JP2012513682A - 電気複合構成部材または電子複合構成部材、および、電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、第1接合部品(2)と少なくとも1つの第2接合部品(3)とを含む電気複合構成部材または電子複合構成部材(1)に関する。本発明によれば、前記第1接合部品と前記第2接合部品とのあいだに、前記第1接合部品および前記第2接合部品の双方に固定に接続された、開放孔を有する焼結成形体(6;7)が収容されている。

Description

本発明は、請求項1の上位概念記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材、および、請求項8の上位概念記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法に関する。
JFET,MOSFET,IGBTまたはダイオードのようなパワー半導体とパワーエレクトロニクスモジュールの回路支持体との接合、および、基板/ヒートシンクへの回路支持体の接合は、典型的には軟質はんだ技術によって実現される。新しいEU立法に基づき、将来的には鉛を含有する軟質はんだ合金(Sn63Pb37およびSn5Pb95)の使用は禁止されることになっている。代替合金としてのSnAgCuベースの鉛フリー軟質はんだ合金は限定的にしか使用することができない。なぜなら、このSnAgCuベースの鉛フリーの軟質はんだ合金は、特に受動的および能動的な温度変化の負荷のもとでは、信頼性の点で制限されているからである。代替手段としての合金である高融点の軟質はんだは、取り扱いに対して脆弱すぎるか(Bi97,5Ag2.5)、または、高価すぎる(Au80Sn20)。
耐高温ならびに高信頼性の接合技術の代替手段として、接合部品どうしを銀ペーストを用いて焼結することが公知である。この技術は低温接合技術NTVと称される。ここでは2つの異なる実施手段、つまりEP224626B1に記載されているような銀金属薄片の焼結と、WO2005/079353A2に記載されているような銀金属ナノ粒子の焼結とが区別される。というのは、焼結粒子は、はんだプロセスとは異なり、焼結時に液相に至らない(つまり溶融しない)からである。
銀金属薄片の焼結時には、粉体ワックス(Mahlwachs)を燃焼させるための大気中の酸素、約240℃の温度、ならびに、約40MPaの高圧が必要となる。銀金属ナノ粒子の焼結は、約100kPaから5MPaまでの範囲の格段に低い圧力によって焼結プロセスを実施する手段を提供する。ただし、ナノ粒子を焼結する場合にも、銀金属薄片を焼結する場合と同様に、酸素ならびに約280℃のプロセス温度は必要である。これに加えて、公知の銀金属とナノ粒子とのペースト状配合物は、銀金属薄片ベースのペースト状配合物よりも高い有機成分、例えば溶剤および/またはバインダ等を含む。公知の方法では、焼結ペーストが第1接合部品および/または第2接合部品に直接に被着され、その後、熱作用のもとで、これらの接合部品どうしが互いにプレスされる。焼結ペーストを用いたプロセスを行うには、焼結層を通して大きな気体体積を交換しなければならないという課題、すなわち、酸素は接合箇所に達しなければならないし、溶剤および燃焼/酸化された有機物は排出されなければならないという課題が存在する。このため、特に所望される低いプロセス圧力のもとで大面積の接合を行う場合には、断裂の形成がひどくなる。
発明の開示
本発明の基礎となる課題は、電気複合構成部材または電子複合構成部材、ならびに、電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法を提供し、接合時の断裂形成を回避できるようにすることである。なお、複合構成部材は低コストに製造でき、温度変化に対する耐性を有することが望ましい。
この課題は、請求項1の特徴を有する電気複合構成部材または電子複合構成部材、および、請求項8の特徴を有する電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法によって解決される。本発明の有利な実施形態は従属請求項に記載されている。明細書、特許請求の範囲、図面等に開示された各特徴は、単独でも任意に組み合わせても、本発明の対象となりうる。なお、反復を避けるために、装置発明に関して開示された特徴は方法発明としても請求されうるものとし、また、方法発明に関して開示された特徴も同様に装置発明として請求されうるものとする。
本発明の基礎となる技術思想は、少なくとも2つの接合部品どうしを従来技術のごとく焼結ペーストを用いて焼結固定するのではなく、焼結ペーストを用いずに、あらかじめ形成されている貫通した開放孔を有する焼結成形体と接合部品とを固定的に接続することにある。有利には、使用される焼結成形体(焼結フィルム)の厚さは、接合部品の積層方向で見て約10μmから約300μmまでの範囲にあるか、またはそれ以上である。このような焼結成形体は、後の接合部品との接合プロセスにおいて、例えばはんだ付け、溶接、接着等によって形成される接合箇所の換気および排気に利用可能な、安定した気体チャネルが既に組み込まれているという利点を有する。多孔性の焼結成形体を取り付け部材ないし嵌め込み部材として使用することは、接合部品と焼結成形体とを接合する焼結プロセスにポジティブに作用し、特に、シリコンパワー半導体と回路支持体、または、回路支持体とヒートシンクなど、大面積の接合部品と焼結成形体とを焼結する場合に有利である。また、焼結成形体を介して、打ち抜き板を接合することもできる。
焼結成形体を使用することのさらなる利点は、接合箇所を設計する際の自由度が拡張されることである。なぜなら、焼結成形体は、接合部品のうち少なくとも一方、有利には双方よりも大きな面積を有することができ、および/または、従来技術のごとく焼結ペーストを用いて接合部品どうしを焼結する場合よりも格段に広い間隔をあけて配置することができるからである。これにより特に、温度変化耐性が向上するので有利である。
本発明は、多くの電気的および/または電子的な用途に使用することができる。特に有利には、機械/電気変換(発電機、整流器)、電気/電気変換(AC/ACコンバータ、DC/DCコンバータ)、電気/機械変換(電気駆動装置、インバータ)などの多様なエネルギ変換に必要とされるパワーエレクトロニクスモジュールにおいて使用される。さらに、自動車のジェネレータにおける整流や、電気駆動装置、DC/DCコンバータ、パルスインバータ、ハイブリッドFC/Eドライブ、光電変換器などの制御のために相応に構成されたパワーエレクトロニクスモジュールとして使用することもできる。これに代えてまたはこれに加えて、本発明により、高い損失電力を有する個々の素子をそれぞれ別個のパッケージで打ち抜き板上に接合することも可能であり、こうして本発明は例えば完全に鉛フリーの解決手段としてプリント回路板技術に利用可能となる。
特に有利には、本発明は、半導体レーザダイオードを備える構造体において、または、特に高温で使用されるMEMSやセンサにおいて使用される。さらなる適用分野は、レーダー用の半導体発光ダイオードおよび高周波半導体である。
複合構成部材の特に有利な実施形態においては、焼結成形体が銀金属、特に銀金属薄片から製造されているか、および/または、銀金属、特に銀金属薄片を含んでいる。銀金属から製造された焼結成形体、または、銀金属を含む焼結成形体は、導電性および熱伝導性が高い点で有利である。さらに銀は、気体チャネルを形成する複数の貫通した開放孔を実現するのにも適している。
少なくとも2つの接合部品を焼結成形体に接合するには種々の手段が存在するが、本発明においては、2つの接合部品に対して同一の手法を選択することも異なる手法を選択することもできる。第1の選択手段によれば、第1接合部品および/または第2接合部品が焼結ペーストなしで焼結成形体とともに焼結される。焼結成形体を少なくとも1つの接合部品に結合すなわち焼結するには、充分な圧力および温度を適用するだけでよい。
これに代えて、第1接合部品および/または第2接合部品を、有利にはんだペースト、はんだ粉末、はんだ成形体(これら全体をはんだ材料と称する)を用いて、焼結成形体にはんだ付けすることもできる。はんだ材料は熱作用によって液相へ移行し、焼結成形体と少なくとも1つの接合部品とを接合する。特に有利には、はんだ材料は鉛フリーのはんだペーストであるが、鉛を含むはんだペースト、特に標準はんだペーストを用いることもできる。使用される焼結成形体は多孔性構造のためにローバストなはんだ接合の達成に良好に適している。これは特に、現行のはんだ材料と、少なくとも部分的に銀金属、特に銀薄片から製造される焼結成形体との良好なぬれ性に基づいている。"粉末状の"焼結成形体は、後になって電気複合構成部材または電子複合構成部材を使用する際に純粋なはんだ材料に作用する熱的機械的応力を大幅に低減する。有利には、使用されるはんだ材料、特にはんだペーストは、接合部品ならびにデポ(Depot)として機能する焼結成形体の双方に印刷または塗布されてもよいし、これに代えて焼結成形体の両側に印刷または塗布されてもよいし、さらに代えて焼結成形体の一方側と一方の接合部品にのみ印刷または塗布されてもよい。はんだ付けプロセスで生じた気体は焼結成形体の開放孔によって形成される気体チャネルを介して最適に放出される。また、はんだ付けプロセスに先行するはんだペースト印刷プロセスにおいて、SMD部品の実装およびこれに続くリフローはんだを接合箇所にはんだデポとして被着することもできる。この場合、接合箇所では融剤の塗布が必要とされるだけである。焼結成形体の多孔性構造により、融剤系の排気に対する充分な手段が実現される。
少なくとも一方の接合部品と焼結成形体とを接合する別の手段として、接合部品と焼結成形体とを接着剤、特に導電性接着剤によって、接着することができる。この場合、有利には、銀を含む接着剤または銀の充填された接着剤が使用され、焼結成形体内の理想的な接合面に塗布される。
さらに、少なくとも一方の接合部品と焼結成形体とを、特に摩擦溶接、超音波溶接、抵抗溶接によって結合することもできる。有利には銀を含む焼結成形体あるいは銀から成る焼結成形体の表面が、溶接プロセスによって、少なくとも一方の接合部品、有利には双方の接合部品と最適に結合される。
第1接合部品および第2接合部品の構成に関しては、種々の複合構成部材をもたらす種々の可能性が存在する。特に有利には、第1接合部品は電子素子、有利には半導体素子、特に有利にはパワー半導体であり、焼結成形体によって、第2接合部品、特に回路支持体(プリント回路板)と接続することができる。同様に、回路支持体として構成された第1接合部品を、焼結成形体によって、特に銅製の基板として構成された第2接合部品と接続することも可能である。有利には、銅製の基板は、ヒートシンクとして機能するか、または、ヒートシンクとして用いられる冷却体に接続されている。また、冷却体(第1接合部品)を、焼結成形体によって基板(第2接合部品)に接続することも可能である。さらに、焼結成形体によって、少なくとも1つのボンディングワイヤまたは少なくとも1つのボンディングリボンを、別の接合部品である電子回路素子、有利には半導体素子、特にパワー半導体素子に接続するか、または、電気回路素子の回路支持体に接続する(コンタクトする)ことができる。この場合、焼結成形体は、動作信頼性を高める。同様に、第1接合部品を例えば電気素子、特に打ち抜き板(リードフレーム)とすることができ、焼結成形体によって、第2接合部品、特に回路支持体、より正確に言えば回路支持体の金属に接続することができる。従来は、打ち抜き板が直接にプリント回路板(回路支持体)上にはんだ付けされていたので、閉鎖された孔または中空室(ブローホール)が生じることが多かった。さらに公知のプロセス制御では接合ギャップが変動しやすく、したがって温度負荷または温度変化の負荷があると信頼性が必ずしも保証されていなかった。なお、必要に応じて、第1接合部品と第2接合部品の種々の組み合わせを実現することができる。
焼結成形体の使用は、接合部品を2つしか有さない複合構成部材に制限されているわけではない。例えば、2つ以上の焼結成形体によって1つの複合構成部材を製造することも考えられ、この場合それぞれ1つずつの焼結成形体によって少なくとも2つの接合部品が互いに固定される。このようにして3つ以上の接合部品を含むサンドイッチ構造を形成することができ、接合部品および焼結成形体は有利には積層方向で積層される。したがって、例えば、パワー半導体によって構成された第2接合部品の両側を、それぞれ1つの焼結成形体によって、第1接合部品および第3接合部品を構成する回路支持体に接続させることができ、これによってパワー半導体は回路支持体の間にサンドイッチ状に収容され、回路支持体とパワー半導体との間にそれぞれ1つずつ焼結成形体が位置することになる。なお、サンドイッチ構造は、必ずしも1つのプロセスステップにおいて実現しなければならないわけではなく、例えば2つ以上のステップで製造することもできる。
本発明は、電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法、有利にはこれまで説明した複合構成部材の製造方法にも関する。本発明の方法の核心となるのは、少なくとも2つの接合部品を、有利には焼結ペーストを用いずに、有利には、鉛フリーのはんだ材料、特にはんだペーストを用いて、あるいは、銀を含む導電性接着剤を用いて、あるいは、摩擦溶接、超音波溶接、抵抗溶接などによって、開放孔を有する焼結成形体(焼結フィルム)に直接に焼結することである。本発明の方法の利点は、焼結成形体の貫通した開放孔の構造によって、接合プロセス(焼結プロセス)の際に気体を放出させ、また必要に応じて酸素などの気体を接合箇所に供給して、断裂の発生を回避できることである。有利には、排気および給気は接合部品の側方から、つまり接合部品の積層方向に対して横断方向に行われる。
本発明の特徴および利点を、図示の有利な実施例に則して、以下に詳細に説明する。
パワーエレクトロニクスモジュールの複合構成部材を示す図である。 2つの接合部品を接続するための焼結成形体の断面図である。 2つの接合部品を含む電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造プロセスの概略図である。 3つの接合部品と2つの焼結成形体とを含む電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造プロセスの概略図である。
図中、同じ要素および同様の機能を有する要素には同じ参照番号を付してある。
図1には電子複合構成部材1が示されている。当該の電子複合構成部材1は、第1接合部品2と、第2接合部品3と、第3接合部品4とを含む。図1の実施例では、第1接合部品2はパワー半導体素子、特にIGBTであり、第2接合部品3は回路支持体であり、第3接合部品4は銅基板である。この銅基板はさらに冷却体5(ヒートシンク)に取り付けられている。
第1接合部品2と第2接合部品3とのあいだには、積層方向Sで見て約50μmの厚さを有する第1焼結成形体6が配置されている。第1接合部品2および第2接合部品3は、第1焼結成形体6の対向する2つの面にはんだペースト(またははんだ粉末またははんだ成形体)を用いたはんだ付けによって取り付けられている。第1焼結成形体6は銀焼結材料から形成されている。第2接合部品3は、さらに、第1焼結成形体6と同様に形成された第2焼結成形体7を介して、第3接合部品4に接合されており、第2接合部品3と第3接合部品4とははんだ付けによって第2焼結成形体7に固定に接合されている。これに代えて、第1焼結成形体6と第2焼結成形体7との形状を相互に異なるように構成してもよい。
図1の実施例では、第3接合部品4は冷却体5に直接にはんだ付けされている。これに代えて、図示されてはいないが、第3接合部品4と冷却体5とのあいだに別個の焼結成形体を配置してこれらを焼結ペーストなしで直接に焼結してもよいし、はんだ付けまたは接着または溶接によって固定してもよい。
図1に示されているように、基板として構成されている第3接合部品4には、第1接合部品2および第2接合部品3および第1焼結成形体6を含むいわゆる積層体型デバイスを包囲するプラスティックケーシング8が固定されている。当該の積層体型デバイスは弾性を有する保護物質9によって包囲されている。当該の保護物質9を通してプラスティックケーシング8の外側へ接続線10,11が引き出されており、これらの接続線10,11は第1焼結成形体6を介してこの第1焼結成形体6に接触している第2接合部品(回路支持体)3に固定されている。
図2には、銀薄片から製造された第1焼結成形体6の構造が示されている。図2からは複数の開放孔が見て取れる。これらの開放孔は気体チャネルを形成しており、当該の気体チャネルを通って気体が或る接合箇所から外部へまたは別の接合箇所へ流れる。有利には、側方すなわち積層方向Sに対する横断方向(図1を参照)で、開放孔またはこの開放孔によって形成されている気体チャネルから気体が発生し、これによって、特にはんだ付けプロセスにおける断裂の発生が回避される。
図3には、図右方の電気複合構成部材または電子複合構成部材1を製造するプロセスが概略的に示されている。電子複合構成部材1は、図上方の第1接合部品2および図下方の第2接合部品3と、この2つの接合部品のあいだにサンドイッチ式に挟み込まれる焼結成形体6とを含む。例えば、第1接合部品2はチップであり、第2接合部品3は回路支持体である。これに代えて、第1接合部品2が回路支持体であり、第2接合部品3が基板、特に銅基板および/または冷却体(ヒートシンク)であってもよい。また、特許請求の範囲に記載した第1接合部品2および第2接合部品3の組み合わせも可能である。図3の実施例では、第1焼結成形体6の2つの面に、まず、はんだ材料12、特にはんだペーストまたははんだ成形体がデポとして被着される。有利には、はんだ付けの前に、接合箇所に融剤材料が塗布される。積層方向Sにおける積層の後、2つの接合部品2,3および第1焼結成形体6およびはんだ材料12が、接合プロセス13、ここでははんだ付けプロセスにかけられる。はんだ材料12のはんだ付けに対する気体交換は第1焼結成形体6の開放孔の全体積にわたって生じる。
別の接合プロセスも図3によって説明可能である。例えば、第2接合部品3は回路支持体、特に金属、典型的には銅または銅合金の回路支持体であり、第1接合部品2は打ち抜き板、典型的には銅または銅合金の打ち抜き板である。この場合には、接着剤14,特に銀を含む接着剤14が、例えば、第2接合部品3に印刷または塗布される。必要に応じて、第1焼結成形体6は、第1接合部品2である打ち抜き板の反対側において、接着剤デポとともに配置されてもよい。これに代えて、接着剤14を、後続のプロセス、例えば被着プロセスにおいて、接着剤デポとして被着してもよい。続いて、第1接合部品2は、接着剤14上に載置され、所定の温度および/または圧力の作用のもとで硬化プロセスにかけられる。接着剤14またはその成分は第1焼結成形体6の開放孔構造によってガス抜き可能である。
これに代えて、さらに、少なくとも1つの接合部品2,3を溶接によって第1焼結成形体6に接合することもできる。ただし、溶接プロセスは、必ずしも補助材料15を用いて行われなくてよい。補助材料を省略する場合には、図3の補助材料15のデポは必要ない。
図4では、図右方に、全部で3つの接合部品2,3,4を有し、接合部品2,3間に第1焼結成形体6を、接合部品3,4間に第2焼結成形体7を有する、電気複合構成部材または電子複合構成部材1が示されている。例えば、第1接合部品2および第3接合部品4は回路支持体であり、中央に配置される第2接合部品3はパワー半導体である。サンドイッチ構造は必ずしも1回の共通の接合プロセスによる必要はなく、2段階の連続する接合プロセスによって実現されてもよい。例えば、第1接合部品2,第1焼結成形体6,第2接合部品3を接合した後、第2焼結成形体7および第3接合部品4を接合してもよいし、これに代えて、まず第3接合部品4,第2焼結成形体7,第2接合部品3を接合した後、第1焼結成形体6および第1接合部品2を接合してもよい。

Claims (17)

  1. 第1接合部品(2)と少なくとも1つの第2接合部品(3)とを含む
    電気複合構成部材または電子複合構成部材(1)において、
    前記第1接合部品と前記第2接合部品とのあいだに、前記第1接合部品および前記第2接合部品の双方に固定に接続された、開放孔を有する第1焼結成形体(6;7)が収容されている
    ことを特徴とする電気複合構成部材または電子複合構成部材。
  2. 前記第1焼結成形体(6;7)は、銀金属、例えば銀金属薄片から製造されているか、および/または、銀金属、例えば銀金属薄片を含む、請求項1記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材。
  3. 前記第1接合部品および/または前記第2接合部品は、付加的な焼結ペーストなしで、前記第1焼結成形体に、直接に焼結されているか、または、例えばはんだペーストによってはんだ付けされているか、または、例えば超音波溶接によって溶接されているか、または、接着されている、請求項1または2記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材。
  4. 前記第1接合部品は、エレクトロニクスモジュール、有利には半導体素子、特に有利にはパワー半導体素子であるか、または、回路支持体、有利には回路支持体のメタライゼーションであるか、または、打ち抜き板であるか、または、ボンディングワイヤないしはボンディング細線であるか、または、基板である、請求項1から3までのいずれか1項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材。
  5. 前記第2接合部品は、エレクトロニクスモジュール、有利には半導体素子、特に有利にはパワー半導体素子であるか、または、回路支持体、有利には回路支持体のメタライゼーションであるか、または、基板、有利には銅基板であるか、または、冷却体(5)である、請求項1から4までのいずれか1項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材。
  6. 前記第1接合部品と第3接合部品または第4接合部品とのあいだに第2焼結成形体(7;6)が収容されているか、および/または、前記第2接合部品と第3接合部品または第4接合部品とのあいだに第2焼結成形体(7;6)が収容されており、該第2焼結成形体は、有利には隣接する接合部品に焼結ペーストなしで直接に焼結されているかまたははんだ付けされているかまたは溶接されているかまたは接着されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材。
  7. 前記第3接合部品または前記第4接合部品は、エレクトロニクスモジュール、有利には半導体素子、特に有利にはパワー半導体素子であるか、または、回路支持体、有利には回路支持体のメタライゼーションであるか、または、基板、有利には銅基板であるか、または、冷却体(5)である、請求項6記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材。
  8. 電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法、有利には請求項1から7までのいずれか1項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法において、
    第1接合部品および第2接合部品(2,3)を、開放孔を有する第1焼結成形体(6)に固定に接続する
    ことを特徴とする電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
  9. 前記第1接合部品および前記第2接合部品を前記第1焼結成形体の2つの対向面に配置する、請求項8記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
  10. 前記第1接合部品および/または前記第2接合部品を、焼結ペーストなしで直接に、温度および/または圧力の作用のもとで、有利には共通の1回の焼結ステップにおいて、前記第1焼結成形体に焼結する、請求項8または9記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
  11. 前記第1接合部品および/または前記第2接合部品(2,3)を、例えばはんだペーストによって、前記第1焼結成形体にはんだ付けする、請求項8から10までのいずれか1項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
  12. 前記はんだペースト、有利には付加的な融剤を、前記第1接合部品および/または前記第2接合部品および/または前記焼結成形体での接合の前に被着し、有利には印刷または塗布する、請求項11記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
  13. 前記第1接合部品および/または前記第2接合部品を、例えば補助材料(15)を用いてまたは補助材料(15)を用いずに、前記第1焼結成形体に溶接する、請求項8から12までのいずれか1項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
  14. 前記第1接合部品および/または前記第2接合部品を、有利には超音波溶接により、例えば補助材料(15)を用いてまたは補助材料(15)を用いずに、前記焼結成形体に溶接する、請求項8から13までのいずれか1項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
  15. 前記第1接合部品と第3接合部品または第4接合部品とのあいだに第2焼結成形体(7)を配置するか、および/または、前記第2接合部品と第3接合部品または第4接合部品とのあいだに第2焼結成形体(7)を配置し、該第2焼結成形体を、有利には隣接する接合部品に直接に焼結するかまたははんだ付けするかまたは溶接するかまたは接着する、請求項8から14までのいずれか1項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
  16. 前記第2焼結成形体を前記第1接合部品または前記第2接合部品に、ならびに、前記第1焼結成形体を前記第1接合部品または前記第2接合部品に、共通のプロセスステップまたは別個のプロセスステップで、配置する、請求項15記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
  17. 1つの焼結体を複数の焼結成形体に個別化する、請求項8から16までのいずれか1項記載の電気複合構成部材または電子複合構成部材の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015504477A (ja) * 2011-09-30 2015-02-12 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh 少なくとも一種の金属粉末から成る焼結可能な層及びはんだ層を含む層系と支持体シートとから成る層結合体
JP2016111083A (ja) * 2014-12-03 2016-06-20 三菱電機株式会社 パワーモジュール及びその製造方法
JP2020518456A (ja) * 2017-04-25 2020-06-25 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft 拡散はんだ付けのためのはんだプリフォーム、その製造方法およびその組立方法
JP6927437B1 (ja) * 2019-12-26 2021-09-01 三菱電機株式会社 パワーモジュールおよび電力変換装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011083931A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Robert Bosch Gmbh Schichtverbund aus einem elektronischen Substrat und einer Schichtanordnung umfassend ein Reaktionslot
CN105633039B (zh) * 2014-11-26 2018-10-12 意法半导体股份有限公司 具有引线键合和烧结区域的半导体器件及其制造工艺
DE102015210061A1 (de) * 2015-06-01 2016-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils und Bauteilmodul
DE102015113421B4 (de) * 2015-08-14 2019-02-21 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips
US9655280B1 (en) * 2015-12-31 2017-05-16 Lockheed Martin Corporation Multi-directional force generating line-replaceable unit chassis by means of a linear spring
CN110447094B (zh) 2017-03-30 2023-12-12 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法、及电力变换装置
DE102017217537B4 (de) 2017-10-02 2021-10-21 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul mit integrierter Kühleinrichtung
DE102020102876B4 (de) 2020-02-05 2023-08-10 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement, Herstellungsverfahren dafür und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Moduls dieses aufweisend mittels eines Sinterverfahrens mit einer Opferschicht auf der Rückseitenmetallisierung eines Halbleiterdies
EP4283662A1 (en) * 2022-05-23 2023-11-29 Hitachi Energy Switzerland AG Method of attaching a terminal to a metal substrate structure for a semiconductor power module and semiconductor power module

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63186434A (ja) * 1986-12-22 1988-08-02 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 電子デバイスを基板に固定する方法
JPH08509844A (ja) * 1993-05-07 1996-10-15 シーメンス アクチエンゲゼルシャフト 緩衝層を有する電力半導体素子
JP2000349100A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Shibafu Engineering Kk 接合材とその製造方法及び半導体装置
JP2004298962A (ja) * 2003-03-17 2004-10-28 Mitsubishi Materials Corp はんだ接合材及びこれを用いたパワーモジュール基板
JP2006352080A (ja) * 2005-05-16 2006-12-28 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008103623A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Denso Corp 半導体装置
JP2008153470A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2009094385A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH387809A (de) * 1961-11-17 1965-02-15 Bbc Brown Boveri & Cie Lötverbindung an einem Halbleiterelement
DE3575829D1 (de) 1985-10-30 1990-03-08 Ibm Synchronisiertes system fuer mehrere signalprozessoren.
IN168174B (ja) * 1986-04-22 1991-02-16 Siemens Ag
US4965659A (en) * 1987-06-30 1990-10-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for a semiconductor structure
DE4040753A1 (de) * 1990-12-19 1992-06-25 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement
US5561321A (en) * 1992-07-03 1996-10-01 Noritake Co., Ltd. Ceramic-metal composite structure and process of producing same
US5527627A (en) * 1993-03-29 1996-06-18 Delco Electronics Corp. Ink composition for an ultra-thick thick film for thermal management of a hybrid circuit
JP3120826B2 (ja) * 1995-08-09 2000-12-25 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の端子構造
DE59611448D1 (de) * 1995-09-11 2007-12-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Befestigung elektronischer Bauelemente auf einem Substrat durch Drucksintern
US6717819B1 (en) * 1999-06-01 2004-04-06 Amerasia International Technology, Inc. Solderable flexible adhesive interposer as for an electronic package, and method for making same
DE10009678C1 (de) * 2000-02-29 2001-07-19 Siemens Ag Wärmeleitende Klebstoffverbindung und Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Klebstoffverbindung
KR20070033329A (ko) 2004-02-18 2007-03-26 버지니아 테크 인터렉추얼 프라퍼티스, 인크. 인터커넥트를 위한 나노 크기의 금속 페이스트 및 이의사용 방법
WO2005098942A1 (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Mitsubishi Materials Corporation Ai/ain接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにai/ain接合体の製造方法
DE102004056879B4 (de) * 2004-10-27 2008-12-04 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
CN101273450A (zh) * 2005-09-28 2008-09-24 日本碍子株式会社 散热模块及其制造方法
DE102005047566C5 (de) * 2005-10-05 2011-06-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einem Gehäuse sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102006009159A1 (de) * 2006-02-21 2007-08-23 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Verbundsubstrates sowie Verbundsubstrat
DE102007022337A1 (de) * 2007-05-12 2008-11-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Gesintertes Leistungshalbleitersubstrat sowie Herstellungsverfahren hierzu

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63186434A (ja) * 1986-12-22 1988-08-02 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 電子デバイスを基板に固定する方法
JPH08509844A (ja) * 1993-05-07 1996-10-15 シーメンス アクチエンゲゼルシャフト 緩衝層を有する電力半導体素子
JP2000349100A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Shibafu Engineering Kk 接合材とその製造方法及び半導体装置
JP2004298962A (ja) * 2003-03-17 2004-10-28 Mitsubishi Materials Corp はんだ接合材及びこれを用いたパワーモジュール基板
JP2006352080A (ja) * 2005-05-16 2006-12-28 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008103623A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Denso Corp 半導体装置
JP2008153470A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2009094385A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015504477A (ja) * 2011-09-30 2015-02-12 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh 少なくとも一種の金属粉末から成る焼結可能な層及びはんだ層を含む層系と支持体シートとから成る層結合体
JP2016111083A (ja) * 2014-12-03 2016-06-20 三菱電機株式会社 パワーモジュール及びその製造方法
JP2020518456A (ja) * 2017-04-25 2020-06-25 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft 拡散はんだ付けのためのはんだプリフォーム、その製造方法およびその組立方法
JP6927437B1 (ja) * 2019-12-26 2021-09-01 三菱電機株式会社 パワーモジュールおよび電力変換装置

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