JP2012513683A - 電気または電子複合構成部材、ならびに電気または電子複合構成部材を製造するための方法 - Google Patents

電気または電子複合構成部材、ならびに電気または電子複合構成部材を製造するための方法 Download PDF

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ヴォルデ−ギオルギス ダニエル
ズュースケ エリク
リトナー マーティン
ペーター エリク
シュヴァーツバウアー ヘアバート
ギュンター ミヒャエル
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Robert Bosch GmbH
Siemens AG
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Robert Bosch GmbH
Siemens AG
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    • H01L2224/3018—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
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Abstract

本発明は、第１接合部品（２）および少なくとも１つの第２接合部品（３）を含む電気および電子複合構成部材（１）に関する。本発明によれば、第１接合部品（２）と第２接合部品（３）の間に開放多孔性の焼結成形体（６，７）が収容されており、該焼結成形体（６，７）は、焼結ペーストによって、第１接合部品および第２接合部品（２，３）と焼結されている。本発明はさらに、その製造方法に関する。

Description

先行技術
本発明は、請求項１の上位概念に記載の電気または電子複合構成部材、ならびに、請求項７に記載の電気または電子複合構成部材を製造するための方法に関する。
ＪＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＣＢＴまたはダイオードのようなパワー半導体とパワーエレクトロニクスモジュールの回路支持体との接合、および、ベースプレート／ヒートシンクへの回路支持体の接合は、典型的には軟質はんだ技術によって実現される。新しいＥＵ立法に基づき、将来的には鉛を含有する軟質はんだ合金（Ｓｎ６３Ｐｂ３７およびＳｎ５Ｐｂ９５）の使用は禁止される。代替合金として、ＳｎＡｇＣｕベースの鉛フリー軟質はんだ合金は限定的にしか使用することができない。なぜならこのＳｎＡｇＣｕベースの鉛フリーの軟質はんだ合金は、とりわけ受動的および能動的な温度変化の負荷下において、その信頼性という点で制限されているからである。択一的な代替合金である高融点の軟性はんだは、取り扱いに脆弱すぎるか（Ｂｉ９７，５ＡＧ２，５）または高価すぎる（Ａｕ８０Ｓｎ２０）。
択一的な耐高温ならびに高信頼性の接合技術として、接合部品同士を銀ペーストを用いて直接焼結することが公知である。この技術は低温接合技術と呼ばれる。ここでは２つの異なる実施手段、つまりＥＰ２４２６２６Ｂ１に記載されているような銀金属フレークの焼結と、ＷＯ２００５／０７９３５３Ａ２に記載されているような銀金属ナノ粒子の焼結とが区別されている。（焼結）粒子は、はんだプロセスとは異なり焼結時に液相に至らない。すなわち（焼結）粒子は溶融しない。
銀金属フレークの焼結時には、粉砕ワックス（Mahlwachs）を焼却するための大気酸素、約２４０℃の温度、ならびに約４０ＭＰａの高圧が必要となる。銀金属ナノ粒子の焼結は、焼結プロセスを約１００ｋＰａと５ＭＰａの間の圧力範囲からなる格段に低い圧力によって実施する手段を提供する。銀金属フレークを焼結する場合と同様にナノ粒子を焼結する場合にも、酸素ならびに約２８０℃のプロセス温度が必要である。これに加えて公知の銀金属ナノ粒子・ペースト配合は、銀金属フレークに基づいたペースト配合よりもさらに高い有機成分、例えば溶剤および／またはバインダ等を含む。公知の方法では、焼結ペーストが直接第１接合部品および／または第２接合部品の上に被着され、その後これらの接合部品同士が互いに温度影響下でプレスされる。焼結ペーストのプロセスコントロールでは、焼結する層を通して大きな気体体積を交換しなければならないという困難が存在する。つまり、酸素が接合箇所に到達しなければならず、溶剤ならびに燃焼／酸化された有機物は排出のための手段を有しなければならない。このことはとりわけ所期の低プロセス圧力下で、とりわけ広面積の接合時には、著しい亀裂形成をもたらす。
発明の概要
本発明の基礎となる技術思想は、電気または電子複合構成部材ならびに電気または電子複合構成部材を製造するための方法を提供し、一方では鉛を含有する軟性はんだを省略することができ、他方では焼結（接合）時の亀裂形成を回避できるようにすることである。
この課題は、請求項１の特徴部分に記載の電気または電子複合構成部材、および、請求項７の特徴部分に記載の製造方法によって解決される。本発明の有利な実施形態は従属請求項に記載されている。明細書、請求の範囲および／または図面に開示された少なくとも２つの特徴を組み合わせることは本発明の枠内である。繰り返しを避けるために、装置の発明に関して開示した特徴は、方法の発明としても開示されているものとして請求できるものとする。また方法の発明に関して開示された特徴も同様に、装置の発明として開示されているものとして請求できるものとする。
