(J 1991 et al.), Poly (3-alkylthiophene) (J
pn. pn. J. J. Appl. Appl. Phys. Phys. 30巻,L1938 Vol. 30, L1938
頁,1991年他)等の高分子材料を用いた電界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光材料と電子移動材料を混合した素子(応用物理,61巻,1044頁,1992年)の開発も行われている。 Page, development of electroluminescent device using the 1991 etc.) polymeric materials such as a polymer in the element obtained by mixing a low molecular luminescent material and an electron transport material (Applied Physics such as polyvinylcarbazole, Vol. 61, 1044 pp. , it has also been developed in 1992). また、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Phy Further, for example, an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline as a host material, doping with laser fluorescent dye such as coumarin (J.Appl.Phy
s. s. 65巻,3610頁,1989年)等も行われている。 65, pp. 3610, have been made in 1989), and the like.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】上記の様な有機電界発光素子をディスプレイパネルとして用いるためには、一般にマトリクスアドレス方式(特開平2−66873号公報;電気通信学会技術研究報告,OME89−46, In order to use the [0005] organic electroluminescence device, such as described above as a display panel is generally in a matrix addressing scheme (Japanese Patent Laid-Open 2-66873 discloses; Telecommunications Engineers Technical Report, OME89-46,
37,1989年)が採用されるが、画素数の増加にともない、輝度がデューティ比の減少とともに減少する(電気通信学会技術研究報告,OME88−47,3 37, but 1989) is employed, with the increase of the number of pixels, the luminance decreases with decreasing duty ratio (Telecommunication Engineers Technical Report, OME88-47,3
5,1988年)ことや、クロストークが起きることが実用上大きな問題となっている。 5, 1988) that and, that cross talk occurs has become a practical big problem. さらには、走査線の数の増加とともに、ダイナミック駆動時には瞬間的に高輝度発光させる必要が生じ、結果として、駆動電圧の増加と電力変換効率の低下を招く。 Furthermore, with increasing number of scan lines, it is necessary to momentarily high luminance at the time of dynamic drive, as a result, lowering the increase and the power conversion efficiency of the driving voltage.

【0006】この単純マトリクス駆動方式の問題を解決するために、有機電界発光素子をアクティブ・マトリクス回路で駆動することが考えられる(特開平6−325 [0006] In order to solve the problem of the simple matrix driving method, it is conceivable to drive the organic electroluminescent device in an active matrix circuit (JP-A-6-325
869号公報;特開平7−122360号公報;特開平7−122361号公報;特開平7−122362号公報;特開平8−54836号公報;特開平8−3306 869 JP; JP-A-7-122360; JP-A 7-122361 JP; Hei 7-122362 JP; Hei 8-54836 JP; Hei 8-3306
00号公報)。 00 JP). しかしながら、フルカラー化に関しては大きな問題点がある。 However, there is a big problem in relation to full-color.

【0007】これまでに、フルカラー化の方式についてはいくつかの提案がなされている: 1)有機発光素子を各発光色(RGB)に応じてパターニングして平面配置する方式(Appl.Phys.L [0007] To date, there have been several proposals for methods of full color: 1) method of planar arrangement is patterned in accordance with the organic light emitting element in each light emission color (RGB) (Appl.Phys.L
ett. ett. ,69巻,3117頁,1996年)、 2)微小共振器構造を用いる方式(Jpn.J.App , 69, pp. 3117, 1996), 2) method using a micro resonator structure (Jpn.J.App
l. l. Phys. Phys. 34巻,L1234頁,1995年)、 3)白色発光素子とカラーフィルタを組み合わせる方式(特開平7−142169号公報)、 4)青色発光素子と蛍光変換層を組み合わせる方式(特開平3−152897号公報)、 5)RGB発光層を積層する方式(フランス特許第2, 34, pp. L1234, 1995 years), 3) a white light-emitting element and combining the color filter method (JP-A-7-142169 discloses), 4) combining the blue light emitting element and the fluorescent conversion layer method (JP-A-3-152897 publication), 5) method of laminating RGB light emitting layers (French Patent No. 2,
728,082号)。 No. 728,082).

【0008】1)の方式は、プロセス上有機層に適用することが困難であり、2)の方式は高価なハーフミラーを必要とすること視野角により波長がずれるという問題を有している。 Method [0008] 1), it is difficult to apply the process on the organic layer, scheme 2) has a problem that the wavelength is shifted by the view angle the need for expensive half mirror. 3)の方式では、積層型にすることで、 In scheme 3) is, by the stacked,
RGB各発光層の配線を垂直方向に絶縁をとる必要が生じ、配線が非常に複雑になる。 It becomes necessary to take insulation in the vertical direction wirings each of RGB light-emitting layer, the wiring becomes very complex. 3)及び4)の方式では、有機層はベタに形成できることから、両方式が現在のところフルカラーパネルに採用可能な方式である。 In scheme 3) and 4), the organic layer is because it can be formed into a solid, both systems are adoptable scheme currently full color panel.

【0009】フルカラーパネルは、QVGA仕様(32 [0009] The full-color panel, QVGA specification (32
0×240ドット)以上のレベルの画素数が想定されるので、基本的にはアクティブ・マトリクス駆動型になる。 0 Since × 240 dots) number of pixels or more levels is envisaged, the active matrix drive type basically. 前述の3)及び4)の方式をアクティブ・マトリクス回路と両立させる方法が必要である。 How to reconcile the method of the above 3) and 4) and an active matrix circuit is required. これまでに、開示されている方法(特開平6−325869号公報)では、各画素の有機電界発光セルがアクティブ・マトリクス駆動回路の素子(TFT)と同一基板上に形成され、 So far, the method has been disclosed (JP-A-6-325869), organic electro luminescence cells of each pixel are formed on the same substrate as the element of the active matrix driving circuit (TFT),
かつ、発光変換層(カラーフィルタ層または蛍光変換層)が基板の外側か素子側に形成されている。 And luminescence conversion layer (color filter layer or a fluorescence conversion layer) is formed on the outer or device side of the substrate. 図1は従来の一般的な有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、1は透明基板、2〜6はTFT、7は発光変換層、8は陽極、9は有機発光層、10は陰極、1 Figure 1 is a sectional view schematically showing a structural example of a conventional organic light emitting device, 1 transparent substrate, 2 to 6 TFT, 7 are luminescence conversion layer, 8 the anode, 9 OLED layer, 10 is a cathode, 1
1は背面支持体を各々表わす。 1 represents respectively the back support.

【0010】しかしながら、TFTの製造プロセスを考えると、発光変換層の作製工程はTFT形成の後となるが、発光変換層のパターニング時に使用するアルカリ等の現像液で既に形成したTFTに損傷があるために、T [0010] However, considering the manufacturing process of the TFT, the manufacturing process of the luminescence conversion layer is a after the TFT formation, is damaged already formed the TFT with an alkaline developer such as for use in patterning of the luminescence conversion layer in order, T
FT部分にウェットプロセスに耐える保護膜を形成しなければならない。 It must form a protective film to withstand wet process FT portion. また、パネルとしての歩留まりを考えると、パネル全体の歩留まりは、TFT歩留まりと発光変換層歩留まりのかけ算になるために、相当程度低くなることが予想される。 Also, considering the yield of the panel, the yield of the whole panel, in order to become multiplication TFT yield and luminescence conversion layer yield is expected to be equivalent degree lower.

【0011】 [0011]

【課題を解決する手段】上述の、製造工程上の歩留まりの問題は、フルカラーパネルの実現のために克服しなければならない課題である。 SUMMARY solve] above, the yield issues in the manufacturing process, a problem that must be overcome in order to realize a full-color panel. 本発明者等は上記実状に鑑み、パネル全体の製造歩留まりが低下しない、アクティブ・マトリクス駆動が可能でフルカラー表示が出来る有機電界発光素子を提供することを目的とする。 The present inventors have view of the above circumstances, it does not decrease overall manufacturing yield panel, and an object thereof is to provide an organic electroluminescent device capable of full color display can active matrix driving. すなわち、本発明は、絶縁性基板上に、陽極及び陰極により挟持された、少なくとも有機発光層から成る有機電界発光セルと、前記基板上に有機電界発光セルを駆動するアクティブ・マトリクス回路を設けた有機電界発光素子であって、透明支持体を前記基板と対向して配置させ、有機電界発光セルからの発光を変換する発光変換層を前記透明支持体上に設けたことを特徴とする有機電界発光素子に存する。 That is, the present invention is, on the insulating substrate, which is held between the anode and the cathode, and an organic light emitting cells of at least an organic emission layer, an active matrix circuit for driving an organic light emitting cells on the substrate provided an organic electroluminescent device, is arranged a transparent support said substrate and opposed to an organic electroluminescent characterized in that a luminescence conversion layer for converting the light emitted from the organic electroluminescent cell on the transparent support It resides in the light-emitting element.

【0012】 [0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の有機電界発光素子について添付図面に従い説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained in accordance with the attached drawings organic electroluminescent device of the present invention. 図2は本発明に用いられる一般的な有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、21は基板、2〜6はTFT、22は下部電極、9は有機発光層、23は上部電極、24は透明支持体を各々表わす。 Figure 2 is a sectional view showing a structural example of a conventional organic light emitting element used in the present invention schematically, 21 denotes a substrate, 2 to 6 TFT, 22 a lower electrode, 9 is an organic light-emitting layer, 23 the upper electrode, 24 represents each a transparent support. 基板21は有機電界発光セルとTFT部分の支持体となるものであり、TFT製造工程(非晶質シリコン、多結晶シリコン、CdSe等の成膜)でのプロセス温度を考慮すると、200℃以上の耐熱性のあるものが好ましく、石英やガラスの板、シリコンウェハ等が用いられる。 Substrate 21 is to be a support of the organic EL cell and the TFT portion, TFT manufacturing process in consideration of the process temperature in (amorphous silicon, polycrystalline silicon, deposition of CdSe and the like), the above 200 ° C. preferably some of the heat resistance, quartz or glass plate, a silicon wafer or the like is used. 特にシリコンウェハを用いると多結晶シリコンTFTを予め高精細に形成できる利点がある。 In particular there is the advantage that the use the polycrystalline silicon TFT silicon wafer can be pre-high definition form. TFT以外のアクティブマトリクス回路も本発明には使用可能であり、例えば、金属/絶縁体/金属(MIM)素子によるアクティブ駆動も可能である。 Active matrix circuit other than TFT is also usable in the present invention, for example, active drive is also possible by the metal / insulator / metal (MIM) element. 非晶質シリコンではプロセス温度が低くなるために、前記基板以外に樹脂基板も使用できる。 For the process temperature is low in the amorphous silicon, the resin substrate can be used in addition to the substrate. 但し、樹脂基板の場合にはガスバリア性が必要となるために、基板の少なくとも片面にはシリコン酸化物やシリコン窒化物等によるガスバリア層を設ける必要がある。 However, in the case of the resin substrate for the gas barrier property is required, at least one surface of the substrate it is necessary to provide a gas barrier layer of silicon oxide or silicon nitride or the like.

【0013】TFTの構造は、図2には、逆スタガ型と呼ばれるものを示してある。 [0013] structure of the TFT, FIG. 2 shows what is called an inverted staggered. ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、半導体層4、オーミックコンタクト層5、ソース及びドレイン電極6a,6bから成る。 A gate electrode 2, the gate insulating film 3, the semiconductor layer 4, the ohmic contact layer 5, made of the source and drain electrodes 6a, 6b. 図2には最終段のTFTしか示していないが、有機電界発光セルをアクティブ駆動させるためには、少なくとも2個のスイッチング用TFTと1個のコンデンサが必要である。 Only shows the last stage of the TFT in FIG. 2, in order to activate driving the organic electroluminescence cell requires at least two switching TFT and one capacitor. 具体的な回路構成例を図3に示す。 Examples specific circuit configuration shown in FIG. 図3のアクティブ駆動回路を平面状に模式的に示したものを図4に示す。 Figure 4 shows that schematically shown in planar active driving circuit of FIG.

【0014】基板21上には各画素を形成する、下部電極22及び上部電極23に挟まれた有機発光層9から成る有機電界発光セルが設けられる。 [0014] On the substrate 21 to form each pixel, an organic light emitting cells consisting of organic light emitting layer 9 sandwiched between the lower electrode 22 and upper electrode 23 are provided. 有機発光セルからの発光は上部電極を通して取り出されるので、上部電極は可視領域(400〜800nm)において60%以上の透過率をもつ必要がある。 Since light emitted from the organic light emitting cell is taken out through the top electrode, the upper electrode is required to have more than 60% transmission in the visible region (400 to 800 nm). 有機発光層から発光を得るためには、各電極から正孔及び電子を注入して有機発光層中で再結合させて有機発光層の構成分子を励起させる必要がある。 To obtain light emission from the organic light emitting layer is required to have are recombined to excite the molecules constituting the organic light-emitting layer with holes and electrons are injected organic light emitting layer from each electrode. 本発明においては、以下に示す二通りの電荷注入の方法が考案される: A. In the present invention, a method charge injection two ways described below is devised: A. 下部電極を陽極として、上部電極を陰極とする。 The lower electrode as an anode, the upper electrode and the cathode. B. B. 下部電極を陰極として、上部電極を陽極とする。 The lower electrode as a cathode, the upper electrode as an anode. 方法A及び方法Bいずれにおいても、上部電極が可視領域において透明性を有することが必要なことは既述した通りである。 The method in any A and method B, submitted that the upper electrode need to have transparency in the visible region are as described above. 以下、各方法における素子構成について詳述する。 It will be described in detail below element structure of each method.

