JPS59112426A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS59112426A JPS59112426A JP57222119A JP22211982A JPS59112426A JP S59112426 A JPS59112426 A JP S59112426A JP 57222119 A JP57222119 A JP 57222119A JP 22211982 A JP22211982 A JP 22211982A JP S59112426 A JPS59112426 A JP S59112426A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
-
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高記録密度化が可能であると共に機械的強度の
優れた磁気記録媒体に関する。
優れた磁気記録媒体に関する。
垂直磁気記録方式は従来の面内磁気記録方式に較べて高
記録密度化が可能な記録方式であるが、垂直磁気記録用
媒体は従来の面内磁気記録用媒体とは異なシ、膜面垂直
方向に高い磁気異方性を有する媒体を用いなければなら
ない。高い飽和磁化（Ｍ、）が可能なコバルト系合金薄
膜において基板垂直方向に異方性を付与するためには、
最密大方相（ｈｃｐ相）からなる膜を形成しかつ、その
結晶軸の主軸であるＣ軸を基板の垂直方向に配向させる
ことが必要である。即ちΔθ５ｏ（１（Ｆを満足するＣ
軸配向性であれば膜垂直方向に高い結晶磁気異方性を付
与することができる。尚上記Δθｇｏは（００２）面に
関するＸ線ロッキングカーブの半値巾である。ところで
従来、垂直磁気記録媒体としてはコバルト−クロム合金
膜（Ｃｏ −Ｃｒ膜、特開昭５２−１３４７０６号およ
び特開昭５４−５１８０４号）、コバルト−ルテニウム
合金ｇ（Ｃｏ −Ｒｕｇ）、コバルト−レニウムＭＣＣ
ｏ Ｒｅ膜）、コバルト−オスミウム合金膜（Ｃｏ
−Ｏｓ膜、特七昭５６−６３２１５号）等が知られてい
る。これらの膜ではＣｒ−Ｒ１等の添加によシ磁化即ち
反磁場を減少させると共に六方最密相（ｈｃｐ相）の主
軸であるＣ軸を基板面垂直方向に配向させ、基板垂直方
向に結晶磁気異方性を付与して垂直磁気異方性を可能に
している。ところが上記各合金膜には次のような問題が
ある。
記録密度化が可能な記録方式であるが、垂直磁気記録用
媒体は従来の面内磁気記録用媒体とは異なシ、膜面垂直
方向に高い磁気異方性を有する媒体を用いなければなら
ない。高い飽和磁化（Ｍ、）が可能なコバルト系合金薄
膜において基板垂直方向に異方性を付与するためには、
最密大方相（ｈｃｐ相）からなる膜を形成しかつ、その
結晶軸の主軸であるＣ軸を基板の垂直方向に配向させる
ことが必要である。即ちΔθ５ｏ（１（Ｆを満足するＣ
軸配向性であれば膜垂直方向に高い結晶磁気異方性を付
与することができる。尚上記Δθｇｏは（００２）面に
関するＸ線ロッキングカーブの半値巾である。ところで
従来、垂直磁気記録媒体としてはコバルト−クロム合金
膜（Ｃｏ −Ｃｒ膜、特開昭５２−１３４７０６号およ
び特開昭５４−５１８０４号）、コバルト−ルテニウム
合金ｇ（Ｃｏ −Ｒｕｇ）、コバルト−レニウムＭＣＣ
ｏ Ｒｅ膜）、コバルト−オスミウム合金膜（Ｃｏ
−Ｏｓ膜、特七昭５６−６３２１５号）等が知られてい
る。これらの膜ではＣｒ−Ｒ１等の添加によシ磁化即ち
反磁場を減少させると共に六方最密相（ｈｃｐ相）の主
軸であるＣ軸を基板面垂直方向に配向させ、基板垂直方
向に結晶磁気異方性を付与して垂直磁気異方性を可能に
している。ところが上記各合金膜には次のような問題が
ある。
（イ） ｃｏ−Ｃｒ膜は、異方性磁界ＨＫが６ＫＯｅ、
保磁力上が２ＫＯｅ、飽和磁化Ｍｓが５００Ｇ程度のす
ぐれた磁気特性を有するが、反面、ヌープ硬さは約１０
００程度の機械的強度であシ、耐摩耗性、耐ヘッドクラ
ツシユ性が十分ではなく、機械的な信頼性に乏しい。ま
