JP2012248839A - 半導体パッケージの製造中に半導体部品を基板に供給する機器 - Google Patents

半導体パッケージの製造中に半導体部品を基板に供給する機器 Download PDF

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Abstract

【課題】カスケード型ダイボンダを備えるシステムの、UPHを低下させる制限を解決し、UPHを改善する。
【解決手段】半導体部品212を半導体実装品製造中に基板206a、206b;500a、500b、500cに供給する機器200が開示される。機器200はプラットフォーム216と、このプラットフォーム216に貼りつけられた複数の供給モジュール202a、202bを備える。複数の供給モジュール202a、202bのそれぞれは、基板206a、206b;500a、500b、500cを支持するための支持装置204a、204b、及び半導体部品212を基板206a、206b;500a、500b、500cへ供給するための供給装置208a、208bを有する。特に、支持装置204a、204bの高さは、基板206a、206b;500a、500b、500cを複数の供給モジュール202a、202b間で搬送するために互いに同一高さとされている。
【選択図】図2

Description

本発明は、半導体パッケージの製造中に半導体部品を基板に供給する機器に関する。この機器は、それに限定されるわけではないが、特に、ダイボンディング中に半導体ダイをウェハテーブルからリードフレームへ供給するのに好適である。
ダイアタッチ機器は半導体パッケージ製造において通常使用されて、半導体部品を半導体基板に正確に移送する。例えば、ダイボンダは半導体ダイをウェハテーブルからピックアンドプレース工程におけるリードフレームへ移送するためのダイ供給ヘッドを有している。しかし、ダイボンディングプロセスの、単一ボンドヘッドを有するダイボンダによってもたらされる場合のある処理能力‐通常は「1時間当たりの生産ユニット数(UPH)」の形で定量化される‐には制限がある。
このようなダイボンダのUPHを増加させる1つの方法は、カスケード式のダイボンダシステムを構成することによる。図1は、2つのダイボンダ102、104を共に接続することによって構成されたシステム100を示している。システム100は、個片化された半導体第107を含むウェハを配置するためのウェハテーブル106、108と、リードフレーム109、111をX‐方向に沿って搬送するための支持装置110、112と、半導体ダイ107をウェハテーブル106、108からリードフレーム109、111のボンディング位置へ、X‐方向に垂直なY‐方向に沿って移送するためのダイ‐供給ヘッド118、120をそれぞれ有するダイ‐供給装置114、116とを備えている。搬送装置122が、リードフレーム109、111をダイボンダ102の最も左にあるオフロード区画からダイボンダ104の最も右にあるオンロード区画へ移送するために、2つのダイボンダ102、104の間に配置されている。
さらに大きな幅を有する他の支持装置110、112がより大きな対応するリードフレーム幅を有するリードフレームを支持するように使用される場合には、ダイ‐供給ヘッド118、120によってウェハテーブル106、108からリードフレームの最も外側の端部へ、Y−方向に沿って移動させられる距離は増加する。これは、したがってシステム100のUPHを減少させる。
また、大きな設置面積が通常、介在する搬送装置122を介して接続された2つの別々のダイボンダ102、104を備えるシステム100を構成するために要求される。このように、システム100の構成は、工場の高価なスペースを占める。
さらに、カスケード型ダイボンダ102、104からなるシステム100は、単一ダイボンダの2倍の装置を有していることを意味する。したがって、システム100における装置のいずれか一つが正常に作動しない可能性は単一ダイボンダより高い。ダイボンダ102、104は、システム100内において順次的な方法で作動するので、ダイボンダ102、104のいずれか1つが正常に作動しないと、常にシステム100全体が停止し、これによってそのUPHに影響を与える。
したがって、本発明の目的は、カスケード型ダイボンダ102、104を備えるこのようなシステム100の上述の制限のいずれか一つを改良することである。
本発明の特徴は、半導体パッケージの製造中に半導体部品を基板に供給する機器に関する。この機器はプラットフォームと、このプラットフォームに固定された複数の供給モジュールとを備える。複数の供給モジュールのそれぞれは、基板を支持する支持装置と、半導体部品を基板に供給する供給装置とを有している。特に、支持装置の高さは、複数の供給モジュール間で基板を搬送するために相互に同じ高さとされている。
本明細書の記載において、用語「固定された」は、複数の供給モジュールがプラットフォームに固定されているが、ここで、複数の供給装置のいくつか又はすべてをプラットフォームに移動可能に固定することができるということを意味している。
機器の支持装置の高さが相互に同じ高さであるので、支持装置が同じ高さに配置されることを保証するステップが、特許請求の範囲に記載の機器の実施形態を作動する際に必要ではなくすることができる。これは有利に貴重な時間を節約する。一方、このようなステップは、カスケード式ダイボンダ102、104を備えるシステム100に必要とされて、基板を隣り合うダイボンダ102、104との間で適切に搬送することを保証する。したがって、ダイボンダ102、104の正確な測定を含む様々なステップが、リードフレーム109、111を搬送するためにそれらそれぞれの支持装置110、112の高さが相互に同じ高さにされていることを保証する必要がある。これは、常に時間を浪費するとともにダイボンディングプロセスを複雑にする。
機器のいくつかの任意的な特徴が従属請求項に規定されている。
例えば、複数の供給モジュールを、基板が搬送される方向に沿ってそれぞれの支持装置の対向する側に配置することができる。このように、供給装置は半導体部品を、供給装置に対して基板のそれぞれ近い方の半分においてボンディング位置に供給するように構成することができる。これら基板の近い方の半分それぞれは、基板が搬送される方向に沿っている。供給装置によって移動させられる距離が短縮されるので、特許請求の範囲に記載の実施形態に共通して、UPH処理能力を有利に改良することができる。また、複数の供給モジュールのうちの少なくとも1つはプラットフォームに対して可動とすることができ、これによって支持装置それぞれを、基板が搬送される方向に対して横断方向に沿って相互にオフセットさせて配置することができる。また、好都合なことに、特許請求の範囲に記載の実施形態に共通してUPH処理能力を、狭いリードフレーム幅を有するリードフレームが使用される場合に改善することができる。
本発明の実施形態が、図面を参照しつつ例示のみの方法によって以下に記載される。
カスケード式ダイボンダの従来システムの図である。 2つの供給モジュールを有する、本発明の好ましい実施形態の等角図である。 図2の好ましい実施形態の平面図である。 典型的なリードフレームの平面図である。 図2及び図3に示された好ましい実施形態によって行われるダイボンディング操作を示す図である。 図2及び図3に示された好ましい実施形態とは異なる構成の等角図であり、供給モジュールが相互にオフセットして配置されている。 図6の好ましい実施形態の平面図である。 図6及び図7に示された好ましい実施形態によって行われるダイボンディング操作を示す図である。
図2は、ダイボンダ200の等角図であり、このダイボンダ200は、i)リードフレーム206a、206bのような基板をX方向に搬送するための支持装置204a、204bと、ii)支持装置204a、204bそれぞれに対して配置されたダイ供給装置208a、208bと、iii)半導体ダイ212を配置するためのウェハテーブル210a、210bと、iv)ピックアンドプレース操作の制度を保証する(図視されない)ピックアンドボンド光学システムと、を有する2つのダイ供給モジュール202a、202bを備えている。
特に、ダイ供給装置208a、208bは、半導体ダイ212をウェハテーブル210a、210bからピックアップし、これら半導体212をx方向に垂直なY方向に、それぞれのリードフレーム206a、206bのボンディング位置へ移動するように構成されたダイ供給ヘッド214a、214bを含んでいる。これらダイ供給ヘッド214a、214bは、x方向に沿って支持装置204a、204bの反対側に配置されて、ダイボンダ200のUPHを改善している(詳細は後述する)。