【0015】<方法A>下部電極(陽極)には透明性が要求されないので、通常、正孔注入に必要とされる仕事関数を満たす金属が用いられる。 [0015] Since the <method A> transparency to the lower electrode (anode) is not required, usually, the metal is used to satisfy a work function required for holes injection. 仕事関数の値としては4.6eV以上が望ましく、この値を満たす金属は、例えば、化学便覧(日本化学会編第3版の基礎編II、49 Preferably at least 4.6eV as the value of the work function, a metal satisfying this value, for example, Kagaku Binran (edited by the Chemical Society of Japan, Third Edition Fundamentals II, 49
3〜494頁、丸善、1984年)によれば、金、銀、 3-494 pages, Maruzen, according to the 1984), gold, silver,
銅、イリジウム、モリブデン、ニオブ、ニッケル、オスミウム、パラジウム、白金、ルテニウム、タンタル、タングステン等の金属やそれらの合金、インジウム及び/ Copper, iridium, molybdenum, niobium, nickel, osmium, palladium, platinum, ruthenium, tantalum, tungsten such as metals and their alloys, indium and /
またはスズの酸化物(ITOと以下略す)等の金属酸化物やヨウ化銅、あるいは、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ(3−メチルチオフェン)等の導電性高分子が挙げられる。 Or tin oxide (ITO abbreviated hereinafter) metal oxide or copper iodide etc., or polypyrrole, polyaniline, conductive polymers such as poly (3-methylthiophene) and the like. また、配線抵抗を下げるために上記の金属を他の低抵抗導電材料の上に積層して全体としての抵抗を下げることも可能である。 It is also possible to reduce the resistance of the metal in order to reduce the wiring resistance as a whole laminated on the other low-resistance conductive material. 下部電極の膜厚は、通常、 Thickness of the lower electrode is usually
5〜1000nm、好ましくは10〜500nm程度である。 5~1000nm, and preferably about 10~500nm.

【0016】上部電極(陰極)としては透明電極が必要であるが、電子を効率よく注入するためには、4.0e [0016] As the upper electrode (cathode) is required transparent electrodes, in order to inject electrons efficiently, 4.0e
V以下の仕事関数を有する材料が望ましい。 Material having a work function of V is desirable. しかしながら、ITOやZnOの様な透明酸化物導電体の仕事関数は4.6eV以上であり、陰極として用いることは困難である。 However, the work function of such a transparent oxide conductor ITO and ZnO is at least 4.6 eV, it is difficult to use as a cathode. そこで、4.0eV以下の仕事関数材料を十分な透過率を有する程度に薄膜化して有機発光層の上に形成し、その上に前記透明導電膜を積層することが有効な方法であることを見出した。 Therefore, it to an extent having a work function of a material sufficient transmittance 4.0eV thinned is formed on the organic light-emitting layer, an effective method is to laminate the transparent conductive film is formed thereon heading was. 前記の4.0eV以下の低仕事関数材料としては、同じく、化学便覧によれば、アルミニウム、バリウム、カルシウム、セリウム、エルビウム、ユーロピウム、ガドリニウム、ハフニウム、インジウム、ランタン、マグネシウム、マンガン、ネオジウム、スカンジウム、サマリウム、イットリウム、亜鉛、 Wherein as the following low work function material 4.0 eV, likewise, according to Chemical Handbook, aluminum, barium, calcium, cerium, erbium, europium, gadolinium, hafnium, indium, lanthanum, magnesium, manganese, neodymium, scandium, samarium, yttrium, zinc,
ジルコニウム等の金属や、これらの金属と先に挙げた仕事関数が4.6eV以上の値を有する金属との合金組成物も使用される。 Metals and the like zirconium, work function listed in these metals and previously also used an alloy composition with a metal having a value of more than 4.6 eV. また、LaB 6等の化合物材料もこの目的で可能である。 Further, compound material, such as LaB 6 can also be for this purpose. この低仕事関数材料層の膜厚は、透明性の要請から、1〜100nm、好ましくは0.5〜 The thickness of the low work function material layer, the demand for transparency, 1 to 100 nm, preferably 0.5 to
50nm程度である。 It is about 50nm. この低仕事関数材料層の上に前述のITO、ZnO等の透明導電層が、膜厚5〜1000 Aforementioned ITO on top of the low work function material layer, a transparent conductive layer such as ZnO, the thickness 5 to 1000
nm、好ましくは10〜500nm程度で積層される。 nm, it is laminated preferably at about 10 to 500 nm.
各下部電極に対してスイッチング及びメモリー機能を有するアクティブ駆動回路が基板上に形成されているので、上部電極については表示面積全体にわたってベタの成膜で構わない。 Since an active driving circuit having a switching and memory functions for each of the lower electrode is formed on the substrate, may a solid film forming over the entire display area of ​​the upper electrode.

【0017】上記の低仕事関数材料層の代わりに、トンネル障壁効果により陰極から発光層への電子注入を容易にする界面層を用いてもよい。 [0017] Instead of the low work function material layer may be used an interface layer for facilitating the injection of electrons from the cathode to the light emitting layer by a tunnel barrier effect. この目的に使用される材料としては、LiFやNaF等のアルカリ金属フッ化物、MgF 2 、CaF 2等のアルカリ土類金属のフッ化物、Li 2 O等のアルカリ金属酸化物、MgO、BaO The materials used for this purpose, the alkali metal fluoride such as LiF and NaF, MgF 2, fluoride of alkaline earth metal such as CaF 2, alkali metal oxides Li 2 O, etc., MgO, BaO
等のアルカリ土類金属の酸化物から成り、これらの材料絶縁性であることから、膜厚としては0.2〜10nm It consists oxides of alkaline earth metals and the like, since it is these materials insulation, the thickness 0.2~10nm
の範囲が好ましい。 The preferred range of.

【0018】下部電極、上部電極の形成方法は、抵抗加熱方式または電子ビーム方式による真空蒸着法、スパッター法、ECRスパッタ法、イオンビームスパッタ法等が用いられる。 [0018] The lower electrode, the method of forming the upper electrode, a vacuum vapor deposition method by resistance heating method or electron beam method, sputtering, ECR sputtering, ion beam sputtering method and the like. 次に、有機発光層9の構造について説明する。 Next, the structure of the organic light-emitting layer 9. 発光材料を単層で形成することも可能であるが、 It is also possible to form the light emitting material in a single layer,
発光効率を高くするためには、正孔輸送層と電子輸送層を少なくとも含む構造が望ましい。 In order to increase the luminous efficiency, including at least the structure a hole transporting layer and the electron transport layer is desired. 図5は本発明に用いられる一般的な有機電界発光セルの構造例を模式的に示す断面図であり、21は基板、22は下部電極(陽極)、41は正孔輸送層、42は電子輸送層、23は上部電極(陰極)を各々表わす。 Figure 5 is a sectional view showing a structural example of a conventional organic light emitting cells used in the present invention schematically, 21 denotes a substrate, a lower electrode 22 (anode), 41 is a hole transport layer, 42 an electron transport layer, 23 represents each an upper electrode (cathode).

【0019】正孔輸送層41の材料に要求される条件としては、下部電極22からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。 [0019] conditions required for the material of the hole transport layer 41 has a high hole injection efficiency from the lower electrode 22, and may the injected holes is a material that can efficiently transport is necessary. そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、 For this purpose, a small ionization potential, high transparency to visible light, high hole mobility, better stability,
トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。 Impurity serving as the trap is required to hardly occur during manufacture or use. 上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。 Besides the aforementioned general requirements, when application-vehicle display, and more heat resistant the element is required. 従って、Tgとして70℃以上の値を有する材料が望ましい。 Therefore, a material having a value of 70 ° C. or more as Tg is desirable.

【0020】このような正孔輸送材料としては、例えば、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開昭59−19439 [0020] As the hole transport material, for example, 1,1-bis (4-di -p- tolyl-aminophenyl) aromatic diamine compound connected tertiary aromatic amine unit such as cyclohexane (JP Akira 59-19439
3号公報)、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)− 3 JP), 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -
N−フェニルアミノ〕ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン(特開平5−234681号公報)、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン(米国特許第4,92 N- phenylamino] biphenyl with two or more tertiary amine comprises two or more fused aromatic rings are aromatic amine substituted on the nitrogen atom represented (JP-A-5-234681), triphenyl benzene aromatic triamine having a star burst structure derivative (U.S. Pat. No. 4,92
3,774号)、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)ビフェニル−4,4′−ジアミン等の芳香族ジアミン(米国特許第4,764,62 No. 3,774), N, N'-diphenyl -N, N'-bis (3-methylphenyl) biphenyl-4,4'-aromatic diamines such diamine (U.S. Pat. No. 4,764,62
5号)、α,α,α′,α′−テトラメチル−α,α′ No. 5), α, α, α ', α'- tetramethyl-.alpha., alpha'
−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−p−キシレン(特開平3−269084号公報)、分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体(特開平4−129271号公報)、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物(特開平4−17539 - bis (4-di-p-tolyl-aminophenyl)-p-xylene (Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-269084), sterically asymmetric triphenylamine derivative (JP-A-4-129271 discloses) the molecule as a whole, pyrenyl compounds in which an aromatic diamino groups have a plurality substituted group (JP-a-4-17539
5号公報)、エチレン基で3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン(特開平4−264189号公報)、スチリル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4 5 JP), an ethylene group a tertiary aromatic amine units aromatic diamine of concatenating (JP-A-4-264189), aromatic diamine having a styryl structure (JP-A-4
−290851号公報)、チオフェン基で芳香族3級アミンユニットを連結したもの(特開平4−304466 -290851 discloses), the concatenation of aromatic tertiary amine units thiophene group (JP-A-4-304466
号公報)、スターバースト型芳香族トリアミン(特開平4−308688号公報)、ベンジルフェニル化合物(特開平4−364153号公報)、フルオレン基で3 JP), starburst aromatic triamine (JP-A-4-308688), benzyl phenyl compounds (JP-A-4-364153), 3 fluorene group
級アミンを連結したもの(特開平5−25473号公報)、トリアミン化合物(特開平5−239455号公報)、ビスジピリジルアミノビフェニル(特開平5−3 A concatenation of grade amine (JP-A-5-25473), triamine compounds (JP-A-5-239455), bis dipyridyl aminobiphenyl (JP-5-3
20634号公報)、N,N,N−トリフェニルアミン誘導体(特開平6−1972号公報)、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン(特開平7−138562 20634 JP), N, N, N-triphenylamine derivatives (JP-A-6-1972), an aromatic diamine having a phenoxazine structure (JP-A-7-138562
号公報)、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特開平7−252474号公報)、ヒドラゾン化合物(特開平2−311591号公報)、シラザン化合物(米国特許第4,950,950号公報)、シラナミン誘導体(特開平6−49079号公報)、ホスファミン誘導体(特開平6−25659号公報)、キナクリドン化合物等が挙げられる。 JP), diaminophenyl phenanthridine derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 7-252474), hydrazone compounds (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-311591), silazane compounds (U.S. Pat. No. 4,950,950), silanamine derivatives ( JP 6-49079), phosphamine derivatives (JP-A-6-25659), and quinacridone compounds. これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、各々、混合して用いてもよい。 These compounds may be used alone, if necessary, each may be mixed.

【0021】上記の化合物以外に、正孔輸送層41の材料として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン(Ap [0021] In addition to the above compounds, as the material of the hole transport layer 41, polyvinylcarbazole and polysilane (Ap
pl. pl. Phys. Phys. Lett. Lett. ,59巻,2760頁,1 , Vol. 59, pp. 2760, 1
991年)、ポリフォスファゼン(特開平5−3109 991 years), polyphosphazene (JP-A-5-3109
49号公報)、ポリアミド(特開平5−310949号公報)、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−5 49 No.), polyamide (JP-A-5-310949), polyvinyl triphenylamine (Japanese Patent Laid-Open 7-5
3953号公報)、トリフェニルアミン骨格を有する高分子(特開平4−133065号公報)、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子(Synt 3953 JP) JP polymer (JP-A 4-133065 having a triphenylamine skeleton), a polymer triphenylamine units linked by a methylene group or the like (Synt
hetic Metals,55−57巻,4163 hetic Metals, 55-57, pp. 4163
頁,1993年)、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート(J.Polym.Sci.,Polym.C Page, 1993), polymethacrylates containing aromatic amine (J.Polym.Sci., Polym.C
hem. hem. Ed. Ed. ,21巻,969頁,1983年)等の高分子材料が挙げられる。 , Vol. 21, 969 pp., And polymer materials such as 1983) it is.

【0022】上記の正孔輸送材料を塗布法あるいは真空蒸着法により前記下部電極22上に積層することにより正孔輸送層41を形成する。 [0022] forming the hole transport layer 41 by laminating on the lower electrode 22 by the above hole transport material coating method or vacuum deposition method. 塗布法の場合は、正孔輸送材料を1種または2種以上と、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極22上に塗布し、乾燥して正孔輸送層41を形成する。 For the coating method, preparation and one or more hole transport material, was added an additive such as a binder resin and a coating improving agent as not to hole trapping necessary, dissolved in the coating solution and, by a method such as spin coating was applied to the anode 22, it dried to form the hole transport layer 41. バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。 The binder resin, polycarbonate, polyarylate, polyester, and the like. バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、50重量%以下が好ましい。 Since the binder resin lowers the hole mobility and the addition amount is large, it is desirable small, usually preferably 50 wt% or less.

