JP2012231082A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、シリコンを含む支持基板の主面上に複数の発光領域を形成する工程と、アルカリ性溶液による異方性エッチングによって、前記発光領域の表面に凹凸部を形成するとともに、前記支持基板の主面における前記複数の発光領域のあいだに、前記アルカリ性溶液による異方性エッチングによってV字状の溝を形成する工程と、前記溝の位置において前記支持基板を分割し、前記発光領域ごとに分ける工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、以下の説明では、一例として、第1導電形をn形、第2導電形をp形とした具体例を挙げる。
図1〜図4は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
本実施形態に係る製造方法は、図3(c)に表したように、支持基板60の主面60a上に複数の発光領域100Rを形成する工程と、図4(a)に表したように、支持基板60の主面60aにおける複数の発光領域100Rのあいだに、異方性エッチングによってV字状の溝60Gを形成する工程と、図4(d)に表したように、溝60Gの位置において支持基板60を分割し、発光領域100Rごとに分ける工程と、を備える。
先ず、図1(a)に表したように、例えばサファイアからなる成長用基板70の主面70a上に、バッファ層(図示せず)を形成した後、第1半導体層10、発光層30及び第2半導体層20を含む積層体100を結晶成長させる。
本明細書において「窒化物半導体」とは、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)またはBxInyAlzGa1−x−y−zN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,x+y+z≦1)なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N(窒素)以外のV族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
なお、上記の組成、組成比、不純物の種類、不純物濃度及び厚さは一例であり、種々の変形が可能である。
ここで、第1金属611には、主面100b側から、例えば、チタン(Ti)/金(Au)/金錫合金(AuSn)の積層膜が用いられる。また、第2金属612には、主面60a側から、例えば、Ti/Auの積層膜が用いられる。第1金属611及び第2金属612が接合されたものは接合金属61になる。
本実施形態では、KOH溶液を用いる場合を例として説明する。
KOH溶液などによるアルカリエッチングでは、GaN結晶の面方位(主に{10−1−1})に沿って異方性エッチングされ、その結果として六角錐の構造による凹凸部12pが形成される。
図5(a)は、溝の断面を例示する模式的断面図である。図5(b)は、溝の一部を例示する模式的斜視図である。
支持基板60の主面60aは、シリコンの(100)面である。また、溝60Gの壁面60cは、シリコンの(111)面である。
支持基板60を分割することで、発光領域100Rごとに分けられた半導体発光素子110が完成する。
一方、異方性エッチングによって溝60Gを形成する場合には、フォトリソグラフィの精度によって正確に形成する位置を設定することができる。したがって、隣り合う2つの発光領域100Rの間隔を狭くすることができ、同じ大きさの支持基板60から多くの半導体発光素子110を製造することが可能になる。
図6では、第1の実施形態に係る製造方法によって製造された半導体発光素子110を例示している。半導体発光素子110は、発光領域100Rと、第1電極40と、第2電極50と、支持基板60と、を備える。
図7〜図8は、第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
ここでは、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
先ず、図7(a)に表したように、例えばサファイアからなる成長用基板70の主面70a上に、バッファ層(図示せず)を形成した後、第1半導体層10、発光層30及び第2半導体層20含む積層体100を結晶成長させる。積層体100の構成は、第1の実施形態と同様である。
すなわち、第2の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法では、支持基板60を貼り合わせる前に、積層体100を分割して個々の発光領域100Rを形成しているため、支持基板60を貼り付ける際の応力、及び成長用基板70を剥離する際の応力を緩和することができる。
図9〜図12は、第3の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
先ず、図9(a)に表したように、例えばサファイアからなる成長用基板70の主面70a上に、バッファ層(図示せず)を形成した後、第1半導体層10、発光層30及び第2半導体層20を含む積層体100を結晶成長させる。積層体100の構成は、第1の実施形態と同様である。
次いで、発光領域100Rの周辺の接合金属61(第1金属611及び第2金属612)をエッチングし、支持基板60の一部を露出させる。
これにより、半導体発光素子130が完成する。
Claims (9)
- (100)面を主面とするシリコンからなる支持基板の前記主面上に複数の発光領域を形成する工程と、
前記複数の発光領域の間の前記支持基板の前記主面を露出させる工程と、
アルカリ性溶液による異方性エッチングによって、前記発光領域の表面に凹凸部を形成するとともに、前記支持基板の前記主面における前記複数の発光領域のあいだの前記支持基板に、前記アルカリ性溶液による異方性エッチングによって(111)面を壁面とするV字状の溝を形成する工程と、
前記溝の位置において前記支持基板を分割し、前記発光領域ごとに分ける工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 支持基板の主面上に複数の発光領域を形成する工程と、
前記支持基板の主面における前記複数の発光領域のあいだに、異方性エッチングによってV字状の溝を形成する工程と、
前記溝の位置において前記支持基板を分割し、前記発光領域ごとに分ける工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記溝の形成とともに、前記異方性エッチングによって前記発光領域の表面に凹凸部を形成することを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記凹凸部における凹部の深さと、前記溝の深さと、の比率は、前記発光領域の前記異方性エッチングによるエッチングレートと、前記支持基板の前記異方性エッチングによるエッチングレートと、の比率に等しいことを特徴とする請求項3記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記異方性エッチングは、アルカリ性溶液を用いたエッチングであることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記支持基板は、シリコンからなることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記主面は、前記シリコンの(100)面であり、
前記溝の壁面は、前記シリコンの(111)面であることを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記発光領域を形成する工程は、
成長用基板に第1半導体層、発光層及び第2半導体層を順に積層した積層体を形成する工程と、
前記積層体に前記支持基板を貼り合わせる工程と、
前記積層体から前記成長用基板を剥離する工程とを含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記溝の位置において前記支持基板を分割する工程では、前記支持基板の厚さを薄くした後に分割を行うことを特徴とする請求項1〜8のうちいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。
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