JPS6178123A - 基板の表面処理装置 - Google Patents
基板の表面処理装置Info
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- JPS6178123A JPS6178123A JP19946084A JP19946084A JPS6178123A JP S6178123 A JPS6178123 A JP S6178123A JP 19946084 A JP19946084 A JP 19946084A JP 19946084 A JP19946084 A JP 19946084A JP S6178123 A JPS6178123 A JP S6178123A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、薄板からなる基板（以下ウエノ・と称す）の
表面処理、特にウニ・・を回転させながら、ウェハ表面
に処理液を散布して、ウェハの表面処理を行う表面処理
方法及びその装置に関する。
表面処理、特にウニ・・を回転させながら、ウェハ表面
に処理液を散布して、ウェハの表面処理を行う表面処理
方法及びその装置に関する。
例えば半導体の製造工程において、露光処理されたレジ
スト面を有するウェハを回転体に載置し、現像液を、こ
の回転体の上方に設けたノズルよシウエ・・のレジスト
面に供給して、現像処理を行う際、ウニ・・の表面に供
給される現像液の温度条件は、ウニ・・の現像処理に、
極めて大きな影響を与える。
スト面を有するウェハを回転体に載置し、現像液を、こ
の回転体の上方に設けたノズルよシウエ・・のレジスト
面に供給して、現像処理を行う際、ウニ・・の表面に供
給される現像液の温度条件は、ウニ・・の現像処理に、
極めて大きな影響を与える。
特に、高密度化したバター７をウェハ表面に形成する場
合においては、ポジ・レジス）Ｋ対する、スプレー現像
処理における現像液の温度制御は、きわめて重要な技術
的課題である。
合においては、ポジ・レジス）Ｋ対する、スプレー現像
処理における現像液の温度制御は、きわめて重要な技術
的課題である。
このような要求に応えるため、処理液の貯蔵容器から、
処理液供給ノズルに至る配管系を、恒温装置により、は
ぼ一定温度に維持するようにした装置は、例えば、特開
昭５４−７８９８１号公報等により公知である。
処理液供給ノズルに至る配管系を、恒温装置により、は
ぼ一定温度に維持するようにした装置は、例えば、特開
昭５４−７８９８１号公報等により公知である。
低速回転するウェハの表面に、現像液をンヤワ状態とし
て散布することにより、ノズルから噴出した現像液の気
化による液温低下を防ぐようにした装置は、特開昭５６
−５）８３４号公報に記載されている。
て散布することにより、ノズルから噴出した現像液の気
化による液温低下を防ぐようにした装置は、特開昭５６
−５）８３４号公報に記載されている。
また、回転するウェハの表面に、表面処理液を供給し、
ウニ・・の表面処理を行う際、ウニ・・の裏面に洗浄液
を吹きあてることによシ、ウニ・・の裏面に表面処理液
が耐着するのを防ぐことは、例えば特開昭５５−１１５
１１号公報に記載されているように、公知に属する。
ウニ・・の表面処理を行う際、ウニ・・の裏面に洗浄液
を吹きあてることによシ、ウニ・・の裏面に表面処理液
が耐着するのを防ぐことは、例えば特開昭５５−１１５
１１号公報に記載されているように、公知に属する。
本出願人は、ウニ・・を保持するために、ウェハのの下
方に位置する回転板の周囲に、多数の上向きの細孔が小
ピツチで穿設されている環状管体を設け、前記細孔より
水を噴出させて、ウニ・・の裏面と、環状管体との間に
水膜を形成することにより、ウニ・・の裏面及び回転板
が、ウェハの表面に供給される処理液で汚染されないよ
うにした装置を、特開昭５７−１４７４７８号公報をも
って開示している。
方に位置する回転板の周囲に、多数の上向きの細孔が小
ピツチで穿設されている環状管体を設け、前記細孔より
水を噴出させて、ウニ・・の裏面と、環状管体との間に
水膜を形成することにより、ウニ・・の裏面及び回転板
が、ウェハの表面に供給される処理液で汚染されないよ
うにした装置を、特開昭５７−１４７４７８号公報をも
って開示している。
従来の表面処理装置の概要図を、第２図に示す。
これは、ウニ・州）を回転板（２）の上に載置し、図示
しない回転駆動手段にで回転板（２）を回転させ、かつ
その上方のノズル（５）より、供給管（６）が送られて
くる所要の表面処理液をウェハｉｌｌの表面に供給し、
かつウェハｆｉｌの裏面を、供給管（４）により送られ
て、ウェハ１１）の下方に位置するノズル（３）より噴
出する洗浄液（通常は純水）をもって洗浄するようにし
たものである。
しない回転駆動手段にで回転板（２）を回転させ、かつ
その上方のノズル（５）より、供給管（６）が送られて
くる所要の表面処理液をウェハｉｌｌの表面に供給し、
かつウェハｆｉｌの裏面を、供給管（４）により送られ
て、ウェハ１１）の下方に位置するノズル（３）より噴
出する洗浄液（通常は純水）をもって洗浄するようにし
たものである。