たＣ８−〇ｒ合金系は上記六方最密相（ｈｃｐ相）以外
に面心立方相（ｆｃｃ相）や正方晶相も生じうる。
保磁力上が２ＫＯｅ、飽和磁化Ｍｓが５００Ｇ程度のす
ぐれた磁気特性を有するが、反面、ヌープ硬さは約１０
００程度の機械的強度であシ、耐摩耗性、耐ヘッドクラ
ツシユ性が十分ではなく、機械的な信頼性に乏しい。ま
たＣ８−〇ｒ合金系は上記六方最密相（ｈｃｐ相）以外
に面心立方相（ｆｃｃ相）や正方晶相も生じうる。
このため垂直磁化状態を確実に達成するＫは面心立方相
や正方晶相の析出を抑制しなければならず合金膜の作製
条件が制限される。
や正方晶相の析出を抑制しなければならず合金膜の作製
条件が制限される。
（ロ） Ｃｏ ”ｕ 膜−Ｃｏ−Ｒｅ膜、Ｃ０−０
８膜ｆｔｊ：上記Ｃｏ−Ｃｒ膜と異な多正方晶相尋は存
在しない。
８膜ｆｔｊ：上記Ｃｏ−Ｃｒ膜と異な多正方晶相尋は存
在しない。
従って六方最密相（ｈＣｐ相）を作製するのは容易であ
る。また〜、 Ｒｅ −Ｏｓは高い硬度を有する金属で
あるためＣ８−へ膜−Ｃｏ−Ｒｅ膜。
る。また〜、 Ｒｅ −Ｏｓは高い硬度を有する金属で
あるためＣ８−へ膜−Ｃｏ−Ｒｅ膜。
膜よシも優れてい
る。但し、Ｃｏ−Ｒｕ膜等はその異方性磁界ＨＫが４
ＫＯｅ程度であるため、飽和磁化Ｍｓは３００Ｇ、保磁
力Ｈｃは２０００ｓ程度であシ充分な磁気特性を有する
ものを得ることができない。
ＫＯｅ程度であるため、飽和磁化Ｍｓは３００Ｇ、保磁
力Ｈｃは２０００ｓ程度であシ充分な磁気特性を有する
ものを得ることができない。
本発明はｃｏを主体とするｃｏ−Ｃｒ合金系ＫＲｕ。
島、ｏｓを特定量配合することにより優れた磁気特性、
高信頼性を有する垂直磁化膜を達成したものであって、
その構成は、コバルトを主体にした六方最密構造を有す
る合金薄膜において、その合金組成が Ｃｏ１ 、（ＲｕＷＲｅＸＯｓＹＣｒ、 （Ｗ＋Ｘ＋
Ｙ））ｖｖ＝０．１０〜０．２５ Ｗ十Ｘ＋Ｙ−０，２０〜０．９０ の範囲にあシ、かつ、該薄膜において、その結晶軸の主
軸であるＣ軸が基板に対し垂直方向に配向されているこ
とを特徴とする。
高信頼性を有する垂直磁化膜を達成したものであって、
その構成は、コバルトを主体にした六方最密構造を有す
る合金薄膜において、その合金組成が Ｃｏ１ 、（ＲｕＷＲｅＸＯｓＹＣｒ、 （Ｗ＋Ｘ＋
Ｙ））ｖｖ＝０．１０〜０．２５ Ｗ十Ｘ＋Ｙ−０，２０〜０．９０ の範囲にあシ、かつ、該薄膜において、その結晶軸の主
軸であるＣ軸が基板に対し垂直方向に配向されているこ
とを特徴とする。
本発明者等はＣｏ −Ｒｕ−Ｃｒ、Ｃｏ −Ｒｅ −Ｃ
ｒ 。
ｒ 。
ＣＱ −Ｏｓ −Ｃｒ 、 Ｃｏ−Ｒｕ−Ｒｅ−０ｓ−
Ｃｒ 合金膜において、その合金組成を調整すること
によシ優れた磁気特性かつ機械強度特性を示す膜を作製
できることを見い出した。
Ｃｒ 合金膜において、その合金組成を調整すること
によシ優れた磁気特性かつ機械強度特性を示す膜を作製
できることを見い出した。
即ち、主体となるＣｏに対し、Ｒｕ 、 Ｒｅ 、 Ｏ
ｓとＣｒの割合を調整することによシ （１） ５０００ｅ以上の保磁力を示す高垂直磁気異
方性を得ることができ、 （ＩＩ） Ｒｕ 、 Ｒｅ 、 Ｏｓ が含有され
るととＫよる高硬度性を発揮すると共に、 （ｔｌｌ） Ｃｒ添加量が低減されることＫよシ、合
金の面心立方相や正方晶相の析出が抑制され大方最密相
が確実に配向された合金膜を容易に作製することができ
る。
ｓとＣｒの割合を調整することによシ （１） ５０００ｅ以上の保磁力を示す高垂直磁気異
方性を得ることができ、 （ＩＩ） Ｒｕ 、 Ｒｅ 、 Ｏｓ が含有され
るととＫよる高硬度性を発揮すると共に、 （ｔｌｌ） Ｃｒ添加量が低減されることＫよシ、合
金の面心立方相や正方晶相の析出が抑制され大方最密相
が確実に配向された合金膜を容易に作製することができ
る。
上記Ｒｕ 、 Ｒｅ 、 Ｏｓ 、 Ｃｒ の配合比
とその磁気特性および機械強度との関係を以下に示す実
施例に基づき詳細に説明する。尚以下の実施例１〜４は
次の条件下で合金膜を作製した。まず、基板にはガラス
