JP2012527754A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012527754A5
JP2012527754A5 JP2012511254A JP2012511254A JP2012527754A5 JP 2012527754 A5 JP2012527754 A5 JP 2012527754A5 JP 2012511254 A JP2012511254 A JP 2012511254A JP 2012511254 A JP2012511254 A JP 2012511254A JP 2012527754 A5 JP2012527754 A5 JP 2012527754A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
layer
laser module
primary layer
primary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012511254A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2012527754A (ja
JP5843756B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102009026413A external-priority patent/DE102009026413A1/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2012527754A publication Critical patent/JP2012527754A/ja
Publication of JP2012527754A5 publication Critical patent/JP2012527754A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5843756B2 publication Critical patent/JP5843756B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2012511254A 2009-05-22 2010-05-18 パルス制御される高出力レーザダイオード用のヒートシンク Expired - Fee Related JP5843756B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009026413.2 2009-05-22
DE102009026413A DE102009026413A1 (de) 2009-05-22 2009-05-22 Halbleiterlasermodul und Herstellungsverfahren hierfür
PCT/EP2010/056779 WO2010133572A1 (de) 2009-05-22 2010-05-18 Wärmesenke für gepulste hochleistungslaserdiode

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012527754A JP2012527754A (ja) 2012-11-08
JP2012527754A5 true JP2012527754A5 (enExample) 2014-12-18
JP5843756B2 JP5843756B2 (ja) 2016-01-13

Family

ID=42470725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012511254A Expired - Fee Related JP5843756B2 (ja) 2009-05-22 2010-05-18 パルス制御される高出力レーザダイオード用のヒートシンク

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8891567B2 (enExample)
EP (1) EP2433343A1 (enExample)
JP (1) JP5843756B2 (enExample)
DE (1) DE102009026413A1 (enExample)
WO (1) WO2010133572A1 (enExample)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015002873A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 California Institute Of Technology High-coherence semiconductor light sources
US9933554B2 (en) 2013-07-03 2018-04-03 California Institute Of Technology High-coherence semiconductor light sources
RU170831U1 (ru) * 2014-03-31 2017-05-11 Айпиджи Фотоникс Корпорэйшн Способ корпусирования лазерного диода высокой мощности и лазерный диодный модуль
CN105244755B (zh) * 2015-10-24 2018-04-03 长沙青波光电科技有限公司 半导体激光单管芯片封装方法
US10866038B2 (en) * 2018-10-25 2020-12-15 United Arab Emirates University Heat sinks with vibration enhanced heat transfer for non-liquid heat sources
CN113847183B (zh) * 2021-09-23 2022-09-30 上海鑫歆源电子有限公司 一种热量控制模块、驱动电路及点火线圈驱动器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1113920A (en) * 1967-04-18 1968-05-15 Standard Telephones Cables Ltd An improved laser unit
JPH02102756U (enExample) * 1989-01-31 1990-08-15
JPH0448656U (enExample) * 1990-08-31 1992-04-24
JPH0537089A (ja) * 1991-07-25 1993-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JPH05326767A (ja) * 1992-03-19 1993-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 放熱基板
JP3297948B2 (ja) * 1993-05-17 2002-07-02 ソニー株式会社 レーザ光学素子の固定方法及びレーザ光学装置
JPH08195528A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Fujitsu Ltd レーザダイオードモジュール
FR2736764B1 (fr) * 1995-07-13 1997-08-08 Thomson Csf Source laser a semiconducteurs
JP2001156384A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Nec Corp 半導体レーザ
JP2001330789A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
US20030152773A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Chrysler Gregory M. Diamond integrated heat spreader and method of manufacturing same
JP2003318475A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Kyocera Corp 光半導体素子のマウント構造
JP4037815B2 (ja) * 2003-09-29 2008-01-23 オムロンレーザーフロント株式会社 レーザダイオードモジュール、レーザ装置、及びレーザ加工装置
JP2007194467A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Sharp Corp 半導体レーザ装置
US7551656B2 (en) * 2006-03-29 2009-06-23 Lockheed Martin Coherent Technologies, Inc. Low stress optics mount using thermally conductive liquid metal or gel
WO2009037555A2 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Bookham Technology Plc High power semiconductor laser diodes

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012527754A5 (enExample)
JP6189015B2 (ja) 放熱装置および放熱装置の製造方法
JP2009071287A5 (enExample)
JP6366723B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
EP2211383A3 (en) Metal bonded nanotube array
CN106457745A (zh) 用于增强的粘合剂结合的系统和方法
TW200518249A (en) Bonding structure with buffer layer and method of forming the same
JP5691831B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5843756B2 (ja) パルス制御される高出力レーザダイオード用のヒートシンク
JP2009200507A (ja) ペルチェ素子熱電変換モジュール、ペルチェ素子熱電変換モジュールの製造方法および光通信モジュール
JP4349552B2 (ja) ペルチェ素子熱電変換モジュール、ペルチェ素子熱電変換モジュールの製造方法および光通信モジュール
CN106415781A (zh) 用于增强的粘合剂结合的系统和方法
JP2015135956A (ja) 半導体装置
JP2001024460A (ja) 圧電振動板の製造方法
JP2011199261A (ja) 電子部品
JP6020496B2 (ja) 接合構造体およびその製造方法
JP2012081481A (ja) 電子部品における電極の接続構造
JP5733466B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2021086893A3 (en) Ultrasonic additively manufactured coldplates on heat spreaders
TWI455264B (zh) 晶片接合結構及晶片接合的方法
JP4035138B2 (ja) フリップチップ実装方法
KR20140086373A (ko) Ｌｅｄ용 웨이퍼 및 그 제조방법
JP5939185B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP6496100B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR101616080B1 (ko) 접착 대상체에 전도성 접착체를 형성시키는 방법