本発明の基礎となる技術思想は、少なくとも２つの接合部品同士を焼結ペーストによって直接焼結するのではなく、すなわち互いに直接固定するのではなく、接合部品を焼結ペーストによる焼結によって、貫通した開放多孔性を有する前もって製造された焼結成形体と固定的に接続することにある。有利には、使用される焼結成形体（焼結フィルム）の厚さは、接合部品の積層方向にて約１０μｍと約３００μｍの間にあるか、またはそれ以上である。このような焼結成形体は、形成される接合箇所の換気および排気のために気体チャネルが既に組み込まれているという利点、および、この気体チャネルが後続する接合部品との焼結プロセスにおいて頑強であるという利点を有する。銀ペーストを使用して接合部品同士を互いに直接接合する場合とは異なり、本発明によって構成される複合構成部材ないし本発明の製造方法によれば、低減された気体交換しか必要でなく、この気体交換は、焼結成形体の中の付加的に既に予め定められた経路を通って格段に効果的に実施される。接合部品間に多孔性の焼結成形体を設けることの更なる利点は、とりわけ焼結成形体と、該焼結成形体を構成する材料と同一の材料を有する接合部品とが接合される場合に、この焼結成形体が、形成される接合箇所と既に同一の特性を有しているということ、例えば高い電気的および熱的伝導性、高い多孔性、ひいては比較的低い弾性率というような特性を有することである。多孔性の焼結成形体を取り付け部材ないし嵌め込み部材として使用することは、接合部品を接合するための焼結プロセスにポジティブに作用し、とりわけシリコンパワー半導体と回路支持体、または回路支持体とヒートシンク、などのような大面積の接合部品を焼結によって焼結成形体と接続する場合にポジティブに作用する。焼結成形体を使用する更なる利点は、接合箇所をデザインする際の自由度が拡張されることである。なぜなら焼結成形体は、接合部品の少なくとも１つ、有利には双方の接合部品よりも広い面積を有することができ、および／または、接合部品同士を従来技術によるプロセスコントロールよりも、つまり接合部品同士を焼結ペーストを用いて直接焼結する際よりも、互いに格段に広く間隔をあけて配置することができるからである。この利点は、とりわけ向上した温度変化耐性にある。
本発明は、多数の電気および／電子的な用途に使用することができる。特に例えば、とりわけ機械／電気（発電機、整流器）、電気／電気（コンバータ、ＡＣ／ＡＣ、ＤＣ／ＤＣ）、ならびに電気／機械（電気駆動、インバータ）のような多種のエネルギ変換形式のために必要なパワーエレクトロニクスモジュールにおいて使用すると有利である。それに加えて、自動車発電における整流、電気駆動部の制御、ＤＣ／ＤＣ変換、パルス幅変調、ハイブリッドＦＣ−／Ｅドライブ、ならびに光電変換器等のために相応に構成されたパワーエレクトロニクスモジュールを使用することができる。付加的または択一的に、比較的高い損失電力を有する個々の素子を、とりわけ本発明による別個のパッケージの打ち抜き部材の上に接合することも可能であり、こうすることによって本発明は、例えば完全に鉛フリーの解決方法としてプリント基板技術に使用することが可能となる。
特に本発明を、半導体レーザダイオードを備える構造において、または、とりわけ高温使用のためのＭＥＭＳおよびセンサにおいて使用すると有利である。さらなる使用分野は、レーダー用途のための半導体発光ダイオードおよび高周波半導体である。
複合構成部材の特に有利な実施形態においては、焼結成形体が銀金属、とりわけ銀金属フレークから製造されている、および／または、銀金属、とりわけ銀金属フレークを含んでいる。銀金属から製造された焼結成形体、または銀金属を含む焼結成形体は、電気的および熱的伝導性が高いという点で有利である。さらに銀は、気体チャネルを形成する貫通した開放多孔性を実現するために適している。このようにして形成された焼結成形体を、銀焼結ペーストを用いて接合部品の少なくとも１つと、有利には接合部品の双方と接合する場合、更に有利である。特に有利には、焼結成形体は銀焼結プロセスにおいて製造される。銀焼結プロセスは、有利にはこの銀焼結プロセスに属するプレス工程の際に、焼結成形体または後に多数の焼結成形体に分割される１つの焼結体が、使用される積層体とも接続されず、また使用される鋳型とも接続されないように実施される。このことは例えば、Mertensの論文ＩＳＢＮ３−１８−３３６５２１−９の第７８頁および第７９頁に記載されているように、積層体および鋳型が酸化被覆された鋼表面を有することによって実現することができる。