板（２０ｘ ２０ Ｘ １ ｍ ）およびＳｉ基板（外
径１００φ、内径２０φ厚さ２ｍ１ｌ＋の中央部を〈シ
ぬいた円板）を用いた。膜形成には高周波スパッタ装置
を用いた。ターゲットには純Ｃｏ円板上に５鴫角のＣｒ
、 Ｒｕ 、 Ｒｅ 、 Ｏｓ を設置したもｏｉ
使用し、膜の組成はＣｏ 、 Ｃｒ 、 Ｒｕ 、 Ｒ
ｅ 。
とその磁気特性および機械強度との関係を以下に示す実
施例に基づき詳細に説明する。尚以下の実施例１〜４は
次の条件下で合金膜を作製した。まず、基板にはガラス
板（２０ｘ ２０ Ｘ １ ｍ ）およびＳｉ基板（外
径１００φ、内径２０φ厚さ２ｍ１ｌ＋の中央部を〈シ
ぬいた円板）を用いた。膜形成には高周波スパッタ装置
を用いた。ターゲットには純Ｃｏ円板上に５鴫角のＣｒ
、 Ｒｕ 、 Ｒｅ 、 Ｏｓ を設置したもｏｉ
使用し、膜の組成はＣｏ 、 Ｃｒ 、 Ｒｕ 、 Ｒ
ｅ 。
Ｏ３のターゲツト面積比を変えることによシ調整した。
又、真空槽を十分ベーキング処理し、スパッタ開始前の
ペルジャー内真空度’ｔ ５． ＯＸｌ０−’トール以
下にした。スパッタ条件はアルゴン圧２．０Ｘ１０
）−ル、堆積速度２００Ｘ／分。
ペルジャー内真空度’ｔ ５． ＯＸｌ０−’トール以
下にした。スパッタ条件はアルゴン圧２．０Ｘ１０
）−ル、堆積速度２００Ｘ／分。
ターゲットと基板間距離４ｃｍ、基板温度は２００℃で
ある。ヌープ硬さ測定用試料としては、ガラス基板、膜
厚４．５μｍの試料を用いた。磁気測定用試料としては
ガラス基板、膜厚１．０μｍの試料を用いた。摩耗試験
用およびＣ８Ｓ試験用試料としてはＳｉ基板、膜厚１．
０μｍの試料を用いた。磁気特性は振動式磁化測定装置
（ＶＳＭ ’）を用いた。相同定にはＸ線回析装置を用
いた。硬度はヌープ硬度計を用いた。摩耗試験は半径３
．１１の！％−を鵞Ｏｓ球を銅板バネに取り付け、これ
を媒体に押しつけつつ回転させ、摩耗痕の深さを測定す
ることによシ評価した。
ある。ヌープ硬さ測定用試料としては、ガラス基板、膜
厚４．５μｍの試料を用いた。磁気測定用試料としては
ガラス基板、膜厚１．０μｍの試料を用いた。摩耗試験
用およびＣ８Ｓ試験用試料としてはＳｉ基板、膜厚１．
０μｍの試料を用いた。磁気特性は振動式磁化測定装置
（ＶＳＭ ’）を用いた。相同定にはＸ線回析装置を用
いた。硬度はヌープ硬度計を用いた。摩耗試験は半径３
．１１の！％−を鵞Ｏｓ球を銅板バネに取り付け、これ
を媒体に押しつけつつ回転させ、摩耗痕の深さを測定す
ることによシ評価した。
実施例１ （Ｃｏ −Ｒｕ −Ｃｒ 合金系媒体）Ｒ
ｕ 十Ｃｒが０〜３０ａｔ％の範囲で膜作製を行った。
ｕ 十Ｃｒが０〜３０ａｔ％の範囲で膜作製を行った。
第１図に膜面垂直方向に測定した保磁力ＨｃＬが５０
ＱＯｅ以上である領域を示す。
ＱＯｅ以上である領域を示す。
この領域で作製されたＣｏ −Ｒｕ −Ｃｒ膜はすべて
ｈｃｐ単相であシ、前述のΔθ５ｏ は１０°以下であ
った。第２図、第３図にＣｏ組成を８０ａｔ％に固定し
、ＲｕとＣｒの組成比を変化させた時の、膜のヌープ硬
さとＨｃ上を示す。図から明らかなようにＲｕの割合が
増加すると硬度は増加するがＨｃｈは減少する。同様に
Ｃｏ量を８０ ａｔ％に固定し、ｈとＣｒの組成比を変
化させた時の摩耗試験の結果を第４図に示す。摩耗試験
の条件は、周速２ ｍ ／ ｓｅｃ 、荷重５ｇ１００
０ｐａｓｓである。Ｒｕの割合（Ｒｕ ／（Ｒｕ ＋Ｃ
ｒ））が０．２以下になると摩耗深さは急激に増加し、
耐摩耗性が劣化する。
ｈｃｐ単相であシ、前述のΔθ５ｏ は１０°以下であ
った。第２図、第３図にＣｏ組成を８０ａｔ％に固定し
、ＲｕとＣｒの組成比を変化させた時の、膜のヌープ硬
さとＨｃ上を示す。図から明らかなようにＲｕの割合が
増加すると硬度は増加するがＨｃｈは減少する。同様に
Ｃｏ量を８０ ａｔ％に固定し、ｈとＣｒの組成比を変
化させた時の摩耗試験の結果を第４図に示す。摩耗試験
の条件は、周速２ ｍ ／ ｓｅｃ 、荷重５ｇ１００
０ｐａｓｓである。Ｒｕの割合（Ｒｕ ／（Ｒｕ ＋Ｃ
ｒ））が０．２以下になると摩耗深さは急激に増加し、
耐摩耗性が劣化する。
更に上記組成のＣｏ −Ｒｕ −Ｃｒ 膜においてＣ８
Ｓ試験（コンタクト、スタート、ストップ試験）を行っ
た。試験条件は立ち上シロ〜７秒、立ち下シロ〜７秒、
１サイクル１５秒最高回転ａ２４．８ ｒｐｓである。
Ｓ試験（コンタクト、スタート、ストップ試験）を行っ
た。試験条件は立ち上シロ〜７秒、立ち下シロ〜７秒、
１サイクル１５秒最高回転ａ２４．８ ｒｐｓである。
該Ｃ８Ｓ試験の結果を第５図に示す。図中斜線部は２万
回のＣ８Ｓ後も出力、および分解能の電磁変換特性には
劣化が無く、かつヘッド、媒体にも顕著な摩耗損傷がみ
とめら牡なかった領域を示す。
回のＣ８Ｓ後も出力、および分解能の電磁変換特性には
劣化が無く、かつヘッド、媒体にも顕著な摩耗損傷がみ
とめら牡なかった領域を示す。
以上のように、Ｃｏ−Ｒｕ−Ｃｒ の合金系において
その組成比を調整することによ、り、５００００以上の
高保磁力を示し、高硬度、高機械強度を示す磁性膜媒体
を作製することができる。
その組成比を調整することによ、り、５００００以上の
高保磁力を示し、高硬度、高機械強度を示す磁性膜媒体
を作製することができる。
これらの高品質特性を示す組成領域はＣｏ 、−ｙ（Ｒ
ｕ ｗＣｒ １−ｗ ） ｖ においてＶ ＝ ０．１
〜０．２５Ｗ＝０．２０〜０．９０（原子比）である。
ｕ ｗＣｒ １−ｗ ） ｖ においてＶ ＝ ０．１
〜０．２５Ｗ＝０．２０〜０．９０（原子比）である。
実施例２（Ｃｏ−動−Ｃｒ 合金系媒体）Ｒｅ −）
ＣｒがＯ〜３０ａｔ％の組成範囲で膜作製を行った。
ＣｒがＯ〜３０ａｔ％の組成範囲で膜作製を行った。
第６図に膜面垂直方向に測定した保磁力ＨＣＬが５００
０ｅ以上である領域を示す。この領域のＣｏ −Ｒｅ
−Ｃｒ 膜はすべてｈｃｐ単相でアシ、前述のΔθ５
ｏｌｄｌＯ°以下であった。Ｃｏ量を８０ ａｔ＊に固
定し、ＲｅとＣｒの組成比を変化させ九時の摩耗試験の
結果を第７図に示す。摩耗試験の条件は実施例１に示す
Ｃ０−Ｒｕ −Ｃｒ媒体の試験と同じである。Ｒｅの割
合（Ｒｅ ／ （Ｒｅ 十Ｃｒ））が０．２以下になる
と摩耗深さは急激に増加し耐摩耗性は劣化する。
０ｅ以上である領域を示す。この領域のＣｏ −Ｒｅ
−Ｃｒ 膜はすべてｈｃｐ単相でアシ、前述のΔθ５
ｏｌｄｌＯ°以下であった。Ｃｏ量を８０ ａｔ＊に固
定し、ＲｅとＣｒの組成比を変化させ九時の摩耗試験の
結果を第７図に示す。摩耗試験の条件は実施例１に示す
Ｃ０−Ｒｕ −Ｃｒ媒体の試験と同じである。Ｒｅの割
合（Ｒｅ ／ （Ｒｅ 十Ｃｒ））が０．２以下になる
と摩耗深さは急激に増加し耐摩耗性は劣化する。
更に上記組成のＣｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 膜においてＣＳ
Ｓ試験を行った。ＣＳＳ条件は前記Ｃｏ −Ｒｕ −Ｃ
ｒ媒体の試験条件と同じである。該Ｃ８Ｓ試験の結果を
第８図に示す。図中斜線部は２万回のＣ８Ｓ後も出力お
よび分解能の電磁変換特性には劣化がなく、かつヘッド
、媒体にも顕著な摩耗損傷が認められなかった領域を示
す。
Ｓ試験を行った。ＣＳＳ条件は前記Ｃｏ −Ｒｕ −Ｃ
ｒ媒体の試験条件と同じである。該Ｃ８Ｓ試験の結果を
第８図に示す。図中斜線部は２万回のＣ８Ｓ後も出力お
よび分解能の電磁変換特性には劣化がなく、かつヘッド
、媒体にも顕著な摩耗損傷が認められなかった領域を示
す。
以上のようにＣｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 合金系において
その組成比ｆｃ調整するととにより５０００６以上の高
保磁力を示し、高硬度高機械強度を示す磁性膜媒体を作
製することができる。これらの高品質特性を示す組成領
域はＣ０（ＲｅＸ−Ｖ Ｃｒ 、−ｚ ）、においてＶ＝０．１〜０．２５．
Ｘ＝０．２０〜０．９０（ｉチル）である。
その組成比ｆｃ調整するととにより５０００６以上の高
保磁力を示し、高硬度高機械強度を示す磁性膜媒体を作
