CN114185248A - 无光罩曝光机的晶片偏移校正方法 - Google Patents

无光罩曝光机的晶片偏移校正方法 Download PDF

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Abstract

一种无光罩曝光机的晶片偏移校正方法，其中晶片结合于底材上，底材具有复数个接孔，晶片上具有复数个接点，并分别于各接点上预定曝光形成一连接至各接孔的导接部；此校正方法包括有：以一第一预扫描手段取得晶片的状态资讯，包括形状及位置资讯；将前述晶片的状态资讯与一基准状态进行比对，并计算将该基准状态修正为与晶片的状态资讯一致的补偿值；依补偿值计算出一曝光区域的补偿段，使各导接部可于对应的接孔位置上形成曝光图形。本发明根据晶片粘晶于底材上的形状及位置状态计算出一补偿段，以改变曝光图形的落点位置，使曝光图形可于对应的接孔位置上形成，达到校正因粘晶发生偏移所致误差的功效。

Description

无光罩曝光机的晶片偏移校正方法
技术领域
本发明与黄光微影制程有关，尤指一种无光罩曝光机的晶片偏移校正方法。
背景技术
在集成电路的制造过程中，晶片具有复数个接点，而晶圆底材设有对应接点数量的接孔，将晶片“粘晶”在底材上后，接着进行曝光，即可在各接点处形成构成电路的导接部，其中各导接部的另一端理应成形于对应各接孔的位置，才能在后续制程中使外部电路正确连接该导接部。然而如图7A所示，将晶片6结合在底材7上后，有时会因操作误差而发生偏离标准位置的情形，因而如图8所示地使预定曝光形成的导接部81也随的偏离正确位置，以致无法与底材7的接孔71准确对应，难以确保后续制程中与外部电路连接的正确性。
习知一种解决上述问题的方法是将底材接孔71的面积扩大，令晶片6粘晶发生误差时仍可使偏移的导接部81落在接孔71的范围内。随着材料及技术的进步，晶片6及底材7的体积越来越小，且构造日渐精细，因而接孔71面积不能获得足够的提升；另一方面，扩大接孔71面积后将导致底材7的结构强度降低，使底材7更容易崩毁，因此不是一个好的解决方式。
另一方面，晶片6不良地结合在底材7上的情形更包括如图7B所示的高低倾斜或翘曲等态样，以致在曝光成形导接部时，光线9的焦点将如图9所示地不能精准地打在晶片6上，而使所成形的导接部82的线宽扩大(见图8)，在越小的晶片上则更显现其影响产品品质的严重性。
习知技术为了解决上述问题，则在曝光机上设置一测距装置，用以测量光源与晶片之间的距离，当使用曝光机进行曝光的同时进行测距，并在回传距离资讯后即时地调整曝光焦距，进而令曝光焦点保持在晶片上。如图9所示，光源9移动进行曝光的速度甚快，相形之下，测距装置测得距离后再控制曝光机改变焦距所花费的时间太长，以致跟不上光源9的移动速度，则仍无法良好地解决曝光线宽过大的问题。
有鉴于此，如何改进上述问题即为本发明所欲解决的首要课题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种无光罩曝光机的晶片偏移校正方法，其依晶片粘晶于底材上的形状及位置状态计算出一补偿段，以改变曝光图形的落点位置，使曝光图形可于对应的接孔位置上形成，达到校正因粘晶发生偏移所致误差的功效。
为达前述的目的，本发明提供一种无光罩曝光机的晶片偏移校正方法，其中晶片结合于底材上，底材具有复数个接孔，晶片上具有复数个接点，并分别于各接点上预定曝光形成一连接至各接孔的导接部；该校正方法包括有：
以一第一预扫描手段取得该晶片的状态资讯，包括形状及位置资讯；
将前述晶片的状态资讯与一基准状态进行比对，并计算将该基准状态修正为与该晶片的状态资讯一致的补偿值；
依该补偿值计算出一曝光区域的补偿段，使各导接部可于对应的接孔位置上形成曝光图形。
较佳地，该第一预扫描手段为撷取晶片在底材上的影像。
于一实施例中，本校正方法更包括有：
以一第二预扫描手段取得该晶片的高程资讯；
将该晶片的高程资讯输入无光罩曝光机，使无光罩曝光机在进行曝光时根据该晶片的高程资讯调整焦距，以令曝光的焦点总是位于该晶片上。
较佳地，该第二预扫描手段为以雷射测距仪测定其与晶片之间的距离。
本发明的上述目的与优点，不难从以下所选用实施例的详细说明与附图中获得深入了解。
附图说明
图1为本发明晶片偏移校正方法的流程图，用以校正曝光图形的位置；
图2为本发明显示晶片状态资讯的影像示意图；
图3为本发明基准档的示意图；
图4为使用本发明方法校正后的结果示意图；
图5为本发明晶片偏移校正方法的流程图，用以校正曝光图形的线宽；
图6为使用本发明方法校正后的曝光机操作过程示意图；
图7A、7B为习知晶片粘晶在晶圆上的示意图；
图8为习知不良晶片进行曝光后的曝光图形示意图；
图9为习知不良晶片进行曝光时的曝光机操作过程示意图。
具体实施方式
本发明提供一种无光罩曝光机的晶片偏移校正方法，其应用于一结合于晶圆底材上的晶片结构，其中底材具有复数个接孔，晶片上具有复数个接点，各接点可通过无光罩曝光机曝光形成一做为电路的导接部，该导接部预定延伸至底材上对应的接孔位置。
本发明的校正方法，如图1所示，包括有：
以一第一预扫描手段取得该晶片的状态资讯，包括形状及位置资讯；
将前述晶片的状态资讯与一基准状态进行比对，并计算将该基准状态修正为与该晶片的状态资讯一致的补偿值；
根据该补偿值计算出一曝光区域的补偿段，使各导接部可于对应的接孔位置上形成曝光图形。
将晶片1结合至晶圆底材2上(又称粘晶)的过程中，有时会如图2所示地产生偏离于预定位置的情形，因而使预定曝光形成的导接部3也随的偏离正确位置，以致无法与底材2的接孔21准确对应，难以确保后续制程中与外部电路连接的正确性。因此，本发明的校正方法首先以一第一预扫描手段取得该晶片1的状态资讯，包括形状及位置资讯；于本实施例中，该第一预扫描手段是以影像撷取装置撷取晶片1在底材2上的影像，所撷取的影像如图2所示，可在其中解析出晶片1于底材2上的形状及位置等资讯。接着将该晶片1的状态资讯与一如图3所示的基准档进行比对，其中该基准档具有晶片1于底材2上的正确形状及位置等基准状态资讯，并对准晶片基准档外圈位置(UBM)及对准实际晶片内接脚(DIE PAD)为基准，则经比对的后可得到两者的差异，再以线性或非线性数值计算方式调整导接部的图档，进而计算出将该基准状态修正为与该晶片1的实际形状及位置一致的补偿值。据此再根据该补偿值计算出一曝光区域的补偿段4，使各导接部3的曝光图形可如图4所示地通过该补偿段4连接到对应的接孔21位置上，形成连续无断差的布线，进而校正因粘晶发生偏移所致的误差。
再者，如图5所示，本发明更进一步地提供校正曝光线宽的方法，其包括有：
以一第二预扫描手段取得该晶片的高程资讯；
将该晶片的高程资讯输入无光罩曝光机，使无光罩曝光机在进行曝光时根据该晶片的高程资讯调整焦距，以令曝光的焦点总是位于该晶片上。
上述该第二预扫描手段可以是一雷射测距仪，通过测定其与晶片之间的距离以描绘出晶片的高程资讯。上述该第二预扫描手段于开始进行曝光作业之前就先实施，以预先取得晶片的高程资讯；较佳地，该第二预扫描手段可与前述该第一预扫描手段一起进行。接着，将取得的晶片高程资讯输入无光罩曝光机，令其可在进行曝光的过程中，如图6所示，即时地根据预先取得晶片1的高程资讯变化曝光的焦距，使光线5的焦点总是保持在晶片1上，进而维持曝光的线宽而不会被放大，以提升产品的良率。
以上实施例的揭示仅用以说明本发明，并非用以限制本发明，举凡等效元件的置换仍应隶属本发明的范畴。

Claims (4)

1.一种无光罩曝光机的晶片偏移校正方法，其特征在于，晶片结合于底材上，底材具有复数个接孔，晶片上具有复数个接点，并分别于各接点上预定曝光形成一连接至各接孔的导接部；该校正方法包括有：
以一第一预扫描手段取得该晶片的状态资讯，包括形状及位置资讯；
将前述晶片的状态资讯与一基准状态进行比对，并计算将该基准状态修正为与该晶片的状态资讯一致的补偿值；
根据该补偿值计算出一曝光区域的补偿段，使各导接部可于对应的接孔位置上形成曝光图形。
2.如权利要求1所述的无光罩曝光机的晶片偏移校正方法，其特征在于，该第一预扫描手段为撷取晶片在底材上的影像。
3.如权利要求1所述的无光罩曝光机的晶片偏移校正方法，其特征在于，更包括有：
以一第二预扫描手段取得该晶片的高程资讯；
将该晶片的高程资讯输入无光罩曝光机，使无光罩曝光机在进行曝光时根据该晶片的高程资讯调整焦距，以令曝光的焦点总是位于该晶片上。
4.如权利要求1所述的无光罩曝光机的晶片偏移校正方法，其特征在于，该第二预扫描手段为以雷射测距仪测定其与晶片之间的距离。
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