KR20120115579A - 일시적 웨이퍼 결합용 환형 올레핀 조성물 - Google Patents

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Abstract

신규한 조성물 및 이러한 조성물을 결합 조성물로서 이용하는 방법이 제공된다. 조성물은 용매 시스템에 분산되거나 용해된 사이클로올레핀 공중합체를 포함하고, 활성 웨이퍼를 캐리어 웨이퍼 또는 기판에 결합시켜 활성 웨이퍼 및 이의 활성 부위를 추후의 가공 및 취급 동안 보호하는 것을 돕도록 사용될 수 있다. 조성물은 화학적, 열적으로 내성이지만, 제작 공정의 적절한 단계에서 웨이퍼 미끄러지거나 당겨서 떨어지는 것을 허용하도록 연화되거나 용해될 수 있는 결합 층을 형성한다.

Description

일시적 웨이퍼 결합용 환형 올레핀 조성물 {CYCLIC OLEFIN COMPOSITIONS FOR TEMPORARY WAFER BONDING}
정부 출연
이 발명은 미국 해군 연구개발국(Office of Navel Research, ONR)에 의하여 선정된 계약번호 N00014-07-C-0797하의 정부 지원으로써 이루어졌다. 미국 정부는 본 발명에 특정 권리를 가진다.
발명의 분야
본 발명은 신규한 조성물 및 웨이퍼 박화(thinning) 및 다른 가공 동안 캐리어 웨이퍼 또는 기판상에 활성 웨이퍼를 지지할 수 있는 결합 조성물을 형성하기 위하여 상기 조성물을 이용하는 방법에 널리 관련된다.
웨이퍼 (기판) 박화는 열을 소산시키고 집적회로 (IC)의 전기 작동을 돕기 위하여 사용되어 왔다. 두꺼운 기판은 전기용량을 증가시키고, 더 두꺼운 전송선을 필요로 하고 더 큰 JC 풋프린트(footprint)를 필요로 한다. 전기용량이 임피던스를 감소시키는 반면 기판 박화가 임피던스를 증가시켜, 전송선을 두께를 감소시키고 IC 크기를 감소시킨다. 따라서, 기판 박화가 IC 소형화를 용이하게 한다.
형상 제한은 기판 박화에 대한 추가적인 유인이다. 전면 접촉을 용하게 하기 위하여 비아 홀(via hole)이 기판의 후면에 식각된다. 통상적인 건식식각(dry-etch) 기술을 이용하여 비아를 구축하기 위하여, 형상 제약이 가해진다. 100 ㎛ 미만의 기판 두께에 대하여, 30-70 ㎛의 지름을 가지는 비아가 수용 가능한 시간 내에 최소의 식각후(post-etch) 잔류물을 발생시키는 건식식각 방법을 이용하여 구성된다. 두꺼운 기판에 대하여, 더 큰 지름을 가지는 비아가 요구된다. 이는 더 오랜 건식식각 시간을 필요로 하고 더 많은 양의 식각후 잔류물을 발생시켜, 처리율(throughput)을 현저하게 감소시킨다. 더 큰 비아는 또한 더 많은 양의 금속배선(metallization)을 필요로 하며, 이는 더욱 비용이 든다. 그러므로, 후면 가공에 있어서, 얇은 기판이 더욱 빠르고 낮은 비용으로 가공될 수 있다.
또한 얇은 기판은 IC로 더욱 쉽게 스크라이빙(scribing)되고 절단된다. 더 얇은 기판은 관통하고 절단해야 할 물질을 더 적은 양 가지므로 더 적은 노력이 필요하다. 어떠한 방법(톱질(sawing), 스크라이브 및 파단, 또는 레이저 용발)이 이용되더라도, IC를 더 얇은 기판으로부터 절단해내는 것이 더 쉽다. 대부분의 반도체 웨이퍼는 전면 작업 후 박화된다. 취급의 용이성을 위하여, 웨이퍼는 보통의 풀-사이즈 두께, 예를 들어, 600-700 ㎛에서 가공된다 (즉, 전면 소자(frontside device)). 가공이 완료되면, 웨이퍼는 100-150 ㎛의 두께까지 박화된다. 일부 경우에 (예를 들어, 갈륨 아르세나이드(GaAs)와 같은 하이브리드 기판이 고전력 소자에 사용될 때) 두께가 25 ㎛까지 얇아질 수 있다.
기계적 기판 박화는 웨이퍼 표면을, 액체 슬러리를 보유하는 단단하고 평평한 회전 수평 플래터와 접촉시켜 수행된다. 슬러리는 암모니아, 플루오라이드, 또는 이들의 조합과 같은 화학적 식각제와 함께 연마 매체(abrasive media)를 포함할 수 있다. 연마는 "광택(gross)" 기판 제거, 즉, 식각제 화학작용이 서브마이크론 수준에서 "폴리싱"을 용이하게 하는 동안의 박화를 제공한다. 웨이퍼는 상당한 양의 기판이 제거되고 목표 두께에 도달할 때까지 매체와 접촉한 채로 유지된다.
300 ㎛ 이상의 웨이퍼 두께에 대하여, 웨이퍼가 진공 척 또는 일부 기계적 부착 수단을 사용하는 툴링(tooling)으로써 제자리에 고정된다. 웨이퍼 두께가 300 ㎛ 미만으로 감소될 때, 추가의 박화 및 가공 동안 웨이퍼의 부착 및 취급에 대하여 제어를 유지하기 어렵거나 불가능하게 된다. 일부 경우에, 기계 장치가 박화된 웨이퍼에 부착하고 고정될 수 있지만, 특히 공정이 변할 수 있을 때 많은 문제를 겪을 수 있다. 이러한 이유로, 웨이퍼("활성" 웨이퍼)가 개별적인 단단한 (캐리어) 기판 또는 웨이퍼에 마운팅(mounting)된다. 이 기판은 추가의 박화 및 박화후 가공을 위한 홀딩 플랫폼(holding platform)이 된다. 캐리어 기판은 사파이어, 석영, 특정 유리, 및 실리콘과 같은 물질로 구성되고, 보통 1000 ㎛의 두께를 나타낸다. 기판 선택은 열팽창계수(CTE)가 각 물질 사이에 얼마나 가깝게 맞추어지는가에 의존할 것이다. 그러나, 현재 이용 가능한 대부분의 접착 방법은 금속배선 또는 유전 증착(dielectric deposition) 및 어닐링(annealing)과 같은 후면 가공 단계에서 만나는 고온에 견디기에 충분한 열적 또는 기계적 안정성을 가지지 않는다. 현재의 많은 방법들은 또한 불량한 평면도(planarity) (웨이퍼 치수에 걸친 과도한 총 두께 변화에 기여함), 및 불량한 화학적 내성을 가진다.
활성 웨이퍼를 캐리어 기판에 마운팅하기 위하여 사용되어 온 한 방법은 열 해제 접착제 테이프를 통한 것이다. 이 공정은 두 가지의 주요 결점을 가진다. 첫 번째, 테이프가 활성 웨이퍼/캐리어 기판 계면에 걸쳐 제한된 두께 균일성을 가지고, 이 제한된 균일성은 흔히 초박 웨이퍼 취급에 부적절하다. 두 번째, 열 해제 접착제는 저온에서 연화되어, 결합된 웨이퍼/캐리어 기판 스택이 더 높은 온도에서 수행되는 많은 전형적인 웨이퍼 가공 단계에 견딜 수 없다.
반면에 열적으로 안정한 접착제는 흔히 우수한 결합 형성이 일어나도록 충분한 용융 흐름을 달성하기 위하여 과도하게 높은 결합 압력 또는 결합 온도를 필요로 한다. 마찬가지로, 활성 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 분리하기 위하여 지나치게 큰 기계적 힘이 필요할 수 있는데, 접착제 점도가 실제 탈결합 온도에서 지나치게 높게 유지되기 때문이다. 열적으로 안정한 접착제는 또한 남는 잔류물 없이 제거되기 어려울 수 있다. 높은 가공 온도에서 견딜 수 있고 공정의 적당한 단계에서 웨이퍼와 기판의 분리를 용이하게 하는 신규한 조성물 및 활성 웨이퍼를 캐리어 기판에 접착시키는 방법이 필요하다.
발명의 요약
본 발명은 웨이퍼 결합 방법을 널리 제공하여 선행기술의 문제점을 극복하는데, 상기 방법은 결합 층을 통하여 서로 결합된 제1 및 제2 기판을 포함하는 스택(stack)을 제공하는 단계, 및 제1 및 제2 기판을 분리하는 단계를 포함한다. 결합 층은 용매 시스템에 용해되거나 분산된 사이클로올레핀 공중합체(COC)를 포함하는 조성물로부터 형성된다. 본 발명은 또한 제1 및 제2 기판, 그리고 결합 층을 포함하는 물품을 제공한다. 제1 기판은 후방 표면(back surface) 및 활성 표면을 포함하는데, 활성 표면은 적어도 하나의 활성 부위 및 복수의 토포그래피 특징부(topographical feature)를 포함한다. 제2 기판은 결합 표면을 가진다. 결합 층은 제1 기판의 활성 표면 및 제2 기판의 결합 표면에 결합된다. 결합 층은 용매 시스템에 용해되거나 분산된 사이클로올레핀 공중합체를 포함하는 조성물로부터 형성된다.
또 다른 구체예에서, 본 발명은 두 기판을 서로 결합하기에 유용한 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 용매 시스템에 용해되거나 분산된 성분 및 사이클로올레핀 공중합체를 포함한다. 성분은 점착제(tackifier) 수지, 저분자량 사이클로올레핀 공중합체, 및 이들의 혼합으로 이루어진 군에서 선택된다.
도 1은 본 발명에 따른 두 웨이퍼를 박화 및 탈결합 하는 본 발명의 방법을 도시하고;
도 2는 실시예에 따르는 전형적인 공정 단계를 나타내는 흐름도이고;
도 3은 150℃에서 탈결합된, 본 발명에 따른 결합 조성물의 유변학적 분석 결과를 나타내는 그래프이고;
도 4는 200℃에서 탈결합된, 본 발명에 따른 결합 조성물에 대한 유변학적 분석 결과를 나타내는 그래프이고;
도 5는 250℃에서 탈결합된, 본 발명에 따른 결합 조성물에 대한 유변학적 분석 결과를 나타내는 그래프이다.
바람직한 구체예의 상세한 설명
더욱 자세하게는, 본 발명의 조성물은 용매 시스템에 분산되거나 용해된 사이클로올레핀 공중합체(COC)를 포함한다. 공중합체는 조성물의 총 중량을 100중량%로 취한 것을 기준으로, 바람직하게는 약 5중량% 내지 약 85중량%, 더욱 바람직하게는 약 5중량% 내지 약 60중량%, 가장 바람직하게는 약 10중량% 내지 약 40중량%의 수준으로 조성물에 존재한다.
바람직한 공중합체는 열가소성이고, 바람직하게는 약 2,000 달톤(Dalton) 내지 약 200,000 달톤, 더욱 바람직하게는 약 5,000 달톤 내지 약 100,000 달톤의 중량평균 분자량(Mw)을 가진다. 바람직한 공중합체는 바람직하게는 적어도 약 100℃. 더욱 바람직하게는 적어도 약 140℃, 더욱더 바람직하게는 약 160℃ 내지 약 220℃의 연화온도(3,000 Pa·S의 용융 점도)를 가진다. 적절한 공중합체는 또한 바람직하게는 적어도 약 60℃, 더욱 바람직하게는 약 60℃ 내지 약 200℃, 가장 바람직하게는 약 75℃ 내지 약 160℃의 유리 전이 온도(Tg)를 가진다.
바람직한 사이클로올레핀 공중합체는 환형 올레핀 및 비환형 올레핀의 반복 단량체, 또는 환형 올레핀에 기초하는 고리열림 중합체로 이루어진다. 본 발명에서 사용하기에 적절한 환형 올레핀은 노르보르넨-기초 올레핀, 테트라사이클로도데센-기초 올레핀, 디사이클로펜타디엔-기초 올레핀, 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택된다. 유도체에는 알킬 (바람직하게는 C1-C20 알킬, 더욱 바람직하게는 C1-C10 알킬), 알킬리덴 (바람직하게는 C1-C20 알킬리덴, 더욱 바람직하게는 C1-C10 알킬리덴), 아랄킬 (바람직하게는 C6-C30 아랄킬, 더욱 바람직하게는 C6-C18 아랄킬), 사이클로알킬 (바람직하게는 C3-C30 사이클로알킬, 더욱 바람직하게는 C3-C18 사이클로알킬), 에테르, 아세틸, 방향족, 에스테르, 하이드록시, 알콕시, 시아노, 아미드, 이미드, 및 실릴-치환된 유도체가 포함된다. 본 발명에서 사용하기에 특히 바람직한 환형 올레핀에는
Figure pat00001
및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것이 포함되고, 여기서 각 R1 및 R2는 -H, 및 알킬기 (바람직하게는 C1-C20 알킬, 더욱 바람직하게는 C1-C10 알킬)로 이루어진 군에서 개별적으로 선택되고, 각 R3는 -H, 치환 및 비치환된 아릴기 (바람직하게는 C6-C18 아릴), 알킬기 (바람직하게는 C1-C20 알킬, 더욱 바람직하게는 C1-C10 알킬), 사이클로알킬기 (바람직하게는 C3-C30 사이클로알킬기, 더욱 바람직하게는 C3-C18 사이클로알킬기), 아랄킬기 (바람직하게는 C6-C30 아랄킬, 더욱 바람직하게는 C6-C18 아랄킬기, 예컨대 벤질, 페네틸, 및 페닐프로필 등), 에스테르기, 에테르기, 아세틸기, 알코올 (바람직하게는 C1-C10 알코올), 알데하이드기, 케톤, 니트릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 개별적으로 선택된다.
바람직한 비환형 올레핀은 분지 및 비분지 C2-C20 알켄 (바람직하게는 C2-C10 알켄)으로 이루어진 군에서 선택된다. 더욱 바람직하게는, 본 발명에서 사용하기에 적절한 비환형 올레핀이 다음 구조식을 가지고
Figure pat00002
여기서 각 R4는 -H 및 알킬기 (바람직하게는 C1-C20 알킬, 더욱 바람직하게는 C1-C10 알킬)로 이루어진 군에서 개별적으로 선택된다. 본 발명에서 사용하기에 특히 바람직한 비환형 올레핀에는 에텐, 프로펜, 및 부텐으로 이루어진 군에서 선택된 것이 포함되고, 에텐이 가장 바람직하다.
사이클로올레핀 공중합체를 제조하는 방법은 당해 분야에서 공지이다. 예를 들어, 사이클로올레핀 공중합체는 환형 단량체와 비환형 단량체(예컨데 아래 나타나는 바와 같이 노르보르넨과 에텐)의 사슬 중합에 의하여 생성될 수 있다.
Figure pat00003
앞에 나타나는 반응은 교대하는 노르보르난디일 단위체 및 에틸렌 단위체를 포함하는 에텐-노르보르넨 공중합체를 생성한다. 이 방법으로 제조된 공중합체의 예에는 Goodfellow Corporation 및 TOPAS Advanced Polymers사에 의하여 생산된 TOPAS? 및 Mitsui Chemicals사에 의하여 생산된 APEL?이 포함된다. 이러한 공중합체를 제조하기 위한 적절한 방법이 미국특허공보 제6,008,298호에 개시되고, 이는 본 명세서에 참고문헌으로 포함된다.
사이클로올레핀 공중합체는 또한 아래 도시되는 바와 같이 다양한 환형 단량체의 고리열림 복분해(metathesis) 중합에 이어 수소화반응에 의하여 생성될 수 있다.
Figure pat00004
이런 유형의 중합에서 유래하는 중합체는 개념적으로 에텐과 환형 올레핀 단량체의 공중합체로서 간주될 수 있다 (예컨대 아래 나타나는 에틸렌 및 사이클로펜탄-1,3-디일의 교대하는 단위체).
Figure pat00005
이 방법에 의하여 제조된 공중합체의 예에는 Zeon Chemicals사의 ZEONOR? 및 JSR Corporation사의 ARTON?이 포함된다. 이러한 공중합체를 제조하는 적절한 방법은 미국특허공보 제5,191,026호에 개시되고, 이는 본 명세서에 참고문헌으로 포함된다.