製することができる。これらの高品質特性を示す組成領
域はＣ０（ＲｅＸ−Ｖ Ｃｒ 、−ｚ ）、においてＶ＝０．１〜０．２５．
Ｘ＝０．２０〜０．９０（ｉチル）である。
実施例３ （Ｃｏ−０ｓ−Ｃｒ 合金系媒体）Ｏｓ
＋ Ｃｒが０〜３０ ａｔ％の組成範囲で膜作製を行っ
た。第９図にＨｃｈが５０００ｅ以上で（８） ある領域を示す。この領域のＣｏ −Ｏｓ −Ｃｒ膜は
すべてｈｃｐ単相であシ、前述のΔθＳ・は１ｄ′以下
であった。Ｃｏ ｆｉ ｆ ８０ ａｔ％に固定しＯｓ
とＣｒの組成比を変化させた時の摩耗試験の結果を第１
Ｏ図に示す。摩耗の試験の条件は実施例１に示すＣｏ
−Ｒｕ −Ｃｒ 媒体の試験条件と同じである。Ｏ８
の割合（Ｏｓ ／ （Ｏｓ −）−Ｃｒ））が０．２以
下になると摩耗深さは急激に増加し、耐摩耗性は劣化す
る。
＋ Ｃｒが０〜３０ ａｔ％の組成範囲で膜作製を行っ
た。第９図にＨｃｈが５０００ｅ以上で（８） ある領域を示す。この領域のＣｏ −Ｏｓ −Ｃｒ膜は
すべてｈｃｐ単相であシ、前述のΔθＳ・は１ｄ′以下
であった。Ｃｏ ｆｉ ｆ ８０ ａｔ％に固定しＯｓ
とＣｒの組成比を変化させた時の摩耗試験の結果を第１
Ｏ図に示す。摩耗の試験の条件は実施例１に示すＣｏ
−Ｒｕ −Ｃｒ 媒体の試験条件と同じである。Ｏ８
の割合（Ｏｓ ／ （Ｏｓ −）−Ｃｒ））が０．２以
下になると摩耗深さは急激に増加し、耐摩耗性は劣化す
る。
更に上記組成のＣｏ−０ｓ−ＣｒｆｉにおいてＣ８Ｓ試
験を行った。Ｃ８Ｓ条件は前記Ｃｏ −Ｒｕ−Ｃｒ媒体
の試験と同じである。該Ｃ８Ｓ試験の結果を第１１図に
示す。図中斜線部は２万回のＣ８Ｓ後も出力および分解
能の電磁変換特性には劣化が無く、かつヘッド、媒体に
も顕著な摩耗損傷が認められなかった領域を示す。
験を行った。Ｃ８Ｓ条件は前記Ｃｏ −Ｒｕ−Ｃｒ媒体
の試験と同じである。該Ｃ８Ｓ試験の結果を第１１図に
示す。図中斜線部は２万回のＣ８Ｓ後も出力および分解
能の電磁変換特性には劣化が無く、かつヘッド、媒体に
も顕著な摩耗損傷が認められなかった領域を示す。
以上のようにＣｏ −０ｓ−Ｃｒ儀系においてその組成
比を調整することによＪ） ５０００ｅ以上の高保磁力
を示し、高硬度高機械強度を示す膜を作製することがで
きる。これらの高品質特性を示す組成領域は、Ｃｏ ｘ
−Ｖ（Ｏ８ｙ Ｃｒ ５−ｙ）ｙにおいて、ｖ＝０．１
〜０．２５ ｙ＝０．２〜０．９（原子比）である。
比を調整することによＪ） ５０００ｅ以上の高保磁力
を示し、高硬度高機械強度を示す膜を作製することがで
きる。これらの高品質特性を示す組成領域は、Ｃｏ ｘ
−Ｖ（Ｏ８ｙ Ｃｒ ５−ｙ）ｙにおいて、ｖ＝０．１
〜０．２５ ｙ＝０．２〜０．９（原子比）である。
実施例４ （Ｃｏ−Ｒｕ、Ｒｅ、 Ｏｓ −Ｃｒ−Ｑ
金糸媒体）Ｒｕ 十Ｒｅ ＋ Ｏｓ ＋ Ｃｒが０〜３
０８１％の組成範囲で膜作製を行った。第１２図にＨｃ
ｈが５０ＱＯｅ以上である領域を示す。Ｒｕ 、 Ｒｅ
、 Ｏｓの 濃度が異っても（Ｒｕ 十Ｒｅ ＋ Ｏ
ｓ ）が等しければ保磁力Ｈｃｌに大きな差は認められ
なかった。
金糸媒体）Ｒｕ 十Ｒｅ ＋ Ｏｓ ＋ Ｃｒが０〜３
０８１％の組成範囲で膜作製を行った。第１２図にＨｃ
ｈが５０ＱＯｅ以上である領域を示す。Ｒｕ 、 Ｒｅ
、 Ｏｓの 濃度が異っても（Ｒｕ 十Ｒｅ ＋ Ｏ
ｓ ）が等しければ保磁力Ｈｃｌに大きな差は認められ
なかった。
図中、斜線領域内の組成で作製された膜はすべてｈｃｐ
単相であシかつ前述の７０ｇ６ はＩＣ以下である。更
に上記組成のＣｏ −Ｒｕ、Ｒｅ、０ｓ−Ｃｒ膜におい
てＣ８Ｓ試験を行った。該Ｃ８Ｓ試験の結果を第１３図
に示す。図中斜線部は２万回のＣ８Ｓ後も出力および分
解能の電磁変換特性に劣化がなくかつヘッド、媒体にも
顕著な摩耗損傷が認められなかった領域を示す。
単相であシかつ前述の７０ｇ６ はＩＣ以下である。更
に上記組成のＣｏ −Ｒｕ、Ｒｅ、０ｓ−Ｃｒ膜におい
てＣ８Ｓ試験を行った。該Ｃ８Ｓ試験の結果を第１３図
に示す。図中斜線部は２万回のＣ８Ｓ後も出力および分
