JP2012253197A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012253197A JP2012253197A JP2011124687A JP2011124687A JP2012253197A JP 2012253197 A JP2012253197 A JP 2012253197A JP 2011124687 A JP2011124687 A JP 2011124687A JP 2011124687 A JP2011124687 A JP 2011124687A JP 2012253197 A JP2012253197 A JP 2012253197A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting recess
- element mounting
- electrode portion
- wiring
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】搭載部材11に形成した素子搭載凹部13の側面に、LED素子15上面の電極部16と接続する電極部17を、該素子搭載凹部13側面の上部から下部まで延びるように形成し、該素子搭載凹部13の側面とLED素子15との間の隙間に絶縁性樹脂18を充填して、LED素子15上面の電極部16と素子搭載凹部13側面の電極部17との間の配線経路を絶縁性樹脂18で平坦化する。そして、この配線経路に配線19を形成してLED素子15上面の電極部16と素子搭載凹部13側面の電極部17との間を該配線19で接続する。配線19は、インクジェット等の液滴吐出法、印刷法、めっき法、エッチング法のいずれかで形成した厚膜パターン又は導電板の貼付により形成する。
【選択図】図1
Description
まず、図1に基づいてLEDパッケージの構成を説明する。
まず、図2(a)の素子搭載凹部成形工程で、リードフレーム12に素子搭載凹部13を有するパッケージ本体14を樹脂で成形して、該素子搭載凹部13の側面を傾斜状に形成すると共に、該リードフレーム12に一体に形成された反射板兼用の電極部17を、該素子搭載凹部13の側面に露出させる。
Claims (7)
- 搭載部材に形成した素子搭載凹部内に半導体素子を搭載した半導体装置において、
前記素子搭載凹部の側面に前記半導体素子上面の電極部と接続する電極部を形成し、
前記素子搭載凹部の側面と前記半導体素子との間の隙間に絶縁性樹脂を充填して前記半導体素子上面の電極部と前記素子搭載凹部側面の電極部との間の配線経路を前記絶縁性樹脂で平坦化し、
前記配線経路に配線を形成して前記半導体素子上面の電極部と前記素子搭載凹部側面の電極部との間を該配線で接続したことを特徴とする半導体装置。 - 前記素子搭載凹部側面の電極部は、該素子搭載凹部側面の上部から下部まで延びるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記配線は、液滴吐出法、印刷法、めっき法、エッチング法のいずれかで形成した厚膜パターン又は導電板の貼付により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、発光素子であり、
前記素子搭載凹部の側面は、傾斜状に形成され、
前記素子搭載凹部側面の電極部は、前記発光素子の光を反射する反射板としても機能するように形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記搭載部材は、リードフレームを用いて形成され、該リードフレームに前記素子搭載凹部を有するパッケージ本体が樹脂で成形され、
前記素子搭載凹部側面の電極部は、前記リードフレームに一体に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記搭載部材は、リードフレームを用いて形成され、該リードフレームに前記素子搭載凹部を有するパッケージ本体が樹脂で成形され、
前記素子搭載凹部側面の電極部は、液滴吐出法、印刷法、めっき法、エッチング法のいずれかで形成した厚膜パターン又は導電板の貼付により形成され、前記リードフレームの所定位置に接続されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。 - 搭載部材に形成した素子搭載凹部内に半導体素子を搭載した半導体装置の製造方法において、
前記素子搭載凹部の側面に前記半導体素子上面の電極部と接続する電極部を形成する工程と、
前記素子搭載凹部内に前記半導体素子を搭載する工程と、
前記素子搭載凹部の側面と前記半導体素子との間の隙間に絶縁性樹脂を充填して前記半導体素子上面の電極部と前記素子搭載凹部側面の電極部との間の配線経路を前記絶縁性樹脂で平坦化する工程と、
前記配線経路に配線を形成して前記半導体素子上面の電極部と前記素子搭載凹部側面の電極部との間を該配線で接続する工程と
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011124687A JP5871254B2 (ja) | 2011-06-02 | 2011-06-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011124687A JP5871254B2 (ja) | 2011-06-02 | 2011-06-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012253197A true JP2012253197A (ja) | 2012-12-20 |
JP5871254B2 JP5871254B2 (ja) | 2016-03-01 |
Family
ID=47525744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011124687A Active JP5871254B2 (ja) | 2011-06-02 | 2011-06-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5871254B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140092082A (ko) * | 2013-01-15 | 2014-07-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
WO2014141691A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | パナソニック株式会社 | 発光モジュール |
JP2014229664A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | オリンパス株式会社 | 半導体装置、半導体装置の位置決め方法および半導体装置の位置決め装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63147339A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-20 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
JPH02152247A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0379046A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | セラミツクパツケージ |
JPH05114752A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Sharp Corp | リードレス光学素子の製造方法 |
JPH09260420A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路モジュールの製造方法及び回路モジュール |
JP2005228782A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | フレキシブル基板への電子部品取付構造 |
JP2009032740A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010103164A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Seiko Instruments Inc | 電子部品及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-06-02 JP JP2011124687A patent/JP5871254B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63147339A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-20 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
JPH02152247A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0379046A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | セラミツクパツケージ |
JPH05114752A (ja) * | 1991-10-23 | 1993-05-07 | Sharp Corp | リードレス光学素子の製造方法 |
JPH09260420A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路モジュールの製造方法及び回路モジュール |
JP2005228782A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | フレキシブル基板への電子部品取付構造 |
JP2009032740A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010103164A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Seiko Instruments Inc | 電子部品及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140092082A (ko) * | 2013-01-15 | 2014-07-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
KR101991033B1 (ko) * | 2013-01-15 | 2019-09-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
WO2014141691A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | パナソニック株式会社 | 発光モジュール |
US9425373B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-08-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light emitting module |
JPWO2014141691A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-02-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光モジュール |
JP2014229664A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | オリンパス株式会社 | 半導体装置、半導体装置の位置決め方法および半導体装置の位置決め装置 |
US10446501B2 (en) | 2013-05-20 | 2019-10-15 | Olympus Corporation | Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5871254B2 (ja) | 2016-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10468557B2 (en) | Light-emitting apparatus | |
JP5277085B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP2006179572A (ja) | 発光ダイオード、バックライト装置および発光ダイオードの製造方法 | |
TWI555227B (zh) | 側向發光二極體及其封裝方法 | |
WO2013168223A1 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
WO2011151998A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP4904604B1 (ja) | Ledモジュール装置及びその製造方法 | |
JP2008244143A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
US20120286308A1 (en) | Led package structure and method of fabricating the same | |
JP6029188B2 (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法 | |
US10720370B2 (en) | Sensor package structure | |
KR20130124856A (ko) | 반도체 소자 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지 | |
WO2013077144A1 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
JP5871254B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TWI588948B (zh) | Flat pin type semiconductor device | |
JP2012182357A (ja) | Led発光素子用リードフレーム基板、led発光素子装置、およびled発光素子用リードフレーム | |
JP6081087B2 (ja) | 発光素子パッケージ及びその製造方法 | |
JP2013115070A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
JP2017527122A (ja) | オプトエレクトロニクスモジュール | |
TWI425676B (zh) | 半導體封裝結構 | |
KR102017734B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
JP2012248694A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2014033768A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI521745B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
CN103426872A (zh) | 半导体封装件及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5871254 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |