JP4577730B2 - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4577730B2 JP4577730B2 JP2009105865A JP2009105865A JP4577730B2 JP 4577730 B2 JP4577730 B2 JP 4577730B2 JP 2009105865 A JP2009105865 A JP 2009105865A JP 2009105865 A JP2009105865 A JP 2009105865A JP 4577730 B2 JP4577730 B2 JP 4577730B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- seed layer
- underlayer
- magnetic
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 35
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 17
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910005435 FeTaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000604 Ferrochrome Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 NiFeCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
c c)構造を有するCo/Pd等の多層膜が主に用いられる。
そこで、強磁性体結晶粒の配向性の向上と書込み能力の向上との両者を実現するために、下地層の下に、NiFe,Cr,Ti等のシード層を設けた構成が提案されている。
の配向性は改善されたものの、より高密度で高性能の次世代磁気媒体にはさらなる結晶粒
配向性の向上とともに、下地層及びシード層の薄層化が求められている。
かかる状況において、本発明者は、磁性層、下地層及びシード層の組み合わせについて
種々の検討を行い、媒体構成及び形成方法と結晶配向性及び磁気特性との関係を調べたと
ころ、シード層にNiCr合金を用い、さらに磁性層と同じ結晶構造の下地層を用いるこ
とにより、磁性層がhcp結晶構造及びfcc結晶構造のいずれの場合についても、強磁
性体結晶粒の配向性及び磁気特性が向上することを見出し、また下地層及びシード層の薄
層化が可能であることが分かった。
つ磁気特性と記録再生特性に優れ、さらなる高記録密度化が可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
が好ましい。
の下地層及び磁性層を積層する構成、または、シード層上に面心立方結晶構造の下地層及
び多層膜からなる磁性層を積層する構成とすることにより、下地膜結晶粒の結晶配向性を
向上させることができ、その結果として磁性層の結晶粒配向性が向上して、媒体の磁気特
性が大きく向上する。
さらに、シード層及び下地層の薄層化が可能となり、記録密度の増大を可能とすると共
に、書き込み能力が改善され記録再生特性に優れた垂直磁気媒体を実現することができる
。
図1Aに示すように、本実施例の垂直磁気記録媒体は、基板1上に、軟磁性裏打ち層6
、NiCrシード層2、非磁性下地層3、磁性層4及び保護膜5が順次積層された構造を
有している。なお、本実施例では、軟磁性裏打ち層を設ける構成としたが、省略しても良
いことは言うまでもない。
るのが好ましい。このように薄い層をスパッタ法により膜厚均一性よく形成するには、基
板近傍の圧力をできるだけ低くするのが好ましく、例えば図6に示した低圧スパッタ装置
が用いられる。
このスパッタ装置10においては、図に示すように、真空室11の内部に、ターゲット
13,バッキングプレート14及び磁石ユニット15からなるマグネトロンカソード12
と、基板17を保持する基板ホルダ18とが対向して配置される。真空室11のターゲッ
ト側にはターゲット13の表面近傍にスパッタガスを吹き出すガス導入配管19が取り付
けられ、一方基板ホルダ側には排気口27が設けられ、バルブ20を介して第1の排気装
置(例えば、ターボ分子ポンプ)21が取り付けられている。なお、マグネトロンカソー
ド12は絶縁部材16を介して真空室11に固定され、直流又は高周波電源(不図示)に
接続されている。またガス導入配管19はガス供給系(不図示)に連結されている。
。図の場合、第1の圧力調整手段23として、先細りのノズル形状部材が用いられ、ター
ゲット13を囲んで配置される。その外側に配置される第2の圧力調整手段24としては
、先細りノズル形状に加え先端部に同一径の円筒を取り付けた形状の部材が用いられてい
る。
さらに、第1及び第2の圧力調整手段の間の空間(中間空間)と連通する排気口27’
がマグネトロンカソード12の後方に設けられ、この排気口27’には第2の排気装置(
例えば、ターボ分子ポンプ)22がバルブ20’を介して取り付けられている。
第1の圧力調整手段23及び第2の圧力調整手段24の内側を通って、排気装置21から
外部に排気されるとともに、第1の調整手段23と第2の調整手段24の間を通って第2
の排気装置22から外部に排出される。
間、及びこれらの中間空間とで圧力差を生じさせる構成とし、さらに中間空間を排気する
第2の排気装置を設けることにより、基板方向に向かうスパッタガスは低減し、その結果
、ターゲット近傍空間と基板近傍空間との圧力差をさらに大きくすることが可能となり、
安定なスパッタ放電を維持しながら、基板周辺のより一層の低圧力化が可能となる。この
ようにして、例えばターゲット近傍の圧力が1.0x10−2Paとき、基板周辺で1.