解能の電磁変換特性に劣化がなくかつヘッド、媒体にも
顕著な摩耗損傷が認められなかった領域を示す。
以上のようＩｃ Ｃｏ −Ｒｕ 、 Ｒｅ 、 Ｏｓ
−Ｃｒ 合金系においてその組成比を調整することに
よシ、５０００６以上の高保磁力を示し、高機械強度を
示す膜を作製することができる。これらの高品質特性を
示す組成領域はＣｏ 、−ｖ （Ｉ（ｕｗ ｌ髄工”Ｙ
Ｃｒ１−（Ｗ ＋ Ｘ ＋ Ｙ ”） ）Ｖにおいて
、ｖ ＝＝ｚ ｏ、 ｉ 〜０．２５． ｗ＋ｘ＋ｙ＝
＝０．２ ｏ−０，９（原子比）である。
−Ｃｒ 合金系においてその組成比を調整することに
よシ、５０００６以上の高保磁力を示し、高機械強度を
示す膜を作製することができる。これらの高品質特性を
示す組成領域はＣｏ 、−ｖ （Ｉ（ｕｗ ｌ髄工”Ｙ
Ｃｒ１−（Ｗ ＋ Ｘ ＋ Ｙ ”） ）Ｖにおいて
、ｖ ＝＝ｚ ｏ、 ｉ 〜０．２５． ｗ＋ｘ＋ｙ＝
＝０．２ ｏ−０，９（原子比）である。
実施例５
イオンビームスパッタ法釦よｐ Ｃｏ −Ｒｕ −Ｃｒ
合金膜、 Ｃｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 合金膜、Ｃｏ −
０ｓ−Ｃｒ合金膜を作製した。ターゲット組成はＣ。
合金膜、 Ｃｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 合金膜、Ｃｏ −
０ｓ−Ｃｒ合金膜を作製した。ターゲット組成はＣ。
Ｏ，８Ｒｕ Ｏ，１２ＣｒＯ，０８ＣｏＯ，８ＲｅＯ，
１２Ｃｒ Ｏ，０８゜ＣｏＱ、８０ｓ Ｏ，１２Ｃｒ
Ｏ，０８である。基板にはガラス板（２０Ｘ ２０ Ｘ
１ ｍ ）を用いた。尚真空槽を十分ベーキング処理
し、スパッタ開始前のペルジャー内真空度′ｆｔ１．０
Ｘ１０ トール以下にした。イオンビームスパッタ条
件ハ、加速電圧８ ＫＶ入力電流１ｙｙｘＡターゲット
とイオンガン距離３１？Ｆ１１ターゲツト基板間距［３
α、イオンビーム入射角３０度真空ｇ ｉ、 ｏ ｘｌ
ｏ トール基板温度２００℃である。膜厚はすべ゛〔
０，７μｍである。表１にそれぞれの膜の諸物件を示す
。
１２Ｃｒ Ｏ，０８゜ＣｏＱ、８０ｓ Ｏ，１２Ｃｒ
Ｏ，０８である。基板にはガラス板（２０Ｘ ２０ Ｘ
１ ｍ ）を用いた。尚真空槽を十分ベーキング処理
し、スパッタ開始前のペルジャー内真空度′ｆｔ１．０
Ｘ１０ トール以下にした。イオンビームスパッタ条
件ハ、加速電圧８ ＫＶ入力電流１ｙｙｘＡターゲット
とイオンガン距離３１？Ｆ１１ターゲツト基板間距［３
α、イオンビーム入射角３０度真空ｇ ｉ、 ｏ ｘｌ
ｏ トール基板温度２００℃である。膜厚はすべ゛〔
０，７μｍである。表１にそれぞれの膜の諸物件を示す
。
表１から明らかなよう忙イオンビームスパッタ法によっ
ても高保磁力、高硬度の膜を作製することができる。
ても高保磁力、高硬度の膜を作製することができる。
以上のように本発明のＣｏ −（Ｒｕ 、 Ｒｅ 、
０ｓ）−Ｃｒ合金膜によれば、従来ｔＤＣｏ−Ｃｒ膜、
Ｃｏ−Ｒｕ膜、Ｃｏ−Ｒｅ膜、Ｃｏ−０ｓ膜で得らｎｆ
ｔい優れた磁気特性と共に高い機械的強度を有する膜を
得ることができる。また、２万回以上のＣ８Ｓ試験に耐
えることができるものは実用上の機械強度が保障される
ので上記Ｃｏ −、（Ｒｕ、Ｆｔｅ、 Ｏｓ ）−Ｃｒ
合金膜を用いることによｐ高記録密度を有しかつ高い
信頼性の磁気記録媒体を得ることができる。
０ｓ）−Ｃｒ合金膜によれば、従来ｔＤＣｏ−Ｃｒ膜、
Ｃｏ−Ｒｕ膜、Ｃｏ−Ｒｅ膜、Ｃｏ−０ｓ膜で得らｎｆ
ｔい優れた磁気特性と共に高い機械的強度を有する膜を
得ることができる。また、２万回以上のＣ８Ｓ試験に耐
えることができるものは実用上の機械強度が保障される
ので上記Ｃｏ −、（Ｒｕ、Ｆｔｅ、 Ｏｓ ）−Ｃｒ
合金膜を用いることによｐ高記録密度を有しかつ高い
信頼性の磁気記録媒体を得ることができる。
第１図はＣｏ −Ｒｕ −Ｃｒ 系において膜面の垂
直方向保磁力Ｈｃ１が５０ ＱＯｅ以上の組成領域を示
すグラフ、第２図はＣｏ −Ｒｕ −Ｃｒ 膜（Ｃｏ量
は０．８０に固定）におけるヌープ硬さのＲｕ濃度依存
性を示すグラフ、第３図はＣｏ −Ｒｕ −ＣｒＨｘ（
Ｃｏ量は０．８０ Ｋ固定）ＫおけるＨＣＪ−のＲｕ濃
度依存性を示すグラフ、第４図はＣｏ −Ｒｕ −Ｃｒ
膜（ＣｏＪｌｌは０．８０に固定）における摩耗深さの
面濃度依存性を示すグラフ、第５図はＣｏ −Ｒｕ−Ｃ
ｒ系において２万回のＣ８Ｓ試験後においても特性劣化
、摩耗損傷が認められなかった組成領域を示すグラフ、
第６図ｔｉｌｔ、Ｃｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 系において
ＨｃＬが５０ ＱＯｅ 以上の組成領域を示すグラフ
、第７図はＣｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 膜（Ｃｏ 量は０
．８０に固定）における摩耗深さのｈ濃度依存性を示す
グラフ、第８図ＦｉＣｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 系におい
て２万回のＣ８Ｓ試験後においても特性劣化。 摩耗損傷が認められなかった組成領域を示すグラフ、第
９図はＣｏ −Ｏｓ −Ｃｒ 系においテ、Ｈｃ工が
５０００ｅ以上の組成領域を示すグラフ、第１０図はＣ
ｏ −Ｏｓ −Ｃｒ 膜（Ｃｏ量は０．８０に固定）
における摩耗深さのＯｓ濃度依存性を示すグラフ、第１
１図はＣｏ −Ｏｓ −Ｃｒ 系において２万回のＣ
８Ｓ試験後においても特性劣化、摩耗損傷が認められな
かった組成領域を示すグラフ、第１２図はＣｏ −ＦＬ
ｕ −Ｒｅ −Ｏｓ −Ｃｒ 系においてＨＣＬが５
Ｑ ＱＯｅ以上の組成領域を示すグラフ、第１３図は
Ｃｏ−面−Ｒｅ −Ｏｓ −Ｃｒ 系において２万回
のＣ８Ｓ試験後においても特性劣化、摩耗損傷が認めら
れなかった組成領域を示すグラフである。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士光石士部 （他１名） （ハ） Ｕノ フ よ ｉ蔽／−と Ｒｕ ａｔ％ Ｒｅ５０４０３０２０１００ｃ、 Ｒｅ ａｔ％ 氾９図 Ｃ０ ０ｓ Ｇｔ％ Ｓ Ｏｓ＋Ｃｒ Ｏｓ ａ↑％ Ｒｕ＋Ｒｅ＋ｏ５５０４０３０２０１００ＣｒＲｕ＋Ｒ
ｅ＋Ｏｓ ａｔ％
直方向保磁力Ｈｃ１が５０ ＱＯｅ以上の組成領域を示
すグラフ、第２図はＣｏ −Ｒｕ −Ｃｒ 膜（Ｃｏ量
は０．８０に固定）におけるヌープ硬さのＲｕ濃度依存
性を示すグラフ、第３図はＣｏ −Ｒｕ −ＣｒＨｘ（
Ｃｏ量は０．８０ Ｋ固定）ＫおけるＨＣＪ−のＲｕ濃
度依存性を示すグラフ、第４図はＣｏ −Ｒｕ −Ｃｒ
膜（ＣｏＪｌｌは０．８０に固定）における摩耗深さの
面濃度依存性を示すグラフ、第５図はＣｏ −Ｒｕ−Ｃ
ｒ系において２万回のＣ８Ｓ試験後においても特性劣化
、摩耗損傷が認められなかった組成領域を示すグラフ、
第６図ｔｉｌｔ、Ｃｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 系において
ＨｃＬが５０ ＱＯｅ 以上の組成領域を示すグラフ
、第７図はＣｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 膜（Ｃｏ 量は０
．８０に固定）における摩耗深さのｈ濃度依存性を示す
グラフ、第８図ＦｉＣｏ −Ｒｅ −Ｃｒ 系におい
て２万回のＣ８Ｓ試験後においても特性劣化。 摩耗損傷が認められなかった組成領域を示すグラフ、第
９図はＣｏ −Ｏｓ −Ｃｒ 系においテ、Ｈｃ工が
５０００ｅ以上の組成領域を示すグラフ、第１０図はＣ
ｏ −Ｏｓ −Ｃｒ 膜（Ｃｏ量は０．８０に固定）
における摩耗深さのＯｓ濃度依存性を示すグラフ、第１
１図はＣｏ −Ｏｓ −Ｃｒ 系において２万回のＣ
８Ｓ試験後においても特性劣化、摩耗損傷が認められな
かった組成領域を示すグラフ、第１２図はＣｏ −ＦＬ
ｕ −Ｒｅ −Ｏｓ −Ｃｒ 系においてＨＣＬが５
Ｑ ＱＯｅ以上の組成領域を示すグラフ、第１３図は
Ｃｏ−面−Ｒｅ −Ｏｓ −Ｃｒ 系において２万回
のＣ８Ｓ試験後においても特性劣化、摩耗損傷が認めら
れなかった組成領域を示すグラフである。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士光石士部 （他１名） （ハ） Ｕノ フ よ ｉ蔽／−と Ｒｕ ａｔ％ Ｒｅ５０４０３０２０１００ｃ、 Ｒｅ ａｔ％ 氾９図 Ｃ０ ０ｓ Ｇｔ％ Ｓ Ｏｓ＋Ｃｒ Ｏｓ ａ↑％ Ｒｕ＋Ｒｅ＋ｏ５５０４０３０２０１００ＣｒＲｕ＋Ｒ
ｅ＋Ｏｓ ａｔ％
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 コバルトを主体くした六方最密構造を有する合金薄膜に
おいて、その合金組成が ＣＯ８−ｖ（ＲｕｗＣ０８−ｖ（Ｒｕ、−（ｗ＋Ｘ＋Ｙ
））ｖＶ＝０．１０〜０．２５ ｗ 十Ｘ＋Ｙ＝０．２０〜０．９０ （原子比
）の範囲にあり、かつ、該薄膜において、その結晶軸の
主軸であるＣ軸が基板に対し垂直方向に配向されている
ことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222119A JPS59112426A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222119A JPS59112426A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112426A true JPS59112426A (ja) | 1984-06-28 |
| JPH0130220B2 JPH0130220B2 (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=16777450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222119A Granted JPS59112426A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112426A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009199717A (ja) * | 2009-04-24 | 2009-09-03 | Canon Anelva Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518097A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-07 | Xerox Corp | Magnetic recording medium and method of manufacturing same |
-
1982
- 1982-12-20 JP JP57222119A patent/JPS59112426A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518097A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-07 | Xerox Corp | Magnetic recording medium and method of manufacturing same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009199717A (ja) * | 2009-04-24 | 2009-09-03 | Canon Anelva Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4577730B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0130220B2 (ja) | 1989-06-16 |
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