KR20030057318A

KR20030057318A - 현상장치 및 현상방법

Info

Publication number: KR20030057318A
Application number: KR1020020081008A
Authority: KR
Inventors: 나카무라아키히코; 미야나리아츠시
Original assignee: 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2001-12-27
Filing date: 2002-12-18
Publication date: 2003-07-04
Also published as: TW200301407A; CN1428658A; JP2003197508A; CN1262889C

Abstract

본 발명은 두꺼운 막 레지스트의 현상시간을 단축하고, 또한 대형 피처리물을 현상할 수 있는 콤팩트화한 현상장치 및 현상방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한 본 발명은, 현상액 공급 탱크로부터 공급된 현상액을 열교환기를 통해 온도를 조절하면서 현상조에 공급하는 현상장치로서, 상기 현상조 내에 피처리물을 세로방향으로 보유하여 매엽처리를 행하고, 또한 온도가 조절된 현상액을 현상장치 내에 순환시키면서 현상처리를 행하는 것을 목적으로 한다.

Description

현상장치 및 현상방법{Development apparatus and development method}

본 발명은 현상처리장치 및 현상처리방법에 관한 것으로, 특히 10 ㎛ 이상의 두꺼운 막 포토레지스트를 도포한 피처리기판의 표면에 일정 온도를 유지한 현상액을 공급하여 현상처리를 행하는 현상처리장치 및 현상방법에 관한 것이다.

종래 반도체 웨이퍼 등의 피처리기판에 포토레지스트를 도포하여, 포토리소그래피기술을 사용함으로써 회로패턴을 포토레지스트에 전사하고, 더욱이 패턴형성면에 현상액을 공급함으로써, 도포 레지스트막의 잠상패턴을 현상하여 피처리기판의 표면에 회로를 형성하는 것이 알려져 있다.

그러나, 최근 반도체기판상에 형성하는 전기회로의 집적도를 높임에 따라, 회로패턴의 선폭은 좁아지고 있다. 이에 맞춰, 반도체기판상에 레지스트막을 노광 ·현상하여 형성하는 패턴의 선폭도 좁아지고 있다.

레지스트막을 현상액으로 현상할 때에, 현상액의 온도는 패턴의 선폭에 영향을 준다. 특히, 고정도 패턴형성을 하기 위해서는 현상시의 온도관리가 중요하다. 예를 들면, 일본국 특개평 6-163393호 공보에는, 침지형 현상장치에 있어서, 현상 전에 레지스트막이 형성된 반도체기판의 온도를 현상액의 설정온도로 유지하면서 현상장치에 반송할 수 있도록 하여, 그 현상장치 내에 있는 현상조 및 그 현상조를 둘러싸는 분위기도 온도 조절을 행하는 것이 개시되어 있다.

또한, 패들형 현상장치에 있어서, 일본국 특개 2001-102292호 공보에는, 피처리기판상에 현상액을 쌓고, 그 후 현상액을 가열한다. 현상액 공급 직후부터 반응이 진행되면 타임래그에 의한 현상 불균일이 생겨버리기 때문에, 현상액은 현상반응이 진행되지 않도록 저온(5℃)에서 공급되고, 가열수단인 원적외선이 조사되어현상액은 처리온도인 23℃에 달한다. 그 후 현상액을 60℃까지 올려 현상처리를 종료하는 것이 개시되어 있다.

그러나, 상술한 현상장치는, 피처리물상에 10 ㎛ 이상 도포한 두꺼운 막 레지스트에 대해, 현상시간이 길어져, 현상처리속도가 저하되는 문제가 있고, 또, 피처리물의 대형화에 동반하여, 장치 전체를 대형화하지 않으면 안 되는 문제가 있다. 더욱이, 샤워식으로 현상액을 공급하는 경우, 현상액을 토출하는 순간까지는 소정 온도로 유지할 수 있지만, 토출 후는 증발에 의해 액의 온도나 농도가 변화되어 버려, 소정 현상액 성능을 유지하기 어려어, 현상 불균일이 생겨 버리는 경우가 있다.

