JP2013014777A - ウェーハーの一時的接着用の環状オレフィン組成物 - Google Patents

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Abstract

【課題】新しい組成物およびこれらの組成物を接着組成物として用いる方法の提供。
【解決手段】組成物は溶媒系に分散または溶解されたシクロオレフィン共重合体を含み、かつアクティブウェーハーをキャリヤーウェーハーまたは基板に接着するために使用でき後続の処理および取扱いの間アクティブウェーハーおよびそのアクティブ部位を保護することを支援する。本組成物は化学的および熱的に耐性がありながら、これを製造工程の適当な段階で軟化または溶解しウェーハーを滑らせまたは引き剥がすことを可能にする接着層を形成する。
【選択図】図1

Description

本発明は空軍研究所(AFRL)の裁定による契約番号 FA8650−05−D−5807に基づく政府支援により行われた。合衆国政府は本発明に対する所定の権利を保有する。
本発明は広く新規の組成物およびそれらの組成物を用いてキャリヤーウェーハーまたは基板上のアクティブウェーハーをウェーハーの菲薄化および他の処理中に支持できる接着組成物を形成する方法に関係する。
ウェーハー(基板)の菲薄化は熱を放散させることにより集積回路(IC)の電気的動作を助けるために用いられてきた。厚い基板は静電容量の増加の原因となり、より太い伝送回線を、そして結果的により大きなICの設置面積を必要とする。基板の菲薄化はインピーダンスを増加させるが一方で静電容量はインピーダンスを減少させ、伝送回線の太さを減少させ、そして結果的にICの寸法を減少させる。斯くして、基板の菲薄化によりICの小型化が促進される。
幾何学的な制約も基板の希薄化に対するもう一つの動機である。基板の背面側にビアホールが刻まれ表面側の接触を促進する。通常の乾式エッチング技法を用いてビアホールを作る際には、幾何学的な制約が作用する。厚みが100μm未満の基板に関しては、乾式エッチング技法を用いて許容される時間内に最小限のエッチング後の残渣しか出さずに直径30〜70μmのビアホールが作られる。厚い基板については、より大きな直径のビアホールが必要となる。これにはより長い乾式エッチング時間を要しさらにより多くの量のエッチング後の残渣を作りだすため、処理能力を著しく減少させる。より大きなビアホールは同時により多くの量の金属溶射を必要とし、このことはより多くの費用を要す。したがって、背面処理に関しては、菲薄基板の方がより速くかつ安価に処理することができる。
また薄い基板はより容易に切断および罫書いてICにすることができる。薄い基板の方が貫通および切断する素材の量が小さいため少ない労力しか必要としない。どのような方法(鋸挽き、罫書きおよび破断、またはレーザー切断)を用いるにせよ、ICは薄い基板からの方が切りやすい。ほとんどの半導体ウェーハーは表側の処理の後に薄くされる。取扱いを容易にするため、ウェーハーはその通常の原寸厚み、たとえば600〜700μmで処理(すなわち、表側のデバイス)される。完成した時点で、これらは100〜150μmまで薄くされる。ある場合には(例えば、高出力装置のためにガリウムヒ素(GaAs)基板が用いられるとき)、厚みは25μmまで取り下げられることもある。
基板の機械的な菲薄化はウェーハー面を液体スラリーを含む硬くて平らな回転水平円盤に接触させて行われる。スラリーは研磨媒体をアンモニア、フッ化物、またはこれらの組合せの様な化学エッチング液と共に含む場合がある。研磨剤は「大まかな」基板除去、すなわち、菲薄化をもたらし、一方でエッチング液の化学作用がサブミクロンレベルの「研磨」を促進する。ウェーハーは所定量の基板が除去され目標とする厚みとなるまで媒体との接触を維持される。
300μm以上の厚みのウェーハーについては、ウェーハーは真空チャックまたは何らかの方法の機械的アタッチメントを用いた工作機械により所定位置に保持される。ウェーハー厚みが300μm未満まで削減されると、あえてさらに菲薄化および処理を行おうとするとアタッチメントおよびウェーハーの取扱いに関して制御を維持することが困難または不可能になってしまう。場合によっては、薄くされたウェーハーに取付けて保持する機械的装置が作られることがあるが、とりわけ処理が変動する場合にはこれらは多くの問題に曝される。このため、ウェーハー(「アクティブ」ウェーハー)は別の堅固な(キャリヤー)基板またはウェーハー上に取り付けられる。この基板が一層の菲薄化および菲薄後の処理用の保持プラットホームとなる。キャリヤー基板はサファイヤ、水晶、特定のガラス類、およびケイ素のような材料から構成され、通常は1000μmの厚みを示す。基板の選択はそれぞれの素材間の熱膨張係数(CTE)がどれだけ近似しているかによる。しかしながら、現在利用可能な接着方法は溶射または誘電溶着および焼鈍しのような背面処理工程で遭遇する高温に耐えられる十分な熱的または機械的安定性がない。さらに現在の多くの方法は平坦性に乏しく(これはウェーハー直径方向を横切る合計厚みの過大なバラツキの原因となる)、かつ耐薬品性に乏しい。