0x10−4Paを達成することが可能となる。
iターゲットの2元ターゲットを用い、基板近傍の圧力を3.0x10−2Pa以下とし
て、所望の膜厚を形成する。圧力を3.0x10−2Pa以下とすることにより、NiC
rシード層の平坦性がさらに向上し、その上に形成される非磁性下地層の結晶粒成長を促
進して、全面にわたりc軸配向性に優れた非磁性下地層を形成することができる。なお、
圧力は低い方が好ましいが、スパッタ装置の構成により定められる。
基板面に対して垂直となるように形成される。このような金属・合金としては、Ru、T
i、Rh若しくはZr又はこれらのいずれかを含む合金が好適に用いられ、層厚としては
3〜15nmが好適であり、シード層と非磁性下地層を合わせた厚さとしては5〜20n
mとするのが好ましい。
。具体的には、例えばCoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtTa、CoCrPt
−SiO2、CoCrPt−Nb2O5及びCoCrPtO等が例示される。この磁性層
の厚さとしては、通常5〜25nmである。
い場合であっても、その上にc軸が基板に対し垂直方向に揃った結晶粒からなる下地層を
形成することができる。さらに、下地層を3〜15nmと極めて薄くすることが可能とな
り、このように薄い場合であってもその上に形成される磁性層の結晶粒は均一なc軸配向
性を有し、結果として高い保磁力が得られ、高密度で信頼性の高い磁気記録媒体を得るこ
とができる。なお、Cr含有量が30〜42at.%のNiCr合金を用いることにより
、以上の効果を一層向上させることができる。
また、磁性層4と軟磁性裏打ち層6の間隔を5〜20nmと極めて小さくすることがで
き、書き込み特性に優れ、より記録密度の高い垂直磁気媒体が可能となる。
SiAlN及びNiFe等が用いられるが、特にCoTaZr,CoNbZr,FeTa
N及びFeSiAlNが好ましく、表面平坦性に優れた裏打ち層を形成することができる
。なお、軟磁性裏打ち層の厚さは通常100〜500nm程度である。また、基板は、例
えば、ガラス基板、アルミニウム基板、プラスチック基板が用いられ、保護層としては、
例えば、C、SiN,BC等が用いられ、通常2〜10nm程度形成される。
次に、シード層としてNiCr合金を用いた場合と、他の金属又は合金を用いた場合と
を比較した実験を以下に説明する。
ガラス基板(2.5インチディスク)17をNiCrターゲット(Cr含有量;40a
t.%)13を備えた真空室11内に取り付けた。ガス導入配管19を通してArガスを
導入して放電を起こし、基板近傍の圧力が3.0x10−2Paとなるように排気装置2
1,22のメインバルブ20,20’を調整した。このようにして基板上に1〜5nmの
範囲のNiCrシード層を成膜した。
続いて、NiCrシード層上に、20nmのRu非磁性下地層をArガス圧6.7x1
0−1Paで成膜した。さらに、5nmのC保護層を成膜した。一方、比較のため、Ni
FeCr、NiFeCu、NiFe、Ti、Au及びCuについても、種々の膜厚のシー
ド層を同様にして形成し、続いてRu下地層及びC保護膜を形成した。
ード層厚との関係を図2にまとめた。図2から明らかなように、Ru−hcp(002)
の回折強度は、NiCrシード層を用いた試料で最も大きく、NiCrシード層が1nm
と極めて薄い場合であっても、従来の厚いシード層に比べても十分大きな回折強度が得ら
れることが分かった。
また、同試料のロッキングカーブをX線回折法で評価し、Ru−hcp(002)ピー
クの半値幅△θ50をシード層の層厚に対して図3にプロットした。NiCrシード層を
用いた試料の半値幅△θ50は他のシード層に比べて極めて小さく、結晶粒子のc軸配向
性が高いことが分かる。即ち、結晶粒c軸の垂直配向性が高く、しかも各結晶粒間でバラ
ツキが小さいことが分かった。
次に、NiCrシード層のCr含有量とRu下地層の結晶配向性及び垂直磁気媒体の保
磁力との関係について調べた実験結果を図4〜6を参照して説明する。
まず、種々の組成のCrNiターゲットを用いてNiCrシード層を4nm形成し、続
いて上記実験と同様にしてRu下地層を5nm、C保護膜を5nm形成してX線回折測定
用試料を作製した。同様に、シード層4nm、Ru下地層5nm、CoCrPt磁性層1
0nm、C保護膜5nmを形成し、保磁力測定用試料を作製した。これらの試料について
の測定結果を図4及び図5に示す。
である。また、図5は、保磁力とNiCr組成との関係をプロットしたグラフである。
これらの図から明らかなように、NiCrシード層中のCr原子の含有量を30〜42
at.%とすることにより、Ru下地層結晶粒のc軸配向性は急激に増大した。また、R
u下地層のc軸配向性に対応して、記録媒体の保磁力が変化することが分かる。なお、N
iCrシード層を設けない場合の媒体の保磁力は2.0KOeであった。
により形成することにより、膜厚均一性及び平坦性に優れたシード層を形成することがで
き、六方最密充填構造の下地層の結晶粒を増大させ、しかもc軸配向性を向上させること
が可能となり、その上に形成される六方最密充填構造の強磁性体結晶粒の微細化とc軸配
向性の向上を同時に達成することが可能となった。この結果として、より高記録密度化が
可能で磁気特性に優れた垂直記録媒体が実現可能となった。
図1Bに示すように、本実施例の垂直磁気記録媒体は、基板1上に、NiCrシード層
2、非磁性下地層3、強磁性体層と非磁性層の2層構造が複数回繰り返し形成された磁性
層4、及び保護膜5が順次積層された構造を有している。なお、NiCrシード層の下に
軟磁性裏打ち層を形成しても良い。
111)面が基板面に対して平行となるように形成されている。このような金属としては
、Pd,Pt,Au、Cu若しくはAg又はこれらいずれかを含む合金が好適に用いられ
る。また、磁性層は、例えば0.15〜0.5nm厚のCo、CoB、CoCrTa等の
強磁性体膜と0.6〜1.4nm厚のPdやPt等の非磁性膜からなる2層構造膜が5〜
20回程度積層された面心立方結晶構造を有するものである。
等と同様に、結晶粒の配向性及び均一性に優れた面心立方構造の非磁性下地層を形成する
ことが可能となる。その結果、多層膜構造の磁性体層の場合であっても、結晶配向性に優
れた磁性層を形成することが可能となり、高密度で信頼性の高い磁気記録媒体を得ること
ができる。
さらに、シード層と非磁性下地層を合わせた厚さを20nm以下とすることができ、よ
り一層の高記録密度化が可能となる。
2 NiCrシード層、
3 下地層、
4 磁性層、
5 保護膜、
6 軟磁性裏打ち層。
10 スパッタ装置、
11 真空室、
12 マグネトロンカソード、
13 ターゲット、
14 バッキングプレート、
15 磁石ユニット、
16 絶縁部材、
17 基板、
18 基板ホルダ、
19 ガス導入配管、
20,20’ バルブ、
21 第1の排気装置(例えば、ターボ分子ポンプ)、
22 第2の排気装置、
23 第1の圧力調整手段23、
24 第2の圧力調整手段24、
27、27’ 排気口。
Claims (2)
- NiCr合金ターゲット又はCrターゲット及びNiターゲットを用い、スパッタ法により、Cr原子含有率は30〜42at.%であり、その厚さが1〜5nmであるシード層を形成する工程と、前記シード層の上に、六方最密充填結晶構造のRuを有する非磁性下地層を形成する工程と、前記非磁性下地層上に磁性層を形成する工程とを含む垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記シード層を形成する工程は、基板近傍の圧力を3.0×10−2Pa以下で行なうことを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009105865A JP4577730B2 (ja) | 2009-04-24 | 2009-04-24 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009105865A JP4577730B2 (ja) | 2009-04-24 | 2009-04-24 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004143416A Division JP4411134B2 (ja) | 2004-05-13 | 2004-05-13 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009199717A JP2009199717A (ja) | 2009-09-03 |
