JP2012524408A5

JP2012524408A5 -

Info

Publication number: JP2012524408A5
Application number: JP2012506086A
Authority: JP
Filing date: 2010-04-09
Publication date: 2013-05-30
Anticipated expiration: 2030-04-09

Description

本発明の一実施形態にしたがって、図３Ａの装置と同様な装置であって背面冷却を伴う装置を示した図である。

６５ｎｍ、４５ｎｍ、３２ｎｍ、２２ｎｍ、１６ｎｍ、およびそれ以下の技術ノードなどの先端技術において、最小の特徴は、それぞれのノードのサイズと同程度の幅を有する。デバイス構造の幅は、より多くのデバイスをチップ上の限られた表面積内に収めるために、技術ノードごとにどんどん縮小していく。デバイス構造の高さは、一般に、抵抗率の懸念ゆえに、デバイス特徴の幅に比例して縮小することはない。ポリシリコン配線および金属相互接続などの導電性構造の場合、構造の幅および高さの狭まりは、抵抗率を高くしすぎて大幅なＲＣ遅延を引き起こし、導電性構造に対して過度な熱を発生させることがある。したがって、構造などのデバイス構造は、高アスペクト比を有することになり、これは、構造を、それに付与される力によって損傷されやすくする。一実施形態では、デバイス構造のアスペクト比は、約２またはそれ以上の範囲であってよい。構造に付与される力は、基板表面からの粒子（または汚染物質）の除去を支援するために使用される力を含み、これは、洗浄材料と基板表面との間の任意の相対運動の結果であってよい、または基板表面に洗浄材料もしくはすすぎ液を吐出することに由来してよい。

一実施形態では、すすぎ液吐出器３２０のノズル３２５は、基板３０６の中心を指している。余剰の（すなわち溢れ出た）すすぎ液と、除去された粒子を伴って除去された洗浄材料とを受けるために、容器３６０が基板サポート３１０および基板３０１を取り巻いている。一実施形態では、基板サポート３１０は、図２Ａの基板サポート２１０であり、これは、基板２０１が、洗浄材料吐出工程後、同じ装置においてすすぎ液を施されるために基板サポート２１０の上にとどまることを意味する。このような一実施形態では、装置２００は、すすぎ液を施すための別のアームを有する。

すすぎ工程中、基板は、約０ｒｐｍから約１０００ｒｐｍ（回転数毎分）の間の速度で回転している。別の実施形態では、回転速度は、約０ｒｐｍから約５００ｒｐｍの間である。さらに別の実施形態では、回転速度は、約５０ｒｐｍから約３００ｒｐｍの間である。一実施形態では、すすぎ液吐出器３２０のアーム３２６は、図２Ａのアーム２２６と同様なやり方で、洗浄材料３０１の表面３０５を掃く。一実施形態では、吐出ノズル３２５からの洗浄材料の流量は、約０ｍｌ／分から約１０００ｍｌ／分の間である。別の実施形態では、洗浄材料の流量は、約０ｍｌ／分から約５００ｍｌ／分の間である。さらに別の実施形態では、洗浄材料の流量は、約５０ｍｌ／分から約３００ｍｌ／分の間である。

図３Ｂは、本発明の一実施形態にしたがって、洗浄材料３４０の膜に脱イオン水（ＤＩＷ）などのすすぎ液３５０流が吐出されている様子を示している。すすぎ液３５０流は、基板が回転されている間に、基板表面に導入される。すすぎ液３５０は、洗浄材料の表面上における点３０６を取り巻く領域に力Ｆ_Jを付与する。図３Ｃは、本発明の一実施形態にしたがって、図３Ｂの領域Ａの拡大図を示している。すすぎ液３５０は、洗浄材料の表面にぶつかった後、洗浄材料３４０の表面３４１に沿って流れ、点３０６の右側にＦ_S1を、点３０６の左側にＦ_S2を導入する。Ｆ_J、Ｆ_S1、およびＦ_S2によって導入された力は、点３６１を取り巻く領域Ｂの洗浄材料３４０を、「固体様」（またはほぼ固体様）にする。

