JP6296243B2 - FePt系合金における強磁性−常磁性相変化を利用した磁気記録媒体 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 152
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 111
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 111
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 title description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 72
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 64
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 claims description 47
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 7
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 claims description 6
- 230000005408 paramagnetism Effects 0.000 claims description 2
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 19
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 239000002907 paramagnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016583 MnAl Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005088 metallography Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/123—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys having a L10 crystallographic structure, e.g. [Co,Fe][Pt,Pd] thin films
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Description
また、上記のようなトップダウン方式では、工程数が多くなるため磁気記録媒体の製造コストが高くなりやすく、表面を研磨する工程を含むため製品品質や歩留まりが低下しやすかった。
(Fe1−xM1 x)Pt (1)
(ただし、上記(1)式において、M1はMn又はNbであり、xは、L10規則構造での飽和磁化が0.37[Wb/m2]以上1.38[Wb/m2]以下となり、A1不規則構造での飽和磁化が0[Wb/m2]以上0.88[Wb/m2]以下となり、両者の飽和磁化の差が0.10[Wb/m2]以上となる値である。)
Fe(Pt1−yM2 y) (2)
(ただし、上記(2)式において、M2はRu、Rh、Os、又はIrのいずれかであり、yは、L10規則構造での飽和磁化が0.37[Wb/m2]以上1.38[Wb/m2]以下となり、A1不規則構造での飽和磁化が0[Wb/m2]以上0.88[Wb/m2]以下となり、両者の飽和磁化の差が0.10[Wb/m2]以上となる値である。)
(Fe1−xM1 x)Pt (1)
(ただし、上記(1)式において、M1はMn又はNbであり、xは、L10規則構造での飽和磁化が0.37[Wb/m2]以上1.38[Wb/m2]以下となり、A1不規則構造での飽和磁化が0[Wb/m2]以上0.88[Wb/m2]以下となり、両者の飽和磁化の差が0.10[Wb/m2]以上となる値である。)
Fe(Pt1−yM2 y) (2)
(ただし、上記(2)式において、M2はRu、Rh、Os、又はIrのいずれかであり、yは、L10規則構造での飽和磁化が0.37[Wb/m2]以上1.38[Wb/m2]以下となり、A1不規則構造での飽和磁化が0[Wb/m2]以上0.88[Wb/m2]以下となり、両者の飽和磁化の差が0.10[Wb/m2]以上となる値である。)
(Fe1−xM1 x)Pt (1)
(ただし、上記(1)式において、M1はMn又はNbであり、xは、L10規則構造での飽和磁化が0.37[Wb/m2]以上1.38[Wb/m2]以下となり、A1不規則構造での飽和磁化が0[Wb/m2]以上0.88[Wb/m2]以下となり、両者の飽和磁化の差が0.10[Wb/m2]以上となる値である。)
Fe(Pt1−yM2 y) (2)
(ただし、上記(2)式において、M2はRu、Rh、Os、又はIrのいずれかであり、yは、L10規則構造での飽和磁化が0.37[Wb/m2]以上1.38[Wb/m2]以下となり、A1不規則構造での飽和磁化が0[Wb/m2]以上0.88[Wb/m2]以下となり、両者の飽和磁化の差が0.10[Wb/m2]以上となる値である。)
2 磁気記録層
2’ 前駆体層
3 強磁性部
4 常磁性部
5 マスク
10 磁気記録媒体
Claims (7)
- 基材層、及び該基材層上に形成された磁気記録層を有し、
前記磁気記録層は所定の規則に従って配列された強磁性部及び常磁性部を備えており、
前記強磁性部は、下記(1)式で表され、L10規則構造を有し、強磁性を有する合金を含んでおり、
前記常磁性部は、下記(1)式で表され、A1不規則構造を有し、常磁性を有する合金を含んでおり、
前記強磁性部に含まれる前記合金、及び前記常磁性部に含まれる前記合金は、組成が略同一である、磁気記録媒体。
(Fe1−xMnx)Pt (1)
(ただし、上記(1)式において、0.3<x<0.54である。) - 前記磁気記録層が金属酸化物を含む、請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記強磁性部に含まれる前記合金を構成する結晶の(001)面が、前記磁気記録層の表面に対して平行であり、[001]方向が、前記磁気記録層の表面に対して垂直方向に向いている、請求項1又は2に記載の磁気記録媒体。
- 基材層、及び該基材層上に形成された磁気記録層を有し、該磁気記録層が、所定の規則に従って配列された強磁性部及び常磁性部を備えた磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基材層上に、L10規則構造を有するとともに組成が下記(1)式で表わされ、且つ強磁性を有する合金を含む薄膜を形成する、薄膜形成工程と、
前記薄膜の一部に任意のイオンを照射することによって、前記L10規則構造をA1不規則構造へと変態させるイオン照射工程と、を有し、
前記薄膜形成工程で形成された薄膜のうち、前記イオン照射工程でイオンを照射された部分が前記常磁性部となり、前記イオンを照射されない部分が前記強磁性部となる、磁気記録媒体の製造方法。
(Fe1−xMnx)Pt (1)
(ただし、上記(1)式において、0.3<x<0.54である。) - 前記イオン照射工程において用いる前記イオンがMnイオンであり、該Mnイオンの照射量が前記常磁性部となる部分の0.10at%以上2.0at%以下である、請求項4に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記薄膜形成工程が、前記(1)式で表される組成の合金と、金属酸化物と、を含む薄膜を形成した後、該薄膜を加熱する工程を含む、請求項4又は5に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載された磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させる回転軸及びモーターと、前記磁気記録層に対して情報を記録する、及び/又は前記磁気記録層から情報を読み出す、磁気ヘッドと、を備える、磁気記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014521245A JP6296243B2 (ja) | 2012-06-14 | 2013-05-27 | FePt系合金における強磁性−常磁性相変化を利用した磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012135220 | 2012-06-14 | ||
JP2012135220 | 2012-06-14 | ||
PCT/JP2013/064634 WO2013187217A1 (ja) | 2012-06-14 | 2013-05-27 | FePt系合金における強磁性-常磁性相変化を利用した磁気記録媒体 |
JP2014521245A JP6296243B2 (ja) | 2012-06-14 | 2013-05-27 | FePt系合金における強磁性−常磁性相変化を利用した磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013187217A1 JPWO2013187217A1 (ja) | 2016-02-04 |
JP6296243B2 true JP6296243B2 (ja) | 2018-03-20 |
Family
ID=49758047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014521245A Active JP6296243B2 (ja) | 2012-06-14 | 2013-05-27 | FePt系合金における強磁性−常磁性相変化を利用した磁気記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6296243B2 (ja) |
WO (1) | WO2013187217A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016051497A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 熱アシストデータ記録媒体を備える装置およびデータ記録媒体 |
JP6594633B2 (ja) * | 2015-02-23 | 2019-10-23 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
WO2017033393A1 (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006309841A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Tdk Corp | 磁性パターン形成方法、磁気記録媒体、磁気記録再生装置 |
JP5013100B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-08-29 | 国立大学法人秋田大学 | 磁気記録媒体及びその製造方法ならびに磁気ディスク装置 |
-
2013
- 2013-05-27 WO PCT/JP2013/064634 patent/WO2013187217A1/ja active Application Filing
- 2013-05-27 JP JP2014521245A patent/JP6296243B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013187217A1 (ja) | 2013-12-19 |
JPWO2013187217A1 (ja) | 2016-02-04 |
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Legal Events
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