JP2021009992A - 半導体パッケージの配線補正方法 - Google Patents
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Abstract
Description
に表現され、上記Δxと上記Δyは、それぞれX方向の平行移動変位量とY方向の平行移動変位量であることを特徴とする。
102 : 制御部
104 : カメラ
106 : 位置分析モジュール
108 : 設計情報DB
110 : 変位量算出モジュール
112 : 配線パターン補正モジュール
200 : 露光装置
Claims (5)
- 半導体のパッケージング工程で集積回路チップの位置とボンディングパッドの位置を映像で確認し、設計上のボンディングパッド(11)の位置と実際のボンディングパッド(12)の位置の差異を数値で計算して配線パターンを補正する配線補正方法として、
制御部(102)が露光領域を決定する第1段階と;
カメラ(104)が上記の制御部(102)が決定した露光領域に対する映像を撮影して、チップ全体の輪郭、実際のボンディングパッド(12)の位置、ボールパッド(13)の位置を全て表示する画像信号を生成する第2段階と;
位置分析モジュール(106)が上記画像信号が生成された露光領域内部の配線パターン情報を設計情報DB(108)から呼び出す第3段階と;
上記の位置分析モジュール(106)が上記画像信号が生成された露光領域内部のボンディングパッド情報を設計情報DB(108)から呼び出す第4段階と;
変位量算出モジュール(110)が設計上の基準値と実際の測定値を利用して、実際のボンディングパッド(12)の位置、変位量を計算する第5段階と;
上記制御部(102)が確認された実際のボンディングパッド(12)位置値の変位量が露光装置(200)で設定された許容誤差より大きいかを確認する第6段階と;
上記制御部(102)の確認結果、変位量が許容誤差を超える場合、配線パターン補正モジュール(112)が上記の変位量算出モジュール(110)が算出した変位量を反映して配線パターンの位置を補正する第7段階と;
上記配線パターン補正モジュール(112)の補正によって、最終配線パターンの位置に対する座標値が決まると、上記露光装置(200)に補正されたデータを伝送する第8段階と;
上記露光装置(200)が補正された配線パターンに対するデータを保存して、補正内容を反映した後、露光工程を進める第9段階;を含み、
上記第5段階で計算する変位量として、X方向の平行移動の変位量、Y方向の平行移動の変位量、θ方向の回転移動の変位量がそれぞれ計算し算出され、
上記第7段階で上記配線パターンの位置補正は上記配線パターンの領域に該当する支点の座標値を変位量に該当するほど、またはこれに比例するほど増減させる方式で進行することを特徴とする、半導体パッケージの配線補正方法。 - 請求項1において、
上記第3段階において、上記の設計情報DB(108)から呼び出しする配線パターン情報は設計上定められた形態、位置、方向、配線パターンに含まれた領域の座標値を全て含むものを特徴とする、半導体パッケージの配線補正方法。 - 請求項1において、
上記の設計上ボンディング・パッド(11)の中心点の座標を(x、y)として、実際ボンディング・パッド(12)の中心点の座標を(x'、y')と定義すると、数学式
に表現され、上記Δxと上記Δyは、それぞれX方向の平行移動変位量とY方向の平行移動変位量であることを特徴とする、半導体パッケージの配線補正方法。 - 請求項1において、
上記の配線パターン補正モジュール(112)は、それぞれ異なる配線パターンの領域に含まれる座標値が重複しないように座標値の変位量を増減させることを特徴とする、半導体パッケージの配線補正方法。 - 請求項1において、
上記の半導体パッケージング工程は,
ウエハーレベルパッケージ(WLP)ベースのファンアウト・ウエハーレベルパッケージング(fan-out wafer level packaging; FO-WLP)工程と、PCB基板を使用するパネルレベルパッケージング(Panel level packaging; PLP-WLP)工程と、Multi Chipの実装工程のうち、いずれかの工程であることを特徴とする、半導体パッケージの配線補正方法。
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JP2013058520A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置、データ補正装置、再配線層の形成方法、および、データ補正方法 |
JP2018173498A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 株式会社ピーエムティー | 露光装置、露光方法、半導体モジュールの製造方法、パターン形成装置、及びパターン形成方法 |
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