本発明の発展形態においては、第１接合部品および／または第２接合部品が、とりわけ焼結ペーストによって、有利には銀焼結ペーストによって、焼結成形体と焼結されている。焼結成形体と焼結ペーストから得られる組み合わせ型の焼結接合箇所における均質な多孔性特性によって、力学定数のような本質的な材料特性値ならびに電気的および／熱的伝導性を、従来技術で可能であったよりもより均質になるようにすべきである。有利には、焼結ペースト、とりわけ銀焼結ペーストは、接合部品の上にもデポー（Depot）として機能する焼結成形体の上にも被着されるか、または択一的に、焼結成形体の両側にのみ被着されるか、または択一的に、焼結成形体の片側とただ１つの接合部品にのみ被着される。接合プロセスでは、温度および場合によっては加圧によって、有機成分が焼結ペーストから除去される。蒸発または酸化された有機成分の排出は、前もって焼結されている焼結体の開放気孔によって保証されている。接合プロセスのさらなる経過において、焼結ペースト、とりわけ銀焼結ペーストが、各接合部品および多孔性の銀焼結体（銀プリフォーム）と焼結される。この際、さらなる有機成分が酸化される。酸化生成物および所要の酸素は、前もって焼結されている焼結成形体を通って輸送される。
第１接合部品および第２接合部品の構成に関しては、種々の複合構成部材をもたらす種々の可能性が存在する。
特に有利には、第１接合部品は電子素子、有利には半導体素子、特に有利にはパワー半導体であり、焼結成形体によって第２接合部品、とりわけ回路支持体（プリント基板）と接続することができる。
回路支持体として構成された第１接合部品を、焼結成形体によって、有利にはとりわけ銅製のベースプレートとして構成された第２接合部品と接続することも可能である。有利には、銅製のベースプレートはヒートシンクとして機能するか、またはヒートシンクとして機能する冷却体と接続されている。冷却体（第１接合部品）を、焼結成形体によってベースプレート（第２接合部品）と互いに接続することも可能である。さらには焼結成形体によって、少なくとも１つのボンディングワイヤまたは少なくとも１つのボンディングリボンを、別の接合部品、とりわけ電子素子、有利には半導体素子、とりわけパワー半導体素子、または回路支持体（電気素子）と接続すること（すなわちコンタクトすること）が可能である。この場合焼結成形体は、信頼性を高めるよう機能する。同様にして、第１接合部品を例えば電気素子、とりわけ打ち抜き部材（リードフレーム）とすることができ、焼結成形体によって第２接合部品、とりわけ回路支持体と、より正確に言えば回路支持体の金属と接続することができる。従来は、打ち抜き部材がプリント基板（回路支持体）の上に直接はんだ付けされていたので、閉鎖気孔／中空空間（ブローホール）が生じることが多かった。さらに公知のプロセスコントロールでは接合ギャップが非常に変動しやすく、したがって温度負荷または温度変化負荷の下では信頼性が必ずしも与えられず、信頼性を保証することができない。さらに要求に応じた第１接合部品と第２接合部品の組み合わせを実現することができ、この際接合部品は、焼結ペーストを用いた焼結によって焼結成形体と接続することができる。
焼結成形体の使用は、接合部品を２つしか有さない複合構成部材に制限されているわけではない。例えば２つ以上の焼結成形体によって複合構成部材を製造することも考えられ、この際それぞれ１つの焼結成形体によって少なくとも２つの接合部品が互いに固定される。このようにして３つ以上の接合部品を含むサンドイッチ構造を製造することができ、この際、接合部品および焼結成形体は有利には積層方向に積層されている。このようにして例えばパワー半導体によって構成された第２接合部品の両側を、それぞれ１つの焼結成形体によって、第１部品ないし第２接合部品を構成する回路支持体と接続させることができる。こうすることによってパワー半導体は、回路支持体の間にサンドイッチ式に収容されており、回路支持体とパワー半導体との間には、それぞれ１つの焼結成形体が位置することとなる。サンドイッチ構造は、必ずしも１つのプロセスステップにおいて実現しなければならならいわけではなく、例えば２段階または多段階に製造することもできる。
本発明は、電気または電子複合構成部材を製造するための方法、有利にはこれまで説明したように構成された複合構成部材を製造するための方法にも関する。本発明の方法の核心部分は、少なくとも２つの接合部品を、焼結ペーストを用いて開放多孔性の焼結成形体（焼結フィルム）と焼結することであり、この際、双方の接合部品のために同じ焼結ペーストを使用することも、異なる焼結ペーストを使用することも可能である。この場合接合部品は、特に有利には焼結成形体の２つの互いに反対側の面に焼結される。本発明の方法の利点は、焼結成形体の貫通した開放多孔性の構造によって、接続プロセス（焼結プロセス）の際に気体を漏出させ、また要求に応じて酸素のような気体を接合箇所に供給することができることにある。有利には、気体排気および気体供給は接合部品の側方から、つまり接合部品の積層方向に対して横断方向に行われる。
本発明の方法の特に有利な実施形態においては、接合プロセスの前に、焼結成形体（焼結フィルム）がとりわけ打ち抜き機および鋳型を用いて製造される。この場合、焼結成形体を直接焼結することができるか、または焼結成形体を焼結プロセスの実施後に１つの大きな焼結体から例えば打ち抜く、鋸で切る、または切断して製造することができる。
本発明の別の利点、特徴および細部を、有利な実施形態の以下の説明において、図面に基づいて説明する。
図１は、パワーエレクトロニクス複合構成部材（ここではパワーエレクトロニクスモジュール）を示す図である。 図２は、２つの接合部品を互いに接続するための焼結成形体の部分図である。 図３は、２つの接合部品を含む電気または電子複合構成部材を製造するための製造プロセスの概略図である。 図４は、３つの接合部品および２つの焼結成形体を備える電気または電子複合構成部材を製造するための製造プロセスの概略図である。