さらに、ダイボンダ200はプラットフォーム216を含み、このプラットフォーム216にはダイ供給装置202a、202bが固定されている。特に、支持装置204a、204bの高さは、ダイ供給モジュール202a、202bがプラットフォーム216に固定されているときに、互いに同じ高さとされており、リードフレーム206a、206bが、ダイボンディング中にダイ供給モジュール202a、202bの間で搬送されるのを確実にしている。図2は、様々なトラック218a、218bと一体化された単体水平プラットフォームであるプラットフォーム216を示しており、トラック218a、218bに沿ってダイ供給装置208a、208bが調節可能に移動可能とされている。図2に示されているトラック218a、218bの配置は、もっぱら説明のためである。これらトラック218a、218bはダイ供給モジュール202a、202bの下側に配置されており、したがって隠れて見えないということが理解される。
ダイボンダ200は、供給モジュール202a、202bの相対的な配置を調整するための動作装置をさらに含んでいる。動作装置の1つの例が図2に示されており、−これもまたもっぱら説明のためであるが−この動作装置はダイ供給モジュール202a、202bに取り付けられたローラ220a、220bと、プラットフォーム216に配置されたトラック218a、218bとを備えている。特に、ローラ220aはプラットフォーム216のトラック218aに、ローラ220bは、プラットフォーム216のトラック218bにそれぞれ取り付けられて、供給モジュール202a、202bの相対的な配置を調整する。ローラ220a、220bは、ダイ供給モジュール202a、202bの下側に配置されており、したがって隠れて見えないということが理解される。トラック218aは X方向に沿って、トラック218bはY方向に沿ってそれぞれ配置されているので、ダイ供給モジュール202a、202bはしたがって、対応するX及びY方向に移動するように構成されている。
x方向における調整は、リールの形体にある長いリードフレームに必要である場合があり、このリードフレームは1つのダイ供給装置208aから別のダイ供給装置208bへと行き来する。このような調整は、それぞれのダイ供給装置208a、208bにおけるボンディング位置の間の距離がリードフレーム上の隣り合うボンディングパッド間の列ピッチの倍数に等しくなることを保証する。
ダイ供給モジュール202aは、広い範囲の距離をX方向に沿って調整可能に移動可能であり、一方でダイ供給モジュール202bは、広い範囲の距離をY方向に沿って調整可能に移動可能であり、よって様々な機械設計に対して機器を適用する高い多用途性を付加する。
図3はダイボンダ200の平面図である。好ましくは、ダイボンダ200は2つの供給モジュール202a、202bを一体シャーシ内に格納している。2つの別々のダイボンダ102、104と、その間にある搬送装置122とを必要とする既存のシステム101とは対照的に、ダイボンダ200は小さな設置面積しか必要としない。
さらに、従来のシステム101のダイボンダ102、104それぞれは、リードフレーム109、111のボンディング位置の対応する列が半導体ダイ107によって占められたときにはいつも、リードフレーム109、111の列ピッチによってそれぞれの支持装置110、112を搬送するための別々の間欠回転ユニットを含む。一方、ダイボンダ200のダイ供給モジュール202a、202bの両方は、ボンディング位置の列それぞれのボンディング中に、リードフレーム206a、206bの列ピッチによって支持装置204a、204bの両方を搬送するための単一の間欠回転ユニットを使用することができる。ダイボンダ200は従来のシステム100より少ない装置しか必要としないので、ダイボンダ200のいずれか1つの装置が故障する可能性は、従来のシステム100に比べて低い。これはダイボンダ200の従来のシステムより高いUPH処理能力にその耐用年数に亘って有利に変換する。
図4は、様々なボンディング位置400を有してリードフレームの幅402に沿ってボンディング位置400の列を形成するリードフレーム206aの平面図である。ボンディング位置400の様々な列は、リードフレームの長さ404に沿って配置され、隣り合う列間の距離は、リードフレームの「列ピッチ」406として規定される。