【0023】真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10 -4 Pa程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた基板1上の陽極2上に正孔輸送層4を形成させる。 [0023] In the case of the vacuum deposition method, put a hole-transporting material to the installation crucible in a vacuum vessel, after evacuating to about 10 -4 Pa vacuum vessel with an appropriate vacuum pump, heating the crucible to evaporate the hole transporting material to form a hole transport layer 4 on the anode 2 on a substrate 1 placed facing the crucible. 上記正孔輸送層41を形成する場合、さらに、アクセプタとして、芳香族カルボン酸の金属錯体及び/または金属塩(特開平4−320484号公報)、 When forming the hole transport layer 41, further, as an acceptor, metal complexes of aromatic carboxylic acids and / or metal salts (JP-A 4-320484 JP)
ベンゾフェノン誘導体およびチオベンゾフェノン誘導体(特開平5−295361号公報)、フラーレン類(特開平5−331458号公報)等を10 -3 〜10重量% Benzophenone derivatives and thio benzophenone derivatives (JP-A-5-295361), fullerenes and (Hei 5-331458 JP), etc. 10 -3 to 10 wt%
の濃度でドープして、フリーキャリアとしての正孔を生成させることにより、低電圧駆動を可能にすることができる。 Doped with a concentration, by forming a hole of the free carrier, it is possible to enable a low voltage driving.

【0024】正孔輸送層41の膜厚は、通常、10〜3 The thickness of the hole transport layer 41 is usually 10-3
00nm、好ましくは30〜100nmである。 00nm, preferably 30~100nm. この様な薄膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。 To uniformly form such a thin film, vacuum deposition process is generally used for. 下部電極22と正孔輸送層41のコンタクトを向上させるために、図6に示す様に、陽極バッファ層40を設けることが考えられる。 In order to improve the contact of the lower electrode 22 and the hole transport layer 41, as shown in FIG. 6, it is conceivable to provide an anode buffer layer 40. 陽極バッファ層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、 The conditions required for the material used for the anode buffer layer, can contact well uniform thin film is formed of an anode, thermally stable,
すなわち、融点及びガラス転移温度が高く、融点としては300℃以上、ガラス転移温度としては100℃以上が要求される。 That is, the melting point and glass transition temperature is high, 300 ° C. or higher as the melting point, the glass transition temperature is required more than 100 ° C.. さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。 Further, ionization potential is easy injection of holes from the anode low, and high hole mobility. この目的のために、これまでにポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物(特開昭63−2 For this purpose, porphyrin derivatives and phthalocyanine compounds so far (JP-63-2
95695号公報)、スターバスト型芳香族トリアミン(特開平4−308688号公報)、ヒドラゾン化合物(特開平4−320483号公報)、アルコキシ置換の芳香族ジアミン誘導体(特開平4−220995号公報)、p−(9−アントリル)−N,N−ジ−p−トリルアニリン(特開平3−111485号公報)、ポリチエニレンビニレンやポリ−p−フェニレンビニレン(特開平4−145192号公報)、ポリアニリン(App 95695 JP), star-burst type aromatic triamine (JP-A-4-308688), hydrazone compounds (JP-A-4-320483), aromatic diamine derivatives of alkoxy-substituted (JP-A-4-220995), p-(9-anthryl) -N, N-di -p- tolyl aniline (Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-111485), polythienylenevinylene and poly -p- phenylene vinylene (JP-A 4-145192 discloses), polyaniline (App
l. l. Phys. Phys. Lett. Lett. ,64巻,1245頁,19 , Vol. 64, pp. 1245, 19
94年参照)等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜(特開平8−31573号公報)や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物(第43回応用物理学関係連合講演会,27a−SY And organic compounds 1994 reference), etc., and it sputtered carbon film (JP-A-8-31573), vanadium oxide, ruthenium oxide, a metal oxide such as molybdenum oxide (43rd Applied Physics Association Lecture, 27a-SY
−9,1996年)が報告されている。 -9, 1996) have been reported.

【0025】上記陽極バッファ層材料としてよく使用される化合物としては、ポルフィリン化合物またはフタロシアニン化合物が挙げられる。 [0025] As commonly used compound as the anode buffer layer materials include porphyrin compound or a phthalocyanine compound. これらの化合物は中心金属を有していてもよいし、無金属のものでもよい。 These compounds may have a central metal may be of metal-free. 好ましいこれらの化合物の具体例としては、以下の化合物が挙げられる:ポルフィン 5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23 Preferred examples of these compounds include the following compounds: porphine 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23
H−ポルフィン 5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23 H- porphine 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23
H−ポルフィンコバルト(II) 5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23 H- porphine cobalt (II) 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23
H−ポルフィン銅(II) 5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23 H- porphine copper (II) 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23
H−ポルフィン亜鉛(II) 5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23 H- porphine zinc (II) 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23
H−ポルフィンバナジウム(IV)オキシド 5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)−21 H- porphine vanadium (IV) oxide 5,10,15,20-tetra (4-pyridyl) -21
H,23H−ポルフィン 29H,31H−フタロシアニン 銅(II)フタロシアニン 亜鉛(II)フタロシアニン チタンフタロシアニンオキシド マグネシウムフタロシアニン 鉛フタロシアニン 銅(II)4,4',4”,4''' −テトラアザ−29 H, 23H-porphine 29H, 31H-phthalocyanine copper (II) phthalocyanine zinc (II) phthalocyanine titanium phthalocyanine oxide magnesium phthalocyanine lead phthalocyanine copper (II) 4,4 ', 4 ", 4' '' - tetraaza -29
H,31H−フタロシアニン H, 31H- phthalocyanine

【0026】陽極バッファ層の場合も、正孔輸送層と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さらに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD [0026] In the case of an anode buffer layer, but in the same manner as the hole transport layer can be thin film formation, the case of inorganic materials, sputtering or electron beam evaporation, plasma CVD
法が用いられる。 The law is used. 以上の様にして形成される陽極バッファ層40の膜厚は、通常、3〜100nm、好ましくは10〜50nmである。 The thickness of the anode buffer layer 40 formed in the manner described above, usually, 3 to 100 nm, preferably from 10 to 50 nm.

【0027】正孔輸送層41の上には電子輸送層42が設けられる。 The electron transport layer 42 is formed on the hole transport layer 41 is provided. 電子輸送層は、電界を与えられた電極間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層の方向に輸送することができる化合物より形成される。 Electron-transporting layer is formed of a compound capable of transporting electrons from the cathode efficiently in the direction of hole transport layer between the energized electrodes. 電子輸送層42に用いられる電子輸送性化合物としては、上部電極(陰極)23からの電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。 The electron-transporting compounds for the electron transport layer 42, a high efficiency of electron injection from the upper electrode (cathode) 23, and is required to be a compound capable of transporting the injected electrons efficiently . そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。 For this purpose, large electron affinity, moreover large electron mobility, further impurity serving as excellent traps stability is required to be a compound hardly occur during manufacture or use.

【0028】このような条件を満たす材料としては、テトラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物(特開昭5 [0028] As the material satisfying the conditions include aromatic compounds such as tetraphenylbutadiene (Japanese 5
7−51781号公報)、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−1943 7-51781 JP), metal complexes such as aluminum complex of 8-hydroxyquinoline (JP 59-1943
93号公報)、10−ヒドロキシベンゾ〔h〕キノリンの金属錯体(特開平6−322362号公報)、混合配位子アルミニウムキレート錯体(特開平5−19837 93 JP), 10-hydroxy-benzo [h] quinoline metal complexes (JP-A-6-322362), mixed ligand aluminum chelate complex (JP-A-5-19837
7号公報、特開平5−198378号公報、特開平5− 7, JP-A No. 5-198378, JP-A No. 5
214332号公報、特開平6−172751号公報シクロペンタジエン誘導体(特開平2−289675号公報)、ペリノン誘導体(特開平2−289676号公報)、オキサジアゾール誘導体(特開平2−21679 214332, JP-A No. 6-172751 discloses cyclopentadiene derivative (JP-A-2-289675), (JP-A-2-289676) perinone derivatives, oxadiazole derivatives (JP-A-2-21679
1号公報)、ビススチリルベンゼン誘導体(特開平1− 1 JP), bisstyrylbenzene derivatives (JP-1-
245087号公報、同2−222484号公報)、ペリレン誘導体(特開平2−189890号公報、同3− 245087, JP same 2-222484 JP), perylene derivatives (Japanese Patent Laid-Open 2-189890, JP-the 3-
791号公報)、クマリン化合物(特開平2−1916 791 JP), coumarin compounds (JP-A-2-1916
94号公報、同3−792号公報)、希土類錯体(特開平1−256584号公報)、ジスチリルピラジン誘導体(特開平2−252793号公報)、p−フェニレン化合物(特開平3−33183号公報)、チアジアゾロピリジン誘導体(特開平3−37292号公報)、ピロロピリジン誘導体(特開平3−37293号公報)、ナフチリジン誘導体(特開平3−203982号公報)、 94 and JP same 3-792), rare earth complex (JP-A-1-256584), distyryl pyrazine derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 2-252793), p-phenylene compounds (JP-A 3-33183 Patent Publication ), thiadiazolopyridine derivatives (JP-A-3-37292), pyrrolopyridine derivatives (JP-A-3-37293), naphthyridine derivatives (JP-A-3-203982),
シロール誘導体(日本化学会第70春季年会,2D1 Silole derivatives (Chemical Society of Japan 70th Spring Annual Meeting, 2D1
02及び2D1 03,1996年)などが挙げられる。 02 and 2D1 03, 1996 years), and the like.

【0029】電子輸送層42の膜厚は、通常、10〜2 [0029] The thickness of the electron transport layer 42 is, usually, 10 to 2
00nm、好ましくは30〜100nmである。 00nm, preferably 30~100nm. 電子輸送層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。 Also the electron transport layer can be formed by the hole transport layer and the same method, usually vacuum deposition is used. 素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、8 The purpose of changing the emission color improves the luminous efficiency of the device, for example, 8
−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Phys.,65巻,3610頁, -. The aluminum complex hydroxyquinoline as a host material, doping with laser fluorescent dye such as coumarin (J. Appl, 65, pp. 3610,
1989年)等が行われている。 1989) and the like have been carried out. この方法の利点は、 1)高効率の蛍光色素により発光効率が向上、 2)蛍光色素の選択により発光波長が可変、 3)濃度消光を起こす蛍光色素も使用可能、 4)薄膜性のわるい蛍光色素も使用可能、等が挙げられる。 The advantage of this method is 1) luminous efficiency improved by the high efficiency of the fluorescent dye, 2) the emission wavelength by the selection of the fluorescent dye is variable, 3) a fluorescent dye which causes concentration quenching can be used, 4) bad fluorescent of film property dyes can also be used, and the like.

【0030】素子の駆動寿命を改善する目的においても、前記電子輸送材料をホスト材料として、蛍光色素をドープすることは有効である。 [0030] In order to improve the driving life of the device, the electron transporting material as the host material, it is effective to dope a fluorescent dye. 例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体をホスト材料として、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体(特開平4−335087号公報)、キナクリドン誘導体(特開平5−70773号公報)、ペリレン等の縮合多環芳香族環(特開平5−198377号公報)を、ホスト材料に対して0.1〜10重量%ドープすることにより、素子の発光特性、特に駆動安定性を大きく向上させることができる。 For example, the 8-hydroxyquinoline as a host material a metal complex such as aluminum complex, naphthacene derivatives (JP-A-4-335087) represented by rubrene, quinacridone derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-70773), such as perylene a condensed polycyclic aromatic ring (JP-a-5-198377), by 0.1 to 10 wt% doped into the host material, it is possible to greatly improve the light emission characteristics, especially the driving stability of the device .

【0031】ホスト材料としては、例えば、電子輸送層42がその役割を果たす場合、前述の電子輸送性化合物が挙げられ、正孔輸送層41がホスト材料としての役割を果たす場合、前述の芳香族アミン化合物やヒドラゾン化合物が挙げられる。 [0031] As the host material, for example, when an electron transport layer 42 is its role, include electron transporting compounds described above, when the hole transport layer 41 serves as a host material, an aromatic described above amine compounds and hydrazone compounds. 上記ドーパントが正孔輸送層および/または電子輸送層中にドープされる場合、各層の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。 If the dopant is doped into the hole transport layer and / or electron transport layer, but is uniformly doped in each layer in the thickness direction, there may be a concentration distribution in the film thickness direction. 例えば、正孔輸送層との界面近傍にのみドープしたり、逆に、陰極界面近傍にドープしてもよい。 For example, by doping only in the vicinity of the interface with the hole transport layer, conversely, it may be doped in the vicinity of the cathode interface.