본 발명은, 상기 문제가 비추어 이루어진 것으로, 두꺼운 막 레지스트의 현상시간을 단축하고, 또한 대형 피처리물을 현상할 수 있는 콤팩트화한 현상장치 및 현상방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은, 본 발명의 침지형 현상장치의 구성도이다.

도 2는, 도 1에 나타내는 침지형 현상장치의 배관 전체도이다.

도 3은, 도 1에 나타내는 기판 홀더의 정면도이다.

도 4는, 도 3에 나타내는 기판 홀더의 측면 확대도이다.

도 5는, 도 4에 나타내는 기판 홀더의 I-I' 단면도이다.

도 6은, 본 발명의 패들형 현상장치의 구성도이다.

도 7은, 도 6에 있어서의 A에서 B까지의 배관을 나타내는 부분단면 확대도이다.

부호의 설명

1 …현상액 정량 보유부, 2 …온도 센서, 3, 10 …수위 검출 센서, 4 …현상액 도입관, 5 …현상조, 6 …들여다보는 창, 7 …현상액, 8 …도출관, 8, 18, 19 …배관, 11 …도전율계, 12, 24 …뚜껑, 13 …칸막이판, 14, 22 …웨이퍼, 15 …홀더, 16 …출입문, 17 …온도조정기, 20 …노즐, 21 …척, 23 …챔버, 25 …송풍구.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은 현상장치는, 현상액 공급 탱크로부터 공급된 현상액을 열교환기를 통해 온도를 조절하면서 현상조에 공급하는 현상장치로서, 상기 현상조 내에 피처리물을 세로방향으로 보유하여 매엽처리를 행하고, 또한 온도가 조절된 현상액을 현상장치 내에 순환시키면서 현상처리를 행하고, 또한 상기 현상액의 온도 조절온도를 40℃ 이상 60℃ 미만으로 조절한다.

현상조에 피처리물을 세로방향으로 보유함으로써, 현상장치를 크게 하지 않고, 대형 피처리물을 현상할 수 있다. 또한, 40℃ 이상 60℃ 미만으로 온도가 조절된 현상액을 현상장치 내에서 순환시킴으로써, 현상시간을 종래의 1/2~1/3로 줄일 수 있다. 더욱이, 현상액을 샤워식과 같이 계속해서 흘리지 않기 때문에, 현상액의 사용량을 절약할 수 있다.

또한, 본 발명의 패들형 현상장치는, 피처리물상에 노즐로부터 현상액을 공급하고, 일정시간 경과 후에 척 본체를 회전시켜 피처리물상에 있는 현상액을 털어 내는 패들형 현상장치로서, 온도 조정기를 갖추고, 이 온도 조정기로부터 외부에 도출되는 동시에 다시 온도 조정기로 되돌아 오는 온도 조정수의 순환경로가 설치되어, 이 순환경로의 일부에서 상기 노즐 및 이것에 연결되는 배관의 온도를 조절하고, 또한 상기 순환경로의 다른 일부에서 상기 척 본체의 온도를 조절한다.

노즐 선단까지 현상액의 온도를 조절하여 피처리물에 공급함으로써, 현상액을 공급한 후 과열하는 것으로 인해, 현상 불량의 발생을 유효하게 방지할 수 있다. 또한, 온도 조정수의 순환경로에서 현상액 및 척 본체의 온도를 조절함으로써, 현상장치 전체의 콤팩트화를 실현할 수 있고, 또한 척에 의해 웨이퍼 이면으로부터 소정 온도로까지 온도가 조절되기 때문에, 현상액 토출 후의 액온 저하를 방지하여, 도포 후의 현상액의 면내 분포를 균일하게 할 수 있다.

또한, 상기 현상장치에 있어서는, 온도가 조절된 공기를 보내는 송풍기 및 상기 피처리물을 상기 현상장치 내에 반입하기 전에 미리 소정 온도까지 가열하는 가열장치를 갖추는 것이 가능하다.

이와 같은 구성으로 함으로써, 현상장치 공간 내의 온도를 조정하고, 더욱이미리 온도가 조절된 피처리물을 현상장치 내에 반입함으로써, 현상장치 내의 분위기를 안정하게 할 수 있어, 보다 효과적으로 현상 불균일을 방지할 수 있다.

더욱이, 상기 척 본체의 온도 조절온도, 상기 현상액의 온도 조정온도, 상기 피처리물을 가열하는 가열장치의 온도 조절온도 및 상기 송풍기의 온도 조절온도는, 모두 40℃ 이상 60℃ 미만으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 척 본체의 온도관리를 엄밀하게 행할 필요가 있을 때에는, 별도로 온도 조절장치를 준비하는 것이 바람직하다.

현상액, 척 본체, 피처리물 및 송부된 공기를 40℃ 이상 60℃ 미만으로 함으로써, 두꺼운 막 레지스트의 현상시간 단축화를 실현할 수 있다.

또 본 발명의 상기 침지형 현상장치 및 패들형 현상장치를 사용한 현상방법은, 현상액을 소정 온도로 온도를 조절하면서 피처리물에 공급하여, 10 ㎛ 이상의 두꺼운 막 레지스트를 현상처리한다.

소정 온도(40℃ 이상 60℃ 미만)로 온도가 조절된 현상액을 직접 피처리물에 공급함으로써, 10 ㎛ 이상의 두꺼운 막 레지스트의 현상도 단시간에 처리할 수 있다.

아래에 본 발명의 실시형태를 설명한다. 도 1은, 본 발명의 침지형 현상장치의 구성도이다. 이 현상장치는, 현상액을 일단 저류(貯留)하여, 공급하는 현상액 정량 보유부(1)을 갖고, 이 현상액 정량 보유부(1) 내에는 현상액의 온도를 검출하는 온도 센서(2)와, 현상액의 수위 레벨을 검출하는 수위 검출 센서(3), 현상액을 도입하는 현상액 도입관(4)를 삽입하고 있다.

또, 이 현상장치는, 현상조(5)를 갖고, 이 현상조(5)는, 현상액 정량 보유부(1)과 연결되어 형성되고, 도 1에 나타내는 실시예에서는, 현상조(5)의 일부에 들여다보는 창(6)이 설치되어 있다. 이 들여다보는 창(6)은, 유리제, 플라스틱제 등의 투명한 것이라면 좋다. 현상조(5) 외의 부분에, 현상액(7)을 순환시키기 위한 도출관(8)이 설치되고, 현상액(7)을 배출하기 위한 오버 플로용 배관(9)가 설치되어 있다. 더욱이, 현상조(5)의 바닥부에 현상액(7) 중의 드레인을 배출하기 위한 드레인 구멍이 설치되어 있다.

현상조(5) 내에는, 현상액 정량 보유부(1)과 마찬가지로, 현상액(7)의 수위 레벨을 검출하는 수위 검출 센서(10)과, 현상액(7)의 상태를 관찰하는 도전율계(11)이 설치되어 있다.

더욱이, 현상조(5)의 개구부에 뚜껑(12)를 설치하고 있다. 이 뚜껑(12)는, 현상액(7)의 증발을 방지하거나, 공기 중의 탄산가스의 혼입을 방지하기 위한 것으로, 상기의 수위 검출 센서(3, 10), 온도 센서(2), 도전율계(11) 및 현상액 도입관(4)를 기밀적(氣密的)으로 삽입하기 위해 몇개의 구멍이 설치되어 있다.

또, 이 뚜껑(12) 내면의 일부에 상하방향의 칸막이판(13)의 상단이 설치되어 있다. 이 칸막이판(13)에 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판(14)를 보유하는 홀더(15)가 고정되어 있다. 이 웨이퍼(14)는, 뚜껑(12)에 설치되어 있는 출입문(16)에 의해, 현상조(5)로부터 출입한다.

또한, 칸막이판(13)은, 현상조(5)의 바닥부에 설치하더라도 좋다.

도 2는, 도 1에 나타내는 침지형 현상장치의 배관 전체도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 현상액을 온도 조절 ·순환시키는 순환경로는, 주로, 펌프, 필터 및 열교환기로 구성되고, 더욱이 현상액을 배출하기 위한 폐액 탱크와, 이들을 접속하는 배관이 설치되어 있다.

도 3은, 도 1에 나타내는 웨이퍼(14)를 보유하는 홀더(15)의 정면 확대도이다. 도 4 및 도 5는, 각각 홀더(15)의 측면 확대도 및 홀더(15)의 I-I' 단면도이다. 본 실시예에서는, 칸막이판(13)에 3개의 홀더(15)가 설치되어 있다. 2개의 홀더(15-a)는, 현상조(5)에 대해 동일한 높이의 위치에 설치되고, 홀더(15-b)는, 웨이퍼(14)를 올릴 수 있도록, 홀더(15-a)의 아랫쪽에 설치되어 있다. 3개의 홀더(15)는, 모두 점선으로 나타내고 있는 고정구(26)으로 칸막이판(13)에 고정되고, 웨이퍼(14)의 크기에 따라, 고정하는 위치를 조정할 수 있도록 형성되어 있다. 또한, 칸막이판(13)은 반드시 필요하다는 것이 아니라, 현상조(5)의 측벽을 대용하는 것도 가능하다. 더 나아가서는, 홀더(15)의 형상을 바꿔 직접 현상조(5)의 바닥부에 설치하도록 하더라도 좋다.

본 발명의 실시예에 나타내는 침지형 현상장치에서는, 먼저, ① 현상액 정량 보유부(1)로부터 새로운 현상액(7)이 현상조(5)에 공급된다. 이 때 현상조(5)의 드레인 구멍은 닫혀, 현상액(7)은 펌프에 의해 현상조(5), 열교환기 및 배관을 매개로 하여 순환한다. ② 현상액(7)은 순환되면서, 열교환기를 통해 소정 온도(40℃ 이상 60℃ 미만)까지 상승한다.

이어서, ③ 현상조(5)의 상류측에 부설하는 도입부에서는 수위 센서(3)이 필요한 수위까지 현상액(7)이 괴인 것을 검지하고, 더욱이 온도 센서(2)가 소정 온도까지 현상액(7)이 상승한 것을 검지하면, 현상조(5)의 출입문(16)이 열려, 웨이퍼(14)를 현상조(5) 내에 반입한다.

그리고, ④ 반입된 웨이퍼(14)는, 현상조(5)에 대해 홀더(15)에 세로방향으로 계지(係止)되고, ⑤ 다시 출입문(16)이 닫혀 현상처리가 개시된다. 개방상태이면 액온이 높기 때문에, 증발에 의해 현상액(7)의 농도가 변화되어 버릴 염려가 있기 때문에, 뚜껑(12)는 필요하다.

더욱이, ⑥ 현상처리는 시간으로 감시되어, 웨이퍼(14)는 소정시간, 현상조(5) 내에 침지되고, ⑦ 침지중에도 현상액(7)은 계속해서 순환함으로써, 웨이퍼(14)에 도포한 레지스트의 용해를 촉진하여, 현상남김도 방지한다. 그리고, ⑧ 소정 시간 경과 후, 출입문(16)이 열려 웨이퍼(14)를 꺼낸다. 또한, 처리 중에 새로운 현상액이 공급되는 경우는 없어, 상기 현상처리는 닫힌 상태에서 행해진다.

몇장의 웨이퍼(14)를 처리하고 있는 중에 현상액(7)의 능력이 떨어진다. 그러면, 현상액(7)이 현상에 필요한 알칼리농도를 유지할 수 없게 된 것을 도전률계(11)이 검지하여, 웨이퍼(14)의 반입을 정지하여 현상액(7)을 바꿔 넣는다.