この装置において、表面処理液は、図示しない温度制御
手段により、所要の温度に保たれて、ウェハ（１）の表
面に供給される。しかし、洗浄ノズル（３）よりウェハ
（１）の裏面に供給される洗浄液の温度は、従来温度制
御されていなかったため、洗浄液の温度変化により、ウ
ェハ（！ンの表面の周辺部分と中央部分とでは、温度差
が生じ、表面処理液の温度制御の効果がなくなるか、あ
るいは著しく減少するという問題点があった。
手段により、所要の温度に保たれて、ウェハ（１）の表
面に供給される。しかし、洗浄ノズル（３）よりウェハ
（１）の裏面に供給される洗浄液の温度は、従来温度制
御されていなかったため、洗浄液の温度変化により、ウ
ェハ（！ンの表面の周辺部分と中央部分とでは、温度差
が生じ、表面処理液の温度制御の効果がなくなるか、あ
るいは著しく減少するという問題点があった。
特に、生産性を向上させるために、ウェハの口径が大き
くなり、かつウェハの表面処理の精度が高くなるに従っ
て、上記した従来の問題点は、無視できないものとなっ
ている。
くなり、かつウェハの表面処理の精度が高くなるに従っ
て、上記した従来の問題点は、無視できないものとなっ
ている。
また、工場内で製造される純水の温度変化によって、ウ
ニ・・の裏面に供給される洗浄液の温度も変化し、ウニ
・・の表面処理の精度が不均一となるという問題点もあ
る。
ニ・・の裏面に供給される洗浄液の温度も変化し、ウニ
・・の表面処理の精度が不均一となるという問題点もあ
る。
このような従来の技術における問題点を解決することが
、本発明の目的でおる。
、本発明の目的でおる。
回転するウェハの表面に供給される表面処理液の温度を
制御する手段をもって、ウェハの裏面を洗浄する洗浄液
の温度をも、同時に制御することにより、ウニ・・の表
面に供給する表面処理液の温度と、ウニ・・の裏面に供
給する洗浄液の温度とを、常にほぼ同一に保つことによ
シ、従来の洗浄液の温度ムラをなくすことが、本発明の
眼目である。
制御する手段をもって、ウェハの裏面を洗浄する洗浄液
の温度をも、同時に制御することにより、ウニ・・の表
面に供給する表面処理液の温度と、ウニ・・の裏面に供
給する洗浄液の温度とを、常にほぼ同一に保つことによ
シ、従来の洗浄液の温度ムラをなくすことが、本発明の
眼目である。
表面処理液を温度調節する手段を恒温水槽とし、恒温水
槽内の恒温水を、ウェハ裏面の洗浄液に利用し、恒温水
槽内に付設した熱交換用配管に、表面処理液を供給すれ
ば、１個の温度制御手段で、表面処理液と洗浄液を、同
時に温度調節することができる。
槽内の恒温水を、ウェハ裏面の洗浄液に利用し、恒温水
槽内に付設した熱交換用配管に、表面処理液を供給すれ
ば、１個の温度制御手段で、表面処理液と洗浄液を、同
時に温度調節することができる。
本発明の実施例の概略構成を第１図に示す。
密閉型の表面処理液貯留槽（ＩＯの内部に処理液を収容
し、かつこの貯留槽ｕ１に、窒素等の不活性ガス供給管
（９）、及び表面処理液供給管（８１を接続する。
し、かつこの貯留槽ｕ１に、窒素等の不活性ガス供給管
（９）、及び表面処理液供給管（８１を接続する。
表面処理液供給管１８）の末端は、回転板（２）の表面
に載置したウェハ＋ｌ）の上方に載置したノズル１５）
に連なり、かつその管路途中に、恒温水槽＋１２の内部
に位置する熱交換用管（７）が設けられている。
に載置したウェハ＋ｌ）の上方に載置したノズル１５）
に連なり、かつその管路途中に、恒温水槽＋１２の内部
に位置する熱交換用管（７）が設けられている。
恒温水槽ｕ２１の内部に純水を収容し、水位検知手段（
Ｌ）を介して、自動弁（ｖｌ）を開閉し、純水供給管ｕ
Ｉｌより純水を補充することにより、恒温水槽内ｌ１２
１の液位を、常時はぼ一定に保つようにしである。
Ｌ）を介して、自動弁（ｖｌ）を開閉し、純水供給管ｕ
Ｉｌより純水を補充することにより、恒温水槽内ｌ１２
１の液位を、常時はぼ一定に保つようにしである。
恒温水槽［１３内の純水は、循環パイプ■の途中に設け
た循環ポンプ（Ｐ２）により、恒温装置（１３）及び恒
温水槽１３内を循環し、恒温状態を維持できるようにな
っている。
た循環ポンプ（Ｐ２）により、恒温装置（１３）及び恒
温水槽１３内を循環し、恒温状態を維持できるようにな
っている。
恒温装置（＋３１内部には、加熱手段又は冷却手段、及
び温度検知手段が設けられている。
び温度検知手段が設けられている。
恒温水槽０ｚ内の純水は、所定の温度に保持され、かつ
途中にボ／グ（Ｐｌ）を備える供給管（４）をもって、
ウェハけ）の下方に位置するノズル（３）に供給される
。
途中にボ／グ（Ｐｌ）を備える供給管（４）をもって、
ウェハけ）の下方に位置するノズル（３）に供給される
。
ノズル（３）から噴出して、ウェハｆｉ＋の裏面を洗浄
する純水と等しい量の純水が、純水供給管Ｕυより補充
されるが、補充され純水と、恒温水槽Ｉｌｚ内の純水の
温度の差、及び表面処理液の熱交換用管（７）における
熱交換量は、恒温装置（１３１により、十分補償される
ようになっている。
する純水と等しい量の純水が、純水供給管Ｕυより補充
されるが、補充され純水と、恒温水槽Ｉｌｚ内の純水の
温度の差、及び表面処理液の熱交換用管（７）における
熱交換量は、恒温装置（１３１により、十分補償される
ようになっている。
回転体（２）の上にウェハｉｌｌを載置して所要の回転
数にて回転させるとともに、自動弁（ｖ２）を開閉させ
て、恒温水槽１１■内にて所定の温度に維持された表面
処理液を、不活性ガス配管（９）のガス圧力によって、
ノズル＋５１より、ウェハｔｉｔの表面に供給する。
数にて回転させるとともに、自動弁（ｖ２）を開閉させ
て、恒温水槽１１■内にて所定の温度に維持された表面
処理液を、不活性ガス配管（９）のガス圧力によって、
ノズル＋５１より、ウェハｔｉｔの表面に供給する。
これと同時に、ポンプ（Ｐ、）により恒温水槽＋１２内
の純水を、ノズル（３）よりウニ・・（１）の裏面に供
給し、ウニ・・ｔ１＋の裏面が、ウェハ（１）の表面に
供給された表面処理液によって汚染されるのを防止する
。
の純水を、ノズル（３）よりウニ・・（１）の裏面に供
給し、ウニ・・ｔ１＋の裏面が、ウェハ（１）の表面に
供給された表面処理液によって汚染されるのを防止する
。
この純水は、恒温水槽ｎｚ６で、表面処理液とほぼ同一
温度に、常に保持されているため、ウニ・・ｉｌｌの表
裏の温度差がなくなり、従来の純水の温度変化による表
面処理ムラを防止することができる。
温度に、常に保持されているため、ウニ・・ｉｌｌの表
裏の温度差がなくなり、従来の純水の温度変化による表
面処理ムラを防止することができる。
ノズル（３）により供給された純水の量は、恒温水槽＋
１２１の液位検知手段（Ｌ）により、水位低下分として
検知され、純水供給管ＵＵにおける自動弁（■１）を開
閉することにより、補充される。
１２１の液位検知手段（Ｌ）により、水位低下分として
検知され、純水供給管ＵＵにおける自動弁（■１）を開
閉することにより、補充される。
恒温装置（１３１は、恒温水槽（１２の内部に付設して
もよく、第１図の失施例に限定されるものではない。
もよく、第１図の失施例に限定されるものではない。
また、表面処理液貯留槽（１ｏ１そのものに恒温装置を
付設し、かつ貯留槽ｎｏの内部に、純水配管を貫通させ
ても、実施できることは明らかである。
付設し、かつ貯留槽ｎｏの内部に、純水配管を貫通させ
ても、実施できることは明らかである。
さらに、恒温水槽内に熱媒を入れ、その内部に洗浄水及
び表面処理液の配管を位置させて実施することもできる
。
び表面処理液の配管を位置させて実施することもできる
。
＋１１ 従来の表面処理工程においては、ウニ・・裏
面に噴出させた洗浄水の温度ムラや変化によって、ウェ
ハの表面の周辺部と中央部の表面処理が不均一となる、
という問題があったが、これを完全に解決することがで
きる。
面に噴出させた洗浄水の温度ムラや変化によって、ウェ
ハの表面の周辺部と中央部の表面処理が不均一となる、
という問題があったが、これを完全に解決することがで
きる。
（２）特に、フォトタイプの現像処理工程やエツチング
処理工程において、従来に比して、より微細なパター／
を形成することができる。
処理工程において、従来に比して、より微細なパター／
を形成することができる。
（３）１個のユニットにて、表面処理液及び洗浄水を、
同時に恒温状態に維持することができ、装置を小型かつ
安価とすることができる。
同時に恒温状態に維持することができ、装置を小型かつ
安価とすることができる。
第１図は、本発明の一実施例を、概念的に示す図である
。 第２図は、従来の基板表面処理装置の概要を示す図であ
る。 ＋１１ウエハ （２）回転板（３）ノズ
ル （４）供給管１５）ノズル
１６）供給管（７）熱交換管 ｉ
８１表面処理液供給管（９１不活性ガス供給管 ｌ
ｌ０１表面処理液貯留槽ｔｉｌｌ純水供給管
１１２１恒温水槽α３恒温装置 ■循環
パイプ（Ｌ）水位液知手段 （ｖｌ）自動弁（易
）ポンプ （Ｐ、）循環ポンプ第１図
。 第２図は、従来の基板表面処理装置の概要を示す図であ
る。 ＋１１ウエハ （２）回転板（３）ノズ
ル （４）供給管１５）ノズル
１６）供給管（７）熱交換管 ｉ
８１表面処理液供給管（９１不活性ガス供給管 ｌ
ｌ０１表面処理液貯留槽ｔｉｌｌ純水供給管
１１２１恒温水槽α３恒温装置 ■循環
パイプ（Ｌ）水位液知手段 （ｖｌ）自動弁（易
）ポンプ （Ｐ、）循環ポンプ第１図
Claims (5)
- （１）被処理基板を回転体に装着して回転させ、該基板
の上面に、所要温度の処理液を供給するとともに、該基
板の下面に、洗浄液を供給するようにした回転処理装置
において、前記洗浄液と前記処理液とを、常にほぼ等温
度に保たせることを特徴とする基板の表面処理方法。 - （２）処理液と洗浄液とを、共通の温度制御手段により
、所要温度に制御することを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項に記載の基板の表面処理方法。 - （３）処理液がフォトレジスト現像液であり、かつ洗浄
液が純水である特許請求の範囲第（１）項又は第（２）
項に記載の基板の表面処理方法。 - （４）表面に、被処理基板を載置して、該基板とともに
回転しうる回転体と、 回転体の上方に位置し、基板の表面に表面処理液を散布