따라서, 본 발명의 공중합체는 바람직하게는 다음의 반복 단량체 (I) 및 이들의 조합 그리고 (II)를 포함하고:
(I):
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
여기서: 각 R1 및 R2는 -H 및 알킬기 (바람직하게는 C1-C20 알킬, 더욱 바람직하게는 C1-C10 알킬)로 이루어진 군에서 개별적으로 선택되고,
각 R3는 -H, 치환 및 비치환된 아릴기 (바람직하게는 C6-C18 아릴), 알킬기 (바람직하게는 C1-C20 알킬, 더욱 바람직하게는 C1-C10 알킬), 사이클로알킬기 (바람직하게는 C3-C30 사이클로알킬기, 더욱 바람직하게는 C3-C18 사이클로알킬기), 아랄킬기 (바람직하게는 C6-C30 아랄킬, 더욱 바람직하게는 C6-C18 아랄킬기, 예컨대 벤질, 페네틸, 및 페닐프로필 등), 에스테르기, 에테르기, 아세틸기, 알코올 (바람직하게는 C1-C10 알코올), 알데하이드기, 케톤, 니트릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 개별적으로 선택되고;
(II):
Figure pat00010
여기서:
- - - - -는 단일 또는 이중 결합이고;
각 R4는 -H 및 알킬기 (바람직하게는 C1-C20 알킬, 더욱 바람직하게는 C1-C10 알킬)로 이루어진 군에서 개별적으로 선택된다.
중합체 내에서 단량체 (I) 대 단량체 (II)의 비율은 바람직하게는 약 5:95 내지 약 95:5, 더욱 바람직하게는 약 30:70 내지 약 70:30이다.
본 발명의 조성물은 바람직하게는 실온 내지 약 150℃에서 약 1-72 시간 동안 사이클로올레핀 공중합체 및 임의의 다른 성분을 용매 시스템과 단순히 혼합하여 형성된다.
조성물은 조성물의 총 중량을 100중량%로 취한 것을 기준으로, 적어도 약 15중량% 용매 시스템, 바람직하게는 약 30중량% 내지 약 95중량% 용매 시스템, 더욱 바람직하게는 약 40중량% 내지 약 90중량% 용매 시스템, 더욱더 바람직하게는 약 60중량% 내지 약 90중량% 용매 시스템을 포함해야 한다. 용매 시스템은 약 50-280℃, 바람직하게는 약 120-250℃의 끓는점을 가져야 한다. 적절한 용매에는 메틸 에틸 케톤(MEK) 및 사이클로펜탄온, 또한 리모넨, 메시틸렌, 디펜텐, 피넨, 바이사이클로헥실, 사이클로도데센, 1-tert-부틸-3,5-디메틸벤젠, 부틸사이클로헥산, 사이클로옥탄, 사이클로헵탄, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산, 및 이들의 혼합으로 이루어진 군에서 선택된 용매가 포함되지만, 이에 국한되지 않는다.
조성물 중의 총 고체 수준은 조성물의 총 중량을 100중량%로 취한 것을 기준으로, 적어도 약 5중량%, 바람직하게는 약 5중량% 내지 약 85중량%, 더욱 바람직하게는 약 5중량% 내지 약 60중량%, 더욱더 바람직하게는 약 10중량% 내지 약 40중량%여야 한다.
본 발명에 따라, 조성물은 저분자량 사이클로올레핀 공중합체(COC) 수지 및/또는 점착제 수지 또는 로진을 포함하는 추가 성분을 포함할 수 있다. 조성물은 또한 가소제, 항산화제, 및 이들의 혼합으로 이루어진 군에서 선택되는 다수의 선택적 성분을 포함할 수 있다.
저분자량 COC 수지가 조성물에 사용될 경우, 이는 조성물의 총 중량을 100중량%로 취한 것을 기준으로, 바람직하게는 약 2중량% 내지 약 80중량%, 더욱 바람직하게는 약 5% 내지 약 50중량%, 더욱더 바람직하게는 약 15중량% 내지 약 35중량%의 수준으로 조성물에 존재한다. 용어 "저분자량 사이클로올레핀 공중합체"는 약 50,000 달톤 미만, 바람직하게는 약 20,000 달톤 미만, 더욱 바람직하게는 약 500 내지 약 10,000 달톤의 중량평균 분자량(Mw)을 가지는 COC를 지칭하도록 의도된다. 이러한 공중합체는 또한 바람직하게는 약 50℃ 내지 약 120℃, 더욱 바람직하게는 약 60℃ 내지 약 90℃, 가장 바람직하게는 약 60℃ 내지 약 70℃의 Tg 를 가진다. 본 발명의 조성물에서 사용하기 위한 대표적인 저분자량 COC 수지는 Topas Advanced Polymers사로부터 입수 가능한, 제품명 TOPAS? Toner TM으로 판매되는 것이다 (Mw 8,000).
점착제 또는 로진이 사용될 경우, 이는 조성물의 총 중량을 100중량%로 취한 것을 기준으로, 바람직하게는 약 2중량% 내지 약 80중량%, 더욱 바람직하게는 약 5중량% 내지 약 50중량%, 더욱더 바람직하게는 약 15중량% 내지 약 35중량%의 수준으로 조성물에 존재한다. 점착제는 조성물에서 상분리가 일어나지 않도록 사이클로올레핀 공중합체와 상용성의(compatible) 화학을 가지는 것으로부터 선택된다. 적절한 점착제의 예에는 폴리테르펜 수지(제품명 SYLVARES™ TR 수지로 판매됨; Arizona Chemical), 베타-폴리테르펜 수지(제품명 SYLVARES™ TR-B 수지로 판매됨; Arizona Chemical), 스티렌화(styrenated) 테르펜 수지(제품명 ZONATAC NG 수지로 판매됨; Arizona Chemical), 중합된 로진 수지(제품명 SYLVAROS? PR 수지로 판매됨; Arizona Chemical), 로진 에스테르 수지(제품명 EASTOTAC™ 수지로 판매됨; Eastman Chemical), 고리형-지방족 탄화수소 수지(제품명 PLASTOLYN™ 수지로 판매됨; Eastman Chemical, 또는 제품명 ARKON™ 수지로 판매됨; Arakawa Chemical), C5 지방족 탄화수소 수지(제품명 PICCOTAC™ 수지로 판매됨; Eastman Chemical), 수소화된 탄화수소 수지(제품명 REGALITE™ 수지로 판매됨; Eastman Chemical), 이들의 혼합이 포함되지만, 이에 국한되지 않는다.
항산화제가 사용될 경우, 이는 조성물의 총 중량을 100중량%로 취한 것을 기준으로, 바람직하게는 약 0.1중량% 내지 약 2중량%, 더욱 바람직하게는 약 0.5중량% 내지 약 1.5중량%의 수준으로 조성물에 존재한다. 적절한 항산화제의 예에는 페놀성 항산화제(예컨대 Ciba사에 의하여 제품명 IRGANOX? 1010로 판매되는 펜타에리트리톨 테트라키스(3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트), 포스파이트 항산화제(예컨대 Ciba사에 의하여 제품명 IRGAFOS? 168로 판매되는 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트), 포스포나이트 항산화제(예컨대 Ciba사에 의하여 제품명 IRGAFOX? P-EPQ로 판매되는 테트라키스(2,4-디-tert-부틸페닐)[1.1-바이페닐]-4,4'-디일비스포스포나이트), 및 이들의 혼합으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 포함된다.
대안의 구체예에서, 접착 촉진제, 예컨대 비스(트리메톡시실릴에틸)벤젠, 아미노프로필 트리(알콕시 실란) (예를 들어, 아미노프로필 트리(메톡시 실란), 아미노프로필 트리(에톡시 실란), -페닐 아미노프로필 트리(에톡시 실란)), 및 다른 실란 커플링제, 또는 이들의 혼합이 본질적으로 없는 (약 0.1% 미만 및 바람직하게는 약 0중량%) 것이 바람직하다. 일부 구체예에서, 최종 조성물은 또한 열가소성(즉, 비가교성)이다. 따라서, 이러한 대안의 구체예에서, 조성물에는 가교제, 예컨대 Cytec사의 POWDERLINK? 및 Hexion Specialty Chemicals사의 EPI-CURE™ 3200가 본질적으로 없을 (약 0.1중량% 미만 및 바람직하게는 약 0중량%) 것이다.
한 양태에 따르면, 최종 조성물의 용융 점도(복소 점도계수)는 바람직하게는 약 100 Pa·S 미만, 더욱 바람직하게는 약 50 Pa·S 미만, 더욱더 바람직하게는 약 1 Pa·S 내지 약 35 Pa·S일 것이다. 이러한 측정 목적을 위하여, 용융 점도는 유변학적 동적 분석(TA Instruments, AR-2G00, 25 mm의 지름을 가지는 두 평행판 배치)를 통하여 결정된다. 더욱이, 용융 점도는 바람직하게는 해당 조성물의 바람직한 탈결합 온도에서 결정된다. 본 명세서에서 사용된, 용어 조성물의 "바람직한 탈결합 온도"는 조성물의 용융 점도가 100 Pa·S 아래인 온도로서 정의되고, 온도 경사에서 1 Hz 진동 주파수에서 동적 측정에 의하여 결정된다. 조성물은 또한 바람직하게는 조성물의 바람직한 탈결합 온도에서 측정시 약 100 Pa 미만, 바람직하게는 약 50 Pa 미만, 더욱더 바람직하게는 약 1 Pa 내지 약 26 Pa의 저장탄성률(G')을 가진다. 저장탄성률은 온도 경사에서 1 Hz 진동 주파수에서 동적 측정에 의하여 결정된다.
조성물은 약 350℃까지 열적으로 안정하다. 바람직한 탈결합 온도 + 50℃에서 (바람직하게는 약 200℃ 내지 약 300℃의 온도에서) 한 시간 후에 조성물에 따라, 또한 바람직하게는 약 5중량% 미만, 더욱 바람직하게는 약 1.5중량% 미만의 조성물 손실이 있다. 다시 말해서, 본 명세서에서 설명한 열중량 분석(TGA)에서 결정된 바와 같이 이 온도에서 조성물에서 매우 적은 열분해가 일어나거나 열분해가 일어나지 않는다.
비록 조성물이 캐리어 기판 또는 활성 웨이퍼 중 어느 하나에 먼저 도포될 수 있기는 하지만, 활성 웨이퍼에 먼저 도포되는 것이 바람직하다. 이러한 조성물은 범프(bump) 웨이퍼 도포에 필요한 무공극의 두꺼운 필름을 수득하고, 웨이퍼에 걸쳐 요구되는 균일성을 획득하기 위하여 코팅될 수 있다. 바람직한 도포 방법에는 약 3000-10,000 rpm/초의 가속도로 약 500-5000 rpm (더욱 바람직하게는 약 1000-3500 rpm)의 스핀 속도에서, 약 30-180 초의 스핀 시간 동안 조성물을 스핀 코팅하는 것이 포함된다. 도포 단계가 특정 두께를 달성하기 위하여 변할 수 있음이 이해될 것이다.
코팅 후, 기판이 용매를 증발시키기 위하여 (예를 들어, 고온 플레이트에서) 베이킹(baking)될 수 있고, 전형적인 베이킹이 약 1-60 분, 더욱 바람직하게는 약 2-10 분 동안 약 70-250℃, 바람직하게는 약 80-240℃의 온도에서 될 것이다. 베이킹 후의 (토포그래피 위의) 필름 두께는 전형적으로 적어도 약 1 ㎛, 더욱 바람직하게는 약 10-200 ㎛일 것이다.
베이킹(baking) 후, 원하는 캐리어 웨이퍼는, 본 발명의 조성물의 층과 접촉되고 이에 대하여 가압된다. 캐리어 웨이퍼는 약 100-300℃, 바람직하게는 약 120-180℃의 온도에서 가열하여 본 발명의 조성물에 결합된다. 이러한 가열은 바람직하게는 진공에서 약 1-10 분 동안, 약 0.1 내지 약 25 킬로뉴턴의 결합 힘하에 수행된다. 결합된 웨이퍼는 아래 더 자세히 설명되는 바와 같이 후면연마(backgrinding), 금속배선, 패턴화(patterning), 부동태화(passivation), 비아 형성, 및/또는 웨이퍼 박화에 관련된 다른 가공 단계를 거칠 수 있다.
도 1(a)는 활성 웨이퍼(12) 및 캐리어 웨이퍼 또는 기판(14)을 포함하는 대표적인 스택(10)을 도시한다. 스택(10)이 원래 규모로 나타나지 않고 이 도시의 목적을 위하여 과장되었음이 이해될 것이다. 활성 웨이퍼(12)는 활성 표면(18)을 가진다. 도 1 (a)에 나타나는 바와 같이, 활성 표면(18)은 다양한 토포그래피 특징부(20a-20d)를 포함할 수 있다. 전형적인 활성 웨이퍼(12)는 임의의 마이크로전자 기판을 포함할 수 있다. 일부 이용 가능한 활성 웨이퍼(12)의 예에는 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 장치, 디스플레이 장치, 가요성(flexible) 기판 (예를 들어, 경화된 에폭시 기판, 지도를 형성하기 위하여 사용될 수 있는 권취(roll-up) 기판), 화합물 반도체, 저 k 유전 층, 유전 층 (예를 들어, 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드), 이온 주입 층, 및 실리콘, 알루미늄, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드, 갈륨 아르세나이드, 게르마늄, 탄탈럼, 탄탈럼 니트라이트, SiGe, 및 이들의 혼합을 포함하는 기판으로 이루어진 군에서 선택된 것이 포함된다.
캐리어 기판(14)은 결합 표면(22)을 가진다. 전형적인 캐리어 기판(14)은 사파이어, 세라믹, 유리, 석영, 알루미늄, 은, 실리콘, 유리-세라믹 조성물 (예컨대 Schott AG사로부터 입수 가능한 제품명 Zerodur?로 판매되는 제품), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함한다.
웨이퍼(12)와 캐리어 기판(14)은 결합 조성물 층(24)을 통하여 서로 결합된다. 결합 층(24)은 상기 사이클로올레핀 공중합체 조성물로 형성되고, 또한 상기한 바와 같이 도포되고 건조된다. 도 1(a)에 나타나는 바와 같이, 결합 층(24)이 웨이퍼(12)의 활성 표면(18) 뿐만 아니라 기판(14)의 결합 표면(22)에 결합된다. 선행기술의 테이프와는 달리, 결합 층(24)은 그 두께에 걸쳐 균일한 (화학적으로 동일한) 물질이다. 다시 말해서, 전체 결합 층(24)이 동일한 조성물로 형성된다.
결합 층(24)이 스핀 코팅 또는 분사 코팅에 의하여 활성 표면(18)에 도포될 수 있기 때문에, 결합 조성물이 다양한 토포그래피 특징부 안으로, 그리고 이들 위로 흐름이 이해될 것이다. 더욱이, 결합 층(24)이 활성 표면(18)의 토포그래피에 걸쳐 균일 층을 형성한다. 이 지점을 도시하기 위하여, 도 1은 말단 부분(21)에서 점선(26)으로 나타나고, 후방 표면(16)에 실질적으로 평행한 평면을 나타낸다. 이 평면으로부터 결합 표면(22)까지의 거리는 두께 "T"로 나타난다. 두께 "T"는 기판(14) 및 평면(26)의 길이에 걸쳐 약 20% 미만, 바람직하게는 약 10% 미만, 더욱 바람직하게는 약 5% 미만, 더욱더 바람직하게는 약 2% 미만, 가장 바람직하게는 약 1% 미만으로 변할 것이다.
웨이퍼 패키지는 이후 도 1 (b)에 나타나는 기판의 추후의 박화(또는 다른 가공)를 거칠 수 있고, 여기서 (12')는 박화 후의 웨이퍼(12)를 나타낸다. 기판이 약 100 ㎛ 미만, 바람직하게는 약 50 ㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 약 25 ㎛ 미만의 두께까지 박화될 수 있음이 이해될 것이다. 박화 후, 후면연마, 패턴화 (예를 들어, 포토리소그래피, 비아 식각), 부동태화, 및 금속배선, 그리고 이들의 조합을 포함하는 전형적인 후면 가공이 수행될 수 있다.
유리하게도, 본 발명의 조성물의 건조된 층은 매우 바람직한 다수의 특성을 가진다. 예를 들어, 층은 진공 식각 공정에 대하여 적은 탈기체(outgassing)를 나타낼 것이다. 즉, 15-㎛ 두께의 조성물 필름이 80-250℃에서 2-60 분 (더욱 바람직하게는 2-4 분) 동안 베이킹될 경우, 140-300℃에서 2-4 분 동안의 추후 베이킹이 약 5% 미만, 바람직하게는 약 2% 미만, 더욱더 바람직하게는 약 1.0% 미만 또는 심지어 0%의 필름 두께 변화를 유발하도록 ("필름 수축 테스트"로 지칭됨), 용매가 조성물로부터 빠져 나올 것이다. 따라서, 건조된 층은 화학적 반응이 층에서 발생하지 않으면서 약 350℃까지, 바람직하게는 약 320℃까지, 더욱 바람직하게는 약 300℃까지 가열될 수 있다. 일부 구체예에서, 층은 또한 80℃의 온도에서 15 분 동안 반응 없이 극성 용매(예를 들어, N-메틸-2-피롤리돈)에 노출될 수 있다. 건조된 층의 결합 완전성(integrity)은 심지어 산 또는 염기에 노출되더라도 유지될 수 있다. 즉, 약 15 ㎛의 두께를 가지는 조성물의 건조된 층이 결합 완전성을 유지하면서 35℃에서 약 45 분 동안 산성 매질(예를 들어, 진한 황산) 또는 염기(예를 들어, 30 wt. % KOH)에 잠길 수 있다. 결합 완전성은 유리 캐리어 기판을 이용하고, 기포, 공극 등을 체크하기 위하여 유리 캐리어 기판을 통하여 결합 조성물 층을 시각적으로 관찰하여 평가될 수 있다. 또한, 결합 완전성은 활성 웨이퍼와 캐리어 기판이 손으로 분리될 수 없을 경우에 유지된다.
원하는 가공이 일어난 후, 활성 웨이퍼 또는 기판이 캐리어 기판으로부터 분리될 수 있다. 한 구체예에서, 활성 웨이퍼 및 기판은 결합 층을 연화시키기에 충분한 온도로 가열하여 분리된다. 더욱 상세하게 말하면, 스택이 적어도 약 100℃, 바람직하게는 적어도 약 120℃, 더욱 바람직하게는 약 150℃ 내지 약 300℃의 온도까지 가열된다. 이러한 온도 범위는 결합 조성물 층의 바람직한 탈결합 온도를 나타낸다. 이러한 가열은 결합 조성물 층을 연화시키고, 도 1 (c)에 나타나는 것과 같이 두 기판이, 예를 들어 미끄러짐에 의하여, 분리될 수 있는 지점에 연화된 결합 조성물 층(24')을 형성할 것이다. 도 1(c)는 웨이퍼(12)와 기판(14)을 모두 통과하는 축(28)을 나타내고, 미끄러짐 힘이 일반적으로 축(28)을 가로지르는 방향으로 가해질 것이다. 기판(14)으로부터 웨이퍼(12)를 분리하기 위하여 미끄러짐 대신, 웨이퍼(12) 또는 기판(14)이 위쪽으로 (즉, 일반적으로 웨이퍼(12) 또는 기판(14)의 다른 쪽을 향하는 방향으로) 들려 분리될 수 있다.
대안으로, 층을 가열하고 연화시키는 대신에, 결합 조성물이 용매를 이용하여 용해될 수 있다. 층이 용해되면, 활성 웨이퍼 및 기판이 분리될 수 있다. 결합 층을 용해에 사용하기 위한 적절한 용매는 건조 전에 조성물읠 일부인 임의의 용매, 예컨대 MEK 및 사이클로펜탄온, 뿐만 아니라 리모넨, 메시틸렌, 디펜텐, 피넨, 바이사이클로헥실, 사이클로도데센, 1-tert-부틸-3,5-디메틸벤젠, 부틸사이클로헥산, 사이클로옥탄, 사이클로헵탄, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산, 및 이들의 혼합으로 이루어진 군에서 선택되는 탄화수소 용매로 이루어진 군에서 선택된 것일 수 있다.
결합 조성물이 연화되든지 용해되든지에 관계 없이, 웨이퍼(12) 또는 기판(14) 중 하나가 미끄러지고 및/또는 들리도록 힘을 단순히 가하면서, 다른 하나를 미끄러짐 또는 들림 힘에 견디도록 실질적으로 고정된 위치에 유지시키켜 (예를 들어, 동시에 반대 방향의 미끄러짐 또는 들림 힘을 웨이퍼(12) 및 기판(14)에 가하여) 분리가 이루어질 수 있음이 이해될 것이다. 이는 모두 통상적인 장치를 통하여 이루어질 수 있다.
장치 영역에 남아 있는 임의의 결합 조성물은 적절한 용매로 헹군 다음 스핀 건조하여 쉽게 제거될 수 있다. 적절한 용매에는 건조 전에 조성물의 일부인 원래 용매 뿐만 아니라 탈결합 동안 조성물을 용해하기에 적절한 앞에서 나열한 용매가 포함된다. 뒤에 남은 임의의 조성물은 용매에 5-15 분 노출된 후 완전해 용해될 것이다 (적어도 약 98%, 바람직하게는 적어도 약 99%, 더욱 바람직하게는 약 100%). 임의의 남아 있는 결합 조성물을, 단독으로 또는 용매 제거 공정과 조합으로 플라스마 식각을 이용하여 제거하는 것이 또한 허용된다. 이 단계 후, 결합 조성물이 없는 깨끗한 웨이퍼(12') 및 캐리어 기판(14)(깨끗한 상태로 나타나지 않음)이 남을 것이다.
실시예
다음 실시예는 본 발명에 따른 바람직한 방법을 제시한다. 그러나, 이 실시예들이 예시로 제공되며 본 발명의 전체 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않음을 이해해야 한다.
실시예 1
사이클로올레핀 공중합체 수지 및 저분자량 COC 수지 블렌드
이 실시예에서, 사이클로올레핀 공중합체 및 저분자량 COC 수지를 포함하는 제제(formulation)가 제조되었다. 항산화제가 몇몇 제제에 첨가되었다.
1. 샘플 1, 1
이 절차에서, 1.2 그램의 에텐-노르보르넨 공중합체(TOPAS? 5010, Tg 110℃; 켄터키, 플로렌스 소재의 TOPAS Advanced Polymers사로부서 입수)를 2.8 그램의 저분자량 사이클로올레핀 공중합체(TOPAS? Toner TM, Mw 8,000, Mv/Mn 2.0)와 함께 6 그램의 D-리모넨(Florida Chemical Co.)에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액을 실온에서 교반되었다. 용액은 약 40% 고체를 가졌다.
2. 샘플 1,2
이 절차에서, 0,75 그램의 에텐-노르보르넨 공중합체(TOPAS? 8007, Tg 78℃) 및 3.25 그램의 저분자량 COC(TOPAS? Toner TM)를 6 그램의 D-리모넨에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액이 실온에서 교반되었다. 용액은 약 40% 고체를 가졌다.
3. 샘플 1 3
이 절차를 위하여, 1.519 그램의 에텐-노르보르넨 공중합체(TOPAS? 5013, Tg 134℃)를 2.481 그램의 저분자량 사이클로올레핀 공중합체(TOPAS? Toner TM), 0.04 그램의 페놀성 항산화제(IRGANOX? 1010), 및 0.04 그램의 포스포나이트 항산화제(IRGAFOX? P-EPQ)와 함께 5.92 그램의 D-리모넨에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액이 실온에서 교반되었다. 용액은 약 40% 고체를 가졌다.
4. 샘플 1.4
이 절차에서, 1.2 그램의 에텐-노르보르넨 공중합체(TOPAS? 8007)를 2.8 그램의 저분자량 사이클로올레핀 공중합체(TOPAS? Toner TM), 0.04 그램의 페놀성 항산화제(IRGANOX? 1010), 및 0.04 그램의 포스포나이트 항산화제(IRGAFOX? P-EPQ)와 함께 5.92 그램의 D-리모넨에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액이 실온에서 교반되었다. 용액은 약 40% 고체를 가졌다.
5. 샘플 1.5
이 절차를 위하여, 2.365 그램의 에텐-노르보르넨 공중합체(TOPAS? 5013)를1.635 그램의 저분자량 사이클로올레핀 공중합체(TOPAS? Toner TM), 0.04 그램의 페놀성 항산화제(JRGANOX? 1010), 및 0.04 그램의 포스포나이트 항산화제(IRGAFOX? P-EPQ)와 함께 5.92 그램의 D-리모넨에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액이 실온에서 교반되었다. 용액은 약 40% 고체를 가졌다.
6. 샘플 1.6
이 절차에서, (ZEONOR? 1060, Tg 100℃; 켄터키, 루이스빌 소재의 Zeon Chemicals사로부터 입수)과 1.8 그램의 저분자량 사이클로올레핀 공중합체(TOPAS? Toner TM)의 고리열림 중합에 의하여 제조된 2.2 그램의 수소화된 노르보르넨-기초 공중합체를 5.92 그램의 사이클로옥탄(위스콘신, 밀워키 소재의 Aldrich)에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액이 실온에서 교반되었다. 용액은 약 40% 고체를 가졌다.
실시예 2
사이클로올레핀 공중합체 수지 및 점착제 블렌드
이 실시예에서, 제제가 다양한 점착제와 혼합된 사이클로올레핀 공중합체를 포함하여 제조되었다. 실시예 1에서와 같이, 항산화제를 일부 제제에 첨가했다.
