RU2008142306A - Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура - Google Patents
Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008142306A RU2008142306A RU2008142306/09A RU2008142306A RU2008142306A RU 2008142306 A RU2008142306 A RU 2008142306A RU 2008142306/09 A RU2008142306/09 A RU 2008142306/09A RU 2008142306 A RU2008142306 A RU 2008142306A RU 2008142306 A RU2008142306 A RU 2008142306A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanoclusters
- layer
- composite nanostructure
- antiferromagnetic
- multilayer magnetoresistive
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
1. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура, содержащая несколько наборов чередующихся слоев магнитомягких и магнитожестких нанокластеров, изолированных сверху и снизу сплошным диэлектрическим слоем из антиферромагнитного материала, отличающаяся тем, что набор содержит последовательно антиферромагнитный слой, слой магнитомягких нанокластеров, антиферромагнитный слой, слой магнитожестких нанокластеров, антиферромагнитный слой, при этом толщина нанокластеров равна 0,8-2,5 нм. ! 2. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что количество указанных наборов слоев равно от 1 до 5. ! 3. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что магнитомягкие нанокластеры изготовлены, например, из сплава никеля и железа, а магнитожесткие нанокластеры из сплава кобальта и никеля. ! 4. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что антиферромагнитный слой изготовлен из окиси никеля.
Claims (4)
1. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура, содержащая несколько наборов чередующихся слоев магнитомягких и магнитожестких нанокластеров, изолированных сверху и снизу сплошным диэлектрическим слоем из антиферромагнитного материала, отличающаяся тем, что набор содержит последовательно антиферромагнитный слой, слой магнитомягких нанокластеров, антиферромагнитный слой, слой магнитожестких нанокластеров, антиферромагнитный слой, при этом толщина нанокластеров равна 0,8-2,5 нм.
2. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что количество указанных наборов слоев равно от 1 до 5.
3. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что магнитомягкие нанокластеры изготовлены, например, из сплава никеля и железа, а магнитожесткие нанокластеры из сплава кобальта и никеля.
4. Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что антиферромагнитный слой изготовлен из окиси никеля.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008142306/08A RU2408940C2 (ru) | 2008-10-27 | 2008-10-27 | Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008142306/08A RU2408940C2 (ru) | 2008-10-27 | 2008-10-27 | Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008142306A true RU2008142306A (ru) | 2010-05-10 |
| RU2408940C2 RU2408940C2 (ru) | 2011-01-10 |
Family
ID=42673286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008142306/08A RU2408940C2 (ru) | 2008-10-27 | 2008-10-27 | Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2408940C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2767593C1 (ru) * | 2021-07-19 | 2022-03-17 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления магниторезистивных наноструктур |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2481369C1 (ru) * | 2012-03-29 | 2013-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ) | Способ крепления резин друг к другу |
| RU2731531C1 (ru) * | 2019-05-08 | 2020-09-03 | Общество с ограниченной ответственностью "Новые спинтронные технологии" (ООО "НСТ") | Вихревой спиновый диод, а также приемник и детектор на его основе |
-
2008
- 2008-10-27 RU RU2008142306/08A patent/RU2408940C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2767593C1 (ru) * | 2021-07-19 | 2022-03-17 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления магниторезистивных наноструктур |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2408940C2 (ru) | 2011-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8582238B1 (en) | Systems and methods for providing perpendicular magnetic writers having gradient magnetic moment side shields | |
| JP2008176908A5 (ru) | ||
| JP5634385B2 (ja) | スピントランスファー発振器構造およびその形成方法 | |
| JP5750211B2 (ja) | Ｔｍｒ素子およびその形成方法 | |
| JP2017505537A5 (ru) | ||
| JP2011137811A5 (ru) | ||
| WO2008130465A3 (en) | Nanodevices for spintronics methods of using same | |
| JP2009266369A (ja) | 磁気センサおよびその形成方法 | |
| JP2006216945A5 (ru) | ||
| Yi | Magnetic properties of hard (CoFe2O4)–soft (Fe3O4) composite ceramics | |
| JP2009004784A (ja) | 交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子、並びに磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
| WO2009113775A3 (ko) | 연자성 금속분말이 충전된 시트를 이용한 적층형 파워 인덕터 | |
| SG143177A1 (en) | (cofe)zrnb/ta/hf based target material and method for producing the same | |
| WO2012050810A3 (en) | Shape-controlled magnetic nanoparticles as t1 contrast agents for magnetic resonance imaging | |
| MY180827A (en) | Stack including a magnetic zero layer | |
| RU2008142306A (ru) | Многослойная магниторезистивная композитная наноструктура | |
| WO2009029859A3 (en) | Nanodisks and methods of fabrication of nanodisks | |
| CN103956249A (zh) | 一种垂直各向异性人工反铁磁耦合多层膜材料 | |
| US20090009278A1 (en) | Inductor | |
| Kolesnikov et al. | Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy and coercivity in ultrathin Ru/Co/Ru films through the buffer layer engineering | |
| Gottwald et al. | Asymmetric magnetization reversal in dipolarly coupled spin valve structures with perpendicular magnetic anisotropy | |
| Dragos-Pinzaru et al. | Magnetic properties of CoPt thin films obtained by electrodeposition from hexachloroplatinate solution. Composition, thickness and substrate dependence | |
| MY159891A (en) | Method for making data storage media | |
| JP5647406B2 (ja) | フリー層およびその形成方法、磁気抵抗効果素子 | |
| RU2008142310A (ru) | Многослойная композитная наноструктура с гигантским магниторезистивным эффектом |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20171028 |