アクティブウェーハーをキャリヤー基板に固定するために用いられている一つの方法は熱放散接着テープを介するものである。この処理方法には2つの大きな欠点がある。第1は、アクティブウェーハー/基板の界面を横切るこのテープの厚みの均一性には限界があるため、この均一性の限界が極めて薄いウェーハーの取扱いにはしばしば不十分である。第2に、熱放散接着剤はより高温で実施される多くの代表的なウェーハー処理段階に接着されたウェーハー/キャリヤー基板のスタックが耐えられない様な低温度で軟化してしまうことである。
一方で、熱的に安定している接着剤は良好な接着形態を生じさせるだけの十分な溶融流れを得るためにはしばしば過度に高い接着圧力または接着温度を必要とする。同様に、アクティブウェーハーおよびキャリヤーウェーハーを分離するために過度の機械的な力を必要とする場合があり、それは接着剤の粘度が現実的な剥離温度において未だ高すぎるためである。さらに熱的に安定な接着剤は残渣を残さずに除去することが難しい場合もある。
米国特許第6008298号 米国特許第5191026号
アクティブウェーハーをキャリヤー基板に接着する新しい組成物および方法が必要であり、これは高い処理温度に耐えられかつ処理工程の適切な段階でウェーハーおよび基板を直ちに分離することを可能にするものである。
本発明は先行技術の問題点を克服するウェーハー接着方法を広く提供し、これには接着層を介して接着結合された第1および第2基板から構成されるスタックを提供すること、ならびに第1および第2基板を分離することが含まれる。接着層は溶媒系に溶解または分散されたシクロオレフィン共重合体(COC)を含む組成物から形成されている。
本発明はさらに第1および第2基板および接着層から構成される物品を提供する。第1の基板は背面、および少なくとも1つのアクティブ部位および複数の微細構造地物(topographical features)から構成されるアクティブ面から構成される。第2の基板には接着面がある。接着層は第1基板のアクティブ面および第2基板の接着面に接着される。接着層は溶媒系に溶解または分散したシクロオレフィン共重合体を含む組成物から形成される。
追加的な実施態様では、本発明は2つの基板を結合して接着するために有用な組成物に関係している。独創的な組成物は溶媒系に溶解または分散したシクロオレフィン共重合体および添加成分から構成されている。添加成分は、粘着付与樹脂、低分子量シクロオレフィン共重合体、およびこれらの混合物からなる群から選択される。
本発明による菲薄化および2つのウェーハーを剥離する独創的な方法を図解している。 実施例がたどっている代表的な処理段階を示すフロー図である。 150℃で剥離された本発明による接着組成物のレオロジー解析の結果を描いたグラフである。 200℃で剥離された本発明による接着組成物のレオロジー解析の結果を描いたグラフである。 250℃で剥離された本発明による接着組成物のレオロジー解析の結果を描いたグラフである。
より具体的には、この独創的な組成物は溶媒系に溶解または分散したシクロオレフィン共重合体(COC)を含む。共重合体は組成物の合計重量を重量で100%としたものをベースとして、組成物内に重量で約5%から約85%のレベルで存在することが好ましく、重量で約5%から約60%がより好ましく、重量で約10%から約40%が最も好ましい。
好適な共重合体は熱可塑性で重量平均分子量(M)が約2000ダルトンから約200000ダルトンであることが好ましく、約5000ダルトンから約100000ダルトンであることがより好ましい。好適な共重合体は軟化温度(3000Pa・Sにおける溶融粘度)が少なくとも約100℃あることが好ましく、少なくとも約140℃あることがより好ましく、少なくとも約160℃から約220℃あることがさらにより好ましい。好適な共重合体はさらにガラス転移点(T)が少なくとも約60℃であることが好ましく、約60℃から約200℃であることがより好ましく、約75℃から約160℃であることが最も好ましい。
好適なシクロオレフィン共重合体は環状オレフィンおよび非環状オレフィンの反復モノマー類、または環状オレフィンをベースとした開環ポリマー類から構成されている。本発明に用いるために好適な環状オレフィン類はノルボルネンをベースとしたオレフィン類、テトラシクロドデセンをベースとしたオレフィン類、ジシクロペンタジエンをベースとしたオレフィン類、およびこれらの誘導体からなる群から選択される。誘導体にはアルキル(C〜C20 アルキル類が好ましく、C〜C10 アルキル類がより好ましい)、アルキリデン(C〜C20 アルキリデン類が好ましく、C〜C10 アルキリデン類がより好ましい)、アラルキル(C〜C30 アラルキル類が好ましく、C〜C18 アラルキル類がより好ましい)、シクロアルキル(C〜C30 シクロアルキル類が好ましく、C〜C18 シクロアルキル類がより好ましい)、エーテル、アセチル、芳香族、エステル、ヒドロキシ、アルコキシ、シアノ、アミド、イミド、およびシリル置換の誘導体が含まれる。本発明に用いられるとりわけ好適な環状オレフィン類には
および前述の組合せから成る群から選択されるものを含み、ここにそれぞれの Rおよび Rは個別に −H、およびアルキル基類(C〜C20 アルキル類が好ましく、C〜C10 アルキル類がより好ましい)から成る群から選択され、それぞれの Rは個別に −H、置換または非置換アリール基類(C〜C18 アリール類が好ましい)、アルキル基類(C〜C20 アルキル類が好ましく、C〜C10 アルキル類がより好ましい)、シクロアルキル基類(C〜C30 シクロアルキル類が好ましく、C〜C18 シクロアルキル類がより好ましい)、アラルキル基類(C〜C30 アラルキル類が好ましく、ベンジル、フェネチル、およびフェニルプロピル、等のような C〜C18 アラルキル基類がより好ましい)、エステル基類、エーテル基類、アセチル基類、アルコール類(C〜C10 アルコール類が好ましい)、アルデヒド基類、ケトン類、ニトリル類、およびこれらの組合せから成る群から選択される。
好適な非環状オレフィン類は枝分かれしたおよび枝分かれしていない C〜C20 アルケン類(C〜C10 アルケン類が好ましい)から成る群から選択される。より好ましくは、本発明に用いるために適切な非環状オレフィン類は
次の構造を持ち、ここにそれぞれの Rは個別に −H およびアルキル基類(C〜C20 アルキル類が好ましく、C〜C10 アルキル類がより好ましい)から成る群から選択される。本発明に用いるためにとりわけ好適な非環状オレフィン類には、エテン、プロペン、およびブテンから成る群から選択されるものが含まれるが、エテンが最も好適である。
シクロオレフィン共重合体類を製造する方法は技術的に知られている。例えば、シクロオレフィン共重合体類は反復モノマーと非反復モノマーとを(下に示すノルボルネンとエテンのように)連鎖重合させることにより生産できる。
上に示した反応により、交互ノルボルナンジイルおよびエチレン単位を含むエテン−ノルボルネン共重合体になっている。この方法により生産された共重合体の例には Goodfellow Corporation and TOPAS Advanced Polymers社の製造による TOPASTM、および三井化学(株)の製造による APELTM が含まれる。これらの共重合体を生産する適切な方法は米国特許第6008298号に開示され、本願に引用して本明細書とする。
シクロオレフィン共重合体はさらに下に図解したような種々の環状モノマー類の開環メタセシス重合とこれに続く水素添加を行うことにより生産することができる。
この種の重合による重合物は概念的にエテンおよび環状オレフィンモノマーの共重合体(下に示すようなエチレンおよびシクロペンタン−1,3−ジイルの交互単位のような)と考えることができる。
この方法により製造された共重合体の例には Zeon Chemicals 社の ZEUMORTM、および JSR社の ARTONTM が含まれる。これらの共重合体を作る適切な方法は米国特許第5191026号に開示され、本願に引用して本明細書とする。
したがって、本発明による共重合体は:
(I)
および前述の組合せの反復モノマーを含むことが好ましく、ここに:
それぞれの Rおよび Rは個別に −H、およびアルキル基類(C〜C20 アルキル類が好ましく、C〜C10 アルキル類がより好ましい)から成る群から選択され、さらに
それぞれの Rは個別に −H、置換または非置換アリール基類(C〜C18 アリール類が好ましい)、アルキル基類(C〜C20 アルキル類が好ましく、C〜C10 アルキル類がより好ましい)、シクロアルキル基類(C〜C30 シクロアルキル類が好ましく、C〜C18 シクロアルキル類がより好ましい)、アラルキル基類(C〜C30 アラルキル類が好ましく、ベンジル、フェネチル、およびフェニルプロピル、等のような C〜C18 アラルキル基類がより好ましい)、エステル基類、エーテル基類、アセチル基類、アルコール類(C〜C10 アルコール類が好ましい)、アルデヒド基類、ケトン類、ニトリル類、およびこれらの組合せ、
ならびに
(II)
ここに:
----- は1重または2重結合;および
それぞれの Rは個別に −H およびアルキル基類(C〜C20 アルキル類が好ましく、C〜C10 アルキル類がより好ましい);から成る群から選択される。
ポリマー内のモノマー(II)に対するモノマー(I)の割合は約5:95から約95:5が好ましく、約30:70から約70:30がより好ましい。
この独創的な組成物はシクロオレフィン共重合体および全ての他の添加成分を溶媒系と共に、好ましくは室温から約150℃で、約1〜72時間の間、単に混合することで形成される。
組成物は組成物の全重量を重量で100%としたものをベースとして、少なくとも重量で約15%の溶媒系を含むべきで、重量で約30%から約95%の溶媒系が好ましく、重量で約40%から約90%の溶媒系がより好ましく、重量で約60%から約90%の溶媒系がさらにより好ましい。溶媒系の沸点は約50〜280℃であるべきで、約120〜250℃が好ましい。好適な溶媒には、メチルエチルケトン(MEK)およびシクロペンタノン、同様にリモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、1−tert−ブチル−3,5−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、およびこれらの混合物から成る群から選択される炭化水素溶媒類が含まれるが、これらに限定されない。
組成物内の固形分レベルの合計は組成物の全重量を重量で100%としたものをベースとして、少なくとも重量で約5%であるべきで、重量で約5%から約85%が好ましく、重量で約5%から約60%がより好ましく、重量で約10%から約40%がさらにより好ましい。
本発明によると、組成物は追加的な添加成分を含むことが可能で、低分子量シクロオレフィン共重合体(COC)樹脂および/または粘着付与樹脂類またはロジン類が含まれる。組成物はさらに可塑剤、酸化防止剤、およびこれらの混合物から成る群から選択される幾つかの随意の添加成分を含むことができる。
低分子量COCが組成物に用いられる場合、組成物の全重量を重量で100%としたものをベースとして、組成物内に重量で約2%から約80%のレベルで存在することが好ましく、重量で約5%から約50%がより好ましく、重量で約15%から約35%がさらにより好ましい。「低分子量シクロオレフィン共重合体」という用語は重量平均分子量(M)が約50000ダルトン未満、好ましくは約20000ダルトン未満、そしてより好ましくは約500から約10000ダルトンのCOC類に言及することを意図したものである。このような共重合体はさらに約50℃から約120℃の T を持つことが好ましく、約60℃から約90℃がより好ましく、約60℃から約70℃が最も好ましい。本発明で用いる低分子量COC樹脂の代表的なものは Topas Advanced Polymers 社から TOPASTM Toner TMの名称で市販されているもの(M8000)である。
粘着付与剤またはロジンが活用される場合、組成物の全重量を重量で100%としたものをベースとして、重量で約2%から約80%のレベルで存在することが好ましく、重量で約5%から約50%がより好ましく、重量で約15%から約35%がさらにより好ましい。粘着付与剤は組成物内で相分離が起きないようにシクロオレフィン共重合体と相溶性のある化学的性質のあるものから選定される。適切な粘着付与剤の例には、ポリテルペン樹脂類(Arizona Chemical 社から SYLVARESTM TR 樹脂の名称で販売)、β‐ポリテルペン樹脂類(Arizona Chemical 社から SYLVARESTM TR−B 樹脂の名称で販売)、スチレン化テルペン樹脂類(Arizona Chemical 社から ZONATAC NG 樹脂の名称で販売)、重合したロジン樹脂類(Arizona Chemical 社から SYLVAROSTM PR 樹脂の名称で販売)、ロジンエステル樹脂類(Eastman Chemical 社から EASTOTACTM 樹脂の名称で販売)、脂環式炭化水素樹脂類(Eastman Chemical 社から PLASTOLYNTM 樹脂の名称で、または Arakawa Chemical 社から ARKONTM 樹脂の名称で販売)、C5脂肪族炭化水素樹脂類(Eastman Chemical 社から PICCOTACTM 樹脂の名称で販売)、水素化炭化水素樹脂類(Eastman Chemical 社から REGALITETM 樹脂の名称で販売)、およびこれらの混合物が含まれるが、これらに限定されるものではない。
酸化防止剤が利用される場合は、組成物の全重量を重量で100%としたものをベースとして、重量で約0.1%から約2%のレベルで組成物内に存在することが好ましく、重量で約0.5%から約1.5%がより好ましい。適切な酸化防止剤の例には、フェノール系酸化防止剤(Ciba 社から IRGANOXTM 1010 の名称で販売されている ペンタエリスリトールテトラキス(3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート等)、亜リン酸エステル酸化防止剤(Ciba 社から IRGAFOSTM 168 の名称で販売されている トリス(2,4−ジテルト−ブチルフェニル)ホスフィット等)、亜ホスホン酸エステル酸化防止剤(Ciba 社 から IRGAFOXTM P−EPQ の名称で販売されているテトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)[l,l−ビフェニル]−4,4’−ジイルビスホスホニット等)、およびこれらの混合物から成る群から選択されるものを含む。
別の実施態様では組成物が、ビス(トリメトキシシリルエチル)ベンゼン、アミノプロピルトリ(アルコキシシラン類)(例えば、アミノプロピルトリ(メトキシシラン)、アミノプロピルトリ(エトキシシラン類)、−−フェニルアミノプロピルトリ(エトキシシラン))、および他のシランカップリング剤、またはこれらの混合物等、接着促進剤を本質的に含まない(重量で約0.1%未満そして好ましくは約0%)方が好まれる。 幾つかの実施態様においては、最終組成物もまた熱可塑性物質である(すなわち、架橋性がない)。斯くして、これら別の実施態様においては、組成物は本質的に Cytec 社の POWDERLINKTM 、および Hexion Specialty Chemicals 社の EPI−CURETM 3200 の様な架橋剤を本質的に含まない(重量で約0.1%未満そして好ましくは約0%)。
一つの態様によると、最終組成物の溶融粘度(複合粘性係数)は約100Pa・S未満であることが好ましく、約50Pa・S未満であることがより好ましく、約1Pa・Sから約35Pa・Sであることがさらにより好ましい。これらの測定を目的として、溶融粘度はレオロジー的動態分析を介して決定される(TA Instruments 社の AR−2000、2枚の平行板構成で板の直径は25mmである)。さらに、溶融粘度は問題となっている組成物の好適な剥離温度で決定されることが好ましい。ここに用いた組成物の「好適な剥離温度」という用語は組成物の溶融粘度が100Pa・S未満で、かつ温度傾斜が1ヘルツの振動周波数における動的測定により決定される。組成物を好適な剥離温度で測定した場合、組成物の貯蔵弾性率(G’)もまた好ましくは約100Pa未満で、約50Pa未満が好ましく、約1Paから約26Paがさらに好ましい。貯蔵弾性率は温度傾斜が1ヘルツの振動周波数における動的測定により決定される。
組成物は約350℃まで熱的に安定している。さらに、好適な剥離温度プラス50℃(約200℃から約300℃の温度が好ましい)で1時間後の組成物の減量が組成物によるが、重量で約5%未満であることが好ましく、重量で約1.5%未満であることがより好ましい。言い換えると、この温度ではここに記述した熱重量分析(TGA)により決定される組成物の熱分解がほとんどか全く起こらないということである。
組成物はキャリヤー基板またはアクティブウェーハーのいずれにも最初に塗布することができるが、アクティブウェーハーに最初に塗布されることが好ましい。これらの組成物は段差のあるウェーハーに対する塗工に要求される空隙の無い厚いフィルムが得られ、さらにウェーハーを横切って要求される均一さを達成するように塗布することが可能である。好適な塗工方法は約500〜5000rpmのスピン速度(より好ましくは約1000〜3500rpm)、約3000〜10000rpm/秒 の加速度、および約30〜180秒間のスピン時間による組成物のスピンコートを伴う。特定の厚みを達成するために塗工段階を変動できることは当然である。
塗工の後、基板を(例えば熱板の上で)焼成することにより溶媒を気化させることができる。代表的な焼成は約70〜250℃の温度、好ましくは約80〜240℃で約1〜60分の時間、より好ましくは約2〜10分である。焼成後のフィルム厚みは(微細構造の頂点で)一般に少なくとも約1μmで、より好ましくは約10〜200μmである。
焼成の後、望ましいキャリヤー基板をこの独創的な組成物の層に接触させ、かつこれに押しつける。キャリヤー基板は約100〜300℃、好ましくは約120〜180℃の温度に加熱してこの独創的な組成物に接着される。この加熱は真空下で約1〜10分の時間、約0.1から約25キロニュートンの結合力で実施されることが好ましい。接着されたウェーハーは背面研削、金属溶射、パターニング、不動態化、ビアホール形成、および/またはウェーハー菲薄化に関係する処理工程に曝すことができるが、以下でより詳細に説明する。
図1(a)には代表的なスタック10が図解されアクティブウェーハー12およびキャリヤーウェーハーまたは基板14を含んでいる。当然ながらスタック10は縮尺通りではなくこの図解の目的のため誇張されている。アクティブウェーハー12にはアクティブ面18がある。図1(a)に示すように、アクティブ面18は種々の微細構造地物20a〜20dを含むことができる。典型的なアクティブウェーハー12はどの様なマイクロエレクトロニクス基板を含むこともできる。幾つかの可能性のあるアクティブウェーハー12の例では、マイクロマシン技術(MEMS)デバイス、ディスプレーデバイス、フレキシブル基板(例えば、加硫エポキシ基板、地図を形成するために使える巻き取り基板)、複合半導体、低k誘電層、誘電層(例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素)、イオン埋込層、ならびにケイ素、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、亜硝酸タンタル、SiGe、およびこれらの混合物を含む基板から成る群から選択されるものを含む。
キャリヤー基板14には接着面22がある。代表的なキャリヤー基板14は、サファイヤ、セラミックス、ガラス、水晶、アルミニウム、銀、ケイ素、ガラス−セラミックス複合材料(Schott AG社から入手可能な ZerodureTM の名称で販売されている製品のような)、およびこれらの組合せから成る群から選択される素材から構成される。
ウェーハー12およびキャリヤー基板14は接着組成物層24を介して接着結合されている。接着層24は上に記述したシクロオレフィン共重合体組成物で形成されていて、これも上に記述したように塗布され乾燥されている。図1(a)に示すように、接着層24は基板14の接着面22と同様にウェーハー12のアクティブ面18にも接着されている。先行技術のテープとは異なり、接着層24は厚みを通して均一な(化学的に同じ)素材である。言い換えると、接着層24全体が同一の組成物で形成されている。
接着層24はアクティブ面18にスピンコートまたはスプレーコートにより塗布できるため、接着組成物は種々の微細構造地物の内部および上に流れることは明らかである。さらに、接着層24はアクティブ面18の微細構造の上に均一な層を形成する。この点を説明するために、図1では端部21および背面16に実質的に平行な破線26で指定した平面を示している。この平面から接着面22までの距離は厚み「T」で表されている。厚み「T」の平面26および基板14を横切る長さは約20%未満で変動するものであるが、約10%未満が好ましく、約5%未満がより好ましく、約2%未満がさらにより好ましく、約1%未満が最も好ましい。