1. 샘플 2.1
이 절차에서, 0.83 그램의 에텐-노르보르넨 공중합체(TOPAS? 8007)를 3.17 그램의 수소화된 탄화수소 수지(REGALITE? R1125; 테네시, 킹스포트 소재의 Eastman Chemical Co.사로부터 입수), 0.04 그램의 페놀성 항산화제(IRGANOX? 1010), 및 0.04 그램의 포스포나이트 항산화제(IRGAFOX? P-EPQ)와 함께 5.92 그램의 D-리모넨에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액이 실온에서 교반되었다. 용액은 약 40% 고체를 가졌다.
2. 샘플 2.2
이 절차를 위하여, 0.7 그램의 에텐-노르보르넨 공중합체(TOPAS? 8007) 및 3.3 그램의 스티렌화 테르펜 수지(ZONATAC? NG98; 플로리다, 잭슨빌 소재의 Arizona Chemical, Jacksonville사로부터 입수)를 0.04 그램의 페놀성 항산화제(IRGANOX? 1010), 및 0.04 그램의 포스포나이트 항산화제(IRGAFOX? P-EPQ)와 함께 5.92 그램의 D-리모넨에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액이 실온에서 교반되었다. 용액은 약 40% 고체를 가졌다.
3. 샘플 2.3
이 제제에서, 1.9 그램의 에텐-노르보르넨 공중합체(TOPAS? 5013)를 2.1 그램의 고리형-지방족 탄화수소 수지(ARKON? P-140; 일리노이, 시카고 소재의 Arakawa Chemical USA Inc.사로부터 입수), 0.04 그램의 페놀성 항산화제(IRGANOX? 1010), 및 0.04 그램의 포스포나이트 항산화제(IRGAFOX? P-EPQ)와 함께 5.92 그램의 D-리모넨에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액이 실온에서 교반되었다.
4. 샘플 2.4
이 절차를 위하여, 2.42 그램의 에텐-노르보르넨 공중합체(TOPAS? 5013)를 1.58 그램의 고리형-지방족 탄화수소 수지(PLASTOLYN? R-1140; 일리노이, 시카고 소재의 Arakawa Chemical USA Inc.로부터 입수), 0.04 그램의 페놀성 항산화제(IRGANOX? 1010), 및 0.04 그램의 포스포나이트 항산화제(IRGAFOX? P-EPQ)와 함께 5.92 그램의 D-리모넨에 용해했다. 성분들이 용액에 섞일 때까지 용액이 실온에서 교반되었다. 용액은 약 40% 고체를 가졌다.
실시예 3
도포, 결합과 탈결합 , 그리고 분석
상기 실시예 1 및 2에서 제조된 제제를 다양한 기판 웨이퍼에 스핀 코팅했다. 용매가 증발되도록 베이킹하고 결합 조성물이 다시 흐르도록 한 후, 압력을 가하여 제2 웨이퍼를 코팅된 각 웨이퍼에 결합시켰다. 결합 조성물을 이용하는 일시적인 웨이퍼 결합을 위한 전형적인 절차가 도 2에 도해된다. 결합된 웨이퍼를 기계적 강도, 열안정성, 및 화학적 내성에 대하여 테스트했다. 수용 가능한 온도에서 웨이퍼를 손으로 미끄러트려 탈결합에 대하여 웨이퍼를 테스트했다. 탈결합 후, 용매 헹굼 및 스피닝(spinning)을 이용하여 결합 조성물 잔류물을 세척했다.
실시예 1 및 2의 각 제제의 유변학적 특성을 테스트했다. 이러한 모든 물질을 탈결합에 대하여 성공적으로 테스트했다. 샘플 1.1, 1.2, 2.1, 및 2.2에 대한 바람직한 탈결합 온도가 150℃인 것으로 결정되었다. 샘플 1.3, 1.4, 및 2.3에 대한 바람직한 탈결합 온도는 200℃였고, 샘플 1.5, 1.6, 및 2.4에 대한 바람직한 탈결합 온도는 250℃였다. 바람직한 탈결합 온도에서 각 샘플에 대한 저장탄성률(G') 및 용융 점도(η*, 복소 점도계수)가 아래 기록된다. 유변학적 데이터가 또한 각 탈결합 온도에 대하여 도 3-5에 도시된다.
샘플 번호 저장탄성률, G' ( Pa ) 점도, η*
( Pa ·S) 		탈결합
온도 (℃)
1.1 25.5 35.0 150
1.2 9.6 16.7 150
1.3 8.0 13.9 200
1.4 3.5 5.1 200
1.5 16.3 20.1 250
1.6 8.1 15.1 250
2.1 24.9 14.5 150
2.2 1.3 2.4 150
2.3 21.7 28.7 200
2.4 5.5 14.1 250
열안정성 및 화학적 내성에 대한 추가 연구를 이러한 조성물에 대해서도 수행했다. 열중량 분석(TGA)을 TA Instruments 열중량 분석기에서 수행했다. 실시예 1 및 2의 스핀 코팅되고 베이킹된 결합 조성물 샘플을 벗겨내어 TGA 샘플을 수득했다. 등온 TGA 측정을 위하여, 샘플을 질소 중에서 10℃/min의 속도로 바람직한 탈결합 온도 + 50℃까지 가열하고, 1 시간 동안 그 온도에서 그대로 두어 특정 결합 조성물의 열안정성을 결정했다. 각 샘플 제제에 대한 등온 측정이 아래 표 2에 기록된다. 주사 TGA 측정을 위하여, 샘플을 질소 중에서 실온으로부터 650℃까지 10℃/min의 속도로 가열했다.
표 2 - 등온 열중량법 결과 - 열안정성 (N2 중에서)
샘플 중량 손실 (%)
(1 시간 동안 등온) 		등온 온도
(℃)
1.1 0.123 200
1.2 0.847 200
1.3 1.268 250
1.4 0.764 250
1.5 0.752 300
1.6 0.596 300
2.1 5.496 200
2.2 4.650 200
2.3 5.737 250
2.4 5.191 300
위의 표에서 볼 수 있는 것과 같이, 모든 COC-저분자량 COC 수지 블렌드(실시예 1)는 적어도 300℃까지 요구되는 열안정성을 가졌고, 최소 중량 손실(< 1.5-wt%)을 나타냈다. COC-점착제 블렌드(실시예 2)는 테스트 온도에서 유지시 약 5-wt%의 평균 중량 손실을 가졌다. 그러나, 아래 표 3에 나타나는 바와 같이, 1-wt% 중량 손실 온도가 각각의 결합/탈결합 온도보다 높았고, 웨이퍼-결합 적용에 대한 충분한 열 내성을 암시한다.
표 33 - 주사 열분석법 결과
샘플 1.0% 중량 손실에서의 온도
(℃) 		탈결합 온도
(℃)
2.1 214 150
2.2 223 150
2.3 228 200
2.4 252 250
화학적 내성을 결정하기 위하여, 두 실리콘 웨이퍼가 테스트될 특정 결합 조성물을 이용하여 결합되었다. 결합된 웨이퍼를 85℃에서 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 또는 30중량% KOH, 그리고 실온에서 진한 황산의 화학 배스에 넣어 화학적 내성을 결정했다. 결합 완전성을 45 분 후 시각적으로 관찰했고, 각각의 화학물질에 대한 결합 조성물의 안정성을 결정했다. 모든 결합 조성물이 결합 완전성을 유지했다.

Claims (6)

  1. 다음 단계를 포함하는 웨이퍼 결합 방법:
    제1 또는 제2 기판에 결합 조성물을 스핀 코팅으로 도포하여 그 두께에 걸쳐 균일한 물질인 결합 층을 동일한 조성으로 형성하는 단계; 및
    상기 결합 층을 통해 상기 제1 및 제2 기판을 함께 결합하는 단계.
  2. 청구항 1에 있어서, 제1 기판은 도포된 층에서 토포그래피 특징부를 포함하는 활성 표면을 가진 활성 웨이퍼인 방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 결합 조성물은 토포그래피 특징부 안으로, 그리고 이들 위로 흐르는 방법.
  4. 청구항 2에 있어서, 결합 층은 활성 표면의 토포그래피 상에 균일한 층을 형성하는 방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 결합 층은 결합 층의 두께 T가 제2 기판의 길이에 걸쳐 약 20% 미만, 바람직하게는 약 10% 미만, 더욱 바람직하게는 약 5% 미만, 더욱더 바람직하게는 약 2% 미만, 가장 바람직하게는 약 1% 미만으로 변하도록 도포되는 방법.
  6. 청구항 1에 있어서, 결합 층은 분사 코팅으로 도포되는 방법.
