JPH10241857A - Manufacture of thin film electric field light emitting element - Google Patents

Manufacture of thin film electric field light emitting element

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JPH10241857A
JPH10241857A JP3876597A JP3876597A JPH10241857A JP H10241857 A JPH10241857 A JP H10241857A JP 3876597 A JP3876597 A JP 3876597A JP 3876597 A JP3876597 A JP 3876597A JP H10241857 A JPH10241857 A JP H10241857A
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film
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element
thin
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JP3876597A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Tsuji
崇 辻
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
富士電機株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a thin film electric field light emitting element that does not exert an influence on the film thickness and also on the resistance value of the substrate side electrode.
SOLUTION: At least, a 1st electrode 2a, a 1st insulation layer 3a, luminous layer, a 2nd insulation layer 3b and also a 2nd electrode 2b, are laminated on substrate 1. The 1st electrode 2a provides connection terminal T that is exposed for the connection with an eternal lead, and in the manufacturing method of the thin film electric field element where the luminous layer is annealed in the atmosphere that include sulfur, and the connection terminal T is being coated by anneal mask M of the material that does not cause sulfur penetrate during above-mentioned annealing, and this anneal mask M is removed without damaging the 1st electrode after annealing.
COPYRIGHT: (C)1998,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明はディスプレイパネル等に用いられる、薄膜電場発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to the use in a display panel or the like, a method for manufacturing a thin-film electroluminescent device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】フラットパネルディスプレイの一つである薄膜電場発光ディスプレイは、高速応答、広視野角、 BACKGROUND OF THE INVENTION film electroluminescent display is one of flat panel displays, fast response, wide viewing angle,
高解像度など多くの優れた特長を有し、FA用、車両搭載用、携帯用コンピュータの端末の表示装置として注目されている。 Has a high resolution and much more excellent features, for FA, vehicle-mounted, have attracted attention as a display device of the terminal of the portable computer. 従来、黄橙発光が得られるMnを添加したZnS(ZnS:Mn)を発光層とするモノクロームディスプレイが市販されていたが、最近、青緑発光が得られるCeを添加したSrS(SrS:Ce)とZnS: Conventionally, yellow orange emission was doped with Mn obtained ZnS: although monochrome display that the light-emitting layer (ZnS Mn) has been marketed recently added Ce to blue-green light emission is obtained SrS (SrS: Ce) and ZnS:
Mnを積層した発光層を有するRGBフルカラーディスプレイが市販されるようになった。 RGB full color display with a light emitting layer formed by laminating a Mn of become commercially available. しかしながら、青色の色純度が悪く、SrS:Ce膜を高輝度化する必要がある。 However, poor blue color purity, SrS: it is necessary to high luminance and Ce film.

【0003】図3は薄膜電場発光パネルを模式的に示し、(a)は断面図であり、(b)は外部リードとの接続部の平面図である。 [0003] Figure 3 is a thin film electroluminescent panel schematically shown, (a) is a cross-sectional view, a plan view of the connection of the (b) the external leads. ガラス基板1上に短冊状にパターニングされた金属薄膜などからなる第1の電極2aが形成されており、その上に第1の絶縁層3aが形成されている。 First electrode 2a made of a metal thin film that is patterned in a strip shape on the glass substrate 1 is formed, the first insulating layer 3a is formed thereon. 第1の電極2aの両端は、パネルが完成した後にこの部分に駆動回路とパネルとを接続する外部リード9 First ends of the electrodes 2a, the external lead 9 panel that connects the driving circuit and the panel in this section after completing
(フレキシブルプリント回路基板(以下、FPCと記す)を接続するため露出されており、接続端子とされる。発光膜4は、例えばZnS:MnおよびSrS:C (Flexible printed circuit board (hereinafter, is exposed for connecting referred to as FPC), is a connection terminal light emitting layer 4, for example, ZnS:. Mn and SrS: C
eの積層膜からなるが、第1の電極2a端子部の内側に形成され、さらに第2の絶縁層3bにより被覆されている。 Consisting e laminated film of, but is formed inside the first electrode 2a terminal portion is further covered by a second insulating layer 3b. さらに、第1の電極2aと直交するように短冊状にパターニングされた透明電極である第2の電極2bが積層される。 Further, the second electrode 2b is a transparent electrode patterned in a strip shape so as to be perpendicular to the first electrode 2a are stacked. このようにして形成された薄膜電場発光素子には、封止材7を介してRGBカラーフィルタ5が形成されているガラス板6が被せられ、防湿用の充填材8が注入され、封止されて薄膜電場発光パネルとされる。 This way, a thin film electroluminescent device formed by a glass plate 6 is put to an RGB color filter 5 is formed through the sealing member 7, filling material 8 for moisture are injected, sealed It is a thin film electroluminescent panel Te.