【0032】本発明においては、フルカラー発光を達成するために、以下の2つの方法が考えられる。 [0032] In the present invention, in order to achieve full-color emission is considered the following two methods. 一つは、 one,
素子を白色発光させ、その白色光を、発光変換層としてカラフィルターを用いて青、緑、赤の3色に分解する方法である。 The device is a white light emitting, the white light, blue with a color filter as luminescence conversion layer, a green, a method of decomposing into three colors of red. もう一つの方法としては、素子を青色発光させて、その青色光を、発光変換層として蛍光変換層を用いることにより、青はそのままの色で取り出し、緑と赤については緑色蛍光材料と赤色蛍光材料により色変換を行うことにより、青、緑、赤の3色を得る。 Another method is by the blue light emitting element, the blue light, by using a fluorescence conversion layer as luminescence conversion layer, blue extraction as it color, green fluorescent material and red fluorescence for the green and red by performing the color conversion by the material, get blue, green, three colors of red. 従って、有機発光層としては白色発光または青色発光が可能な層構成とする必要がある。 Therefore, it is necessary to be white emission or blue light emission possible layer configuration as the organic light emitting layer. この目的のために、例えば、電子輸送層に発光機能をもたせて、以下の層構成とすることができる。 For this purpose, for example, it imparted a light emitting function in the electron transporting layer may be a following layer structure.

【0033】白色発光の場合には、図7に示すように、 [0033] In the case of white light emission, as shown in FIG. 7,
例えば、電子輸送層42を3つの領域42a,42b, For example, an electron transport layer 42 three regions 42a, 42b,
42cに分けて、正孔輸送層41に接する方から青色発光層42a、緑色発光層42b、赤色発光層42cとすれば、各層からの発光が重ね合わさって白色発光を得ることができる。 Divided into 42c, if the person in contact with the hole transport layer 41 blue emitting layer 42a, green emitting layer 42b, and red emitting layer 42c, white emission can be obtained by superposing the emission from each layer. 白色の色バランスを取るためには、青から赤の各発光層の膜厚を調整することで容易にできる。 To take the white color balance can be easily by adjusting the thickness of the light-emitting layers of red from blue.
各色の発光層に用いられる材料としては、既述した電子輸送層に用いられるホスト材料、さらには、ドープ色素と組み合わせて使用することができる。 The material used in the light emitting layer for each color, the host material for the electron transport layer described above, can further be used in combination with doping dye.

【0034】青色発光の場合には、既に挙げた電子輸送層材料のなかで、青色蛍光を示すホスト材料と、必要に応じて、青色蛍光色素をドープした電子輸送層を形成することで、図5および図6に示した構造により、青色発光を得ることができる。 [0034] In the case of blue emission, among already mentioned electron transport layer material, a host material exhibiting blue fluorescence, if necessary, by forming the electron transport layer doped with a blue fluorescent dye, Figure the structure shown in 5 and 6, it is possible to obtain blue light emission. 有機電界発光素子の発光効率をさらに向上させる方法として、電子輸送層42の上にさらに電子注入層43を積層することもできる(図8参照)。 As a method for further improving the luminous efficiency of the organic electroluminescent device, can be further laminated electron injection layer 43 on the electron transport layer 42 (see FIG. 8). この電子注入層43に用いられる化合物には、陰極からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいことが要求される。 This compound for the electron injecting layer 43, is easy electron injection from the cathode, the electron transporting capability is required that even greater. この様な電子輸送材料としては、既に電子輸送層材料として挙げた8−ヒドロキシキノリンのアルミ錯体、オキサジアゾール誘導体(App As such electron transporting materials, aluminum complexes already 8-hydroxyquinoline mentioned as the electron transport layer material, oxadiazole derivatives (App
l. l. Phys. Phys. Lett. Lett. ,55巻,1489頁,19 , Vol. 55, 1489 pp., 19
89年他)やそれらをポリメタクリル酸メチル(PMM 89 years, etc.) and their polymethylmethacrylate (PMM
A)等の樹脂に分散した系(Appl.Phys.Le Dispersed system in resin A) and the like (Appl.Phys.Le
tt. tt. ,61巻,2793頁,1992年)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2 , 61, pp. 2793, 1992), phenanthroline derivatives (JP-A-5-331459), 2
−t−ブチル−9,10−N,N′−ジシアノアントラキノンジイミン(Phys.Stat.Sol. -t- butyl -9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine (Phys.Stat.Sol.
(a),142巻,489頁,1994年)、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛等が挙げられる。 (A), 142 vol, 489 pp., 1994), n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide and the like. 電子注入層の膜厚は、通常、5〜2 The thickness of the electron injection layer is usually 5 to 2
00nm、好ましくは10〜100nmである。 00nm, preferably 10~100nm.

【0035】<方法B>下部電極(陰極)には透明性が要求されないので、通常、電子注入に必要とされる仕事関数を満たす金属が用いられる。 [0035] <Method B> because transparency to the lower electrode (cathode) is not required, usually, the metal is used to satisfy a work function required for electron injection. 仕事関数の値としては4.0eV以下が望ましいが、この値を満たす金属は酸化されやすく、表面に酸化膜が生成すると電子注入が困難になる場合が多い。 Although less desirable 4.0eV as the value of the work function, a metal satisfying this value easily oxidized, often the oxide film is formed on the surface electron injection become difficult. また、低仕事関数金属をウェットプロセスを用いてパターニングする際に、表面酸化や腐食は避けられないと考えられる。 Further, the low work function metal in patterning using a wet process, surface oxidation or corrosion is considered inevitable. 従って、下部電極の表面部分のみを低仕事関数材料層として、大半の部分は低抵抗の金属、例えば、銅、アルミニウム等で形成することが望ましい。 Therefore, only the surface portion of the lower electrode as the low work function material layer, most part of the low resistance metal, e.g., copper, is preferably formed of aluminum or the like. この低仕事関数材料層の膜厚は、2〜1 The thickness of the low work function material layer is 2 to 1
00nm、好ましくは5〜50nm程度である。 00nm, and preferably about 5~50nm.

【0036】この場合、低仕事関数材料層は、例えば、 [0036] In this case, the low work function material layer is, for example,
真空蒸着方法で形成することが可能である。 It can be formed by a vacuum deposition method. 図2に示す様に、アクティブ駆動用のTFTのソース及びドレイン電極は、上部電極との短絡を防ぐために絶縁性保護膜1 As shown in FIG. 2, the source and drain electrodes of the TFT for active driving, the insulating protective film in order to prevent a short circuit between the upper electrode 1
2で被覆される。 It is coated with 2. この絶縁性保護膜は下部電極の部分以外は、完全に覆う格好となる。 The insulating protective film except portions of the lower electrode, and dressed completely covered. TFT部分とこの絶縁性保護膜を合わせると、下部電極から絶縁性保護膜の頂上までの距離は3μm程度となる。 Together this insulating protective film and TFT portion, the distance from the lower electrode to the top of the insulating protective film is about 3 [mu] m. 低仕事関数材料層の膜厚は、前述の様に非常に薄いので、真空蒸着法では壁端部で容易に段差切れを起こすので、電気的には下部電極上の部分だけが接続される。 The thickness of the low work function material layer is so thin as described above, in the vacuum vapor deposition method because it causes easily step out in wall end portion and electrically connected by portions of the lower electrode. 絶縁性保護膜の上に形成された部分は、電気的には絶縁状態なので、発光には何の寄与もしない。 The portion formed on the insulating protective film, since the electrically insulated state, do nothing contribution to light emission.

【0037】前記低仕事関数材料としては、方法Aで挙げた材料が用いられる。 [0037] As the low work function material, the material mentioned in the method A is used. また、上記低仕事関数層の代わりに、方法Aで示した界面層を用いることができる。 Further, instead of the low work function layer may be a surface layer described in the method A. 材料と膜厚については、方法Aですでに述べてある。 The material and film thickness, are already described in the method A. 上部電極(陽極)としては透明電極が必要であるが、正孔を効率よく注入するためには、4.6eV以上の仕事関数を有する材料が望ましい。 As the upper electrode (anode) is required transparent electrodes, in order to inject holes efficiently, it is desirable material having a work function of more than 4.6 eV. この目的のためには、ITO For this purpose, ITO
やZnOの様な透明酸化物導電材料が使用される。 Transparent oxide conductive material such as or ZnO is used. 透明酸化物導電による上部電極を形成する前に、より仕事関数の高い金属(金、パラジウム等)を半透明状態で形成して、素子特性を向上させてもよい。 Before forming the upper electrode of a transparent conductive oxide, having higher work function metal (gold, palladium, etc.) to form a semi-transparent state, it may be improved device characteristics.

【0038】上部電極の形成方法としては、先に述べた絶縁性保護膜の壁側面にも段差切れを起こすことなく成膜されることが必要なので、スパッタ法の様に低真空度でつきまわりよく成膜できる方法が望ましい。 [0038] As a method of forming the upper electrode, so that need to be in the wall side of the insulating protective film described above is formed without causing a step breakage, Mawari per at a low vacuum as the sputtering good film formation can method is desirable. 上部透明導電層は、膜厚5〜1000nm、好ましくは10〜5 The upper transparent conductive layer, thickness 5 to 1000 nm, preferably 10 to 5
00nm程度で積層される。 They are stacked in the order of 00nm. また上部電極については表示面積全体にわたってベタの成膜で構わない。 Further may a solid film forming over the entire display area of ​​the upper electrode.

【0039】有機発光層9の構造については、方法Aで述べた層構成と逆の積層順になる。 [0039] The structure of the organic light-emitting layer 9, the lamination order of the layer structure opposite described in method A. すなわち、図5の構成においては、基板、下部電極、電子輸送層、正孔輸送層、上部電極の順となる。 That is, in the configuration of FIG. 5, a substrate, a lower electrode, an electron transport layer, a hole transport layer, in the order of the upper electrode. 図6、図7の構造についても同様である。 6, the same applies to the structure of FIG. 最後に、発光変換層7及びそれが形成される透明支持体24について説明する。 Finally, a description will be given of a transparent support 24 which luminescence conversion layer 7 and which it is formed. 透明支持体の役割は、発光変換層を支持して有機電界発光セルからの発光を取り出すことに加えて、素子を封止するための外気から遮断する機能を兼ね備えている。 The role of the transparent support, in addition to the light emitted from the organic electroluminescence cell supports the luminescence conversion layer has both the function of shielding from the outside air for sealing the element. この目的のためには、ガラス、石英、適当なガスバリア層をコートした樹脂が使用されるが、一般的には、ガラス板が、コスト、 For this purpose, glass, quartz, a resin coated with a suitable barrier layer is used, in general, a glass plate, the cost,
耐熱性、耐薬品性を考慮すると好ましい。 Heat resistance, preferable in consideration of the chemical resistance.

【0040】発光変換層については、既述した様に2つの方式がある。 [0040] A light-emitting conversion layer, there are two methods as previously described. 白色発光素子と組み合わせる場合には、 When combined with the white light emitting element,
カラーフィルタをブラックマトリックスとともに前記透明支持体上に形成する。 A color filter with black matrix formed on the transparent support. 形成方法は既存のカラーフィルタ技術と何ら変わるところはない。 Forming method is not the place to change any existing color filter technology. 蛍光変換層の場合には、顔料の代わりに蛍光色素を樹脂媒体に分散したものが用いられる。 In the case of the fluorescent conversion layer, which a fluorescent dye instead of pigment dispersed in a resin medium is used. 蛍光変換と同時にカラーフィルタの機能をもたせることも可能である。 It is also possible to have a fluorescence conversion at the same time as the color filter function.

【0041】上記の様にして作製された、有機電界発光素子を支持する絶縁性基板と発光変換層が形成された透明支持体は、適当なスペーサと熱硬化または光硬化樹脂等により外気より遮断されて封止されるが、その際にスペーサとしては1〜20μmのサイズのものを用いて、 [0041] have been fabricated in a manner described above, the insulating substrate and the transparent support luminescence conversion layer is formed to support the organic electroluminescent device, blocked from the outside air by a suitable spacer and a thermosetting or photocurable resin although sealed with sealing is, as the spacer when the using of a size of 1 to 20 [mu] m,
絶縁性基板と透明支持体間の距離を規定することが好ましい。 It is preferred to define the distance between the insulating substrate and the transparent support. 1μ未満の距離では、取り扱いの際に素子に損傷を与える可能性があり、20μ以上の距離では、視野角により有機電界発光素子が形成する発光部分と透明支持体上の発光変換層の水平方向の位置ずれが起きる。 The distance of less than 1 [mu], may damage the device during handling, the length of the above 20 [mu], horizontal luminescence conversion layer on the light emitting portion and a transparent support organic electroluminescent device formed by the viewing angle positional deviation of the occurs.

【0042】 [0042]

【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 EXAMPLES Next, the present invention will be described examples in more detail, the present invention as long as not exceeding the gist thereof, it is not limited to the following examples. 以下に有機電界発光素子の製作例を示す。 It is shown below production example of an organic electroluminescent device.

【0043】実施例1(方法A) 方法Aに従って、以下に示すプロセスで素子を作製した。 [0043] according to Example 1 (Method A) method A, to prepare a device in the process shown below. TFT素子の設計としては、図3に示した回路図において、第1のTFTのゲート長を20ミクロン、ゲート幅を100ミクロンとし、第2のTFTのゲート長を20ミクロン、ゲート幅を600ミクロンとした。 The design of the TFT element, the circuit diagram shown in FIG. 3, the gate length of the first TFT 20 microns, the gate width is 100 microns, the gate length of the second TFT 20 microns, the gate width 600 microns and the. 画素面積は600ミクロン×600ミクロン、画素間隔は8 Pixel area of ​​600 microns × 600 microns, the pixel interval 8
00ミクロン×800ミクロンで、開口率を56%とした。 00 microns × 800 microns, was an aperture ratio of 56%.

【0044】以下に各製作工程について、図8に従って説明する。 [0044] For each manufacturing process to below, it will be described with reference to FIG. 8. (a)下部電極及びゲート電極形成工程 無アルカリガラス(コーニング社製7059)基板上に、Alを膜厚200nmで抵抗加熱法により真空蒸着したものに、さらにAuをAl膜上に膜厚20nmで積層したものを、通常のフォトリソグラフィー技術とウェットエッチング技術により下部電極(陽極)22及びのゲート電極のパターニングを行った。 (A) the lower electrode and the gate electrode forming step non-alkali glass (manufactured by Corning 7059) substrate, in which vacuum deposited by a resistance heating method at a film thickness of 200nm and Al, further a thickness 20nm of Au on Al film a material obtained by laminating, was patterned lower electrode (anode) 22 and the gate electrode of the conventional photolithography technique and wet etching technique. この下部電極(陽極)の仕事関数を、理研計器製表面分析装置(AC− The work function of the lower electrode (anode), manufactured by Riken Keiki Co., surface analyzer (AC-
1)で測定したところ4.8eVであった。 Was 4.8eV was measured at 1).

【0045】(b)ゲート絶縁膜、半導体層、オーミックコンタクト層成膜工程 工程(a)で作製した基板を、プラズマCVD装置にセットし、以下の表−1に示す条件で各層3b,4b,5 [0045] (b) a gate insulating film, semiconductor layer, the substrate manufactured in ohmic contact layer forming step step (a), the set in the plasma CVD apparatus, each layer 3b under the conditions shown in Table 1 below, 4b, 5
bを連続成膜した。 The b was continuously formed.

【0046】 [0046]

【表1】 [Table 1]

【0047】(c)a−Siパターニング工程 上記のプラズマCVD装置から基板を取り出して、通常のフォトリソグラフィー技術とSF 6ガスを用いたプラズマエッチングによりa−Siのパターニングを行った。 [0047] (c) of a-Si patterning process the plasma CVD apparatus takes out the substrate was patterned in a-Si by plasma etching using a conventional photolithographic technique and SF 6 gas. (d)ソース及びドレイン電極形成工程 通常のフォトリソグラフィー技術と電子ビーム蒸着により、50nmのCr層と100nmのAl層とを順次積層したドレイン及びソース電極を形成した。 The (d) the source and drain electrode formation step conventional photolithography technique and electron beam evaporation, to form a sequentially laminated drain and source electrodes and the Al layer of Cr layer and 100nm of 50nm.

【0048】(e)n + a−Si層エッチオフ工程 通常のフォトリソグラフィー技術とSF 6ガスを用いたプラズマエッチングにより、ソース及びドレイン電極をマスクとしてn + a−Siの層のエッチングを行い、チャンネルを形成した。 [0048] The plasma etching using (e) n + a-Si layer etching off process ordinary photolithography technique and SF 6 gas, etching of the layer of n + a-Si source and drain electrode as a mask, to form a channel. 上記工程(a)〜工程(e)で作製した有機電界発光パネルのa−SiTFTの特性を評価したところ、移動度(μFE)は0.5cm 2 /V・ Evaluation of the properties of a-SiTFT organic electroluminescent panel fabricated in the above step (a) ~ step (e), the mobility (μFE) is 0.5 cm 2 / V ·
sec、しきい値は3Vであった。 sec, the threshold was 3V.

【0049】(f)アクティブ・マトリクス回路保護用の絶縁膜形成工程 アルカリ現像型透明耐熱レジスト材料(新日鉄化学(株)製;V−259PA)を用いて通常のフォトリソグラフィー技術により膜厚1.3μmの絶縁層を形成した。 [0049] (f) active matrix circuit protection insulating film formation step alkali development type transparent heat-resistant resist material (manufactured by Nippon Steel Chemical (Co.); V-259PA) thickness 1.3μm by conventional photolithography using a It was formed in the insulating layer. (g)有機電界発光層成膜工程(白色発光セル) 工程(f)までで出来上がった駆動回路基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄、純水で水洗、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を行った後、蒸着部分を限定する密着マスクをつけて真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が2×10 -6 Torr以下になるまで油拡散ポンプを用いて排気した。 (G) a drive circuit board finished up the organic electroluminescent layer deposition step (white light-emitting cells) step (f), ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, washed with pure water, dried with dry nitrogen, the UV / ozone cleaning after, then placed in a vacuum deposition apparatus with a contact mask to limit the evaporation portion was evacuated using an oil diffusion pump to a vacuum degree in the apparatus is equal to or less than 2 × 10 -6 Torr.

【0050】以下、図7に示す構造の白色発光機能を有する有機電界発光素子部分を作製した。 [0050] Hereinafter, to manufacture an organic electroluminescent device portion having a white light-emitting function of the structure shown in FIG. 上記真空装置内に配置されたモリブデンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン(H1)(結晶形はβ型)を加熱して蒸着を行った。 Copper phthalocyanine (H1) shown below was put into place molybdenum boat in the vacuum device (crystal form β-type) was deposited by heating. 真空度2×10 -6 Torr(約2.7×10 Vacuum 2 × 10 -6 Torr (about 2.7 × 10
-4 Pa)、蒸着速度0.3nm/秒で蒸着を行ない、膜厚20nmの陽極バッファ層40を得た。 -4 Pa), subjected to evaporation at a deposition rate of 0.3 nm / sec to obtain an anode buffer layer 40 having a thickness of 20 nm.

【0051】 [0051]

【化1】 [Formula 1]

【0052】次に、前記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、以下に示す、4,4′−ビス〔N− Next, was placed in a ceramic crucible placed within the apparatus, described below, 4,4'-bis [N-
(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(H2)をるつぼの周 (1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl (H2) the circumference of the crucible

【0053】 [0053]

【化2】 ## STR2 ##

【0054】囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。 [0054] was heated and deposited in a tantalum wire heater of the circumference. この時のるつぼの温度は、250〜260℃の範囲で制御した。 Temperature at this time of the crucible was controlled in the range of 250 to 260 ° C.. 蒸着時の真空度1.7×10 -6 Tor Vacuum degree during vapor deposition 1.7 × 10 -6 Tor
r(約2.3×10 -4 Pa)、蒸着速度0.3〜0.5 r (about 2.3 × 10 -4 Pa), deposition rate 0.3-0.5
nm/秒で膜厚60nmの正孔輸送層41を得た。 To obtain a hole transport layer 41 of thickness 60nm in nm / sec. 青色発光機能を有する電子輸送層42aの材料として、以下の構造式に示す亜鉛オキサジアゾール錯体(E1)を、 As the material of the electron transport layer 42a having a blue light-emitting function, zinc oxadiazole complex represented by the following structural formula (E1),
るつぼ温度は200〜210℃の範囲で制 Crucible temperature control in the range of 200~210 ℃

【0055】 [0055]

【化3】 [Formula 3]

【0056】御し、蒸着時の真空度は1.5×10 -6 [0056] Gyoshi, vacuum degree during deposition was 1.5 × 10 -6 T
orr(約2.0×10 -4 Pa)、蒸着速度は0.2〜 orr (about 2.0 × 10 -4 Pa), the deposition rate 0.2
0.3nm/秒で、蒸着された青色発光層の膜厚は30 In 0.3 nm / sec, the film thickness of the deposited blue-emitting layer 30
nmであった。 It was nm. 次に、緑色発光層42bを形成する材料として、以下に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E2)を同様にして蒸着した。 Next, materials for forming the green emitting layer 42b, was deposited in the same manner 8-hydroxyquinoline complex (E2) of aluminum shown below. この時のるつぼ温度は270〜300℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.5×10 -6 Torr(約2.0×10 -4 The crucible temperature for the controlled in the range of 270 to 300 ° C., vacuum degree during deposition was 1.5 × 10 -6 Torr (about 2.0 × 10 -4 P
a)、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒、膜厚15n a), the deposition rate 0.1~0.2nm / sec, film thickness 15n
mで青色発光層42aの上に積層した。 It was laminated on the blue emitting layer 42a by m.

【0057】発光層の最後として、赤色発光層42c [0057] as the last of the light-emitting layer, the red light-emitting layer 42c
を、ホスト材料としてアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E2)を、ドープ色素として、以下の構造式に示す4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6− The aluminum 8-hydroxyquinoline complex (E2) as the host material, as doping dye is shown below in Structural Formula 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6-
(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DC (P- dimethylaminostyryl) -4H- pyran (DC
M)(D1)用いた。 M) (D1) was used.

【0058】 [0058]

【化4】 [Of 4]

【0059】この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は270〜300℃の範囲で、 [0059] The temperature of the crucible for the aluminum 8-hydroxyquinoline complex in this range of 270 to 300 ° C.,
DCMのるつぼ温度は100〜110℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.3×10 -6 Torr(約1. The temperature of the crucible DCM is adjusted in the range of 100 to 110 ° C., vacuum degree during deposition was 1.3 × 10 -6 Torr (about 1.
7×10 -4 Pa)、蒸着速度は0.1nm/秒で、膜厚15nmで緑色発光層42cの上に積層した。 7 × 10 -4 Pa), the deposition rate is 0.1 nm / sec, were laminated on a thickness of 15nm of the green light emitting layer 42c. DCMがアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体に含有された量は2重量%であった。 DCM amount contained in the 8-hydroxyquinoline complex of aluminum was 2 wt%. 上記の陽極バッファ層40、 The above anode buffer layer 40,
正孔輸送層41及び各電子輸送層42a〜42cを真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。 Substrate temperature at the time of vacuum deposition of the hole transport layer 41 and the electron transport layer 42a~42c was kept to room temperature.

【0060】(h)上部電極形成工程 ここで、電子輸送層42までの蒸着を行った素子を、上部電極の蒸着領域及び電極取り出し部を規定するシャドー−マスクに交換した後、素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2×10 -6 Torr(約2.7×10 -4 Pa)以下になるまで排気した。 [0060] (h) where the upper electrode forming step, a device which had been subjected to vacuum deposition up to the electron transport layer 42, the shadow defining a deposition region and the electrode extraction portion of the upper electrode - after exchanging a mask, brought into close contact with the element Te, was evacuated to a vacuum degree in the apparatus in the same manner as the organic layer was placed in another vacuum deposition apparatus is below 2 × 10 -6 Torr (about 2.7 × 10 -4 Pa). 続いて、陰極4として、マグネシウムと銀の合金電極を2元同時蒸着法によって膜厚20 Subsequently, as the cathode 4, the film thickness by 2-way simultaneous evaporation an alloy electrode of magnesium and silver 20
nmとなるように蒸着した。 It was deposited in such a way that nm. 蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度5×10 -6 Torr(約6.7×10 -4 Deposition using a molybdenum boat, vacuum 5 × 10 -6 Torr (about 6.7 × 10 -4
Pa)、蒸着時間3分20秒で行った。 Pa), was carried out at a deposition time of 3 minutes and 20 seconds. また、マグネシウムと銀の原子比は10:1.4とした。 In addition, the atomic ratio of magnesium and silver was 10: 1.4. この組成のマグネシウム合金の仕事関数は、3.6eVであった。 The work function of the magnesium alloy of the composition was 3.6 eV. 引き続き、素子をスパッタ装置に移動させ、ITO膜を1 Subsequently, moving the device to a sputtering apparatus, an ITO film 1
50nmの膜厚でマグネシウム・銀合金膜の上に積層して上部電極23を完成させた。 Thus completing the upper electrode 23 are laminated on top of the magnesium-silver alloy film with a film thickness of 50nm. スパッタは通常のRFマグネトロンスパッタ法により、素子は加熱せずに行った。 Sputtering by conventional RF magnetron sputtering method, the device was performed without heating. ITOのスパッタ条件としては、アルゴン−酸素の混合ガス(酸素濃度0.1%)、圧力3×10 -3 Tor The sputtering conditions of ITO, argon - mixed gas of oxygen (oxygen concentration 0.1%), pressure 3 × 10 -3 Tor
r(約0.4Pa)、電力密度0.1W/cm 2 、ターゲットと基板間距離はプラズマダメージを防ぐために1 r (about 0.4 Pa), the power density of 0.1W / cm 2, 1 is a target and the substrate distance to prevent plasma damage
0cmとした。 It was 0cm. 上記のようにして得られたITO膜の仕事関数は4.7eVであった。 The work function of the ITO film obtained as described above was 4.7 eV.

【0061】(i)保護膜形成工程 上部電極まで形成した素子上に、さらに、同じスパッタ装置内でターゲットをSiO 2として、透明なSiO 2 [0061] (i) a protective film formed on the step on the device formed to the upper electrode, and further, a SiO 2 target in the same sputtering apparatus, a transparent SiO 2
保護膜を膜厚1000nmで形成した。 The protective film was formed to have a film thickness of 1000 nm. (j)封止工程 工程(i)まで終了した素子を、ドライ窒素で置換したボックス内に取り出し、予め、発光変換層としてカラーフィルタ(青、緑、赤)を有機電界発光セルの電極パターンと一致する様にパターニングしたガラス基板を、周辺部に光硬化性樹脂を塗布したTFTと有機発光セル基板と、マーカーにより位置合わせを行った後、UV露光し硬化処理を完成した。 The (j) element ends to sealing process step (i), taken up in box purged with dry nitrogen, previously, the color filter as a luminescence conversion layer (blue, green, red) and the electrode pattern of the organic electroluminescent cells the glass substrate was patterned so as to coincide, the TFT and the organic light emitting cell substrate with a photocurable resin is applied to the peripheral portion, after the alignment by the marker, and completed the UV exposure and curing. この時、光硬化樹脂に直径5μ At this time, the diameter photocurable resin 5μ
mのシリカビーズを分散させることにより、有機発光セル基板とカラーフィルタ基板との距離を5μmと設定した。 By dispersing the silica beads m, and set the distance between the organic light emitting cell substrate and the color filter substrate and 5 [mu] m. カラーフィルタは通常知られている方法に従って、 According to the method color filter is commonly known,
カラーレジストを用いて形成し、その上に透明平滑化層を設け、全膜厚は3μmとした。 Formed using a color resist, a transparent smoothing layer thereon, total film thickness was 3 [mu] m.

【0062】上記の工程で完成した、有機電界発光素子を駆動させたところ、各カラーフィルタ層で変換された赤、緑、青の発光が確認できた。 [0062] was completed in the above process, it was to drive the organic light emitting element, red has been converted in each of the color filter layer, green, blue emission could be confirmed. また、青、緑、赤の各サブピクセルの発光輝度を階調制御することにより、フルカラー画像を達成できた。 Also, blue, green, by gradation control the emission luminance of each subpixel of red, was able to achieve a full-color image. 実施例2(方法B) 方法Bに従って、以下に示すプロセスで素子を作製した。 According to Example 2 (Method B) method B, submitted to produce a device in the process shown below. TFT素子の設計は、実施例1と同じである。 Design of the TFT element is the same as in Example 1. 以下に各製作工程について、図8に従って説明する。 Each manufacturing step will be described below with reference to FIG. (a′)下部電極及びゲート電極形成工程 無アルカリガラス(コーニング社製7059)基板上に、Alを膜厚200nm、さらにCrを膜厚50nm (A ') to the lower electrode and the gate electrode forming step non-alkali glass (manufactured by Corning 7059) substrate, the thickness of Al 200 nm, further thickness 50nm of Cr
でスパッタリング法で形成したものを、通常のフォトリソグラフィー技術とウェットエッチング技術により下部電極(陰極)22及びゲート電極のパターニングを行った。 In one formed by sputtering, it was patterned lower electrode (cathode) 22 and the gate electrode by a normal photolithography technique and wet etching technique.

【0063】工程(b)〜工程(f)は実施例1と同様にして行う。 [0063] Step (b) ~ step (f) is carried out in the same manner as in Example 1. (g′)有機電界発光層成膜工程(青色発光セル) 引き続いて、下部電極(陰極)の低仕事関数層を、以下の方法で形成した。 (G ') and subsequently the organic electroluminescent layer deposition step (blue light emitting cell), the low work function layer of the lower electrode (cathode) was formed by the following method. 工程(f)までので出来上がった駆動回路基板を、イソプロピルアルコールで超音波洗浄、 Since up to the step (f) the finished driving circuit board, ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol,
純水で水洗、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を行った後、蒸着領域及び電極取り出し部を規定するシャドーマスクを素子に密着させて、真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2×10 -6 Tor Washed with pure water, dried with dry nitrogen, after UV / ozone cleaning, it makes good contact with the shadow mask defining a deposition region and electrode extraction portion on the element, in the same manner as the organic layer was placed in a vacuum deposition apparatus 2 × 10 -6 Tor vacuum degree in the apparatus Te
r(約2.7×10 -4 Pa)以下になるまで排気した。 r was evacuated to (about 2.7 × 10 -4 Pa) or less.
下部電極の低仕事関数層として、マグネシウムと銀の合金電極を2元同時蒸着法によって膜厚50nmとなるように蒸着した。 As the low work function layer of the lower electrode, was deposited alloy electrode of magnesium and silver to be a film thickness of 50nm by binary simultaneous vapor deposition. このマグネシウム合金の仕事関数は、 The work function of the magnesium alloy,
3.6eVであった。 It was 3.6eV.

【0064】以下、図8に示す構造の白色発光機能を有する有機電界発光素子部分を作製した。 [0064] Hereinafter, to manufacture an organic electroluminescent device portion having a white light-emitting function of the structure shown in FIG. 実施例1の作製工程と同様にして、銅フタロシアニン(H1)から成る膜厚20nmの陽極バッファ層40と、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(H2)から成る膜厚60nmの正孔輸送層41を形成した。 And in the process of producing the first embodiment, the anode buffer layer 40 having a thickness of 20nm made of copper phthalocyanine (H1), 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl ( to form a hole transport layer 41 of thickness 60nm consisting H2). 次に、青色発光機能を有する電子輸送層42 Then, an electron transport layer having a blue light-emitting function 42
のホスト材料として、以下の構造式に示す2−メチル− As the host material, shown in the following structural formula 2-methyl -
8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム2角錯体(E Aluminum 2 square complexes of 8-hydroxyquinoline (E
1)と、 And 1),

【0065】 [0065]

【化5】 [Of 5]

【0066】ドープ色素として以下の構造式に示すペリレン(D2)を、各々、別々のるつぼ [0066] perylene (D2) shown in the following structural formula as a doping dye, each separate crucibles

【0067】 [0067]

【化6】 [Omitted]

【0068】を用いて2元蒸着を行った。 [0068] was carried out for 2 yuan deposited using. この時のアルミニウム2核錯体のるつぼ温度は300〜320℃の範囲で、ペリレンのるつぼ温度は110〜120℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.8×10 -6 Torr In crucible temperature in the range of 300 to 320 ° C. Aluminum binuclear complex in this crucible temperature of perylene was controlled in the range of 110 to 120 ° C., vacuum degree during deposition was 1.8 × 10 -6 Torr
(約2.4×10 -4 Pa)、蒸着速度は0.2〜0.3 (About 2.4 × 10 -4 Pa), the deposition rate 0.2-0.3
nm/秒で、膜厚45nmの青色発光層を正孔輸送層4 In nm / sec, a hole transport layer 4 blue light-emitting layer having a thickness of 45nm
1の上に積層した。 It was laminated on top of the 1.

【0069】最後に、電子注入層としてアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E2)を用いた。 [0069] finally, using aluminum 8-hydroxyquinoline complex (E2) as an electron injection layer. この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は270〜280℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.3×10 -6 Torr(約1.7×10 -4 The temperature of the crucible for the aluminum 8-hydroxyquinoline complex in this procedure was controlled within the range of 270-280 ° C., vacuum degree during deposition was 1.3 × 10 -6 Torr (about 1.7 × 10 -4 P
a)、蒸着速度は0.2〜0.3nm/秒で、膜厚30 a), the deposition rate in the 0.2~0.3nm / sec, film thickness 30
nmの電子注入層を電子輸送層の上に積層した。 The electron injection layer of nm were stacked on the electron transport layer. 上記の陽極バッファ層40、正孔輸送層41、電子輸送層42 The above anode buffer layer 40, the hole transport layer 41, an electron transport layer 42
及び電子注入層43を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。 And substrate temperature at the time of vacuum deposition of the electron injection layer 43 was kept to room temperature.

【0070】(h′)上部電極形成工程 続いて、上部電極(陽極)として、ITO膜を150n [0070] (h ') followed upper electrode forming step, as an upper electrode (anode), an ITO film 150n
mの膜厚で形成した。 It was formed to a thickness of m. スパッタは通常のRFマグネトロンスパッタ法により、素子は加熱せずに行った。 Sputtering by conventional RF magnetron sputtering method, the device was performed without heating. ITO ITO
のスパッタ条件としては、アルゴン−酸素の混合ガス(酸素濃度0.1%)、圧力3×10 -3 Torr(約0.4Pa)、電力密度0.1W/cm 2 、ターゲットと基板間距離はプラズマダメージを防ぐために10cm The sputtering conditions, argon - mixed gas of oxygen (oxygen concentration 0.1%), pressure 3 × 10 -3 Torr (about 0.4 Pa), the power density of 0.1 W / cm 2, the target and the substrate distance is 10cm in order to prevent the plasma damage
とした。 And the. この陽極の仕事関数は4.7eVであった。 The work function of the anode was 4.7eV.

【0071】続いて、方法Aと同様にして、保護膜形成工程(i)を経た後、発光変換層として蛍光変換層を用いた他は実施例1と同様にして封止工程(j)を行い、 [0071] Subsequently, in the same manner as in the method A, after a protective film forming step (i), the sealing step except for using phosphor conversion layer as luminescence conversion layer in the same manner as in Example 1 (j) done,
全行程を完了させた。 To complete the entire process. 蛍光変換層としては青色発光はそのまま用いるので必要なく、緑色蛍光変換層に関してはクマリン6をPMMAに3重量%分散させたものを、赤色蛍光変換層としてはクマリン6を1重量%、フェノキサゾン660をPMMA中に2重量%分散させた後、透明平滑化層を積層して、全膜厚3μmで形成した。 Without since blue emission is used as it is as a fluorescent conversion layer, those coumarin 6 was 3 wt% dispersed in PMMA with respect to the green fluorescence conversion layer, 1 wt% of coumarin 6 as a red fluorescence conversion layer, phenoxazone 660 after 2 wt% dispersed in PMMA, by laminating a transparent smoothing layer was formed in the total thickness 3 [mu] m.

【0072】上記の工程で完成した、有機電界発光素子を駆動させたところ、各蛍光変換層で変換された鮮明な赤、緑、青の発光が確認できた。 [0072] was completed in the above process, was to drive the organic light emitting element, vivid red converted by each of the fluorescent conversion layer, green, and blue emission could be confirmed.

【0073】 [0073]

【発明の効果】本発明においては、アクティブ・マトリクス回路及び有機電界発光セルを形成した絶縁性基板と、発光変換層を設けた透明支持基板を対向して設けることにより、優れた表示能力を有する有機電界発光素子が提供できるとともに、歩留まりがよく、コスト的にも有利なパネルを製造することができる。 In the present invention, an insulating substrate formed with an active matrix circuit and an organic electroluminescence cell, by providing facing the transparent supporting substrate provided with luminescence conversion layer, has excellent display capability it is possible to provide an organic electroluminescent device, the yield is good, it is possible to produce an advantageous panel in cost. 従って、本発明の有機電界発光パネルはフラットパネル・ディスプレイ(例えばOA用、FA用及びLA用コンピュータや壁掛けテレビ)の分野や計測機器類の表示パネルへの応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。 Accordingly, the organic electroluminescent panel of the present invention is a flat panel display (e.g. for OA, FA and for LA computers and wall-hanging television) applications to the display panel areas and instrumentation such is considered, its technical value it is larger.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】従来の有機電界発光素子の一例を示した模式断面図。 Figure 1 is a schematic sectional view showing an example of a conventional organic electroluminescent device.

【図2】本発明に用いられる有機電界発光素子の一例を示した模式断面図。 Schematic sectional view showing an example of an organic electroluminescent element used in the present invention; FIG.

【図3】本発明の有機電界発光素子の駆動用の回路例。 Circuit for driving the organic electroluminescent device of the present invention; FIG.

【図4】本発明の有機電界発光素子のTFT駆動回路平面図。 [4] TFT driving circuit plan view of an organic light emitting device of the present invention.

【図5】有機電界発光セルの一例を示した模式断面図。 Figure 5 is a schematic sectional view showing an example of the organic electroluminescence cell.

【図6】有機電界発光セルの別の例を示した模式断面図。 Figure 6 is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescence cell.

【図7】有機電界発光セルの別の例を示した模式断面図。 Figure 7 is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescence cell.

【図8】有機電界発光セルの別の例を示した模式断面図。 Figure 8 is a schematic sectional view showing another example of the organic electroluminescence cell.

【図9】本発明の有機電界発光パネルの作製工程例。 [9] manufacturing process example of an organic electroluminescent panel of the present invention.

【図10】本発明の有機電界発光パネルの作製工程例。 [10] manufacturing process example of an organic electroluminescent panel of the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 透明基板 2 TFTのゲート電極 3 ゲート絶縁膜 4 半導体層 5 オーミックコンタクト層 6a,6b ソース電極、ドレイン電極 7 発光変換層 8 陽極 9 有機発光層 10 陰極 11 背面板 21 絶縁基板 22 下部電極(陽極又は陰極) 23 上部電極(陰極又は陽極) 24 透明支持体 31,32 TFT1,TFT2 33 蓄積用コンデンサ 34 走査線 35 データ線 36 コモン線 37 画素下部電極 38 ゲート絶縁膜/半導体層 40 陽極バッファ層 41 正孔輸送層 42,42a〜42c 電子輸送層 43 電子注入層 1 transparent substrate 2 gate electrode 3 gate insulating film of the TFT 4 semiconductor layer 5 ohmic contact layer 6a, 6b source electrode, the drain electrode 7 luminescence conversion layer 8 anode 9 organic light-emitting layer 10 cathode 11 back plate 21 insulating substrate 22 lower electrode (anode or cathode) 23 upper electrode (cathode or anode) 24 transparent support 31,32 TFT1, TFT2 33 storage capacitor 34 scan lines 35 data lines 36 common line 37 pixel bottom electrode 38 a gate insulating film / semiconductor layer 40 anode buffer layer 41 a hole transport layer 42,42a~42c electron transporting layer 43 electron-injecting layer

Claims (25)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 絶縁性基板上に、陽極及び陰極により挟持された、少なくとも有機発光層から成る有機電界発光セルと、前記絶縁性基板上に有機電界発光セルを駆動するアクティブ・マトリクス回路を設けた有機電界発光素子であって、透明支持体を前記絶縁性基板と対向して配置させ、有機電界発光セルからの発光を変換する発光変換層を透明支持体上に設けたことを特徴とする有機電界発光素子。 To 1. A insulating substrate, sandwiched by an anode and a cathode, and an organic electroluminescence cell comprising at least an organic emission layer, an active matrix circuit for driving an organic light emitting cells on the insulating substrate is provided an organic electroluminescent device was, the transparent support is disposed opposite to the insulating substrate, characterized in that a luminescence conversion layer for converting the light emitted from the organic electroluminescent cells on a transparent support The organic electroluminescent device.
  2. 【請求項2】 前記陽極が有機電界発光セルの絶縁性基板側に設けられており、前記陰極が有機電界発光セルの透明支持体側に設けられており、陰極が400〜800 Wherein said anode is provided on the insulating substrate side of the organic electroluminescence cell, the cathode is provided on the transparent support side of the organic electroluminescence cell, the cathode 400 to 800
    nmの可視光領域で60%以上の透過率を有することを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent device according to claim 1, characterized in that it has 60% or more transmittance in the visible light region of nm.
  3. 【請求項3】 前記陰極が、4.0eV以下の低仕事関数材料から成る層と透明導電層が積層されたものであり、低仕事関数材料層が有機発光層に接触していることを特徴とする請求項2記載の有機電界発光素子。 Wherein the cathode, which layer and a transparent conductive layer consisting of the following low work function material 4.0eV are stacked, characterized in that the low work function material layer is in contact with the organic light-emitting layer the organic electroluminescent device of claim 2 wherein.
  4. 【請求項4】 前記低仕事関数材料層の膜厚が、1〜1 Thickness of claim 4 wherein said low work function material layer, 1 to 1
    00nmの範囲にあることを特徴とする請求項3記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent device of claim 3, wherein a is in the range of nm.
  5. 【請求項5】 前記低仕事関数材料層が、マグネシウム合金、アルミニウム合金から選ばれることを特徴とする請求項3乃至4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 Wherein said low work function material layer, a magnesium alloy, an organic electroluminescent device according to any one of claims 3 to 4, characterized in that selected from an aluminum alloy.
  6. 【請求項6】 前記陰極が、有機発光層に接触する界面層と透明導電層が積層されたものであり、前記界面層がアルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物または酸化物から成り、膜厚が0.2〜10nmの範囲にあることを特徴とする請求項2記載の有機電界発光素子。 Wherein said cathode, which interface layer and the transparent conductive layer in contact with the organic light-emitting layer are laminated, the interface layer is made of a fluoride or oxide of alkali metal or alkaline earth metal, film the organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the thickness is equal to or is in the range of 0.2~10Nm.
  7. 【請求項7】 前記透明導電層が、インジウム及び/またはスズの酸化物、または亜鉛酸化物から選ばれることを特徴とする請求項3〜6のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 Wherein said transparent conductive layer, an organic electroluminescent device according to any one of claims 3-6, characterized in that it is selected from indium and / or tin oxide, or zinc oxide.
  8. 【請求項8】 前記陽極が、4.6eV以上の仕事関数を有する金属から成ることを特徴とする請求項2〜7のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 Wherein said anode, an organic electroluminescent device according to any one of claims 2-7, characterized by comprising a metal having a work function of more than 4.6 eV.
  9. 【請求項9】 前記陽極が、4.6eV以上の仕事関数を有する高仕事関数金属層と10 -5 Ωcm以下の抵抗率を有する低抵抗層が積層されたものであり、高仕事関数金属層が有機発光層に接触していることを特徴とする請求項2〜8のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 Wherein said anode, which low-resistance layer is laminated with a high work function metal layer and 10 -5 [Omega] cm or less in resistivity having a work function above 4.6 eV, a high work function metal layer There organic electroluminescent device according to any one of claims 2-8, characterized in that in contact with the organic light-emitting layer.
  10. 【請求項10】 前記陰極が有機電界発光セルの絶縁性基板側に設けられており、前記陽極が有機電界発光セルの透明支持体側に設けられており、陽極が400〜80 Wherein said cathode is provided on the insulating substrate side of the organic electroluminescence cell, the anode is provided on the transparent support side of the organic electroluminescence cell, the anode is 400 to 80
    0nmの可視光領域で60%以上の透過率を有することを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent device according to claim 1, characterized in that it has 60% or more transmittance in the visible light region of 0 nm.
  11. 【請求項11】 前記陽極が、インジウム及び/またはスズの酸化物、または亜鉛酸化物から選ばれることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子。 Wherein said anode, an organic electroluminescent element according to claim 10, characterized in that it is selected from indium and / or tin oxide, or zinc oxide.
  12. 【請求項12】 前記陰極が、4.0eV以下の仕事関数を有する低仕事関数材料層と10 -5 Ωcm以下の抵抗率を有する低抵抗層が積層されたものであり、低仕事関数材料層が有機発光層に接触していることを特徴とする請求項10乃至11のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 12. The cathode, which low-resistance layer is laminated to have a low work function material layer and 10 -5 [Omega] cm or less in resistivity having a work function of 4.0 eV, a low work function material layer There organic electroluminescent device according to any one of claims 10 to 11, characterized in that in contact with the organic light-emitting layer.
  13. 【請求項13】 前記低仕事関数材料層の膜厚が、2〜 The film thickness of 13. The low work function material layer, 2
    100nmの範囲にあることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to claim 12, characterized in that in the range of 100 nm.
  14. 【請求項14】 前記低仕事関数材料が、マグネシウム合金、アルミニウム合金から選ばれることを特徴とする請求項12〜13のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 14. The method of claim 13, wherein the low work function material, a magnesium alloy, an organic electroluminescent device according to any one of claims 12-13, characterized in that it is selected from an aluminum alloy.
  15. 【請求項15】 前記陰極が、有機発光層に接触する界面層と透明導電層が積層されたものであり、前記界面層がアルカリ金属またはアルカリ土類金属のフッ化物または酸化物から成り、膜厚が0.2〜10nmの範囲にあることを特徴とする請求項10記載の有機電界発光素子。 15. The cathode, which interface layer and the transparent conductive layer in contact with the organic light-emitting layer are laminated, the interface layer is made of a fluoride or oxide of alkali metal or alkaline earth metal, film the organic electroluminescent device of claim 10, wherein the thickness is equal to or is in the range of 0.2~10Nm.
  16. 【請求項16】 前記絶縁性基板がガラス基板であることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 16. The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 15, wherein the insulating substrate is characterized in that it is a glass substrate.
  17. 【請求項17】 前記絶縁性基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 17. The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 15, wherein the insulating substrate is a silicon substrate.
  18. 【請求項18】 前記アクティブ・マトリクス回路部分が、絶縁層により被覆されていることを特徴とする請求項1〜17のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 18. The active matrix circuit portion, the organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 17, characterized in that it is covered by an insulating layer.
  19. 【請求項19】 有機電界発光セルの外表面が、透明な絶縁膜で保護されていることを特徴とする請求項1〜1 Claim outer surface of 19. The organic electroluminescent cells, characterized in that it is protected by a transparent insulating film 1 to 1
    8のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to any one of 8.
  20. 【請求項20】 前記透明絶縁膜が無機酸化物、無機窒化物、またはそれらの混合物から成ることを特徴とする請求項19に記載の有機電界発光素子。 20. The transparent insulation film inorganic oxide, an organic electroluminescent device according to claim 19, characterized in that it consists of an inorganic nitride, or mixtures thereof.
  21. 【請求項21】 前記透明絶縁膜がフッ素含有高分子から成ることを特徴とする請求項19〜20に記載の有機電界発光素子。 21. The organic electroluminescence device according to claim 19-20, wherein the transparent insulating film is characterized by comprising a fluorine-containing polymer.
  22. 【請求項22】 前記透明支持体がガラス基板であることを特徴とする請求項1〜21のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 22. The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 21, wherein the transparent support is characterized in that it is a glass substrate.
  23. 【請求項23】 前記発光変換層がカラーフィルタから成ることを特徴とする請求項1〜22のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 23. The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 22, wherein the luminescence conversion layer is characterized by comprising a color filter.
  24. 【請求項24】 前記発光変換層が蛍光色素を含有する蛍光変換層から成ることを特徴とする請求項1〜22のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 24. The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 22, wherein the luminescence conversion layer is characterized by comprising a fluorescence conversion layer containing a fluorescent dye.
  25. 【請求項25】 前記絶縁性基板と前記透明支持体との間の距離が1〜20μmの範囲にあることを特徴とする請求項1〜24のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 25. The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 24 in which the distance between the insulating substrate and the transparent support, characterized in that in the range of 1 to 20 [mu] m.
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JP9542497A Pending JPH10289784A (en) 1997-04-14 1997-04-14 Organic electroluminescnet element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10289784A (en)

Cited By (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1003221A2 (en) * 1998-11-18 2000-05-24 Eastman Kodak Company Organic light-emitting color display
JP2001126864A (en) * 1999-08-24 2001-05-11 Agilent Technol Inc Organic electrolumiinescence device
JP2001148291A (en) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp Display device and its manufacturing method
JP2001217072A (en) * 1999-09-17 2001-08-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display device and its manufacturing method
WO2001062051A1 (en) * 2000-02-16 2001-08-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Active organic el device and method of manufacture thereof
WO2001067824A1 (en) * 2000-03-07 2001-09-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Active-drive organic el display and method for manufacturing the same
JP2001249627A (en) * 2000-03-07 2001-09-14 Idemitsu Kosan Co Ltd Active driving type organic el display device and method of manufacturing the same
WO2002017689A1 (en) * 2000-08-23 2002-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el display
US6392340B2 (en) 1998-02-27 2002-05-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Color display apparatus having electroluminescence elements
JP2002175888A (en) * 2000-12-08 2002-06-21 Tdk Corp Organic el element
JP2002299052A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and manufacturing mask for semiconductor device
JP2002299051A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and manufacturing mask for semiconductor device
WO2003022011A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Sony Corporation Organic electroluminescence device and its producing method
JP2003109772A (en) * 2001-09-28 2003-04-11 Victor Co Of Japan Ltd Organic electroluminescent element
US6630784B2 (en) 1998-02-27 2003-10-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus having an opaque anode electrode and manufacturing method thereof
EP1085576A3 (en) * 1999-09-17 2004-04-28 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. El display device and method for manufacturing the same
JP2005056848A (en) * 2003-08-05 2005-03-03 Lg Electron Inc Organic electroluminescent element
JP2005093329A (en) * 2003-09-19 2005-04-07 Sony Corp Display element and display device using this
WO2005039248A1 (en) * 2003-09-19 2005-04-28 Sony Corporation Display device, manufacturing method thereof, organic light emitting device, and manufacturing method thereof
JP2005327745A (en) * 2000-02-03 2005-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its formation method
JP2005332589A (en) * 2004-05-18 2005-12-02 Hitachi Displays Ltd Organic electroluminescent display device
JP2006040580A (en) * 2004-07-22 2006-02-09 Ams:Kk Fabrication method of organic el device
WO2006035625A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Organic el display
US7026757B1 (en) 1998-07-24 2006-04-11 Seiko Epson Corporation Electroluminescent device having a thin-film layer, and electronic device having the electroluminescent device
US7084426B2 (en) 2003-12-16 2006-08-01 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2006236941A (en) * 2005-02-28 2006-09-07 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element and its manufacturing method
US7108574B2 (en) 2001-09-28 2006-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7119409B2 (en) 2003-06-13 2006-10-10 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Organic el display
US7222981B2 (en) 2001-02-15 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US7242375B2 (en) 2002-10-25 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
KR100748818B1 (en) * 2000-08-23 2007-08-13 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Organic el display device
JP2007208238A (en) * 2006-01-07 2007-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display and method for preparing the same
US7271535B2 (en) 2002-12-05 2007-09-18 Seiko Epson Corporation Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment
US7274044B2 (en) 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7315131B2 (en) 1998-12-01 2008-01-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Color electroluminescence display device
US7315047B2 (en) 2004-01-26 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7317282B2 (en) 1999-10-29 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
US7399991B2 (en) 2001-02-22 2008-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device and display device using the same
KR100861070B1 (en) * 2001-10-30 2008-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light emitting device
US7476908B2 (en) 2004-05-21 2009-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7495257B2 (en) 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7514862B2 (en) 2004-11-05 2009-04-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display having an NaF layer and method of fabricating the organic light emitting display
JP2009099502A (en) * 2007-10-19 2009-05-07 Canon Inc Display device manufacturing method
US7572522B2 (en) 2000-12-28 2009-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device
JP2009193969A (en) * 2000-12-28 2009-08-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of repairing light-emitting device, light-emitting device and its production method
US7626195B2 (en) 2003-11-29 2009-12-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and method of fabricating the same
JP2010015998A (en) * 2009-09-07 2010-01-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
US7662011B2 (en) 2001-02-22 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of sealing an organic el display provided with an adhesive layer over a peripheral insulating layer
US7683535B2 (en) 2000-02-03 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
US7687404B2 (en) 2004-05-14 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR100984824B1 (en) * 2003-12-31 2010-10-04 엘지디스플레이 주식회사 Top Emission Type Electroluminescent Device and Method of Fabricating the same
JP2011100743A (en) * 2011-01-10 2011-05-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Electronic device
US8084081B2 (en) 2003-01-24 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting emitting device, manufacturing method of the same, electronic apparatus having the same
US8154189B2 (en) 2006-01-07 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
JP2012163976A (en) * 2012-04-12 2012-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display device
JP2012227540A (en) * 1999-03-02 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
JP2013165068A (en) * 2013-04-15 2013-08-22 Sony Corp Top emission light-emitting element and manufacturing method of the same
US8648528B2 (en) 2002-08-29 2014-02-11 Seiko Epson Corporation Electroluminescent device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2014150273A (en) * 1999-04-27 2014-08-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
JP2014167928A (en) * 2014-04-28 2014-09-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display apparatus
US8957584B2 (en) 1999-10-29 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
EP2816605A3 (en) * 1998-12-01 2015-04-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Emissive element and display device using such element
JP2015062195A (en) * 2014-11-26 2015-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
US9000429B2 (en) 2002-04-24 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9118025B2 (en) 2002-05-15 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9166202B2 (en) 2002-06-07 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US9287330B2 (en) 2002-04-23 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9412804B2 (en) 2002-04-26 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same

