JP2012181908A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- 積層体であって、
結晶配向中間層と、
前記中間層上に配設される磁気ゼロ層とを備え、前記磁気ゼロ層は、非磁性であり、かつ非磁性分離体によって分離される非磁性粒子を含み、さらに
前記磁気ゼロ層上に配設される磁気記録層を備え、前記磁気記録層は非磁性分離体によって分離される強磁性粒子を含み、前記磁気ゼロ層は前記磁気記録層と同じ元素を含み、前記中間層と前記磁気記録層との間の格子不整合は４％未満である、積層体。 - 前記結晶配向中間層と前記磁気記録層との間の結晶ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）の差は０．３５度未満である、請求項１に記載の積層体。
- 前記磁気ゼロ層は、前記磁気記録層と同じ元素を異なる割合で含む、請求項１または２に記載の積層体。
- 前記磁気ゼロ層の厚みは２５Å未満である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記磁気記録層は、前記磁気ゼロ層に隣接する第１の磁性層と、交換遮断層によって前記第１の磁性層から離される第２の磁性層とを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記磁気ゼロ層の前記粒子は、ＨＣＰ結晶構造および（０００１）成長方向を有する柱状粒子である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記磁気ゼロ層はＰｔおよびＲｕのうち１つ以上を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記磁気ゼロ層は、Ｃｒ含有量が３０原子％未満であるＣｏＣｒ合金を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の積層体。
- 積層体を作製する方法であって、
結晶配向中間層を堆積することと、
前記結晶配向中間層の上に磁気ゼロ層を堆積することとを備え、前記磁気ゼロ層は、非磁性であり、かつ非磁性分離体によって分離される非磁性粒子を含み、さらに
前記磁気ゼロ層の上に磁気記録層を堆積することを備え、前記磁気記録層は、非磁性分離体によって分離される強磁性粒子を含み、前記磁気ゼロ層は前記磁気記録層と同じ元素を含み、前記中間層と前記磁性層との間の格子不整合は４％未満である、方法。 - 前記磁気ゼロ層を堆積することは、酸化物を備える分離体によって分離される、ＣｏＣｒと、ＰｔおよびＲｕのうち１つ以上とを備える粒子を堆積することを含み、
前記磁気記録層を堆積することは、前記酸化物を含む分離体によって分離される、Ｃｏ合金を含む粒子を堆積することを含み、前記磁気ゼロ層は前記磁気記録層よりも高い堆積百分率の前記酸化物を含む、請求項９に記載の方法。 - 前記結晶配向中間層を堆積することは、８０ｍＴｏｒｒ未満の圧力でスパッタリングすることを含む、請求項９または１０に記載の方法。
- 前記磁気ゼロ層の厚みは２５Å未満である、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
- 前記結晶配向中間層と前記磁気記録層との間の結晶ロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）の差は０．３５度未満である、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の方法。
- 前記磁気ゼロ層は、Ｃｒ含有量が３０原子％未満であるＣｏＣｒ合金を含む、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記磁気記録層を堆積することは複数ステップのスパッタリング工程を含み、前記複数ステップのスパッタリング工程では、スパッタリング圧力、スパッタリング酸素ガス含有量およびスパッタリングバイアス電圧の少なくとも一つが変更される、請求項９〜１４のいずれか一項に記載の方法。
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