【0004】発光層4の一部を形成する青色発光材料であるSrS:Ceは電子ビーム蒸着などにより成膜されるが、S原子の蒸気圧がSr原子に対して大きいため、 [0004] which is a blue light-emitting material which forms part of the light-emitting layer 4 SrS: Although Ce is formed by electron beam evaporation, because the vapor pressure of S atoms is larger than the Sr atoms,
形成されたSrS結晶中には硫黄空孔が存在する。 The SrS in crystals formed the presence of sulfur vacancies. このために、フルカラーディスプレイに必要な青色の輝度が得られないので、発光層成膜後に硫黄蒸気雰囲気中あるいは硫化水素、六フッ化硫黄などの硫黄原子を含むガス雰囲気中でアニールを行い、輝度を向上させていた。 For this, the luminance of the blue necessary for a full-color display can not be obtained, an annealing in a gas atmosphere containing the light-emitting layer after film formation in the sulfur vapor atmosphere or hydrogen sulfide, sulfur atom, such as sulfur hexafluoride, luminance the had improved.

【0005】このアニールを行うときに、第1の電極の一部が露出していると、硫黄原子を含むガスにより硫化され、抵抗の増加や第1の電極のガラス基板からの剥離を引き起こしてしまう。 [0005] When performing this annealing, a part of the first electrode is exposed, sulfided by gas containing a sulfur atom, causing the peeling from the glass substrate of increased resistance and the first electrode put away. 従って、全面をアニールの影響を第1の電極に及ぼさない材料の薄膜からなるアニールマスクにより被覆しておく必要がある。 Therefore, it is necessary to cover by annealing mask formed of a thin film of a material that does not adversely entire influence of annealing on the first electrode. 従来はこのアニールマスクは第1の絶縁層と第2の絶縁層の積層自体であった。 Conventionally this annealing mask was laminated itself of the first insulating layer and the second insulating layer.

【0006】第1の電極aの接続端子の露出工程は、露出工程時の発光層のダメージを防ぐために、第2の絶縁層により発光層を被覆した後に行っていた。 [0006] Exposure step of the connection terminals of the first electrode a, in order to prevent damage of the light emitting layer during exposing step has been performed after coating the light-emitting layer by a second insulating layer. 第1の電極2aの接続端子の露出方法として、ウェットエッチング、ドライエッチング、機械研磨等を適用していた。 As exposure method of the connection terminals of the first electrode 2a, wet etching, dry etching, it was applied mechanical polishing.

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、アニールと露出工程を含む薄膜電場発光素子の製造方法には以下に示すような問題点があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, the method of manufacturing a thin film electroluminescent device comprising an annealing and exposure process has a problem as described below. 露出方法がエッチングの場合、第1の電極層のエッチングレートは絶縁層のそれと比較して非常に速いため、エッチングを停止するタイミングの正確さが要求され、第1の電極が露出されなかったり、逆に第1の電極の膜厚が減少して高抵抗化してしまう部分が生ずることがあった。 If the exposure method of etching, the etching rate of the first electrode layer is for very fast compared to that of the insulating layer, is required accuracy of the timing of stopping the etching, it may not be exposed first electrode, the thickness of the first electrode was sometimes occurs moiety resulting in high resistance decreases conversely. また、第1の電極表面が変質して高抵抗化することもあった。 There was also the first electrode surface is high resistance to deterioration. 第1の電極の高抵抗化は輝度を低下させ、また抵抗値にむらがあると同一電極線内で電圧が降下して輝度むらの原因となる。 Increase in the resistance of the first electrode causes luminance unevenness and the voltage drops in the same electrode line to reduce the brightness, and when the resistance value is uneven.