図面では、同じ要素および同じ機能を備える要素には同じ参照符合を付してある。
図１は、電子複合構成部材１を示す。電子複合構成部材１は、第１接合部品２、第２接合部品３、ならびに第３接合部品４を含む。図示した実施形態では第２接合部品２はパワー半導体素子であり、ここではＩＧＢトランジスタである。第２接合部品３は回路支持体であり、第３接合部品４は銅製のベースプレートである。銅製のベースプレートは、冷却体５（ヒートシンク）に固定されている。
第１接合部品２と第２接合部品３の間には、積層方向Ｓに約５０μｍの厚さを有する焼結成形体６が配置されている。第１接合部品２と第２接合部品３は、焼結成形体６の２つの互いに反対側にある面に固定されている。焼結成形体６も、銀焼結材料から形成されている。第２接合部品３はさらに別の焼結成形体７によって第３接合部品４と接続されており、第３接合部品４ならびに第２接合部品３もそれぞれ銀焼結ペーストによって焼結成形体７に固定的に接続されている。
図示した実施形態では、第３接合部品４は冷却体５に直接はんだ付けされている。択一的に（図示しない）第３接合部品４と冷却体５の間にも焼結成形体を設けて、この焼結成形体によって第３接合部品４と冷却体５とを焼結ペーストによる焼結によって固定することも可能である。
さらに図１から分かるように、ベースプレートによって形成された第３接合材料４にはプラスチックケーシング８が固定されており、該プラスチックケーシング８は、第１および第２接合部品２，３ならびに焼結成形体６を含む積層装置を包囲している。いわゆるこの積層装置は、弾性の保護材料９によって取り囲まれている。この保護材料９を貫通してケーシング８の外側まで接続ワイヤ１０，１１が導かれている。接続ワイヤ１０，１１は、焼結成形体６を介して第２接合部品３（回路支持体）と、コンタクトするように固定されている。
図２は、銀金属フレークから製造されている焼結成形体６の構造を示す。貫通した開放気孔を認識することができる。これらの開放気孔は気体透過チャネルを形成しており、焼結プロセス時には気体がこの気体透過チャネルを通って接合箇所から外側へと流出、ないしは接合箇所へと流入することができる。有利には気体は孔から側方に、つまり積層方向Ｓ（図１参照）に対して横断方向に流出し、これによって焼結ペーストを使用した焼結プロセスによる亀裂形成を回避することができる。
図３は、図平面において右側に図示された電気または電子複合構成部材１を製造するための製造プロセスを非常に概略的に示す。電子複合構成部材１は、図平面において上側にある第１接合部品２と、図平面において下側にある第２接合部品３とを含み、これらの接合部品は間にサンドイッチ式に焼結成形体６を収容している。第１接合部品２は例えばチップであり、第２接合部品３は例えば回路支持体である。択一的に第１接合部品２を回路支持体とし、第２接合部品３をとりわけ銅製のベースプレートおよび／または冷却体とすることも考えられる。要求に応じて第１接合部品２および第２接合部品３の別の組み合わせも、択一的に実施可能である。図示した実施形態では、焼結成形体６の両面にまず焼結ペースト１２、ここでは銀焼結ペーストが、デポー（Depot）として載置された。積層方向Ｓに積層した後で、接合部品２，３、焼結成形体６、ならびに焼結ペースト１２が、焼結プロセス１３に供給される。この焼結プロセスは、焼結成形体６の第２焼結プロセスである。焼結ペースト１２の焼結のための気体交換は、焼結成形体６の多孔性体積全体に亘って行うことができる。
接合部品２，３間の焼結は通常、縁部領域（とりわけチップ縁部）においては、焼結プロセスの後には内側領域と同じ多孔性を示さない。このことは、ここでは均衡な圧力比率を形成することができず、したがって焼結が局地的に小さな圧縮を以て実施されることに起因する。もっぱら焼結ペーストが使用される場合には、接合ゾーンの縁部領域に付加的に隆起形状の絞り出し部を形成することが考えられる。
図３に基づいて、択一的な接合プロセスも説明することができる。例えば第２接合部品３を回路支持体、とりわけ回路支持体の金属、典型的には銅または銅合金とすることができ、第１接合部品２を、典型的には銅または銅合金からなる打ち抜き部材とすることができる。例えば第２接合部品３の上に焼結ペーストをプリントまたはディスペンスすることができる。その上に、焼結成形体６が被着される。要求に応じて、焼結成形体６の反対側に、既に第１接合部品２（打ち抜き部材）のために焼結ペーストデポー（Sinterpastendepot）を設けておくことができる。択一的には後続のプロセスにおいて、例えばディスペンスする際に、焼結ペーストが焼結ペーストデポー（Sinterpastendepot）して被着される。引き続き、第１接合部品２が焼結ペーストの上に被着され、焼結プロセス（圧力＋温度）に供給される。焼結成形体６の多孔性構造は、焼結ペーストシステムからの排気のための充分な手段を提供する。