Cited By (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392340B2 (en) 1998-02-27 2002-05-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Color display apparatus having electroluminescence elements
US6951495B2 (en) 1998-02-27 2005-10-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Display apparatus having electroluminescence elements
US6630784B2 (en) 1998-02-27 2003-10-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus having an opaque anode electrode and manufacturing method thereof
US6580214B2 (en) 1998-02-27 2003-06-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Color display apparatus having electroluminescence elements
US7026757B1 (en) 1998-07-24 2006-04-11 Seiko Epson Corporation Electroluminescent device having a thin-film layer, and electronic device having the electroluminescent device
US7061176B2 (en) 1998-07-24 2006-06-13 Seiko Epson Corporation Electroluminescent device having a thin-film layer, and electronic device having the electroluminescent device
EP1003221A2 (en) * 1998-11-18 2000-05-24 Eastman Kodak Company Organic light-emitting color display
EP1003221A3 (en) * 1998-11-18 2004-04-14 Eastman Kodak Company Organic light-emitting color display
EP2816605A3 (en) * 1998-12-01 2015-04-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Emissive element and display device using such element
US7315131B2 (en) 1998-12-01 2008-01-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Color electroluminescence display device
JP2014132574A (en) * 1999-03-02 2014-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9153604B2 (en) 1999-03-02 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2012227540A (en) * 1999-03-02 2012-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US8847316B2 (en) 1999-03-02 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2014056242A (en) * 1999-03-02 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9293483B2 (en) 1999-04-27 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US9837451B2 (en) 1999-04-27 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP2014150273A (en) * 1999-04-27 2014-08-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
JP2001126864A (en) * 1999-08-24 2001-05-11 Agilent Technol Inc Organic electrolumiinescence device
JP2016066617A (en) * 1999-09-17 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device
JP2011071141A (en) * 1999-09-17 2011-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display device, and electronic device
JP2001217072A (en) * 1999-09-17 2001-08-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display device and its manufacturing method
US6894312B2 (en) 1999-09-17 2005-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device
US7518146B2 (en) 1999-09-17 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device including color filter and light shielding film
KR100788873B1 (en) 1999-09-17 2007-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 EL Display device and method for manufacturing the same
US9431470B2 (en) 1999-09-17 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2259322A3 (en) * 1999-09-17 2012-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device
US9735218B2 (en) 1999-09-17 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and method for manufacturing the same
EP1085576A3 (en) * 1999-09-17 2004-04-28 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. El display device and method for manufacturing the same
US9059049B2 (en) 1999-09-17 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device
KR100746657B1 (en) 1999-09-17 2007-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 A display device
US7952103B2 (en) 1999-09-17 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and method for manufacturing the same
JP2017098255A (en) * 1999-09-17 2017-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 El display device
JP2013020981A (en) * 1999-09-17 2013-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display device
US9299955B2 (en) 1999-10-29 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
US7317282B2 (en) 1999-10-29 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
US8110983B2 (en) 1999-10-29 2012-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light emitting device
US8957584B2 (en) 1999-10-29 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light-emitting device
JP2001148291A (en) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp Display device and its manufacturing method
US7683535B2 (en) 2000-02-03 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
US7867053B2 (en) 2000-02-03 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device
JP2005327745A (en) * 2000-02-03 2005-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its formation method
US9419066B2 (en) 2000-02-03 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
US7745993B2 (en) 2000-02-03 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device comprising reflective film
US7994705B2 (en) 2000-02-16 2011-08-09 Idemitsu Kosan Co. Actively driven organic EL device and manufacturing method thereof
WO2001062051A1 (en) * 2000-02-16 2001-08-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Active organic el device and method of manufacture thereof
US6933672B2 (en) 2000-02-16 2005-08-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Actively driven organic EL device and manufacturing method thereof
KR100782670B1 (en) 2000-02-16 2007-12-07 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Active organic el device and method of manufacture thereof
US6538374B2 (en) 2000-02-16 2003-03-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Actively driven organic EL device and manufacturing method thereof
US7250718B2 (en) 2000-02-16 2007-07-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Actively driven organic EL device and manufacturing method thereof
US7227518B2 (en) 2000-03-07 2007-06-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Active-driving type organic el display device, and a method of producing the same
JP2001249627A (en) * 2000-03-07 2001-09-14 Idemitsu Kosan Co Ltd Active driving type organic el display device and method of manufacturing the same
WO2001067824A1 (en) * 2000-03-07 2001-09-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Active-drive organic el display and method for manufacturing the same
US6995736B2 (en) 2000-03-07 2006-02-07 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Active-driving type organic EL display device, and a method of producing the same
JP4542659B2 (en) * 2000-03-07 2010-09-15 出光興産株式会社 Active drive type organic el display device and manufacturing method thereof
KR100748818B1 (en) * 2000-08-23 2007-08-13 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Organic el display device
WO2002017689A1 (en) * 2000-08-23 2002-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el display
US7548020B2 (en) 2000-08-23 2009-06-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL display device having certain relationships among constituent element refractive indices
US6963168B2 (en) 2000-08-23 2005-11-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL display device having certain relationships among constituent element refractive indices
JP2002175888A (en) * 2000-12-08 2002-06-21 Tdk Corp Organic el element
US8980660B2 (en) 2000-12-28 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus
US8273583B2 (en) 2000-12-28 2012-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus
JP2009193970A (en) * 2000-12-28 2009-08-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and its production method
US8367439B2 (en) 2000-12-28 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus
US7572522B2 (en) 2000-12-28 2009-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device
JP2009193969A (en) * 2000-12-28 2009-08-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of repairing light-emitting device, light-emitting device and its production method
US7871930B2 (en) 2000-12-28 2011-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus
US9412948B2 (en) 2000-12-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus
US7222981B2 (en) 2001-02-15 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US7662011B2 (en) 2001-02-22 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of sealing an organic el display provided with an adhesive layer over a peripheral insulating layer
US7663149B2 (en) 2001-02-22 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device and display device using the same
US7399991B2 (en) 2001-02-22 2008-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device and display device using the same
JP2002299052A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and manufacturing mask for semiconductor device
JP2002299051A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and manufacturing mask for semiconductor device
US7285905B2 (en) 2001-08-31 2007-10-23 Sony Corporation Organic electroluminescence device comprising a silver alloy anode and method of manufacturing the same
US8937428B2 (en) 2001-08-31 2015-01-20 Sony Corporation Organic electroluminescence device with silver alloy anode and method of manufacturing the same
WO2003022011A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Sony Corporation Organic electroluminescence device and its producing method
US9722201B2 (en) 2001-08-31 2017-08-01 Sony Corporation Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same
US9240564B2 (en) 2001-08-31 2016-01-19 Sony Corporation Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same
KR100868599B1 (en) * 2001-08-31 2008-11-13 소니 가부시끼 가이샤 Organic electroluminescence device and manufacturing method thereof
JP2003109772A (en) * 2001-09-28 2003-04-11 Victor Co Of Japan Ltd Organic electroluminescent element
US7108574B2 (en) 2001-09-28 2006-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100891268B1 (en) * 2001-09-28 2009-04-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light emitting device and method of manufacturing the same
US7193359B2 (en) 2001-09-28 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100861070B1 (en) * 2001-10-30 2008-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light emitting device
US9099678B2 (en) 2001-10-30 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8790938B2 (en) 2001-10-30 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9818978B2 (en) 2001-10-30 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9406903B2 (en) 2001-10-30 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9287330B2 (en) 2002-04-23 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US9362534B2 (en) 2002-04-24 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9000429B2 (en) 2002-04-24 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9831459B2 (en) 2002-04-24 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display module with white light
US9165987B2 (en) 2002-04-24 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US9853098B2 (en) 2002-04-26 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US9412804B2 (en) 2002-04-26 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
US9118025B2 (en) 2002-05-15 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9166202B2 (en) 2002-06-07 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US8648528B2 (en) 2002-08-29 2014-02-11 Seiko Epson Corporation Electroluminescent device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
US9065074B2 (en) 2002-10-25 2015-06-23 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US7242375B2 (en) 2002-10-25 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US8779658B2 (en) 2002-10-25 2014-07-15 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US9450204B2 (en) 2002-10-25 2016-09-20 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US7641533B2 (en) 2002-12-05 2010-01-05 Seiko Epson Corporation Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment
US7271535B2 (en) 2002-12-05 2007-09-18 Seiko Epson Corporation Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment
US8084081B2 (en) 2003-01-24 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting emitting device, manufacturing method of the same, electronic apparatus having the same
US9324773B2 (en) 2003-01-24 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel including a plurality of lighting emitting elements
US8860011B2 (en) 2003-01-24 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and electronic book including double-sided light emitting display panel
US7119409B2 (en) 2003-06-13 2006-10-10 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Organic el display
JP4684594B2 (en) * 2003-08-05 2011-05-18 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Organic el element
JP2005056848A (en) * 2003-08-05 2005-03-03 Lg Electron Inc Organic electroluminescent element
US9911792B2 (en) 2003-09-19 2018-03-06 Sony Corporation Display unit
US9123666B2 (en) 2003-09-19 2015-09-01 Sony Corporation Display unit
WO2005039248A1 (en) * 2003-09-19 2005-04-28 Sony Corporation Display device, manufacturing method thereof, organic light emitting device, and manufacturing method thereof
JP2005093329A (en) * 2003-09-19 2005-04-07 Sony Corp Display element and display device using this
US9373672B2 (en) 2003-09-19 2016-06-21 Sony Corporation Display unit
US9627453B2 (en) 2003-09-19 2017-04-18 Sony Corporation Display unit
US7973319B2 (en) 2003-09-19 2011-07-05 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing same, organic light emitting unit, and method of manufacturing same
US7626195B2 (en) 2003-11-29 2009-12-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and method of fabricating the same
US7084426B2 (en) 2003-12-16 2006-08-01 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US8624257B2 (en) 2003-12-26 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7495257B2 (en) 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9911800B2 (en) 2003-12-26 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9196638B2 (en) 2003-12-26 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9583545B2 (en) 2003-12-26 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100984824B1 (en) * 2003-12-31 2010-10-04 엘지디스플레이 주식회사 Top Emission Type Electroluminescent Device and Method of Fabricating the same
US7977685B2 (en) 2004-01-26 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7315047B2 (en) 2004-01-26 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8669567B2 (en) 2004-01-26 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7274044B2 (en) 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7687404B2 (en) 2004-05-14 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
JP2005332589A (en) * 2004-05-18 2005-12-02 Hitachi Displays Ltd Organic electroluminescent display device
JP4695345B2 (en) * 2004-05-18 2011-06-08 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 The organic electroluminescent display device
US7476908B2 (en) 2004-05-21 2009-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006040580A (en) * 2004-07-22 2006-02-09 Ams:Kk Fabrication method of organic el device
WO2006035625A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Organic el display
US7514862B2 (en) 2004-11-05 2009-04-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display having an NaF layer and method of fabricating the organic light emitting display
JP2006236941A (en) * 2005-02-28 2006-09-07 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent element and its manufacturing method
JP2007208238A (en) * 2006-01-07 2007-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display and method for preparing the same
US8154189B2 (en) 2006-01-07 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
US8735194B2 (en) 2007-10-19 2014-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing display apparatus
JP2009099502A (en) * 2007-10-19 2009-05-07 Canon Inc Display device manufacturing method
JP2010015998A (en) * 2009-09-07 2010-01-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device
JP2011100743A (en) * 2011-01-10 2011-05-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Electronic device
JP2012163976A (en) * 2012-04-12 2012-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display device
JP2013165068A (en) * 2013-04-15 2013-08-22 Sony Corp Top emission light-emitting element and manufacturing method of the same
JP2014167928A (en) * 2014-04-28 2014-09-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El display apparatus
JP2015062195A (en) * 2014-11-26 2015-04-02 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device

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