これでウェーハーパッケージは図1(b)に示すように後続の菲薄化(または他の処理)を受けさせることが可能となり、ここに12’は菲薄化後のウェーハー12を表す。基板を厚み約100μm未満まで、好ましくは約50μm未満まで、より好ましくは約25μm未満まで薄くできることは明らかである。菲薄化の後、背面研削、パターニング(例えば、フォトリソグラフィー、ビアホールエッチング)、不動態化、および金属溶射、およびこれらの組合せを含む特有の背面処理を行うことができる。
都合のよいことに、この独創的な組成物の乾燥された層は幾つかの非常に望ましい特性を持っている。例えば、真空エッチング処理に対してガス放出性が低い。すなわち、本組成物の15−μm厚みのフィルムを80〜250℃で2〜60分(2〜4分がより好ましい)焼成した場合、溶媒が組成物から追い出されるため後続する140〜300℃で2〜4分の焼成によるフィルム厚みの変化は約5%未満、好ましくは約2%未満、さらにより好ましくは約1%未満または0%にすらなることになる(「フィルム縮み試験」と称される)。斯くして、乾燥された層は約350℃の温度まで、好ましくは約320℃まで、より好ましくは約300℃まで、層内で化学反応を起こすことなく加熱できる。幾つかの実施態様においては、層をさらに極性溶媒(例えば、N−メチル−2−ピロリドン) に80℃の温度で15分間、反応させることなく曝すことができている。
乾燥した層の接着の完全性は酸や塩基に対する暴露によっても維持される。すなわち、組成物の厚みが約15μmの乾燥層を酸性媒体(例えば、濃硫酸)または塩基(例えば、30wt%のKOH)に85℃で約45分間浸漬しても接着の完全性を維持し続けることができる。接着の完全性はガラスのキャリヤー基板を用い、接着組成物層をガラスキャリヤー基板越しに目視で観察して気泡、空隙、その他をチェックすることにより評価できる。さらに、接着の完全性はアクティブウェーハーおよびキャリヤー基板が手で分離できないようなら維持されている。
希望する処理が行われた後、アクティブウェーハーまたは基板はキャリヤー基板から分離することができる。1つの実施態様においては、接着層を軟化させるのに十分な温度まで加熱することによりアクティブウェーハーおよび基板を分離している。より具体的には、スタックを少なくとも約100℃の温度まで、好ましくは少なくとも約120℃まで、より好ましくは約150℃から約300℃まで加熱する。これらの温度範囲は接着組成物の好適な剥離温度を表している。この加熱が図1(c)に示したように接着組成物層の軟化を引き起こし軟化した接着組成物層24’を形成し、この時点で2つの基板は、例えば脇へ滑らせることにより、分離できる。図1(c)にはウェーハー12および基板14の両方を貫通する軸28が示され、通常は軸28に対し横断する方向に滑り力が加えられる。滑らせる代わりに上方へ(すなわち、ウェーハー12または基板14を一般には互いから遠ざける方向に)持ち上げてウェーハー12を基板14から分離することもできる。
代案として、層を加熱して軟化させる代わりに接着組成物は溶媒を用いて溶解することもできる。層が溶解し次第、その後にアクティブウェーハーおよび基板を分離することができる。接着層を溶解するために用いる適切な溶媒は、MEKおよびシクロペンタノンから成る群から選択されるような乾燥の前には組成物の一部であった全ての溶媒、同様にリモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、1−tert−ブチル−3,5−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、およびこれらの混合物から成る群から選択される炭化水素溶媒でもよい。
接着組成物が軟化されるにせよ溶解されるにせよ、分離は単にウェーハー12または基板14の一方を滑らせおよび/または持ち上げる力を加えると同時に他方を滑りまたは持ち上げ力に抗する様に事実上停止位置に維持することにより達成できることは明らかである(例えば、ウェーハー12および基板14に同時に反対向きの滑りまたは持ち上げ力を加える)。これは従来からある道具により達成できる。
デバイス領域に残っている接着組成物は全て適切な溶媒ですすぎその後スピン乾燥することにより除去できる。適切な溶媒には乾燥前に組成物の一部であった全ての元の溶媒と同様に剥離の際に適切な溶媒として上に挙げたものが含まれる。後に残っている全ての組成物は5〜15分間溶媒に曝すことにより完全に溶解される(少なくとも約98%、好ましくは少なくとも約99%、そしてより好ましくは約100%)。残留接着組成物全てはプラズマエッチングを単独でまたは溶媒除去処理法との組合せのいずれかを用いて除去することもまた容認できる。この段階の後、きれいな、接着組成物のないウェーハー12’およびキャリヤー基板14が残る(これらのきれいな状態では示されていない)。
後に続く実施例は本発明に基づく好適な方法を示している。しかしながら、これらの実施例は説明のために準備されたものでその中のいかなるものも本発明の全体的範囲を制約するものではないことは当然である。
<実施例1> シクロオレフィン共重合体樹脂および低分子量COC樹脂ブレンド品
この実施例では、シクロオレフィン共重合体および低分子量COC樹脂を含む調合物が作られた。幾つかの調合物には酸化防止剤が加えられた。
<1.サンプル1.1>
この手順では、1.2グラムのエテン−ノルボルネン共重合体(TOPASTM 5010、T110℃;TOPAS Advanced Polymers 社、ケンタッキー州フロレンスから入手)を6グラムのD−リモネン(Florida Chemical 社)内に 2.8グラムの低分子量シクロオレフィン共重合体(TOPASTM Toner TM、M8000、M/M 2.0)と共に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。溶液の固形物は約40%であった。
<2.サンプル1.2>
この手順では、0.75グラムのエテン−ノルボルネン共重合体(TOPASTM 8007、T 78℃)および 3.25グラムの低分子量 COC(TOPASTM Toner TM)を 6グラムのD−リモネン内に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。溶液の固形物は約40%であった。
<3.サンプル1.3>
この手順については、1.519グラムのエテン−ノルボルネン共重合体(TOPASTM 5013、T134℃)を 5.92グラムのD−リモネン内に 2.48グラムの低分子量シクロオレフィン共重合体(TOPASTM Toner TM)、0.04グラムのフェノール系酸化防止剤(IRGANOXTM1010)、および 0.04グラムの亜ホスホン酸エステル酸化防止剤(IRGAFOXTM P−EPQ) と共に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。溶液の固形物は約40%であった。
<4.サンプル1.4>
この手順では、1.2グラムのエテン−ノルボルネン共重合体(TOPASTM 8007)を 5.92グラムの D−リモネン内に 2.81グラムの低分子量シクロオレフィン共重合体(TOPASTM Toner TM)、0.04グラムのフェノール系酸化防止剤(IRGANOXTM1010)、および 0.04グラムの亜ホスホン酸エステル酸化防止剤(IRGAFOXTM P−EPQ) と共に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。溶液の固形物は約40%であった。
<5.サンプル1.5>
この手順においては、2.365グラムのエテン−ノルボルネン共重合体(TOPASTM 5013)を 5.92グラムの D−リモネン内に 1.635グラムの低分子量シクロオレフィン共重合体(TOPASTM Toner TM)、0.04グラムのフェノール系酸化防止剤(IRGANOXTM1010)、および 0.04グラムの亜ホスホン酸エステル酸化防止剤(IRGAFOXTM P−EPQ) と共に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。溶液の固形物は約40%であった。
<6.サンプル1.6>
この手順では、開環重合により準備した 2.2グラムの水素化ノルボルネンをベースとした共重合体(ZEONORTM1060、T 100℃;Zeon Chemicals 社、ケンタッキー州ルイズビルから入手)および 1.8グラムの低分子量シクロオレフィン共重合体(TOPASTM Toner TM)を 5.92グラムの シクロオクタン(Aldrich、ウィスコンシン州ミルウォーキー)内に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。溶液の固形物は約40%であった。
<実施例2> シクロオレフィン共重合体樹脂および粘着付与剤のブレンド
この実施例では、種々の粘着付与剤と共にブレンドしたシクロオレフィン共重合体を含む調合物を作った。実施例1のように、幾つかの調合物には酸化防止剤が加えられた。
<1.サンプル2.1>
この手順では、0.83グラムのエテン−ノルボルネン共重合体(TOPASTM 8007)を 5.92グラムの D−リモネン内に 3.17グラムの水素化炭化水素樹脂(REGALITETM R1125; Eastman Chemical社、テネシー州キングスポートから入手)、0.04グラムのフェノール系酸化防止剤(IRGANOXTM 1010)、および 0.04グラムの亜ホスホン酸エステル酸化防止剤(IRGAFOXTM P−EPQ) と共に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。溶液の固形物は約40%であった。
<2.サンプル2.2>
この手順については、0.7グラムのエテン−ノルボルネン共重合体(TOPASTM 8007)および 3.3グラムのスチレン化テルペン樹脂(ZONATACTM NG98;Arizona Chemical社、フロリダ州ジャクソンビルから入手)を 5.92グラムの D−リモネン内に 0.04グラムのフェノール系酸化防止剤(IRGANOXTM 1010)、および 0.04グラムの亜ホスホン酸エステル酸化防止剤(IRGAFOXTM P−EPQ)と共に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。溶液の固形物は約40%であった。
<3.サンプル2.3>