図４は右側において、多数の部分からなる電気または電子複合構成部材１を示す。電気または電子複合構成部材１は、合計で３つの接合部品２，３，４を含み、それぞれ２つの接合部品２，３；３，４の間に焼結成形体６，７が配置されている。例えば第１接合部品２および第３接合部品４はそれぞれ回路支持体とすることができ、中央の接合部品３、すなわち内部の接合部品３はパワー半導体とすることができる。このサンドイッチ構造は、必ずしも共通の１つの焼結プロセスで焼結する必要はなく、２段階式のプロセスコントロールを実現することもできる。例えば、まず第１接合部品２、焼結成形体６、第２接合部品３、それから第３接合部品４とするか、または択一的に、まず第３接合部品４，別の焼結成形体７、第２接合部品３、それから続いて第１接合部品２とするかである。

Claims (13)

  1. 第１接合部品（２）および少なくとも１つの第２接合部品（３）を含む電気または電子複合構成部材であって、
    前記第１接合部品（２）と前記第２接合部品（３）の間に、開放多孔性の焼結成形体（６，７）が収容されており、
    前記焼結成形体（６，７）は、焼結ペーストによる焼結によって、前記第１接合部品および前記第２接合部品（２，３）と焼結されている、
    ことを特徴とする複合構成部材。
  2. 前記焼結成形体（６，７）は、銀金属、とりわけ銀金属フレークから製造されている、および／または、銀金属、とりわけ銀金属フレークを含む、
    ことを特徴とする請求項１記載の複合構成部材。
  3. 前記第１接合部品（２）は、電子素子、有利には半導体素子、とりわけパワー半導体素子であるか、または回路支持体、とりわけ回路支持体の金属被覆部であるか、または打ち抜き部材であるか、またはボンディングワイヤであるか、またはボンディングテープであるか、またはベースプレートである、
    ことを特徴とする請求項１または２記載の複合構成部材。
  4. 前記第２接合部品（３）は、電子素子、有利には半導体素子、とりわけパワー半導体素子であるか、または回路支持体、とりわけ回路支持体の金属被覆部であるか、またはベースプレート、有利には銅製のベースプレートであるか、または冷却体（５）である、
    ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の複合構成部材。
  5. 前記第１接合部品（２）と第３または第４接合部品（４）との間に別の焼結成形体（７）が収容されている、および／または、前記第２接合部品（３）と第３または第４接合部品（４）との間に別の焼結成形体（７）が収容されており、
    該別の焼結成形体（７）は、有利には焼結ペーストによって、隣接する接合部品（２，３，４）と焼結されている、
    ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の複合構成部材。
  6. 前記第３または第４接合部品（４）は、電子素子、有利には半導体素子、とりわけパワー半導体素子であるか、または回路支持体、とりわけ回路支持体の金属被覆部であるか、またはベースプレート、有利には銅製のベースプレートであるか、または冷却体（５）である、
    ことを特徴とする請求項５記載の複合構成部材。
  7. 有利には請求項１から６のいずれか一項記載の電気または電子複合構成部材（１）を製造するための方法において、
    第１接合部品（２）と第２接合部品が、焼結ペーストによって、開放多孔性の焼結成形体（６，７）と焼結される、
    ことを特徴とする方法。
  8. 前記第１接合部品（２）と前記第２接合部品（３）は、前記焼結成形体（６，７）の２つの互いに反対側の面に固定される、
    ことを特徴とする請求項７記載の方法。
  9. 前記第１接合部品（２）および／または前記第２接合部品（３）は、焼結ペースト（１２，１３）によって、共通の１つの焼結ステップにおいて、温度および／または圧力作用下にて前記焼結成形体（６）と焼結される、
    ことを特徴とする請求項７または８記載の方法。
  10. 前記焼結ペースト（１２，１３）は、焼結前に、前記第１接合部品（２）および／または前記第２接合部品（３）および／または前記焼結成形体（６，７）の上に被着、有利にはプリントまたはディスペンスされる、
    ことを特徴とする請求項９記載の方法。
  11. 前記第１接合部品（２）と第３または第４接合部品（４）との間に別の焼結成形体（７）が配置され、および／または、前記第２接合部品（３）と第３または第４接合部品（４）との間に別の焼結成形体（７）が配置され、
    該別の焼結成形体（７）は、有利には焼結ペーストによって、隣接する接合部品（２，３，４）と焼結される、
    ことを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項記載の方法。
  12. 前記別の焼結成形体（７）と、前記第１接合部品（２）または前記第２接合部品（３）との焼結、ならびに前記前記焼結成形体（６，７）と、前記第１接合部品および前記第２接合部品（３）との焼結は、共通の１つのプロセスステップにおいて実施されるか、または、別個のプロセスステップにおいて実施される、
    ことを特徴とする請求項１１記載の方法。
  13. １つの焼結体が、多数の焼結成形体（６，７）に個別化される、
    ことを特徴とする請求項７から１２のいずれか一項記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014146739A (ja) * 2013-01-30 2014-08-14 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2015115521A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 三菱マテリアル株式会社 金属複合体、回路基板、半導体装置、及び金属複合体の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012221396A1 (de) * 2012-11-22 2014-06-05 Robert Bosch Gmbh Anordnung für elektronische Baugruppen mit einer Verbindungsschicht mit einer Gradientenstruktur und/oder mit Abrundungen im Eckbereich
SG10201801481SA (en) * 2013-08-29 2018-04-27 Alpha Assembly Solutions Inc Composite and multilayered silver films for joining electrical and mechanical components
DE102016123917A1 (de) * 2016-12-09 2018-06-14 Endress+Hauser SE+Co. KG Elektronik-Baugruppe
CN108243137B (zh) * 2016-12-27 2021-08-13 普天信息技术有限公司 一种无线帧业务子带帧结构资源分配方法
EP3563407A4 (en) * 2017-01-17 2020-01-15 Laird Technologies, Inc. COMPRESSIBLE FOAMED HEAT INTERFACE MATERIALS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH056909A (ja) * 1990-02-21 1993-01-14 Johnson Matthey Inc 銀・ガラスペースト
JP2004298962A (ja) * 2003-03-17 2004-10-28 Mitsubishi Materials Corp はんだ接合材及びこれを用いたパワーモジュール基板
JP2006059904A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2006202944A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Nissan Motor Co Ltd 接合方法及び接合構造
JP2009164208A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1514483B2 (de) * 1965-06-22 1971-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München Druckkontakt halbleiter gleichrichter
US4030004A (en) * 1971-04-16 1977-06-14 Nl Industries, Inc. Dielectric ceramic matrices with end barriers
US4187599A (en) * 1975-04-14 1980-02-12 Motorola, Inc. Semiconductor device having a tin metallization system and package containing same
IN168174B (ja) 1986-04-22 1991-02-16 Siemens Ag
DE3777995D1 (de) * 1986-12-22 1992-05-07 Siemens Ag Verfahren zur befestigung von elektronischen bauelementen auf einem substrat, folie zur durchfuehrung des verfahrens und verfahren zur herstellung der folie.
EP0297512B1 (en) * 1987-06-30 1993-09-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for semiconductor apparatus
DE4040753A1 (de) * 1990-12-19 1992-06-25 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement
WO2004074210A1 (ja) * 1992-07-03 2004-09-02 Masanori Hirano セラミックス－金属複合体およびその製造方法
US5527627A (en) * 1993-03-29 1996-06-18 Delco Electronics Corp. Ink composition for an ultra-thick thick film for thermal management of a hybrid circuit