図５Ａは、本発明の一実施形態にしたがって、図２Ｂの装置と同様な装置であって背面冷却を伴う装置を示している。基板５０１の前側には、洗浄材料吐出器５２０を使用して基板表面に施された洗浄材料の層５４０がある。基板５０１の裏側には、基板５０１および洗浄材料の層５４０を冷却するために基板の裏側に冷却液の噴流５３５を吐出する冷却液吐出器５３０がある。一実施形態では、冷却液は、基板５０１が回転中である間に吐出される。一実施形態では、冷却液吐出器５３０は、図３Ａの洗浄材料吐出アーム３２０の掃く動作と同様なやり方で基板の底面を掃く。あるいは、基板の裏側は、空気、Ｎ₂、Ｏ₂、Ａｒ、およびＨｅなどの冷却されたガスによって冷却することができる。

上述されたプロセスフロー５１０の実施形態は、図４の装置４８０と同様な装置にも適用することができる。基板サポート４８３は、基板４９５および基板４９５の表面上の洗浄材料の温度を低く維持するために冷却することができる。

方法３：
上で言及されたように、粘弾性洗浄材料に対する力の付与は、洗浄材料の固体様特性を増大させ、これは、取り込まれた粒子を伴った洗浄材料の基板表面からの除去を促進する。洗浄材料に対する吸い込み力の付与は、洗浄材料の固体様特性を大幅に増大させる。図６Ａは、本発明の一実施形態にしたがって、ハンドル６６０に吸い込み管６２０を取り付けられた装置６００を示している。吸い込み管６２０の延長部分を内側に有するハンドル６６０は、真空ポンプ６５０に結合されている。吸い込み管６２０の端には、洗浄材料の層６４０の近くに位置決めされた吸い込み口６２５がある。洗浄材料の層６４０は、基板サポート６１０の上に配された基板６０１の表面上にある。基板サポート６１０は、アクスル６１５に結合され、該アクスル６１５は、アクスル６１５および基板サポート６１０を回転させるための回転メカニズムに結合されている。工程中、基板６０１は、回転し、吸い込み管６２０は、ハンドル６６０の手によって基板表面を掃く。吸い込み口６２５において吸い込み管６２０によって付与される吸い込み力６２６は、吸い込み口の下にある洗浄材料の固体様特性を増大させ、これは、洗浄材料を基板表面から引き離されやすくする。吸い込み管６２０が基板表面を横切るにつれ、洗浄材料の層６４０は、取り込まれた基板表面上の粒子とともに基板表面から除去される。洗浄材料が基板表面から除去された後は、基板表面上のあらゆる残渣をすすぎ落とすために、本発明の一実施形態にしたがって、ＤＩＷなどのすすぎ液が施される。

上述されたプロセスフロー６７０の実施形態は、図４の装置４８０と同様な装置にも適用することができる。洗浄材料に対する吸い込み力の付与は、図４の装置４８０と同様な装置の処理スロットの１つにおいて実施することができる。

基板に対して音響エネルギを付与することができる任意の手段が使用可能である。例えば、手段（すなわち装置）は、音響スピーカであってよい。別の実施形態では、音響エネルギを付与するための装置は、固有周波数を有するまたは粘弾性洗浄材料の特徴的時間のスペクトルに一致するように選ばれたテーラード周波数を伴う広域スペクトルを有する板状のまたは棒状の音響共振器である。一実施形態では、音響共振器板が、基板の表面全体を覆っている。図７Ａは、洗浄材料の層７４０を有する基板７０１の上方に配された音響共振器ブロック７２０の一実施形態を示している。基板７０１は、アクスル７１５によって回転される基板サポート７１０の上に配される。音響共振器ブロック７２０は、洗浄材料の層７４０に対して音波７２６を放つ。音響共振器ブロック７２０は、アーム７６０によって保持されている。アーム７６０は、基板７０１が回転している間に、音響共振器ブロック７２０を移動させて基板表面を掃かせる。掃く音響共振器ブロックの動きと、回転する基板の動きとの組み合わせは、音響共振器ブロック７２０が基板７０１の表面全体に対して音響エネルギを伝える（または放つ）ことを可能にする。音響エネルギは、洗浄材料を除去するためにすすぎ液が基板に施される前および／または最中に、洗浄材料に対して付与することができる。すすぎ液は、音響エネルギに暴露されたかつ／または暴露されている洗浄材料に施され、このとき、音響エネルギは、洗浄材料の除去を容易にするために、洗浄材料の固体様特性を増大させている。洗浄材料に対する音響エネルギの効果は、一時的に過ぎず、したがって、すすぎ液は、音響エネルギによる処理を経た洗浄材料に、そのすぐ後に施される必要がある。そうでない場合は、音響エネルギは、すすぎ工程の最中に施されることが望ましい。