することができる処理液散布用ノズルと、 処理液散布ノズルより散布される表面処理液の温度を調
節する手段と、 前記回転体に載置された基板の裏面に洗浄液を吹きつけ
るべく、基板の下方に位置する洗浄液用ノズルとを備え
る基板の表面処理装置であつて、 洗浄用ノズルより供給される洗浄液を、前記表面処理液
温度調節手段により、温度調節するようにしてなる基板
の表面処理装置。 - （５）温度調節手段が恒温水槽であり、恒温水槽内の恒
温水を洗浄液とし、かつ恒温水槽内に設けた熱交換用管
に、前記表面処理液を供給するようにした特許請求の範
囲第（４）項に記載の基板の表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19946084A JPS6178123A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 基板の表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19946084A JPS6178123A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 基板の表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178123A true JPS6178123A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH0144012B2 JPH0144012B2 (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=16408168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19946084A Granted JPS6178123A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 基板の表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178123A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086486A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2012524408A (ja) * | 2009-04-14 | 2012-10-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 粘弾性洗浄材料を使用して基板上の粒子を除去するための装置および方法 |
| CN102896104A (zh) * | 2012-10-15 | 2013-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板清洗设备及基板清洗系统 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5511311A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-26 | Hitachi Ltd | Method of photoresist developing |
| JPS57166032A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-13 | Toshiba Corp | Spray type developing device for positive resist |
| JPS5868749A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-23 | Toshiba Corp | レジスト現像装置 |
| JPS58128441U (ja) * | 1982-02-24 | 1983-08-31 | 富士通株式会社 | 現像装置 |
| JPS6083240U (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-08 | 富士通株式会社 | スピン現像機 |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP19946084A patent/JPS6178123A/ja active Granted
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| CN102896104B (zh) * | 2012-10-15 | 2014-12-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板清洗设备及基板清洗系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0144012B2 (ja) | 1989-09-25 |
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