DE4315272A1 (de) * 1993-05-07 1994-11-10 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement mit Pufferschicht
JP3120826B2 (ja) * 1995-08-09 2000-12-25 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の端子構造
US5847927A (en) * 1997-01-27 1998-12-08 Raytheon Company Electronic assembly with porous heat exchanger and orifice plate
DE10009678C1 (de) * 2000-02-29 2001-07-19 Siemens Ag Wärmeleitende Klebstoffverbindung und Verfahren zum Herstellen einer wärmeleitenden Klebstoffverbindung
EP1492475B1 (en) * 2001-04-16 2011-12-21 Wright Medical Technology, Inc. Dense/porous structures for use as bone substitutes
US7083850B2 (en) * 2001-10-18 2006-08-01 Honeywell International Inc. Electrically conductive thermal interface
JP3887337B2 (ja) * 2003-03-25 2007-02-28 株式会社東芝 配線部材およびその製造方法
EP1716578A4 (en) 2004-02-18 2009-11-11 Virginia Tech Intell Prop NANOMASS BAR METAL PASTE FOR CONNECTION AND USE METHOD
DE102005047566C5 (de) * 2005-10-05 2011-06-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einem Gehäuse sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102006009159A1 (de) * 2006-02-21 2007-08-23 Curamik Electronics Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Verbundsubstrates sowie Verbundsubstrat
DE102007022337A1 (de) * 2007-05-12 2008-11-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Gesintertes Leistungshalbleitersubstrat sowie Herstellungsverfahren hierzu
JP5123633B2 (ja) * 2007-10-10 2013-01-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および接続材料

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH056909A (ja) * 1990-02-21 1993-01-14 Johnson Matthey Inc 銀・ガラスペースト
JP2004298962A (ja) * 2003-03-17 2004-10-28 Mitsubishi Materials Corp はんだ接合材及びこれを用いたパワーモジュール基板
JP2006059904A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2006202944A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Nissan Motor Co Ltd 接合方法及び接合構造
JP2009164208A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014146739A (ja) * 2013-01-30 2014-08-14 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージおよびそれを用いた電子装置
JP2015115521A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 三菱マテリアル株式会社 金属複合体、回路基板、半導体装置、及び金属複合体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010072667A1 (de) 2010-07-01
DE102008055137A1 (de) 2010-07-01
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