方法５：
回転（またはスピン）している基板に洗浄材料が吐出されるときに、洗浄材料は、基板表面を湿らせる。もし基板方面が、基板表面を湿らせる液体によって先ず処理されれば、洗浄材料の吐出は、より容易にかつより一様になるであろう。粘弾性洗浄材料の吐出に先立つ液体による基板の前処理は、基板の表面への粘弾性洗浄材料の吐出を助ける。液体は、表面の親水性を制御するもしくは水素イオン指数（ｐＨ）によってゼータ電位を調整するなどのように表面を化学的に調整する、または洗浄材料−空気界面を洗浄材料−液体界面で置き換えることによって洗浄材料の半径方向吐出時における初期粘弾性界面を制御する、いずれかの働きをすることができる。界面の制御は、粘弾性洗浄材料による被覆を向上させるとともに、エッジ効果に関連した一部の流体力学的不安定性を回避することができる。また、界面の制御は、基板表面上における半径方向の抵抗を低減させて、洗浄材料が基板表面全体に容易に広がることも可能にする。さらに、表面前処理は、汚染物質または粒子を覆う残渣を除去して粒子除去を可能にすることもできるであろう。表面処理に使用される液体の非限定的な例として、ＤＩＷ、ＡＰＭ（アンモニア−過酸化水素混合物、ＳＣ１とも呼ばれる）、ＤＳＰ（希硫酸−過酸化水素混合物）、ＳＰＭ（硫酸−過酸化水素混合物）、ＤＩ−Ｏ３（オゾンと混合された脱イオン水）、ＨＦ（フッ化水素）、およびＢＯＥ（緩衝酸化物エッチング）溶液が挙げられる。

処理液を吐出するために使用される装置は、図３Ａ〜３Ｃにおいて説明されたような、洗浄材料を吐出するための装置と同様である。表面前処理液を施すためのその他のタイプの装置も、使用することができる。また、プロセスフロー全体に、図４において説明された装置と同様な装置を用いることもできる。処理液の吐出は、処理スロットの１つにおいて実施することができる。

図９Ｂは、本発明の一実施形態にしたがって、すすぎ液の噴射ジェットを施すための装置９３０を示している。基板９０１は、表面上に洗浄材料の層９４０を有し、基板の固定および基板の回転に使用される幾つかのローラ９０２によって保持されている。基板９０１の上方には、噴射ジェットヘッド９００と噴射ジェットアーム９１５とを含む液体噴射ジェット装置９２０がある。噴射ジェットヘッド９００の一実施形態は、図９Ａにおいて上で紹介されている。噴射ジェットヘッド９００は、噴射ジェットアーム９１５に結合されている。噴射ジェットアーム９１５のなかには、キャリアガス（９１１）およびすすぎ液（９１２）をそれぞれ供給するための２本の供給ライン９１１および９１２がある。キャリアガス供給ライン９１１は、キャリアガスをキャリアガスのチャネル９０１に送り、すすぎ液供給ライン９１２は、すすぎ液をすすぎ液のチャネル９０１に送る。一実施形態では、噴射ジェットアーム９１５は、すすぎ工程中、基板９０１の上方に静止した状態で保持される。別の実施形態では、噴射ジェットアーム９１５は、基板９０１の表面を掃く。すすぎ工程中、基板９０１は、回転する。

方法７：
上で言及されたように、粘弾性洗浄材料に対する力またはエネルギの付与は、洗浄材料の固体様特性を増大させると考えられる。上記の方法４は、粘弾性洗浄材料の固体様特性を増大させるために洗浄材料に低周波音響エネルギを付与することについて説明している。あるいは、低周波音響エネルギは、メガソニックまたは超音波の音響エネルギで置き換えることが可能である。メガソニックまたは超音波音響エネルギもやはり、低周波音響エネルギと同様なやり方で、基板の前側、裏側、または前側および裏側の両方に導入することができる。メガソニックまたは超音波音響エネルギは、洗浄材料が基板に吐出される最中または後に、音響共振棒（もしくはブロックもしくは板）によってまたは圧電変換器棒によって導入することができる。あるいは、メガソニックまたは超音波音響エネルギは、２本以上の棒によって導入することができる。低周波音響エネルギについて方法４において説明された装置の例は、現方法７にも当てはまる。メガソニックまたは超音波音響エネルギの付与は、粒子除去に必要とされるエネルギを引き下げることによって、粒子除去の全体的な効率を高めるとともに基板上の微細な構造の損傷閾値を低減させる。上述された方法４における低周波音響エネルギの付与と、ここで説明されるメガソニックまたは超音波音響エネルギの付与との間の相違は、メガソニックまたは超音波音響エネルギが、キャビテーションゆえに粒子除去の支援に使用されえるということにある。これに対して、低周波音響エネルギは、主に、洗浄材料の固体様特性を増大させるために使用される。あるいは、メガソニックまたは超音波音響エネルギは、基板上の特徴の損傷を最小限に抑えるために、主に粘弾性洗浄材料の固体様応答に依存しキャビテーションにはあまり依存しないように最適化することができる。