JP4577730B2 true JP4577730B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=41143044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009105865A Expired - Fee Related JP4577730B2 (ja) | 2009-04-24 | 2009-04-24 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4577730B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6502672B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2019-04-17 | 山陽特殊製鋼株式会社 | Ni−Cu系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59112426A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体 |
JPH05234053A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | 垂直磁化膜 |
JPH0954949A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
JP2003123245A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-04-25 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
JP2003178412A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP2003338019A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-04-24 JP JP2009105865A patent/JP4577730B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59112426A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気記録媒体 |
JPH05234053A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | 垂直磁化膜 |
JPH0954949A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
JP2003123245A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-04-25 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
JP2003178412A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP2003338019A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009199717A (ja) | 2009-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8394243B1 (en) | Sputtered cobalt oxide for perpendicular magnetic recording medium with low media noise | |
JP6307879B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JP4751344B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 | |
US20070111035A1 (en) | Magnetic recording medium, method of producing the same and magnetic recording and reproducing device | |
JP2007109380A (ja) | キャップ層とオーバーコート前のエッチングとによって改善された耐食性を有するグラニュラ磁気記録媒体 | |
TWI564886B (zh) | 包含磁零層的堆疊 | |
JP2006313584A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2005025890A (ja) | 磁気ヘッド用磁性膜 | |
JP2005190538A (ja) | 磁気記録媒体、およびその製造方法と装置 | |
CN108182951B (zh) | 磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置 | |
JP2007317255A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体と磁気記録再生装置 | |
JP2006277950A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP4577730B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4557838B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
CN108231092B (zh) | 磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置 | |
JP4411134B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP2012102399A (ja) | スパッタターゲットおよびスパッタターゲットから形成されるハードディスクの記録材 | |
JP5981564B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JP2006179133A (ja) | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置 | |
TW200917239A (en) | Magnetic recording medium, process for producing same and magnetic recording reproducing apparatus | |
JP2004355716A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2006294106A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP5426409B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
US20160247531A1 (en) | Magnetic storage disc based on exchange-bias | |
US20160247529A1 (en) | Magnetic storage disc based on exchange-bias |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100818 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100818 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4577730 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |