JP2014229664A - 半導体装置、半導体装置の位置決め方法および半導体装置の位置決め装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 166
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 29
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
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- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
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- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/13199—Material of the matrix
- H01L2224/1329—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/13298—Fillers
- H01L2224/13299—Base material
- H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置は、配線接続用の第1の接続端子11を有する半導体チップ10と、配線接続用の第2の接続端子21を有し、第2の接続端子21が第1の接続端子11と電気的に接続される実装基板20と、光を反射する反射面34と、を備え、反射面34は、第1の接続端子11および第2の接続端子21からの光を、実装基板20の厚さ方向に反射することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置100の断面図である。図2は、図1の半導体装置100の接続前の上視図である。本発明の実施の形態1に係る半導体装置100は、固体撮像素子である半導体チップ10と、実装基板20と、撮像光学系から入射された光を半導体チップ10に射出するプリズム30と、を備える。
実施の形態2に係る半導体装置100Aは、実装基板20の半導体チップ10との接続面の裏面側に接続される伝送ケーブル40を備える。図5は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置100Aの位置合わせを説明する断面図である。図6は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置100Aの位置合わせを説明する上視図である。図7は、接続部の像の投影を説明する図である。
実施の形態3に係る半導体装置100Bは、半導体チップ10を搭載するベース基板50上に反射面51が形成されるとともに、半導体チップ10のベース基板50との接続面との裏面側で、半導体チップ10は実装基板20と接続されている。図8は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置100Bの位置合わせを説明する断面図である。図9は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置100Bの位置合わせを説明する上視図である。
11 第1の接続端子
11a、21a 像
12 撮像領域
13、22 アライメントマーク
15、16 接続材料
20 実装基板
21、61 第2の接続端子
23 接続ランド
30、30A プリズム
31 第1プリズム
32 第2プリズム
33 接続面
34、51、63 反射面
40 伝送ケーブル
41 芯線
42 絶縁層
50 ベース基板
62 溝部
100、100A、100B、100C 半導体装置
200 位置決め装置
210 撮像装置
220 制御部
230 ステージ
240 ツール
250 表示部
Claims (9)
- 配線接続用の第1の接続端子を有する半導体チップと、
配線接続用の第2の接続端子を有し、該第2の接続端子が前記第1の接続端子と電気的に接続される基板と、
光を反射する反射面と、
を備え、前記反射面は、前記第1の接続端子および第2の接続端子からの光を、前記基板、または前記半導体チップの厚さ方向に反射することを特徴とする半導体装置。 - 前記反射面は、前記半導体チップに実装されたプリズムの一部外面であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記基板の前記半導体チップとの接続面の裏面側に接続され、接続の際、前記反射面によって反射される像により位置合わせされる伝送ケーブルを備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップは、前記基板との接続面側にアライメントマークを有し、
前記基板は、前記半導体チップとの接続面の裏面側にアライメントマークを有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記反射面は、前記半導体チップが接続されるベース基板に形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記反射面は、前記基板内に形成される、前記半導体チップを収容する溝部の一部であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体チップと基板とが接続された半導体装置の位置決め方法であって、
前記半導体チップの配線接続用の第1の接続端子からの光を反射する反射面を、撮像装置の視野内に位置合わせする第1の位置合わせステップと、
前記基板を、前記反射面に投影された前記基板の配線接続用の第2の接続端子の像と前記第1の接続端子の像とにより位置合わせする第2の位置合わせステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置の位置決め方法。 - 前記第1の位置合わせステップ後、前記半導体チップの前記基板との接続面側に形成されたアライメントマークと、前記基板の前記半導体チップとの接続面の裏面側に形成されたアライメントマークにより、前記基板の第2の接続端子の位置を粗調整する粗調製ステップを行なうことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の位置決め方法。
- 配線接続用の第1の接続端子を有する半導体チップと、配線接続用の第2の接続端子を有し、該第2の接続端子が前記第1の接続端子と電気的に接続される基板と、光を反射する反射面と、を備える半導体装置の位置決め装置であって、
配線接続用の第1の接続端子を有する半導体チップを固定するとともに、一つの平面内で移動可能なステージと、
配線接続用の第2の接続端子を有する基板を吸着固定するとともに、吸着固定した基板を前記半導体チップ上にマウントするツールと、
前記第1の接続端子および前記第2の接続端子の像を投影する反射面を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置により撮像された、前記反射面に映る前記第1の接続端子および前記第2の接続端子の像に基づき、前記ステージの移動を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする半導体装置の位置決め装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013106330A JP6242078B2 (ja) | 2013-05-20 | 2013-05-20 | 半導体装置、および半導体装置の位置決め装置 |
US14/277,217 US20140339711A1 (en) | 2013-05-20 | 2014-05-14 | Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device |
US15/885,033 US10446501B2 (en) | 2013-05-20 | 2018-01-31 | Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013106330A JP6242078B2 (ja) | 2013-05-20 | 2013-05-20 | 半導体装置、および半導体装置の位置決め装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014229664A true JP2014229664A (ja) | 2014-12-08 |
JP6242078B2 JP6242078B2 (ja) | 2017-12-06 |
Family
ID=51895155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013106330A Active JP6242078B2 (ja) | 2013-05-20 | 2013-05-20 | 半導体装置、および半導体装置の位置決め装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20140339711A1 (ja) |
JP (1) | JP6242078B2 (ja) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60247106A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Fujitsu Ltd | 形状検査装置 |
JPH01215034A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPH0258345A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH04132707U (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | 株式会社ヨコオ | マイクロ波集積回路 |
JPH06302648A (ja) * | 1993-04-09 | 1994-10-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半田バンプキャリア |
JPH1012661A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000131029A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-05-12 | Ersa Loettechnik Gmbh | 特に隠れたはんだ接合部の外観検査装置及び外観検査方法 |
JP2003068793A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005197355A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板ならびに電子機器 |
JP2007306031A (ja) * | 2002-04-04 | 2007-11-22 | Toray Eng Co Ltd | アライメント方法およびその方法を用いた実装方法 |
JP2009260213A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012253197A (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5150280A (en) * | 1989-08-11 | 1992-09-22 | Fujitsu Limited | Electronic circuit package |
JPH11330347A (ja) | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Rohm Co Ltd | 半導体ic |
US6146912A (en) * | 1999-05-11 | 2000-11-14 | Trw Inc. | Method for parallel alignment of a chip to substrate |
JP3742000B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2006-02-01 | 富士通株式会社 | プレス装置 |
JP4091838B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2008-05-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
KR101086097B1 (ko) | 2002-04-04 | 2011-11-25 | 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 | 얼라이먼트 방법 및 그 방법을 이용한 실장 방법 |
US7928591B2 (en) * | 2005-02-11 | 2011-04-19 | Wintec Industries, Inc. | Apparatus and method for predetermined component placement to a target platform |
JP4361572B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2009-11-11 | 株式会社新川 | ボンディング装置及び方法 |
US7894038B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, lithographic apparatus, and a computer program |
JP5259211B2 (ja) | 2008-02-14 | 2013-08-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5501696B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-05-28 | オリンパス株式会社 | 実装装置および実装方法 |
-
2013
- 2013-05-20 JP JP2013106330A patent/JP6242078B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-14 US US14/277,217 patent/US20140339711A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-01-31 US US15/885,033 patent/US10446501B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60247106A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Fujitsu Ltd | 形状検査装置 |
JPH01215034A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPH0258345A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH04132707U (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | 株式会社ヨコオ | マイクロ波集積回路 |
JPH06302648A (ja) * | 1993-04-09 | 1994-10-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半田バンプキャリア |
JPH1012661A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000131029A (ja) * | 1998-10-19 | 2000-05-12 | Ersa Loettechnik Gmbh | 特に隠れたはんだ接合部の外観検査装置及び外観検査方法 |
JP2003068793A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007306031A (ja) * | 2002-04-04 | 2007-11-22 | Toray Eng Co Ltd | アライメント方法およびその方法を用いた実装方法 |
JP2005197355A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板ならびに電子機器 |
JP2009260213A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US10446501B2 (en) | 2019-10-15 |
US20180174978A1 (en) | 2018-06-21 |
JP6242078B2 (ja) | 2017-12-06 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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