図３Ａ〜３Ｃおよび図４Ｆにおいて説明された、基板の固定および回転のための装置は、基板を振動させるために使用することができる。図１１Ａは、Ａ度の振動下にある基板１１０１の上面の一実施形態を示している。基板１１０１は、０度の位置からスタートし、Ａ／２度の位置へ振動され、０度の位置へ戻り、次いで、−Ａ／２度の位置へ振動される。全体として、基板１１０１は、Ａ度にわたって振動される。一実施形態では、振動の振幅（振動の角度）は、約０．１度から約１８０度の間である。別の実施形態では、振動の振幅は、約０．５度から約９０度の間である。さらに別の実施形態では、振動の振幅は、約１度から約３０度の間である。

本明細書では、本発明の幾つかの実施形態が詳細に説明されてきたが、当業者には、本発明が発明の趣旨または範囲から逸脱することなくその他の多くの特定の形態で実施されえることが理解されるべきである。したがって、これらの実施例および実施形態は、例示的であって非限定的であると見なされ、本発明は、本明細書において提供された詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲内で変更および実施されえる。
なお、本発明は、以下のような態様で実現することもできる。

［適用例１］
基板の表面から粒子を除去する方法であって、
前記基板の表面に洗浄材料の層を吐出することであって、前記基板は、基板サポートによって回転され、前記洗浄材料は、ポリマ化合物を含む粘弾性溶液であり、前記ポリマ化合物は、洗浄溶液に溶解して前記洗浄材料を形成し、前記洗浄材料は、前記基板の表面から前記粒子の少なくとも一部を捕捉して取り込む、洗浄材料の層の吐出と、
前記洗浄材料の層を除去するために、前記基板の表面上の前記洗浄材料の層にすすぎ液を吐出することであって、前記洗浄材料の層に前記すすぎ液を吐出する最中または前に、前記洗浄材料に対してエネルギが付与され、前記付与されたエネルギは、前記洗浄材料の固体様応答を増大させて、前記基板表面からの前記洗浄材料の除去を促進し、前記洗浄材料によって取り込まれた前記粒子の少なくとも一部は、前記洗浄材料とともに除去される、すすぎ液の吐出と、を備える方法。

［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記すすぎ液の吐出の最中に前記洗浄材料の層に対して付与される力によって導入され、吐出されたすすぎ液は、前記洗浄材料の層を除去する、方法。

［適用例３］
適用例１に記載の方法であって、
前記基板および前記洗浄材料は、前記すすぎ液の吐出の前および最中に約０℃から約３０℃の間の温度に冷却され、前記洗浄材料の冷却は、前記洗浄材料の固体様応答を増大させて、前記洗浄材料および前記取り込まれた粒子を前記吐出されたすすぎ液によって除去されやすくする、方法。

［適用例４］
適用例１に記載の方法であって、
前記導入されるエネルギは、前記洗浄材料の層に対する吸い込み力によって付与され、前記吸い込み力は、前記洗浄材料の層を前記基板の表面から引き離して、前記洗浄材料および前記取り込まれた粒子を除去する、方法。

［適用例５］
適用例１に記載の方法であって、
前記洗浄材料の層が前記基板の表面に吐出される前に、前記基板の表面に表面前処理液が施される、方法。

［適用例６］
適用例１に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記洗浄材料の特徴的時間の逆数より大きい周波数の低周波音響エネルギとして導入され、前記周波数は、約１０Ｈｚから約５００Ｈｚの間である、方法。

［適用例７］
適用例１に記載の方法であって、
前記すすぎ液は、噴射ジェットによって前記洗浄材料の層に施され、前記噴射ジェットは、前記洗浄材料に対して付与される前記エネルギを前記噴射ジェットの力によって導入する、方法。

［適用例８］
適用例１に記載の方法であって、
前記エネルギは、洗浄材料の特徴的時間の逆数より大きい周波数のメガソニックまたは超音波の音響エネルギとして導入される、方法。

［適用例９］
適用例１に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記洗浄材料の層が前記基板の表面に吐出される最中または後に前記基板の軸を中心にして前記基板を振動させることによって、導入される、方法。

［適用例１０］
適用例１に記載の方法であって、
前記ポリマ化合物は、
ポリアクリルアミド（ＰＡＭ）、Carbopol 940 ^TM およびCarbopol 941 ^TM などのポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ＰＡＭとＰＡＡとのコポリマ、ポリ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−アクリルアミド）（ＰＤＭＡＡｍ）、ポリ−（Ｎ−イソプロピル−アクリルアミド）（ＰＩＰＡＡｍ）、ポリメタクリル酸（ＰＭＡＡ）、ポリメタクリルアミド（ＰＭＡＡｍ）などの、アクリルポリマと、
ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリプロピレンオキシド（ＰＰＯ）などの、ポリイミンおよび酸化物と、
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレンスルホン酸（ＰＥＳＡ）、ポリビニルアミン（ＰＶＡｍ）、ポリビニル−ピロリドン（ＰＶＰ）、ポリ−４−ビニルピリジン（Ｐ４ＶＰ）などの、ビニルポリマと、
メチルセルロース（ＭＣ）、エチル−セルロース（ＥＣ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）などの、セルロース誘導体と、
アカシア、寒天およびアガロース、ヘパリン、グアーゴム、キサンタンゴムなどの、多糖類と、
卵白、コラーゲン、グルテンなどの、タンパク質と
からなる群より選択される、方法。

［適用例１１］
適用例１に記載の方法であって、
前記すすぎ液は、脱イオン水である、方法。

［適用例１２］
適用例３に記載の方法であって、
前記基板および前記洗浄材料は、前記基板または基板サポートの裏側に冷水を吹き付けることによって冷却される、方法。

［適用例１３］
適用例５に記載の方法であって、
前記前処理液は、脱イオン水（ＤＩＷ）、ＡＰＭ（アンモニア−過酸化水素混合物）、ＤＳＰ（希硫酸−過酸化水素混合物）、ＳＰＭ（硫酸−過酸化水素混合物）、ＤＩ−Ｏ３（オゾンと混合された脱イオン水）、ＨＦ（フッ化水素）、およびＢＯＥ（緩衝酸化物エッチング）溶液、からなる群より選択される、方法。

［適用例１４］
適用例７に記載の方法であって、
前記すすぎ液は、キャリアガスと混合されて前記噴射ジェットとされ、前記キャリアガスは、Ｎ ₂ 、空気、Ｏ ₂ 、Ａｒ、Ｈｅ、その他のタイプの不活性ガス、および上で言及されたガスの組み合わせ、からなる群より選択される、方法。

［適用例１５］
適用例８に記載の方法であって、
前記メガソニックまたは超音波の音響エネルギの周波数は、約２８ｋＨｚ、約４４ｋＨｚ、約１１２ｋＨｚ、約８００ｋＨｚ、約１．４ＭＨｚ、および約２ＭＨｚからなる群より選択される、方法。

［適用例１６］
適用例８に記載の方法であって、
前記振動の周波数は、前記洗浄材料の特徴的時間の逆数より大きい、方法。

［適用例１７］
適用例１に記載の方法であって、さらに、
前記洗浄材料の層が除去された後に、前記基板の表面に乾燥支援液を施すことと、
前記乾燥支援液が施された後に、前記基板を回転させることによって前記基板の表面を乾燥させることと、
を備える方法。

［適用例１８］
適用例１に記載の方法であって、
前記乾燥支援液は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ＩＰＡと水との混合物、気相ＩＰＡ、または気相ＩＰＡと不活性ガスとの混合物である、方法。

［適用例１９］
基板の表面から粒子を除去する方法であって、
前記基板の表面に粘弾性洗浄材料の層を吐出することであって、前記基板は、基板サポートによって回転され、前記粘弾性洗浄材料は、前記基板の表面から前記粒子の少なくとも一部を捕捉して取り込む、粘弾性洗浄材料の層の吐出と、
前記洗浄材料の層を除去するために、前記基板の表面上の前記洗浄材料の層にすすぎ液を吐出することであって、前記洗浄材料の層に前記すすぎ液を吐出する最中または前に、前記洗浄材料に対してエネルギが付与され、前記付与されたエネルギは、前記洗浄材料の固体様応答を増大させて、前記基板表面からの前記洗浄材料の除去を促進し、前記洗浄材料によって取り込まれた前記粒子の少なくとも一部は、前記洗浄材料にとともに除去される、すすぎ液の吐出と、を備える方法。