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Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8092628B2 (en) 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
US8771927B2 (en) * 2009-04-15 2014-07-08 Brewer Science Inc. Acid-etch resistant, protective coatings
WO2010143510A1 (ja) * 2009-06-11 2010-12-16 東京応化工業株式会社 接着剤組成物
JP5619481B2 (ja) * 2010-06-15 2014-11-05 東京応化工業株式会社 接着剤組成物
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
JP5681501B2 (ja) * 2010-09-02 2015-03-11 東京応化工業株式会社 接着剤組成物
JP5681502B2 (ja) 2010-09-30 2015-03-11 東京応化工業株式会社 接着剤組成物
FR2967058B1 (fr) * 2010-11-05 2013-10-04 Oreal Composition cosmetique et procede de recourbement des fibres keratiniques
JP5729097B2 (ja) * 2011-04-07 2015-06-03 Jsr株式会社 基材の処理方法、仮固定材および電子部品
WO2013006865A2 (en) 2011-07-07 2013-01-10 Brewer Science Inc. Methods of transferring device wafers or layers between carrier substrates and other surfaces
JP5861304B2 (ja) * 2011-08-01 2016-02-16 Jsr株式会社 基材の処理方法、半導体装置および仮固定用組成物
US8940104B2 (en) 2011-08-02 2015-01-27 Brewer Science Inc. Cleaning composition for temporary wafer bonding materials
JP5361092B2 (ja) * 2011-09-16 2013-12-04 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
US9558983B2 (en) * 2011-09-16 2017-01-31 Lintec Corporation Base film for dicing sheet and dicing sheet
JP5592328B2 (ja) * 2011-09-30 2014-09-17 信越化学工業株式会社 仮接着材組成物及びこれを用いた薄型ウエハの製造方法
JP5661669B2 (ja) 2011-09-30 2015-01-28 東京応化工業株式会社 接着剤組成物、接着フィルムおよび基板の処理方法
WO2013058054A1 (ja) * 2011-10-20 2013-04-25 日東電工株式会社 熱剥離型シート
US20140249269A1 (en) * 2011-10-20 2014-09-04 Nitto Denko Corporation Thermally-detachable sheet
CA2859512A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Frans Nooren Afdichtingssystemen B.V. Composition for coating a substrate and method for coating a substrate
JP6093187B2 (ja) * 2012-02-08 2017-03-08 東京応化工業株式会社 剥離用組成物、剥離用組成物の製造方法、及びその利用
US9127126B2 (en) 2012-04-30 2015-09-08 Brewer Science Inc. Development of high-viscosity bonding layer through in-situ polymer chain extension
CN104521025B (zh) * 2012-09-11 2017-08-25 日本瑞翁株式会社 二次电池用密封材料及二次电池用密封材料组合物
US9269623B2 (en) 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
KR102077248B1 (ko) 2013-01-25 2020-02-13 삼성전자주식회사 기판 가공 방법
US9349643B2 (en) 2013-04-01 2016-05-24 Brewer Science Inc. Apparatus and method for thin wafer transfer
KR101930128B1 (ko) 2013-07-03 2018-12-17 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 고온 탈결합가능한 접착제
US10103048B2 (en) 2013-08-28 2018-10-16 Brewer Science, Inc. Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates
US9315696B2 (en) 2013-10-31 2016-04-19 Dow Global Technologies Llc Ephemeral bonding
US9865490B2 (en) 2014-01-07 2018-01-09 Brewer Science Inc. Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes
JP6687523B2 (ja) * 2014-01-07 2020-04-22 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． ウェーハの一時接着処理に使用する環状オレフィンポリマー組成物およびポリシロキサン離型層
US9355881B2 (en) 2014-02-18 2016-05-31 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a dielectric material
DE102014205885B3 (de) * 2014-03-28 2015-03-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum stoffschlüssigen Verbinden von Substraten und anschließendem Lösen der stoffschlüssigen Verbindung, Verbundsystem und dessen Verwendung
CN107001908B (zh) 2014-06-24 2020-06-09 汉高股份有限及两合公司 单组分uv和热固化高温可脱粘的胶粘剂
SG11201700478YA (en) 2014-07-22 2017-02-27 Brewer Science Inc Polyimides as laser release materials for 3-d ic applications
CN104559852B (zh) 2014-12-31 2018-02-27 深圳市化讯半导体材料有限公司 一种用于薄晶圆加工的临时键合胶及其制备方法
JP2016146429A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
US9644118B2 (en) 2015-03-03 2017-05-09 Dow Global Technologies Llc Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier
CN105176456A (zh) * 2015-08-27 2015-12-23 烟台德邦科技有限公司 一种晶圆减薄临时粘结剂及其制备方法
TWI638043B (zh) * 2017-03-22 2018-10-11 中美矽晶製品股份有限公司 矽晶圓洗劑與清洗矽晶圓的方法
JP6854895B2 (ja) * 2017-07-14 2021-04-07 信越化学工業株式会社 高熱伝導性のデバイス基板およびその製造方法
US10403598B2 (en) * 2017-08-11 2019-09-03 Micron Technology, Inc. Methods and system for processing semiconductor device structures
CN107914564A (zh) * 2017-12-08 2018-04-17 广西玉柴机器股份有限公司 一种单向离合器双行星排双电机集成式混合动力系统
EP3806157A4 (en) * 2018-05-31 2022-07-06 Institute of Flexible Electronics Technology of Thu, Zhejiang TRANSITION DEVICE FOR FLEXIBLE DEVICE AND METHOD FOR PREPARING IT, AND METHOD FOR MANUFACTURING FOR FLEXIBLE DEVICE
CN109628012B (zh) * 2018-12-19 2021-11-09 广东莱尔新材料科技股份有限公司 一种耐湿、耐高温、低介电常数的热熔胶膜及其制备方法
JP7453238B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-19 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． ３－ｄ ｉｃ用途用レーザー離型性接着材料
US11791191B2 (en) 2020-07-08 2023-10-17 Raytheon Company Ultraviolet radiation shield layer

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080173970A1 (en) * 2006-10-06 2008-07-24 Pillalamarri Sunil K Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
US7678861B2 (en) * 2006-02-06 2010-03-16 Brewer Science Inc. Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3868433A (en) 1972-04-03 1975-02-25 Exxon Research Engineering Co Thermoplastic adhesive compositions
US3987122A (en) 1972-04-03 1976-10-19 Exxon Research And Engineering Company Thermoplastic adhesive compositions
US3959062A (en) 1972-08-10 1976-05-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of joining surfaces using segmented copolyester adhesive
US3970494A (en) 1975-04-18 1976-07-20 Western Electric Co., Inc. Method for adhering one surface to another
US4474942A (en) 1982-06-28 1984-10-02 Takeda Chemical Industries, Ltd. Cross-linked polyesteramide from bis(2-oxazoline)
GB8320270D0 (en) 1983-07-27 1983-09-01 Raychem Ltd Polymer composition
US4558114A (en) 1985-01-23 1985-12-10 Ashland Oil, Inc. Polymers derived from polyisocyanates, bicyclic amide acetals and oxazolines
US4710542A (en) 1986-05-16 1987-12-01 American Cyanamid Company Alkylcarbamylmethylated amino-triazine crosslinking agents and curable compositions containing the same
US4793337A (en) 1986-11-17 1988-12-27 E. R. Squibb & Sons, Inc. Adhesive structure and products including same
EP0395764A4 (en) 1987-12-25 1991-05-15 Nippon Zeon Co., Ltd. Hydrogenated derivative of ring-opening copolymer and process for its production
DE3922546A1 (de) 1989-07-08 1991-01-17 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von cycloolefinpolymeren
NL8902683A (nl) 1989-10-31 1991-05-16 Stamicarbon Meerkomponentensysteem op basis van een oxazoline en een fosfor bevattende verbinding.
US5043250A (en) 1990-07-17 1991-08-27 Eastman Kodak Company Radiation-sensitive composition containing a poly (N-acyl-alkyleneimine) and use thereof in lithographic printing plates
DE59402624D1 (de) 1993-02-12 1997-06-12 Hoechst Ag Verfahren zur Herstellung von Cycloolefincopolymeren
DE59408507D1 (de) 1993-10-06 1999-08-26 Ticona Gmbh Modifiziertes Cycloolefincopolymer
DE4422157A1 (de) 1994-06-24 1996-01-04 Hoechst Ag Verfahren zur Herstellung von Cycloolefincopolymeren
MY115462A (en) * 1995-06-01 2003-06-30 Chugoku Marine Paints Antifouling coating composition, coating film formed from said antifouling coating composition, antifouling method using said antifouling coating composition and hull or underwater structure coated with said coating film
US5888650A (en) 1996-06-03 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Temperature-responsive adhesive article
US5773561A (en) 1996-08-02 1998-06-30 International Business Machines Corporation Polymer sealants/adhesives and use thereof in electronic package assembly
ES2178017T3 (es) * 1996-11-04 2002-12-16 Goodrich Corp Composiciones dielectricas fotodefinibles.
US6054363A (en) 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
KR100225956B1 (ko) 1997-01-10 1999-10-15 김영환 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지
WO1998033861A1 (fr) 1997-01-30 1998-08-06 Mitsui Chemicals, Inc. Compositions adhesives thermofusibles
JP3978832B2 (ja) * 1997-10-23 2007-09-19 日本ゼオン株式会社 回路基板用接着剤
EP1496094B1 (en) 1997-10-29 2008-08-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. An adhesive sheet based on a siloxane-modified polyamideimide resin composition, and a CSP board and a semiconductor device produced by using the sheet
US6110999A (en) 1998-03-06 2000-08-29 Denovus Llc Reusable adhesive composition and method of making the same
US6156820A (en) 1998-12-28 2000-12-05 Occidental Chemical Corporation Polyamideimidesiloxane hot melt adhesive
US6409875B1 (en) * 1999-02-05 2002-06-25 Materia, Inc. Metathesis-active adhesion agents and methods for enhancing polymer adhesion to surfaces
JP4492893B2 (ja) * 1999-03-17 2010-06-30 株式会社Ｄｎｐファインケミカル 液状仮着接着剤
EP1197509B1 (en) * 1999-05-31 2011-07-06 Zeon Corporation Process for producing hydrogenated ring-opening polymerization polymer of cycloolefin
US6440259B1 (en) 1999-08-04 2002-08-27 3M Innovative Properties Company One-part storage-stable water-based contact adhesive composition with an internal coagulant
DE19956422A1 (de) 1999-11-24 2001-06-13 Hella Kg Hueck & Co Lösbare Klebstoffe zum Verbinden von Substraten
JP4320882B2 (ja) * 1999-12-10 2009-08-26 日立化成工業株式会社 半導体素子用接着材組成物及びこれを用いた半導体装置
JP3520839B2 (ja) * 2000-01-21 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片の製造方法
EP1196512B1 (en) 2000-03-30 2005-11-09 H.B. Fuller Licensing & Financing, Inc. Adhesive composition comprising a particulate thermoplastic component
US6590047B1 (en) 2000-07-28 2003-07-08 Industrial Technology Research Institute Modified copolymer of olefin and cycloolefin
US20030168158A1 (en) 2000-08-22 2003-09-11 Takeyoshi Kato Method of film laminating
KR100816931B1 (ko) 2000-10-04 2008-03-25 제이에스알 가부시끼가이샤 시클릭 올레핀 부가 공중합체 조성물 및 가교-결합된 물질
US20020127821A1 (en) 2000-12-28 2002-09-12 Kazuyuki Ohya Process for the production of thinned wafer
US20020115263A1 (en) 2001-02-16 2002-08-22 Worth Thomas Michael Method and related apparatus of processing a substrate
TW574753B (en) 2001-04-13 2004-02-01 Sony Corp Manufacturing method of thin film apparatus and semiconductor device
DE10137375A1 (de) 2001-07-31 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Verwendung von Polybenzoxazolen (PBO) zum Kleben
EP1295926A1 (en) 2001-09-19 2003-03-26 ExxonMobil Chemical Patents Inc. Components for adhesive compositions and process for manufacture
DE10213227A1 (de) 2002-03-25 2003-10-16 Bayer Ag Zusammensetzung
WO2003095579A1 (fr) 2002-05-13 2003-11-20 Jsr Corporation Composition et procede pour la fixation termporaire de solides
US6828020B2 (en) 2002-08-14 2004-12-07 Adco Products, Inc. Self-adhesive vibration damping tape and composition
US7608336B2 (en) 2002-11-28 2009-10-27 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Flame-retardant epoxy resin composition and cured product obtained therefrom
US6869894B2 (en) 2002-12-20 2005-03-22 General Chemical Corporation Spin-on adhesive for temporary wafer coating and mounting to support wafer thinning and backside processing
JP4171898B2 (ja) 2003-04-25 2008-10-29 信越化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンド用接着テープ
ITMI20030969A1 (it) * 2003-05-15 2004-11-16 Enitecnologie Spa Procedimento per la produzione in continuo di idrocarburi da gas di sintesi in reattori a sospensione e per la separazione della fase liquida prodotta dalla fase solida.
DE10334576B4 (de) 2003-07-28 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse
US7011924B2 (en) 2003-07-30 2006-03-14 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymers and photoresist compositions comprising the same
US7270937B2 (en) 2003-10-17 2007-09-18 Hynix Semiconductor Inc. Over-coating composition for photoresist and process for forming photoresist pattern using the same
US7084201B2 (en) 2003-11-14 2006-08-01 Wall-Guard Corporation Of Ohio Non-flammable waterproofing composition
US7288316B2 (en) 2003-11-21 2007-10-30 Topas Advanced Polymers, Inc. Cycloolefin copolymer heat sealable films
CN1886480A (zh) 2003-11-27 2006-12-27 捷时雅株式会社 热熔型粘合剂组合物
JP4405246B2 (ja) * 2003-11-27 2010-01-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体チップの製造方法
JP2005191550A (ja) * 2003-12-01 2005-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の貼り付け方法
JP2006135272A (ja) 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
US7316844B2 (en) 2004-01-16 2008-01-08 Brewer Science Inc. Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates
KR100696287B1 (ko) 2004-01-28 2007-03-19 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 보호방법
DE102004007060B3 (de) 2004-02-13 2005-07-07 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Wafern
FR2866983B1 (fr) 2004-03-01 2006-05-26 Soitec Silicon On Insulator Realisation d'une entite en materiau semiconducteur sur substrat
US7208334B2 (en) 2004-03-31 2007-04-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device, acid etching resistance material and copolymer
JP2008518280A (ja) 2004-10-29 2008-05-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 環状オレフィンコポリマーを組み入れた光学フィルム
US7595369B2 (en) 2004-11-10 2009-09-29 Lg Chem, Ltd. Method of polymerizing cyclic olefins and vinyl olefins, copolymer produced by the method and optical anisotropic film comprising the same
US20060141241A1 (en) 2004-12-23 2006-06-29 Carespodi Dennis L Peelable breakaway multi-layered structures and methods and compositions for making such structures
JP2006193666A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付きキャリア材料および半導体装置
US7799883B2 (en) 2005-02-22 2010-09-21 Promerus Llc Norbornene-type polymers, compositions thereof and lithographic process using such compositions
US20080075901A1 (en) 2005-02-23 2008-03-27 Lee S Thomas Multilayer Films Including Cycloolefin Copolymer and Styrene-Butadiene Copolymer
KR101278460B1 (ko) 2005-03-01 2013-07-02 다우 코닝 코포레이션 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접착방법
ATE468375T1 (de) 2005-09-09 2010-06-15 Avery Dennison Corp Hitzeschrumpfbarer film mit härtbarem klebstoff auf methacrylatharzbasis
US20090081387A1 (en) 2005-09-13 2009-03-26 Fujifilm Corporation Method of Producing Cyclic Polyolefin Film, Cyclic Polyolefin Film Produced by the Production Method, Method of Preparing Liquid Dispersion of Fine Particles, Liquid Dispersion of Fine Particles and Method of Preparing Dope
US7655289B2 (en) 2005-12-12 2010-02-02 Eastman Kodak Company Optical film composite having spatially controlled adhesive strength
JP5618537B2 (ja) 2006-03-21 2014-11-05 プロメラス，エルエルシー チップ積層並びにチップ・ウェハ接合に有用な方法及び材料
US8120168B2 (en) 2006-03-21 2012-02-21 Promerus Llc Methods and materials useful for chip stacking, chip and wafer bonding
US7482412B2 (en) 2006-10-10 2009-01-27 Jsr Corporation Process for manufacturing cycloolefin addition polymer
CN101779268B (zh) 2007-06-25 2013-11-06 布鲁尔科技公司 高温旋涂暂时性粘合组合物
US9111981B2 (en) * 2008-01-24 2015-08-18 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate
US8092628B2 (en) 2008-10-31 2012-01-10 Brewer Science Inc. Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7678861B2 (en) * 2006-02-06 2010-03-16 Brewer Science Inc. Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive
US20080173970A1 (en) * 2006-10-06 2008-07-24 Pillalamarri Sunil K Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach

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