【0008】さらに絶縁層としてAl 23膜などのように化学的に非常に安定な材料を用いた場合、ウェットエッチング、プラズマエッチングによりエッチングできないので、機械的強度研磨を適用していたが、その制御は困難であり、第1の電極の膜厚を減少させずに一様にすることは困難であった。 Furthermore when using a chemically very stable material such as an Al 2 O 3 film as the insulating layer, wet etching, can not be etched by plasma etching, had applied the mechanical strength polishing, its control is difficult, it is difficult to uniformly without decreasing the film thickness of the first electrode. 本発明の目的は、上記の問題点に鑑み、基板側の電極の膜厚および抵抗値に影響を及ぼさない薄膜電場発光素子の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to view of the above problems, to provide a method for manufacturing a thin-film electroluminescent element which does not affect the thickness and resistance of the substrate side electrode.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するために、基板上に少なくとも第1の電極、第1の絶縁層、 Means for Solving the Problems] To achieve the above object, at least the first electrode on the substrate, the first insulating layer,
発光層、第2の絶縁層および第2の電極が積層されてなり、第1の電極は外部リードとの接続のために露出された接続端子を有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の製造方法において、前記アニール時には前記接続端子は硫黄を透過させない材料のアニールマスクにより被覆されており、前記アニール後にこのアニールマスクは第1電極を損傷することなく除去されることとする。 Emitting layer, and in the second insulating layer and the second electrode are laminated, the first electrode has an exposed connection terminals for connection to external leads, in an atmosphere EML includes sulfur in the method for manufacturing a thin film field device to be annealed, the connection terminal at the time of the annealing is coated with annealing mask material that does not transmit sulfur, the annealing mask after said annealing is removed without damaging the first electrode it is assumed that.

【0010】前記マスクの材料はII族金属の硫化物であり、前記除去は加水分解によってなされると良い。 [0010] Materials of the mask is a sulfide of a Group II metal, the removal may is done by hydrolysis. 前記マスクには第1の絶縁層および第2の絶縁層が積層されおり、これらの絶縁層の除去は前記マスクの除去に伴うリフトオフによってなされると良い。 The mask has been laminated first insulating layer and the second insulating layer, it may remove these insulating layers is made by lift-off due to the removal of the mask. 前記第1の絶縁層または第2の絶縁層は前記マスクを露出部なく被覆しており、前記マスク除去工程前にマスクの一部が露出されると良い。 It said first insulating layer or the second insulating layer is coated exposed portion without the mask, may part of the mask is exposed before the mask removing step.

【0011】前記第1の絶縁層または第2の絶縁層はA [0011] The first insulating layer or the second insulating layer is A
LEにより成膜されていると良い。 It may have been deposited by the LE.

【0012】 [0012]

【発明の実施の形態】本発明に係る製造方法によれば、 According to the manufacturing method according to the embodiment of the present invention,
アニール時に第1の電極は硫化されないため、低抵抗は維持され、その表面の外部リード金属との接続性も維持されており、外部リードとの接続端子の抵抗は高くなく、そのばらつきは小さく、パネルの発光輝度は損なわれず、ばらつきは小さい。 Since the time of annealing the first electrode is not sulfided, low resistance is maintained, the connection with the external lead metal of the surface also is maintained, the resistance of the connection terminals of the external leads not high, the variation is small, emission luminance of the panel is not impaired, the variation is small.

【0013】発光層のアニールはアニールマスク成膜後であれば、発光層成膜後または第2の絶縁層成膜後のいずれでもよい。 [0013] Annealing of the light emitting layer as long as it is performed after the annealing of mask deposition, may be either after or after the second insulating layer forming the light emitting layer deposition. 第1の電極として、Moの他にW、Al As a first electrode, in addition to W of Mo, Al
等の金属材料またはWSiなどの金属間化合物を用いることができる。 Intermetallic compounds such as a metal material or WSi etc. can be used. これらの成膜には、電子ビーム(以下E These deposition, electron beam (hereinafter referred to as E
Bと記す)蒸着、スパッタリング、プラズマCVD、M B and referred to) vapor deposition, sputtering, plasma CVD, M
OCVD、ALE等を適用することができる。 MOCVD, can be applied ALE like.

