JP2012530441A - 低電流インバータ回路 - Google Patents
低電流インバータ回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012530441A JP2012530441A JP2012515460A JP2012515460A JP2012530441A JP 2012530441 A JP2012530441 A JP 2012530441A JP 2012515460 A JP2012515460 A JP 2012515460A JP 2012515460 A JP2012515460 A JP 2012515460A JP 2012530441 A JP2012530441 A JP 2012530441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- source
- drain
- gate
- low current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/09403—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using junction field-effect transistors
- H03K19/09418—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using junction field-effect transistors in combination with bipolar transistors [BIFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/09403—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using junction field-effect transistors
- H03K19/09407—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using junction field-effect transistors of the same canal type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
- H03K19/09441—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET of the same canal type
- H03K19/09443—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET of the same canal type using a combination of enhancement and depletion transistors
- H03K19/09445—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET of the same canal type using a combination of enhancement and depletion transistors with active depletion transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
2 入力トランジスタのドレイン
3 入力トランジスタのゲート
4 フィードバックトランジスタのソース
5 フィードバックトランジスタのドレイン
6 フィードバックトランジスタのゲート
7 接続ライン
8 さらなるトランジスタのソース
9 さらなるトランジスタのドレイン
10 さらなるトランジスタのゲート
11 さらなるトランジスタのソース
12 さらなるトランジスタのドレイン
13 さらなるトランジスタのゲート
14 さらなるダイオード
15 入力トランジスタのソース
16 入力トランジスタのドレイン
17 入力トランジスタのゲート
18 フィードバックトランジスタのソース
19 フィードバックトランジスタのドレイン
20 フィードバックトランジスタのゲート
21 接続ライン
D フィードバックトランジスタ
D1 フィードバックトランジスタ
E 入力トランジスタ
E1 さらなるトランジスタ
E2 さらなるトランジスタ
E3 入力トランジスタ
IN 入力信号
OUT 出力信号
VDD 供給電圧の高電位レベル
VSS 供給電圧の低電位レベル
Claims (9)
- 低電流インバータ回路において
・該低電流インバータ回路は、入力トランジスタ(E3)及びフィードバックトランジスタ(D)であって、その各々はソースと、ドレインと、ソース及びドレインの間のチャネルを制御するために設けられたゲートとを含み、また各々はゲート・ソース接合を有する入力トランジスタ(E3)及びフィードバックトランジスタ(D)を備え、
・前記入力トランジスタは、前記ゲートと前記ソースとの間に印加されるゲート・ソース電圧が正の閾値電圧よりも大きな正である場合には、前記ソースと前記ドレインとの間を導通し、そうでなければ前記ソースと前記ドレインとの間を導通せず、
・前記フィードバックトランジスタは、前記ゲートと前記ソースとの間に印加されるゲート・ソース電圧が負の閾値電圧よりも大きな負である場合には、前記ソースと前記ドレインとの間を導通せず、そうでなければ前記ソースと前記ドレインとの間を導通し、
・前記低電流インバータ回路は、前記フィードバックトランジスタのソース(4)と前記入力トランジスタのドレイン(2)との間に電圧降下を生じさせる構成要素(El,E2;14)を備え、
・前記低電流インバータ回路は、前記入力トランジスタのドレイン(2)と前記フィードバックトランジスタのゲート(6)との間の接続ライン(7)を備え、
・前記入力トランジスタのソース(1)は、前記供給電圧の第1電圧レベル(VSS)に接続されるために設けられ、
・前記フィードバックトランジスタのドレイン(5)は、供給電圧の第2電圧レベル(VDD)に接続されるために設けられ、
・前記入力トランジスタのゲート(3)は、入力信号(IN)用に設けられ、
・前記入力トランジスタのドレイン(2)は、出力信号(OUT)用に設けられている
低電流インバータ回路。 - 請求項1に記載の低電流インバータ回路において、さらに
ソース(8)と、ドレイン(9)と、該ソースと該ドレインとの間のチャネルを制御するために設けられたゲート(10)と、ゲート・ソース接合とを備えるさらなるトランジスタ(E1)と、
前記さらなるトランジスタ(E1)の前記ゲート・ソース接合を含み、電圧降下を生じさせる構成要素と
をさらに備える低電流インバータ回路。 - 請求項1に記載の低電流インバータ回路において、
少なくとも2つのさらなるトランジスタ(E1,E2)であって、その各々はソース(8,11)と、ドレイン(9,12)と、該ソース及び該ドレインとの間のチャネルを制御するために設けられたゲート(10,13)と、ゲート・ソース接合とを備える少なくとも2つのさらなるトランジスタ(E1,E2)と、
直列に接続される前記さらなるトランジスタの前記ゲート・ソース接合を含み、電圧降下を生じさせる構成要素と
をさらに備える低電流インバータ回路。 - 請求項1に記載の低電流インバータ回路において、前記電圧降下を生じさせる構成要素は、バイポーラトランジスタ又はヘテロバイポーラトランジスタによって形成されるさらなるダイオード(14)である低電流インバータ回路。
- 請求項1乃至4の何れか一項に記載の低電流インバータ回路において、出力段を形成し、請求項1乃至4の何れか一項に記載のさらなる回路を有するバッファ回路をさらに備える低電流インバータ回路。
- 請求項5に記載の低電流インバータ回路において、
前記インバータ回路の前記入力トランジスタ(E3)のドレイン(2)は、前記バッファ回路の前記入力トランジスタ(E)のゲート(17)に接続され、
前記バッファ回路の前記入力トランジスタ(E)のドレイン(16)は、前記出力信号(OUT)用に設けられている
低電流インバータ回路。 - 請求項1乃至6の何れか一項に記載の低電流インバータ回路において、前記トランジスタは、GaAsのBiFETテクノロジーの装置である低電流インバータ回路。