この手順では、1.9グラムのエテン−ノルボルネン共重合体(TOPASTM 5013)を 5.92グラムの D−リモネン内に 2.1グラムの脂環式炭化水素樹脂(ARKONTM P−140; Arakawa Chemical USA 社、イリノイ州シカゴから入手)、0.04グラムのフェノール系酸化防止剤(IRGANOXTM 1010)、および 0.04グラムの亜ホスホン酸エステル酸化防止剤(IRGAFOXTM P−EPQ)と共に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。
<4.サンプル2.4>
この手順においては、2.42グラムのエテン−ノルボルネン共重合体(TOPASTM 5013)を 5.92グラムの D−リモネン内に 1.58グラムの脂環式炭化水素樹脂(PLASTOLYNTM R−1140; Arakawa Chemical USA 社、イリノイ州シカゴから入手)、0.04グラムのフェノール系酸化防止剤(IRGANOXTM 1010)、および 0.04グラムの亜ホスホン酸エステル酸化防止剤(IRGAFOXTM P−EPQ)と共に溶解した。溶液を室温で添加成分が溶液になるまでかき混ぜた。溶液の固形物は約40%であった。
<実施例3> 塗工、接着および剥離、ならびに解析
上の実施例1および2で準備された調合物を種々の基板ウェーハー上にスピンコートした。焼成して溶媒を気化させさらに接着組成物を再流動化した後、第2ウェーハーをそれぞれの塗布済みウェーハーに圧力をかけて接着した。接着組成物を用いた一時的なウェーハー接着の代表的な手順が図2に説明してある。接着したウェーハーについて機械的強度、熱安定性、および耐薬品性について試験した。ウェーハーは容認できる温度で手動によりこれらを脇に滑らせることにより剥離について試験した。剥離の後、溶媒すすぎおよびスピンを用いて接着組成物の残渣をきれいにした。
実施例1および2によるそれぞれの調合物のレオロジー特性を試験した。これら全ての素材は剥離については成功裏に試験できた。サンプル1.1、1.2、2.1、および2.2に対する好適な剥離温度は150℃であると決定された。サンプル1.3、1.4、および2.3に対する好適な剥離温度は200℃、およびサンプル1.5、1.6、および2.4に対する好適な剥離温度は250℃であった。それぞれのサンプルのその好適な剥離温度における貯蔵弾性率(G’)および溶融粘度(η、粘度の複素係数、complex coefficient of viscosity)が以下に記録されている。さらにそれぞれの剥離温度におけるレオロジーデータが図3〜5に図解されている。
さらに、これらの組成物について熱安定性および耐薬品性に関するさらなる検討も実施された。熱重量分析(TGA)が TA Instruments 社の熱重量分析装置により実施された。TGAサンプルは実施例1および2のスピンコートおよび焼成された接着組成物から削り取って入手した。等温TGA測定については、サンプルを窒素内で10℃/分の速度でその好適な剥離温度プラス50℃まで加熱し、その温度で1時間保つことにより特定の接着組成物の熱安定性を決定した。それぞれのサンプル調合物の等温測定は下の表2に記録されている。走査TGA測定については、サンプルは窒素内で10℃/分の速度で室温から650℃まで加熱された。
表 2 等温熱重量分析結果−熱安定性(N 内)
上の表から判るように、全てのCOC−低分子量のCOC樹脂ブレンド(実施例1)は必要とされた熱安定性を少なくとも300℃まで持ち、さらに最小限の重量減(<1.5wt%)を呈した。COC−粘着付与剤ブレンド(実施例2)の平均重量減は試験温度に保たれた場合には約5wt%であった。しかしながら下の表3に示すように、1wt%重量減の温度はこれらそれぞれの接着/剥離温度より高く、ウェーハー接着用途には十分な耐熱性であることを示唆している。
表 3 走査熱重量分析結果
耐薬品性を決定するために、試験される特定の接着組成物を用いて2つのシリコンウェーハーを接着した。接着したウェーハーを N−メチル−2−ピロリドン(NMP)または重量で30%の85℃のKOH、および室温の濃硫酸の化学浴に入れ耐薬品性を決定した。接着の完全性は45分後に目視で観察し、それぞれの薬品に対する接着組成物の安定性を確定した。全ての接着組成物は接着の完全性を維持した。

Claims (6)

  1. 接着組成物を第1基板または第2基板のどちらかに、スピンコートによって塗布することであって、層が前記組成物から形成される厚みを横切って均一な物質であること;および
    接着層を介して第1および第2基板を一緒に接着させること
    を含む、ウェーハーを接着する方法。
  2. 前記第1基板が、層が塗布される面に、微細構造地物を含むアクティブ表面を有するアクティブウェーハーである、請求項1に記載の方法。
  3. 前記接着組成物が、微細構造地物の内部および上に流れる、請求項2に記載の方法。
  4. 接着層が、アクティブ表面の微細構造の上に均一な層を形成する、請求項2に記載の方法。
  5. 接着層が、接着層の厚み「T」の第2基板を横切る長さが約20%未満、好ましくは約10%未満、より好ましくは約5%未満、さらにより好ましくは約2%未満、最も好ましくは約1%未満で変動するように塗布される、請求項1に記載の方法。
  6. 接着層がスプレーコートによって塗布される、請求項1に記載の方法。
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