【0014】絶縁層としては、Al 23 、SiN、S [0014] As the insulating layer, Al 2 O 3, SiN, S
iON、SiO 2の材料の他にTa iON, in addition to Ta of SiO 2 of the material 23 、Y 23 2 O 3, Y 2 O 3 ,
TiO 2 、HfO 2 、Ba 2 Ta 25 、SiTi TiO 2, HfO 2, Ba 2 Ta 2 O 5, SiTi
3 、SrTa 25 、PrTiO 3 、ZrO 2などを用いることができる。 O 3, SrTa 2 O 5, PrTiO 3 etc., ZrO 2 may be used. これらの薄膜は、EB蒸着、スパッタリング、プラズマCVD、MOCVD、ALE法等により成膜することができる。 These films can be deposited EB vapor deposition, sputtering, plasma CVD, MOCVD, by ALE method.

【0015】特に、アニールマスクを加水分解性の薄膜材料とすると、水のみを用いてアニールマスク除去を行うことができるので、第1の電極の表面抵抗を高くせずに除去工程を行うことができる。 [0015] Particularly, when the annealing mask hydrolysis of the thin film materials, it is possible to perform the annealing mask removed with water alone, that the removal step without increasing the surface resistance of the first electrode it can. 加水分解性の薄膜材料としてはSrS以外にもBaS、CaSあるいはこれらの混晶などを用いることができる。 The hydrolysis of the thin film material can be used as BaS, CaS or mixed crystals of these in addition to SrS. これらの材料の成膜方法としては、電子ビーム蒸着法の他に抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、有機金属CVD(MOCVD) As the film formation method of these materials, in addition to the resistance heating deposition method of the electron-beam evaporation, sputtering, metal organic CVD (MOCVD)
法あるいは原子層エピタキシー法(ALE法)などが適用できる。 Law or an atomic layer epitaxy method (ALE) method, etc. can be applied.

【0016】水溶性の薄膜を除去する工程の実施は第2 The implementation of the step of removing the water-soluble film and the second
の絶縁層の密度が高く、発光層に水分が浸透しなければ、アニールおよび第2の絶縁層形成の各工程が終了した後のいずれの工程の間におこなってもよい。 The density of the insulating layer is high, if moisture penetrates into the light emitting layer may be performed during the annealing, and the second insulating layer forming any step after each step is completed in. 実施例1 図1は本発明に係る実施例の製造工程順の薄膜電場発光素子の断面図を示し、(a)マスク形成後、(b)は第1および第2の絶縁層の成膜後、(c)は基板側面の研磨後であり、(d)はリフトオフ後である。 Example 1 Figure 1 shows a cross-sectional view of a thin film electroluminescent device of the order of manufacturing steps of the embodiment according to the present invention, (a) after a mask is formed, (b) after the formation of the first and second insulating layer , (c) is after polishing of the substrate side, (d) is after liftoff.

【0017】先ず、ガラス基板1上に、スパッタにより厚さ200nmのMo膜を成膜した後、フォトリソグラフィーによりMo膜を多数のストライプ状にパターニングして第1の電極2aとした。 [0017] First, on a glass substrate 1, after forming a Mo film having a thickness of 200nm by sputtering, and the first electrode 2a by patterning the Mo film into a number of stripes by photolithography. 第1の電極2aの両端部の5mm幅にSrS:Ce膜をEB蒸着法により500nm程度成膜し、アニールマスクとした(図2(a))。 SrS to 5mm width at both the end portions of the first electrode 2a: a Ce layer was 500nm approximately formed by EB vapor deposition, and the annealed mask (FIG. 2 (a)). 後工程のSrS:Ce膜の加水分解除去に適するように、成膜条件としては、基板加熱は行わず、蒸着速度も数10 In the subsequent step SrS: to suit the hydrolysis removal Ce film, as the film formation conditions, the substrate heating is not performed, the number even deposition rate 10
0nm/minと大きく、結晶性を悪化させるようにした。 Large as 0 nm / min, and so worsen the crystallinity.

【0018】次に、原子層エピタキシー(以下、ALE [0018] Next, atomic layer epitaxy (hereinafter, ALE
と記す)により厚さ200nmのAl Al with a thickness of 200nm by and referred to as) 23膜を成膜し第1の絶縁膜とした。 Forming a 2 O 3 film was first insulating film. 次いで、EB蒸着により、厚さ1. Then, by EB vapor deposition, a thickness of 1.
2μm のSrS:Ce膜および厚さ0.3μm ZnS: 2μm of SrS: Ce film and the thickness of 0.3μm ZnS:
Mn膜を順次積層して発光層とした。 And a light-emitting layer are sequentially stacked Mn film. 発光層の蒸着範囲は第1の電極の端子部列の内側とした。 Deposition region of the light-emitting layer was the inner terminal portion rows of the first electrode. さらに、ALE In addition, ALE
によりAl 23膜を200nm成膜して第2の絶縁層とした。 And a second insulating layer to 200nm deposited an Al 2 O 3 film by. ALE成膜の場合はマスクを使用できないので、 Since in the case of ALE deposition you can not use a mask,
第1、第2の絶縁層は基板全体を被覆し、基板1の側面にも回り込んでいる。 First, second insulating layer covers the entire substrate, wraps around to the side surface of the substrate 1.

【0019】次に、発光層の輝度向上のため、常圧のA Next, since the brightness enhancement of the light-emitting layer, the atmospheric pressure A
rとH 2 Sの混合ガス雰囲気中で630℃のアニールを30分行った。 annealing 630 ° C. was performed for 30 minutes in a mixed gas atmosphere of r and H 2 S. 次に、まず全面にスパッタにより厚さ2 Then, first thickness by sputtering on the entire surface 2
00nmのITO膜を成膜し、第1の電極のパターン方向と直交するストライプ状にITO膜をパターニングして第2の電極とした。 And an ITO film of nm, and the second electrode by patterning the ITO film into a stripe shape orthogonal to the pattern direction of the first electrode.

【0020】上記の工程により作製した薄膜電場発光素子に対向して、カラーフィルタ付きのガラス基板を封止材を介して被せ、充填材を注入し、封止して、薄膜電場発光パネルとした(図3参照)。 [0020] opposite to the thin-film electroluminescent element manufactured by the above process, put through the sealant to the glass substrate with a color filter, injected filler material, sealed, and a thin film electroluminescent panel (see Figure 3). 薄膜電場発光素子のガラス基板の側面を機械研磨し絶縁層を除去し、接続端子上のSrS:Ce膜の側面を露出させた。 The side surface of the glass substrate of the thin-film electroluminescent device to remove mechanical polishing insulating layer, SrS on the connection terminals: exposing the side surfaces of the Ce film. この状態で、 In this state,
パネル全体を純水中に浸漬させ、SrS:Ce膜のアニールマスクを加水分解させると、約1時間でSrS:C The entire panel was immersed in pure water, SrS: When annealed mask Ce membrane is hydrolyzed, SrS about 1 hour: C
eは純水中に溶解して除去され、アニールマスクを被覆していたAl 2 e is removed by dissolving in pure water, Al 2 O had been coated with annealing mask 3膜はアニールマスクの辺の段差部で容易に割れて、分離された(図2(d))。 3 film is easily cracked by the stepped portion of the sides of the annealed mask isolated (Figure 2 (d)). 超音波洗浄を行うとSrS:Ce膜の加水分解、除去は促進される。 When subjected to ultrasonic cleaning SrS: Ce film for hydrolysis, removal is facilitated. こうして、第1の電極の端子部が露出され、接続端子が形成される。 Thus, the terminal portion of the first electrode is exposed, the connection terminals are formed.

【0021】上記の第1の電極からは、硫黄原子が微量検出されたが、電極表面抵抗およびバルク抵抗はアニール前と変わりはなく、接続端子としての低抵抗は維持されていた。 [0021] From the first electrode of the above, the sulfur atom is detected trace, electrode surface resistance and bulk resistivity are not the same as before annealing, the low resistance of the connection terminal was maintained. 予め電極をパターニングした、FPCを第1 The pre-electrode was patterned, the FPC first
電極に接続し、パネルの発光輝度を調べたところ、輝度は高く、均一であった。 Connected to the electrode, were examined the emission luminance of the panel, the luminance is high, was uniform.

【0022】以上説明したように、本発明の製造方法により、第1の電極にダメージを与えずに、発光層のアニールと、その上を覆っている絶縁膜を除去することができるようになった。 [0022] As described above, by the manufacturing method of the present invention, without damaging the first electrode, and annealing the light emitting layer, making it possible to remove the insulating film covering thereover It was. 従って、第1の電極の高抵抗化を防ぐことができる。 Therefore, it is possible to prevent the increase in resistance of the first electrode. また、化学的に非常に安定なAl 2 Further, chemically very stable Al 2 O
3膜などのような絶縁材料も容易に除去することができるようになった。 Insulating materials such as 3 film also was able to be easily removed. 実施例2 図2は本発明に係る他の実施例の製造工程順の薄膜電場発光素子の断面図を示し、(a)は第1および第2の絶縁層の成膜後、(b)はマスク形成後、(c)はマスク除去後である。 Example 2 Figure 2 shows a cross-sectional view of a thin film electroluminescent device of the order of manufacturing steps of another embodiment according to the present invention, (a) is after the formation of the first and second insulating layer, (b) is after the mask is formed, (c) it is after mask removal.

【0023】この実施例では、薄膜電場発光素子の成膜順は実施例1と同じであるが、マスク成膜が可能なスパッタにより、第1電極の接続部をマスクして、第1のおよび第2の絶縁層を成膜した。 [0023] In this embodiment, although the film formation order of the thin film electroluminescent devices were the same as in Example 1, by sputtering capable of mask deposition, to mask connection of the first electrode, the first and and forming the second insulating layer. 絶縁層材料は窒化ケイ素とした。 Insulating layer material was silicon nitride. 次に、少なくとも第1電極の接続部をEB蒸着のBaS膜により被覆し、アニールマスクとしたあと、 Then, after at least the connecting portion of the first electrode covered by BaS film of EB evaporation, was annealed mask,
発光層のアニールを行った。 Annealing was carried out of the light-emitting layer.

【0024】各層の厚さは実施例1と同じとした。 The thickness of each layer were the same as in Example 1. 以降実施例1と同様に薄膜電場発光パネルを組み立てた後、 After assembling the thin film electroluminescent panel similar to the subsequent Example 1,
パネルを水中に浸漬し加水分解させて、BaSマスクを除去し、第1電極の接続部を露出させた。 Immersing the panels in water is hydrolyzed to remove the BaS mask to expose the connection portion of the first electrode. 予め電極をパターニングした、FPCを第1電極に接続し、パネルの発光輝度を調べたところ、輝度は高く、均一であった。 Was patterned beforehand electrodes, connect the FPC to the first electrode was examined the emission luminance of the panel, the luminance is high, was uniform.

【0025】本発明により、ELディスプレイの品質が向上するばかりか、第1の電極の接続端子を露出させるために特別な装置が不要であり、かつ所要時間も従来の方法と比較して短縮できるため、大幅なコスト低減が可能となる。 [0025] The present invention, not only improves the quality of the EL display is a special device in order to expose the connection terminals of the first electrode is unnecessary, and the time required can also be reduced as compared with conventional methods Therefore, it is possible to significant cost reduction.

【0026】 [0026]

【発明の効果】本発明によれば、基板上に少なくとも第1の電極、第1の絶縁層、発光層、第2の絶縁層および第2の電極が積層されてなり、第1の電極は外部リードとの接続のために露出された接続端子を有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の製造方法において、前記アニール時には前記接続部は硫黄を透過させない材料のアニールマスクにより被覆し、前記アニール後にこのアニールマスクは第1電極を損傷することなく除去するようにしたため、第1の電極はアニールおよびアニールマスクの除去の影響を受けずに、硫化されないため、膜質の変化もなく、膜厚のばらつきもない。 According to the present invention, at least the first electrode on the substrate, the first insulating layer, light emitting layer, the second insulating layer and the second electrode becomes are stacked, the first electrode has an exposed connection terminals for connection to external leads, the light emitting layer in the method of manufacturing a thin film field device is annealed in an atmosphere containing sulfur, the connecting portion at the time of the annealing of the material which does not transmit sulfur coated with annealing mask, since the annealing mask after the annealing was set to be removed without damaging the first electrode, since the first electrode without being affected by removal of annealing and annealing the mask, not sulfided, the film quality no change, no variation in film thickness. 従って、輝度は高く、そのばらつきも小さく、良好な薄膜電場発光層パネルを得ることができる。 Therefore, the luminance is high, can the variation is small, to obtain a good film electroluminescent layer panel.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明に係る実施例の製造工程順の薄膜電場発光素子の断面図を示し、(a)マスク形成後、(b)は第1および第2の絶縁層の成膜後、(c)は基板側面の研磨後であり、(d)はリフトオフ後 [1] shows a cross-sectional view of the order of manufacturing steps of the thin film electroluminescent device of Example of the present invention, (a) after a mask is formed, (b) after the formation of the first and second insulating layers, ( c) is after polishing of the substrate side, (d) after liftoff