図2及び図3のダイボンダ200の操作が、図5を参照してここに説明される。ダイ供給ヘッド214a、214bそれぞれは、半導体ダイ212をそれぞれのウェハテーブル201a、201bから、リードフレーム206a、206bのそれぞれ下半分におけるリードフレーム206a、206bのボンディング位置へ移動することに関与し、これらリードフレーム206a、206bのそれぞれ下半分は、対応するダイ供給ヘッド214a、214bに、より接近している。図5を参照すると、ダイ供給ヘッド214aは、支持装置204aの下位位置に隣接して配置されているので、半導体ダイ212をウェハテーブル201aからリードフレーム206aの下半分の部分におけるボンディング位置に移送されるように構成されている。ダイ供給ヘッド214bは、支持装置204bの上位部分に隣接して配置されているので、半導体ダイ212をウェハテーブル201bからリードフレーム206bの上半分の部分におけるボンディング位置へ移送するように構成されている。
ダイ供給ヘッド214a、214bを、半導体ダイをリードフレーム206a、206bの、対応するダイ供給ヘッド214a、214bに対してそれぞれ近い半分におけるボンディング位置へ移送するように構成することによって、ダイ供給ヘッド214a、214bそれぞれは、ウェハテーブル201a、201bからそれぞれリードフレーム206a、206bの最も遠い位置におけるボンディング位置までの距離を移動するのを避けることができる。このように、ダイ供給ヘッド214a、214bが移動する距離を短縮することができる。この利点はダイボンダ200のUPHを改善する。
図6は、ダイボンダ200の別の構成の等角図である。この構成においては、ダイ供給モジュール202bは、別のダイ供給モジュール202aに対してY方向−リードフレームの搬送方向であるX−方向に垂直な−にシフトされており、これによってそれぞれの支持装置204a、204bはY方向に互いにオフセットして配置されている。特に、ダイ供給モジュール202bは、支持装置204a、204bが処理される狭いリードフレーム500a、500b、500cの幅に対応する経路幅にX方向において重なる経路を形成するまで、Y方向に軌道218bとともにシフトされている。
図7は、図6に示したダイボンダ200の構成の平面図であり、支持装置204a、204b間のY方向に沿った互いに対するオフセット700を示している。
図6及び図7に示されたダイボンダ200の構成の操作が、図8を参照して以下に説明される。
図5を参照して説明されたようなダイボンダの操作と同様に、ダイ供給ヘッド214a、214bのそれぞれは、支持装置204a、205bがダイボンディング中にX方向に動くときに、それぞれの半導体ダイ212をウェハテーブル210a、210bから、リードフレーム500b、500cの、ダイ供給ヘッド214a、214bに対してそれぞれ近いボンディング位置へ移送することに関与する。ダイ供給ヘッド214aは、支持装置204aの下部位置に隣接して配置されるので、半導体ダイ212をウェハテーブル210aからリードフレーム500bの下半分部分におけるボンディング位置へ移送するように構成されている。ダイ供給ヘッド214bに関しては、ダイ供給ヘッド214bは、支持装置204bの上部部分に隣接して配置されているので、半導体ダイ212をウェハテーブル210bからリードフレーム500bの上半分部分におけるボンディング位置へ移送するように構成されている。
ダイ供給ヘッド214a、214bを、半導体ダイをリードフレーム500b、500cの、ダイ供給ヘッド214a、214bに対して近い半分におけるボンディング位置へ移送するように構成することによって、ダイ供給ヘッド214a、214bは、ウェハテーブル201a、201bからそれぞれリードフレーム500a、500bの最も遠い位置におけるボンディング位置までの距離を移動するのを避ける。
ダイ供給モジュール202bを、支持装置204a、204bが処理される狭いリードフレーム500a、500b、500cの幅に対応する経路幅に重なる経路を形成するように調節可能に移動する能力なしに、ダイ供給ヘッド214bは、図7に示されているように位置Eに配置される。したがって、ダイ供給ヘッド214bは、ダイボンダ202のすべてのピックアンドプレース操作に対して、支持装置204a、204b間のY方向における互いに対するオフセット700に対応して、さらなる距離800だけ移動しなければならない。
それぞれの支持装置204a、204bの相対的な配置を調整することによって、ダイ供給ヘッド214a、214bが移動する距離を、ボンダ200によって実行されるすべてのピックアンドプレースに対して、オフセット距離700だけ短くすることができる。したがって、ダイ供給モジュール202a、202bの相対的な配置を調整して、これらダイ供給モジュールの支持装置204a、205b間のオフセット700を規定する能力が、ダイボンダ200を狭いリードフレーム幅を有するリードフレームとの使用に適用して、ダイボンダ200のUPH処理能力を改善できるということが理解できる。
勿論、支持装置204a、204bによって規定されるような重なる経路もまた、狭いリードフレーム500a、500b、500cの幅よりも広い幅を有することができるということが理解される。
好ましい実施形態の他の変形が本発明の技術的範囲及び精神から乖離することなく可能であることがさらに理解される。例えば、X−方向に沿って移動可能に調整可能なダイ供給モジュール202aの代わりに、垂直なY方向に延在する軌道をプラットフォーム216に設けることができ、これによりダイ供給モジュール202aをY方向に沿って調整可能に移動可能としてそれぞれの支持装置204a、204bをY方向において互いにオフセットした状態に配置することができる。また、この発明の好ましい実施形態は、半導体ダイをリードフレームに移送するためのダイボンダに関するが、本発明の実施形態は、表面実装技術の用途における、電子部品の印刷回路基板(PCB)への取付にも使用することができる。
216 プラットフォーム
202a、202b ダイ供給モジュール(供給モジュール)
206a、206b リードフレーム(基板)
204a、204b 支持装置
208a、208b ダイ供給装置(供給装置)
212 半導体ダイ(半導体部品)
218a、208b 軌道

Claims (9)

  1. 半導体実装の製造中に半導体部品を基板に供給する機器であって、
    該機器は、
    プラットフォームと、
    該プラットフォームに固定された複数の供給モジュールであって、前記複数の供給モジュールのそれぞれが、
    前記基板を支持する支持装置と、
    前記半導体部品を前記基板に供給する供給装置と、
    を有する、複数の供給モジュールと、
    を備え、
    前記支持装置の高さは、前記基板を前記複数の供給装置間において搬送するために互いに同一高さとされている機器。
  2. 前記供給装置は、前記基板が搬送される方向に沿って、それぞれの支持装置の対向する側に配置されていることを特徴とする請求項1の機器。
  3. 前記供給装置は、前記半導体部品を、前記供給装置に近い基板のそれぞれ半分におけるボンディング位置に供給するように操作可能であり、前記基板の前記それぞれ半分は、前記基板が搬送される方向に平行な線に沿って分割されていることを特徴とする請求項2に記載の機器。
  4. 前記複数の供給モジュールの少なくとも1つは、該供給モジュールの少なくとも1つが前記プラットフォームに対して移動可能とされ、よって前記支持装置を前記基板が搬送される方向に垂直な方向に互いにオフセットして配置するように、前記プラットフォームに固定されていることを特徴とする機器。
  5. 前記複数の供給モジュールの少なくとも1つは、前記基板が搬送される方向に対して横断方向に沿って移動可能であることを特徴とする請求項4に記載の機器。
  6. 前記複数の供給モジュールの少なくとも1つは、前記基板が搬送される方向にさらに移動可能であることを特徴とする請求項4に記載の機器。
  7. 前記複数の供給モジュールの互いに対するオフセットを調整するための作動装置をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の機器。
  8. 前記作動装置は、
    前記プラットフォーム上に配置された軌道と、
    前記供給モジュールの少なくとも1つに取り付けられて、前記供給モジュールを前記軌道に沿って移動させる複数の車輪と、
    を備えることを特徴とする請求項7に記載の機器。
  9. 前記支持装置上の前記基板を制御可能に搬送するための単一の間欠回転ユニットを備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の機器。
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