［適用例２０］
幾つかの処理スロットを有する装置において基板の表面から粒子を除去する方法であって、
基板サポートによって前記基板を前記装置の第１の処理スロットへ移動させることであって、前記装置の前記第１の処理スロットは、前記基板サポートによって、前記第１の処理スロットよりも下方の処理スロットから分離されている、前記基板の移動と、
前記基板の表面に粘弾性洗浄材料の層を吐出することであって、前記基板は、基板サポートによって回転され、前記粘弾性洗浄材料は、前記基板の表面から前記粒子の少なくとも一部を捕捉して取り込む、粘弾性洗浄材料の層の吐出と、
前記基板サポートによって前記基板を前記装置の第２の処理スロットへ移動させることであって、前記装置の前記第２の処理スロットは、前記基板サポートによって、前記第２の処理スロットよりも下方の処理スロットから分離されている、前記基板の移動と、
前記粘弾性洗浄材料の層を除去するために、前記基板の表面上の前記洗浄材料の層にすすぎ液を吐出することであって、前記洗浄材料の層に前記すすぎ液を吐出する最中または前に、前記洗浄材料に対してエネルギが付与され、前記付与されたエネルギは、前記洗浄材料の固体様応答を増大させて、前記基板表面からの前記洗浄材料の除去を促進し、前記洗浄材料によって取り込まれた前記粒子の少なくとも一部は、前記洗浄材料とともに除去される、すすぎ液の吐出と、
を備える方法。

［適用例２１］
適用例２０に記載の方法であって、さらに、
前記基板サポートによって前記基板を前記装置の第３の処理スロットへ移動させることであって、前記装置の前記第３の処理スロットは、前記基板サポートによって、前記第２の処理スロットよりも下方の処理スロットから分離されている、または前記基板サポートの裏側は、前記装置の外である、前記基板の移動と、
前記粘弾性洗浄材料の層を除去された前記基板の表面に乾燥支援液を施すことであって、前記基板は、前記乾燥支援液が施される間に前記乾燥支援液が回転される場合に、スピンされる、乾燥支援液の適用と、
前記乾燥支援液が施された後に、前記基板をスピンさせることによって前記基板を乾燥させることと、を備える方法。

［適用例２２］
適用例２０に記載の方法であって、
前記基板サポートの裏側は、前記粘弾性洗浄材料の層に前記すすぎ液が施される前および最中に前記基板および前記洗浄材料の層の温度を下げるために、冷たい液体を吹き付けられ、前記粘弾性洗浄材料の層の温度の低下は、前記洗浄材料の弾性を増大させる、方法。

［適用例２４］
適用例２０に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記基板が前記第１の処理スロットまたは前記第２の処理スロットにあるときに、前記すすぎ液が吐出される前に、前記粘弾性洗浄材料の層への真空吸引によって付与される、方法。

［適用例２５］
適用例２０に記載の方法であって、
前記すすぎ液は、噴射ジェットによって吐出され、前記エネルギは、前記粘弾性洗浄材料の層に対して前記噴射ジェットによって付与される、方法。

［適用例２６］
適用例２０に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記粘弾性洗浄材料の特徴的時間の逆数より大きい周波数の音響エネルギである、方法。