【図2】本発明に係る他の実施例の製造工程順の薄膜電場発光素子の断面図を示し、(a)は第1および第2の絶縁層の成膜後、(b)はマスク形成後、(c)はマスク除去後 Figure 2 shows a cross-sectional view of the order of manufacturing steps of the thin film electroluminescent device of another embodiment according to the present invention, (a) is after the formation of the first and second insulating layer, (b) the forming a mask after, (c) after mask removal

【図3】薄膜電場発光パネルを模式的に示し、(a)は断面図であり、(b)は外部リードとの接続部の平面図 [3] The thin film electroluminescent panel schematically shown, (a) is a cross-sectional view, (b) is a plan view of the connecting portion between the external lead

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 基板 2a 第1の電極層 3a 第1の絶縁層 4 発光層 2b 第2の電極層 3b 第2の絶縁層 5 カラーフィルタ 6 ガラス板 7 封止材 8 充填材 9 フレキシブル回路 9a フレキシブル基板 9b リード部 M アニールマスク T 接続端子 1 substrate 2a first electrode layer 3a first insulating layer 4 the light-emitting layer 2b the second electrode layer 3b second insulating layer 5 color filter 6 a glass plate 7 sealing material 8 filling material 9 flexible circuit 9a flexible substrate 9b Lead part M annealing mask T connection terminal

Claims (5)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】基板上に少なくとも第1の電極、第1の絶縁層、発光層、第2の絶縁層および第2の電極が積層されてなり、第1の電極は外部リードとの接続のために露出された接続端子を有し、発光層が硫黄を含む雰囲気中でアニールされる薄膜電場素子の製造方法において、前記アニール時には前記接続端子は硫黄を透過させない材料のアニールマスクにより被覆されており、前記アニール後にこのアニールマスクは第1電極を損傷することなく除去されることを特徴とする薄膜電場発光素子の製造方法。 1. A least a first electrode on a substrate, a first insulating layer, light emitting layer, and in the second insulating layer and the second electrode are laminated, the first electrode connection to external leads has an exposed connection terminals for a method of manufacturing a thin film field element emitting layer is annealed in an atmosphere containing sulfur, during the annealing the connection terminal is covered by annealing mask material that does not transmit sulfur cage, the annealing mask after the annealing method of manufacturing a thin film electroluminescent device characterized by being removed without damaging the first electrode.
  2. 【請求項2】前記マスクの材料はII族金属の硫化物であり、前記除去は加水分解によってなされることを特徴とする請求項1に記載の薄膜電場発光素子の製造方法。 Material wherein said mask is a sulfide of a Group II metal, a manufacturing method of thin film electroluminescent element according to claim 1 wherein the removal, characterized in that it is made by hydrolysis.
  3. 【請求項3】前記マスクには第1の絶縁層および第2の絶縁層が積層されおり、これらの絶縁層の除去は前記マスクの除去に伴うリフトオフによってなされることを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜電場発光素子の製造方法。 Wherein said mask has been laminated first insulating layer and the second insulating layer, according to claim 1 the removal of these insulating layers, characterized in that it is made by lift-off due to the removal of the mask or method of manufacturing a thin film electroluminescent device according to 2.
  4. 【請求項4】前記第1の絶縁層または第2の絶縁層は前記マスクを露出部なく被覆しており、前記マスク除去工程前にマスクの一部が露出されることを特徴とする請求項3に記載の薄膜電場発光素子の製造方法。 Wherein said first insulating layer or the second insulating layer is coated exposed portion without the mask, according to claim, wherein a portion of the mask is exposed before the mask removing step method of manufacturing a thin film electroluminescent device according to 3.
  5. 【請求項5】前記第1の絶縁層または第2の絶縁層はA Wherein said first insulating layer or the second insulating layer is A
    LEにより成膜されていることを特徴とする請求項4に記載の薄膜電場発光素子の製造方法。 Method of manufacturing a thin film electroluminescent element according to claim 4, characterized in that it is formed by LE.
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