- 請求項1乃至7の何れか一項に記載の低電流インバータ回路において、前記出力信号(OUT)は高インピーダンス負荷を駆動するために生じる低電流インバータ回路。
- 請求項8に記載の低電流インバータ回路において、前記高インピーダンス負荷はFET又はP−HEMTである低電流インバータ回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09162993.1A EP2264900B1 (en) | 2009-06-17 | 2009-06-17 | Low-current inverter circuit |
EP09162993.1 | 2009-06-17 | ||
PCT/EP2010/058385 WO2010146049A1 (en) | 2009-06-17 | 2010-06-15 | Low-current inverter circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012530441A true JP2012530441A (ja) | 2012-11-29 |
JP5579263B2 JP5579263B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=41129101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012515460A Expired - Fee Related JP5579263B2 (ja) | 2009-06-17 | 2010-06-15 | 低電流インバータ回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8610464B2 (ja) |
EP (1) | EP2264900B1 (ja) |
JP (1) | JP5579263B2 (ja) |
WO (1) | WO2010146049A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014115553A1 (ja) * | 2013-01-24 | 2014-07-31 | パナソニック株式会社 | ハーフブリッジ回路及びハーフブリッジ回路から構成されるフルブリッジ回路及び3相インバータ回路 |
US9978862B2 (en) | 2013-04-30 | 2018-05-22 | Infineon Technologies Austria Ag | Power transistor with at least partially integrated driver stage |
US9799643B2 (en) * | 2013-05-23 | 2017-10-24 | Infineon Technologies Austria Ag | Gate voltage control for III-nitride transistors |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1436988A (en) * | 1973-07-10 | 1976-05-26 | Thomson Csf | Logic voltage inverter circuits |
JPS5856531A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | 論理回路 |
JPS59223027A (ja) * | 1983-06-02 | 1984-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体論理回路 |
JPS61129920A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-17 | Sony Corp | 半導体回路装置 |
JPS61161020A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | Nmosインバ−タ回路 |
JPS6489817A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Logic circuit |
JPH02182029A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JPH02216912A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-08-29 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 3―5族技術に適当なソース フォロワー電界効果形論理ゲート(sffl) |
JPH02280413A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Sharp Corp | 基本論理回路 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5211199B1 (ja) * | 1970-05-27 | 1977-03-29 | ||
US3775693A (en) | 1971-11-29 | 1973-11-27 | Moskek Co | Mosfet logic inverter for integrated circuits |
US4365172A (en) * | 1980-01-11 | 1982-12-21 | Texas Instruments Incorporated | High current static MOS driver circuit with low DC power dissipation |
US4459497A (en) * | 1982-01-25 | 1984-07-10 | Motorola, Inc. | Sense amplifier using different threshold MOS devices |
US4978904A (en) | 1987-12-15 | 1990-12-18 | Gazelle Microcircuits, Inc. | Circuit for generating reference voltage and reference current |
US5208488A (en) * | 1989-03-03 | 1993-05-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Potential detecting circuit |
US5091662A (en) | 1989-05-23 | 1992-02-25 | Texas Instruments Incorporated | High-speed low-power supply-independent TTL compatible input buffer |
JP2852679B2 (ja) * | 1989-09-01 | 1999-02-03 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3407975B2 (ja) * | 1994-05-20 | 2003-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜半導体集積回路 |
US6078194A (en) * | 1995-11-13 | 2000-06-20 | Vitesse Semiconductor Corporation | Logic gates for reducing power consumption of gallium arsenide integrated circuits |
US5910737A (en) | 1997-06-30 | 1999-06-08 | Delco Electronics Corporation | Input buffer circuit with differential input thresholds operable with high common mode input voltages |
JP3042475B2 (ja) * | 1997-11-20 | 2000-05-15 | 日本電気株式会社 | Dcfl論理回路 |