현상액(7)을 모두 바꿔 넣는 경우는, 열교환기를 정지하고, 드레인 구멍을 개방하여 현상조 및 배관 내의 현상액을 모두 폐액 탱크에 배출한다. 그 후, 드레인 구멍을 폐쇄하고, 현상액 정량 보유부(1)로부터 현상액(7)을 공급하여, ①로 돌아가 현상처리를 반복한다.

또, 현상액(7)을 일부 바꿔 넣는 경우는, 일정 시간 드레인 구멍을 개방하여일정량만 현상액(드레인)을 배출하여, 도전율계(11)의 수치가 현상처리를 가능한 수치로 회복할 때까지 새로운 현상액을 공급하고, 그 후 ①로 돌아가 현상처리를 반복한다. 또한, 현상액을 일부 바꿔 넣는 수단으로서, 그 밖에, 웨이퍼(14)의 반출입시 등의 현상처리시간 외에 일정(소량) 현상액을 공급함으로써, 항상 처리 가능한 상태의 현상액을 유지할 수 있다.

이들 수단을 사용하면, 상술한 방법과 같이 현상처리를 정지하지 않고 처리를 계속할 수 있다. 더욱이 또한, 현상처리를 하고 있는 중에, 현상성능이 저하되었을 때에는 현상액의 농도를 회복시키기 위해, 현상액의 원액(일반적으로, 네거형 레지스트에 대해서는 유기용제인 크실렌이나 초산부틸 등이, 포지형 레지스트에 대해서는 유기 알칼리계 수용액인 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide) 등을 생각할 수 있다.)를 공급함으로써, 현상액의 사용량을 소량으로 할 수 있다.

더욱이, 웨이퍼를 세로방향으로 반출함으로써, 현상액 중에서의 침지시간이 웨이퍼의 침지 개시지점과 침지 종료지점에서는 약간 다르다. 그러나, 두꺼운 막 레지스트이기 때문에 다소의 현상시간차는 현상처리 불균일 등의 악영향을 생기게 하지 않는다.

상기의 실시예에 나타내는 침지형 현상장치에서는, 웨이퍼를 세로방향으로 현상조 내에 설치함으로써, 현상장치를 크게 하지 않고, 대형 웨이퍼를 처리할 수 있다. 또한, 현상액의 온도를 조절한 후, 웨이퍼에 공급함으로써, 현상시간은 대폭 감소할 수 있다. 표 1에는, 현상액의 온도와 현상시간에 따른 현상상태의 평가를 나타낸다.

또한, 본 실시예에 있어서는 웨이퍼상에 도쿄 오카 고교(주)제의 포지형 포토레지스트인 PMER LA-900을 막두께가 20 ㎛가 되도록 설치하고, 테스트 마스크 패턴을 매개로 하여 자외선조사한 기판에 대해, 현상액으로서 도쿄 오카 고교(주)제 PMER-7G를 사용하여 행했다.

<표 1>

침지형 현상장치

레지스트액: PMER LA-900 현상액: PMER-7G 막두께: 20 ㎛

현상온도	23℃	30℃	40℃	45℃	50℃	60℃
현상시간	6분	3분	2분	2분	2분	2분
현상상태	Ｏ양호	Ｏ양호	Ｏ양호	Ｏ양호	△조금 거침있음	×현저히 거침 있음

이어서, 본 발명의 다른 하나의 실시형태를 설명한다. 도 6은, 본 발명의 패들형 현상장치의 구성도이다. 이 현상장치는, 온도 조정기(17)을 갖추고, 이 온도 조정기(17)로부터 온도가 조절된 물(이후, 온도 조정수라고 기재한다)이 배관(18)을 통해 화살표로 나타내는 방향을 따라 도출되는 동시에 다시 온도 조정기(17)로 되돌아 오는 온도 조정수의 순환경로가 형성되어 있다.

이 온도 조정수의 순환경로의 배관(18)은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 현상액을 반송하는 배관(19)와 이중구조로 되어 있다. 따라서, 온도 조정수는 배관(18)의 A기점에서 B기점까지, 현상액을 열교환에 의해 온도를 조정하게 된다. 또한, 현상액을 토출하는 배관(19)의 두부(頭部)에 노즐(20)을 부착하고 있어, 이 노즐(20)도 온도 조정수에 의해 배관(19)와 함께 온도가 조절된다.

더욱이, 상기 온도 조정수의 순환경로의 다른 일부에서, 척(21)의 온도를 조정하고 있다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 척(21)은, 내부에 온도 조정수를 도입하는 구조로 되어 있다.

척(21)의 상면부에 고정되는 웨이퍼(22)는, 미리 포토레지스트에 의해 소정 온도(40℃ 이상 60℃ 미만)로 온도가 조절된 후, 척(21)에 반송된다.

또한, 상기의 척(21) 등은, 챔버(23) 내에 설치되어 있다. 이 챔버(23)의 상부에는, 뚜껑(24)가 설치되어 있다. 뚜껑(24)의 일부에 필터의 형태를 갖는 송풍구(25)가 설치되어, 소정 온도로 온도가 조절된 공기를 챔버(23) 내에 보내고 있다.

상기 실시예에 나타내는 패들형 현상장치에서는, 온도 조정수의 순환경로에 의해, 현상액 및 척의 온도를 동시에 조절함으로써, 현상장치 자신의 콤팩트화를 꾀할 수 있는 동시에, 항상 신선한 현상액을 공급할 수 있어, 웨이퍼에 파티클 등이 부착하는 것을 피할 수 있다.

또한, 표 2 및 표 3에 나타내는 바와 같이, 미리 40℃ 이상 60℃ 미만으로 온도가 조절된 현상액을 공급함으로써, 웨이퍼에 도포된 레지스트의 용해를 빠르게 하여 현상시간을 대폭으로 단축할 수 있다. 또한, 현상온도가 40℃보다 낮으면 그 만큼 현상시간은 짧아지지 않고, 반대로 60℃ 이상으로 높아지면 본래라면 남겨두지 않으면 안 되는 레지스트막 표면에 악영향을 미친다.

표 2에는, 20 ㎛의 두꺼운 막을 현상하는데 있어서, 현상액의 온도와 현상시간에 따른 현상상태의 평가를 나타내고, 표 3에는, 40 ㎛의 두꺼운 막을 현상하는데 있어서, 현상액의 온도와 현상시간에 따른 현상상태의 평가를 나타낸다.

여기에서, 표 2에 있어서는, 포토레지스트로서 도쿄 오카 고교(주)제 PMER LA-900을, 현상액으로서 동 PMER-7G를 사용했다.

표 3에 있어서는, 동 PMER CA-3000을, 현상액으로서 동 PMER-7G를 사용했다.

<표 2>

패들형 현상장치

레지스트액: PMER LA-900 현상액: PMER-7G 막두께: 20 ㎛

현상온도	23℃	30℃	40℃	45℃	50℃
현상시간	6분	3분	2분	2분	2분
현상상태	Ｏ양호	Ｏ양호	Ｏ양호	Ｏ양호	△조금 거침있음

<표 3>

레지스트액: PMER CA-3000 현상액: PMER-7G 막두께: 40 ㎛

현상온도	23℃	30℃	40℃	45℃	50℃
현상시간	10분	5분	3분	2분	2분
현상상태	Ｏ양호	Ｏ양호	Ｏ양호	Ｏ양호	Ｏ양호

이상에 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 현상조에 피처리물을 세로방향으로 보유함으로써, 현상장치를 크게하지 않고, 대형 피처리물을 현상할 수 있는 것이 가능하다. 또한, 40℃ 이상 60℃ 미만으로 온도가 조절된 현상액을 현상장치 내에서 순환시킴으로써, 현상시간을 종래의 1/2~1/3로 줄일 수 있다. 더욱이, 현상액을 샤워식과 같이 계속해서 흘리고 있지 않기 때문에, 현상액의 사용량을 절약할 수 있다.

또한, 노즐 선단까지 현상액의 온도를 조절하여 피처리물에 공급하도록 하면, 현상액을 공급한 후 과열함으로써, 현상 불량의 발생을 유효하게 방지할 수 있다. 또한, 온도 조정수의 순환경로에서 현상액 및 척 본체의 온도를 조절함으로써, 현상장치 전체의 콤팩트화를 실헌할 수 있고, 또한 척에 의해 웨이퍼도 이면으로부터 소정 온도로까지 온도가 조절되기 때문에, 현상액 토출 후의 액온 저하를 방지하여, 균일 온도로 현상처리가 가능하다.

또한, 현상장치 공간 내의 온도를 온도가 조절된 공기로 조정하고, 더욱이 미리 온도가 조절된 퍼처리물을 현상장치 내로 반입함으로써, 현상장치 내의 분위기를 안정시킨 채, 보다 효율적으로 현상 불균일을 방지할 수 있다.

또한, 현상액, 척 본체, 피처리물 및 송부된 공기를 40℃ 이상 60℃ 미만으로 하는 것에 의하면, 두꺼운 막 레지스트의 현상시간 단축화를 실현할 수 있다.

더욱이, 소정 온도(40℃ 이상 60℃ 미만)로 온도가 조절된 현상액을 직접 피처리물에 공급하는 것에 의하면, 10 ㎛ 이상의 두꺼운 막 레지스트의 현상도 단시간에 처리할 수 있다.

Claims

현상액 공급 탱크로부터 공급된 현상액을 열교환기를 통해 온도를 조절하면서 현상조에 공급하는 포토레지스트의 현상장치로서, 상기 현상조 내에 피처리물을 세로방향으로 보유하여 매엽처리를 행하고, 또한 온도가 조절된 현상액을 현상장치 내에 순환시키면서 현상처리를 행하는 것을 특징으로 하는 침지형 현상장치.
제1항에 있어서, 상기 현상액의 온도 조절온도를 40℃ 이상 60℃ 미만으로 조절하는 것을 특징으로 하는 침지형 현상장치.
피처리물상에 노즐로부터 현상액을 공급하고, 일정시간 경과 후에 척 본체를 회전시켜 피처리물상에 있는 현상액을 털어 내는 패들형 포토레지스트의 현상장치에 있어서, 이 패들형 현상장치는 온도 조정기를 갖추고, 이 온도 조정기로부터 외부에 도출되는 동시에 다시 온도 조정기로 되돌아 오는 온도 조정수의 순환경로가 설치되어, 이 순환경로의 일부에서 상기 노즐 및 이것에 연결되는 배관의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 패들형 현상장치.
제3항에 있어서, 상기 순환경로의 다른 일부에서 상기 척 본체의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 패들형 현상장치.
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 현상장치 내에 온도가 조절된 공기를 보내는 송풍기 및 상기 피처리물을 상기 현상장치 내에 반입하기 전에 미리 소정의 온도까지 가열하는 가열장치를 갖추는 것을 특징으로 하는 패들형 현상장치.
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 척 본체의 온도 조절온도, 상기 현상액의 온도 조절온도, 상기 피처리물을 가열하는 가열장치의 온도 조절온도 및 상기 송풍기의 온도 조절온도를 모두 40℃ 이상 60℃ 미만으로 한 것을 특징으로 하는 패들형 현상장치.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 현상장치를 사용한 현상방법으로서, 현상액을 소정의 온도로 조절하면서 피처리물에 공급하여, 10 ㎛ 이상의 두꺼운 막 포토레지스트를 현상처리하는 것을 특징으로 하는 현상방법.