Claims

基板の表面から粒子を除去する方法であって、
前記基板の表面に洗浄材料の層を吐出することであって、前記基板は、基板サポートによって回転され、前記洗浄材料は、ポリマ化合物を含む粘弾性溶液であり、前記ポリマ化合物は、洗浄溶液に溶解して前記洗浄材料を形成し、前記洗浄材料は、前記基板の表面から前記粒子の少なくとも一部を捕捉して取り込む、洗浄材料の層の吐出と、
前記洗浄材料の層を除去するために、前記基板の表面上の前記洗浄材料の層にすすぎ液を吐出することであって、前記洗浄材料の層に前記すすぎ液を吐出する最中または前に、前記洗浄材料に対してエネルギが付与され、前記付与されたエネルギは、前記洗浄材料の固体様応答を増大させて、前記基板表面からの前記洗浄材料の除去を促進し、前記洗浄材料によって取り込まれた前記粒子の少なくとも一部は、前記洗浄材料とともに除去される、すすぎ液の吐出と、を備える方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記すすぎ液の吐出の最中に前記洗浄材料の層に対して付与される力によって導入され、吐出されたすすぎ液は、前記洗浄材料の層を除去する、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記基板および前記洗浄材料は、前記すすぎ液の吐出の前および最中に約０℃から約３０℃の間の温度に冷却され、前記洗浄材料の冷却は、前記洗浄材料の固体様応答を増大させて、前記洗浄材料および前記取り込まれた粒子を前記吐出されたすすぎ液によって除去されやすくする、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記導入されるエネルギは、前記洗浄材料の層に対する吸い込み力によって付与され、前記吸い込み力は、前記洗浄材料の層を前記基板の表面から引き離して、前記洗浄材料および前記取り込まれた粒子を除去する、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記洗浄材料の層が前記基板の表面に吐出される前に、前記基板の表面に表面前処理液が施される、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記洗浄材料の特徴的時間の逆数より大きい周波数の低周波音響エネルギとして導入され、前記周波数は、約１０Ｈｚから約５００Ｈｚの間である、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記すすぎ液は、噴射ジェットによって前記洗浄材料の層に施され、前記噴射ジェットは、前記洗浄材料に対して付与される前記エネルギを前記噴射ジェットの力によって導入する、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記エネルギは、洗浄材料の特徴的時間の逆数より大きい周波数のメガソニックまたは超音波の音響エネルギとして導入される、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記洗浄材料の層が前記基板の表面に吐出される最中または後に前記基板の軸を中心にして前記基板を振動させることによって、導入される、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記ポリマ化合物は、
ポリアクリルアミド（ＰＡＭ）、Carbopol 940^TMおよびCarbopol 941^TMなどのポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ＰＡＭとＰＡＡとのコポリマ、ポリ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−アクリルアミド）（ＰＤＭＡＡｍ）、ポリ−（Ｎ−イソプロピル−アクリルアミド）（ＰＩＰＡＡｍ）、ポリメタクリル酸（ＰＭＡＡ）、ポリメタクリルアミド（ＰＭＡＡｍ）などの、アクリルポリマと、
ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリプロピレンオキシド（ＰＰＯ）などの、ポリイミンおよび酸化物と、
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレンスルホン酸（ＰＥＳＡ）、ポリビニルアミン（ＰＶＡｍ）、ポリビニル−ピロリドン（ＰＶＰ）、ポリ−４−ビニルピリジン（Ｐ４ＶＰ）などの、ビニルポリマと、
メチルセルロース（ＭＣ）、エチル−セルロース（ＥＣ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）などの、セルロース誘導体と、
アカシア、寒天およびアガロース、ヘパリン、グアーゴム、キサンタンゴムなどの、多糖類と、
卵白、コラーゲン、グルテンなどの、タンパク質と
からなる群より選択される、方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記すすぎ液は、脱イオン水である、方法。
請求項３に記載の方法であって、
前記基板および前記洗浄材料は、前記基板または基板サポートの裏側に冷水を吹き付けることによって冷却される、方法。
請求項５に記載の方法であって、
前記前処理液は、脱イオン水（ＤＩＷ）、ＡＰＭ（アンモニア−過酸化水素混合物）、ＤＳＰ（希硫酸−過酸化水素混合物）、ＳＰＭ（硫酸−過酸化水素混合物）、ＤＩ−Ｏ３（オゾンと混合された脱イオン水）、ＨＦ（フッ化水素）、およびＢＯＥ（緩衝酸化物エッチング）溶液、からなる群より選択される、方法。
請求項７に記載の方法であって、
前記すすぎ液は、キャリアガスと混合されて前記噴射ジェットとされ、前記キャリアガスは、Ｎ₂、空気、Ｏ₂、Ａｒ、Ｈｅ、その他のタイプの不活性ガス、および上で言及されたガスの組み合わせ、からなる群より選択される、方法。
請求項８に記載の方法であって、
前記メガソニックまたは超音波の音響エネルギの周波数は、約２８ｋＨｚ、約４４ｋＨｚ、約１１２ｋＨｚ、約８００ｋＨｚ、約１．４ＭＨｚ、および約２ＭＨｚからなる群より選択される、方法。
請求項８に記載の方法であって、
前記振動の周波数は、前記洗浄材料の特徴的時間の逆数より大きい、方法。
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記洗浄材料の層が除去された後に、前記基板の表面に乾燥支援液を施すことと、
前記乾燥支援液が施された後に、前記基板を回転させることによって前記基板の表面を乾燥させることと、
を備える方法。
請求項１に記載の方法であって、
前記乾燥支援液は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ＩＰＡと水との混合物、気相ＩＰＡ、または気相ＩＰＡと不活性ガスとの混合物である、方法。
基板の表面から粒子を除去する方法であって、
前記基板の表面に粘弾性洗浄材料の層を吐出することであって、前記基板は、基板サポートによって回転され、前記粘弾性洗浄材料は、前記基板の表面から前記粒子の少なくとも一部を捕捉して取り込む、粘弾性洗浄材料の層の吐出と、
前記洗浄材料の層を除去するために、前記基板の表面上の前記洗浄材料の層にすすぎ液を吐出することであって、前記洗浄材料の層に前記すすぎ液を吐出する最中または前に、前記洗浄材料に対してエネルギが付与され、前記付与されたエネルギは、前記洗浄材料の固体様応答を増大させて、前記基板表面からの前記洗浄材料の除去を促進し、前記洗浄材料によって取り込まれた前記粒子の少なくとも一部は、前記洗浄材料にとともに除去される、すすぎ液の吐出と、を備える方法。
幾つかの処理スロットを有する装置において基板の表面から粒子を除去する方法であって、
基板サポートによって前記基板を前記装置の第１の処理スロットへ移動させることであって、前記装置の前記第１の処理スロットは、前記基板サポートによって、前記第１の処理スロットよりも下方の処理スロットから分離されている、前記基板の移動と、
前記基板の表面に粘弾性洗浄材料の層を吐出することであって、前記基板は、基板サポートによって回転され、前記粘弾性洗浄材料は、前記基板の表面から前記粒子の少なくとも一部を捕捉して取り込む、粘弾性洗浄材料の層の吐出と、
前記基板サポートによって前記基板を前記装置の第２の処理スロットへ移動させることであって、前記装置の前記第２の処理スロットは、前記基板サポートによって、前記第２の処理スロットよりも下方の処理スロットから分離されている、前記基板の移動と、
前記粘弾性洗浄材料の層を除去するために、前記基板の表面上の前記洗浄材料の層にすすぎ液を吐出することであって、前記洗浄材料の層に前記すすぎ液を吐出する最中または前に、前記洗浄材料に対してエネルギが付与され、前記付与されたエネルギは、前記洗浄材料の固体様応答を増大させて、前記基板表面からの前記洗浄材料の除去を促進し、前記洗浄材料によって取り込まれた前記粒子の少なくとも一部は、前記洗浄材料とともに除去される、すすぎ液の吐出と、
を備える方法。
請求項２０に記載の方法であって、さらに、
前記基板サポートによって前記基板を前記装置の第３の処理スロットへ移動させることであって、前記装置の前記第３の処理スロットは、前記基板サポートによって、前記第３の処理スロットよりも下方の処理スロットから分離されている、または前記基板サポートの裏側は、前記装置の外である、前記基板の移動と、
前記粘弾性洗浄材料の層を除去された前記基板の表面に乾燥支援液を施すことであって、前記基板は、前記乾燥支援液が施されるときに、スピンされる、乾燥支援液の適用と、
前記乾燥支援液が施された後に、前記基板をスピンさせることによって前記基板を乾燥させることと、を備える方法。
請求項２０に記載の方法であって、
前記基板サポートの裏側は、前記粘弾性洗浄材料の層に前記すすぎ液が施される前および最中に前記基板および前記洗浄材料の層の温度を下げるために、冷たい液体を吹き付けられ、前記粘弾性洗浄材料の層の温度の低下は、前記洗浄材料の弾性を増大させる、方法。
請求項２０に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記基板が前記第１の処理スロットまたは前記第２の処理スロットにあるときに、前記すすぎ液が吐出される前に、前記粘弾性洗浄材料の層への真空吸引によって付与される、方法。
請求項２０に記載の方法であって、
前記すすぎ液は、噴射ジェットによって吐出され、前記エネルギは、前記粘弾性洗浄材料の層に対して前記噴射ジェットによって付与される、方法。
請求項２０に記載の方法であって、
前記エネルギは、前記粘弾性洗浄材料の特徴的時間の逆数より大きい周波数の音響エネルギである、方法。