US6788108B2 (en) * | 2001-07-30 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4339103B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2009-10-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
JP3948621B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2007-07-25 | 株式会社山武 | インターフェース回路 |
US7030654B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-04-18 | Idaho Research Foundation, Inc. | Low voltage to extra high voltage level shifter and related methods |
US7030666B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-04-18 | Motorola, Inc. | Organic semiconductor inverting circuit |
US7550998B2 (en) * | 2005-10-26 | 2009-06-23 | Motorola, Inc. | Inverter circuit having a feedback switch and methods corresponding thereto |
JP4199765B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2008-12-17 | マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド | 高電圧スイッチング回路 |
-
2009
- 2009-06-17 EP EP09162993.1A patent/EP2264900B1/en not_active Not-in-force
-
2010
- 2010-06-15 JP JP2012515460A patent/JP5579263B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-15 WO PCT/EP2010/058385 patent/WO2010146049A1/en active Application Filing
- 2010-06-15 US US13/321,128 patent/US8610464B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1436988A (en) * | 1973-07-10 | 1976-05-26 | Thomson Csf | Logic voltage inverter circuits |
JPS5856531A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | 論理回路 |
JPS59223027A (ja) * | 1983-06-02 | 1984-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体論理回路 |
JPS61129920A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-17 | Sony Corp | 半導体回路装置 |
JPS61161020A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | Nmosインバ−タ回路 |
JPS6489817A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Logic circuit |
JPH02216912A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-08-29 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 3―5族技術に適当なソース フォロワー電界効果形論理ゲート(sffl) |
JPH02182029A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JPH02280413A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Sharp Corp | 基本論理回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8610464B2 (en) | 2013-12-17 |
JP5579263B2 (ja) | 2014-08-27 |
WO2010146049A1 (en) | 2010-12-23 |
EP2264900A1 (en) | 2010-12-22 |
US20120127767A1 (en) | 2012-05-24 |
EP2264900B1 (en) | 2014-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2616142B2 (ja) | 出力回路 | |
US7034573B1 (en) | Level shifter without DC current flow | |
JPH069337B2 (ja) | 金属半導体電界効果トランジスタを用いた電気回路 | |
US8129862B2 (en) | Scalable highest available voltage selector circuit | |
KR100232661B1 (ko) | 아날로그 스위치회로 | |
US7605609B1 (en) | Programmable level shifter | |
JP5579263B2 (ja) | 低電流インバータ回路 | |
JP5442861B2 (ja) | 低電流入力バッファ | |
JP5579264B2 (ja) | 低電流論理ゲート回路 | |
JPH05243972A (ja) | 化合物半導体集積回路装置 | |
JP5015029B2 (ja) | 昇圧回路に用いられる電流制御回路 | |
US8686752B2 (en) | Low-current logic plus driver circuit | |
US11502684B1 (en) | Driver safe operating area protection with current and temperature compensated trigger circuit | |
JP2001257570A (ja) | 切換えスイッチング手段、双安定回路および多安定回路 | |
JPS61186018A (ja) | 電界効果トランジスタ論理回路 | |
JPS6160013A (ja) | 論理回路 | |
JPH03272221A (ja) | 化合物半導体集積回路 | |
JPH05160710A (ja) | 出力回路 | |
JPH07106948A (ja) | 論理ゲート回路 | |
JPH02182028A (ja) | 半導体装置 | |
JPH066207A (ja) | 金属半導体電界効果トランジスタ論理回路 | |
JPH02246619A (ja) | 論理ゲート、インバータ及びnorゲート | |
JPH0372718A (ja) | 論理回路 | |
JPH05102838A (ja) | 差動増幅回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140604 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140624 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140708 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5579263 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |