JP2012167256A5

JP2012167256A5 -

Info

Publication number: JP2012167256A5
Application number: JP2012009112A
Authority: JP
Filing date: 2012-01-19
Publication date: 2012-12-13
Anticipated expiration: 2032-01-19

Description

比較例１においても、良好なプリプレグ含浸性を得た。
しかしながら、比較例１では、ＣＴＥおよびパッケージ反りにおいて良好な結果が得られなかった。これは、充填材の含有量が低いために樹脂組成物の樹脂成分のみがストランド内に入り込むことで、シリカ粒子がストランド中に入ることが抑制されてしまうためであると思われる。これにより、充填材を高充填化することができず、プリプレグのＣＴＥが高くなり、パッケージ反りが発生したものと考えられる。
また、比較例６では、良好な結果が得られなかった。これは、かさ密度が低いことにより十分な量の樹脂組成物を含浸させることができないために、樹脂組成物中に含まれるシリカ粒子についてもストランド中に入ることが抑制されてしまうことに起因すると思われる。また、繊維織布のかさ密度が小さいため厚い繊維基材となることから、プリプレグの表層の樹脂層の厚さが薄くなる。このため、成形性、吸湿半田耐熱性に劣り、ＣＴＥは良好なもののＰＫＧ反りが生じたものと考えられる。

Claims

ストランドにより構成される繊維織布に樹脂組成物を含浸させてなるプリプレグであって、前記ストランド中にはシリカ粒子が存在し、
前記繊維織布のかさ密度は、１．０５〜１．３０ｇ／ｃｍ ^３であるプリプレグ。
請求項１に記載のプリプレグにおいて、
前記樹脂組成物は、少なくとも熱硬化性樹脂および充填材を含み、
前記充填材は、前記樹脂組成物の固形分に対し５０〜８５質量％の割合で含有されるプリプレグ。
請求項２に記載のプリプレグにおいて、
前記充填材は、前記シリカ粒子を前記充填剤に対し１〜２０質量％の割合で含有するプリプレグ。
請求項１に記載のプリプレグにおいて、
前記ストランド中には、前記ストランドを構成する繊維が延伸する方向において５０μｍ以上の長さを有する空隙が存在しないプリプレグ。
請求項１に記載のプリプレグにおいて、
前記ストランド中における、直径が５０μｍ以上である空隙の数密度は、５０ｃｍ^−１以下であるプリプレグ。
請求項１に記載のプリプレグにおいて、
前記ストランド中に存在する前記シリカ粒子の平均粒径は、５〜１００ｎｍであるプリプレグ。
請求項１に記載のプリプレグにおいて、
全体厚みが３０〜２２０μｍであるプリプレグ。
請求項１に記載のプリプレグにおいて、
前記ストランドは、少なくともＳｉＯ_２を５０〜１００質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜３０質量％、ＣａＯを０〜３０質量％の割合で含有するガラス繊維により構成されるプリプレグ。
請求項８に記載のプリプレグにおいて、
前記ガラス繊維は、Ｔガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｅガラス、ＮＥガラス、石英ガラスよりなる群から選ばれる少なくとも一種類のガラスを用いてなるプリプレグ。
請求項８に記載のプリプレグにおいて、
前記ガラス繊維は、板状にした際のヤング率が５０〜１００ＧＰａ、板状にした際の引張強度が２５ＧＰａ以上、繊維織布にした際の長手方向の引張強度が３０Ｎ／２５ｍｍ以上であるプリプレグ。
請求項８に記載のプリプレグにおいて、
前記繊維織布の通気度は、１〜８０ｃｃ／ｃｍ^２／ｓｅｃであるプリプレグ。
請求項１に記載のプリプレグにおいて、
前記シリカ粒子は、官能基含有シラン類またはアルキルシラザン類により表面処理が施されているプリプレグ。
請求項１に記載のプリプレグを硬化して得られる積層板。
請求項１３に記載の積層板において、
前記プリプレグの少なくとも一方の外側の面に導体層が設置されている積層板。
請求項１に記載のプリプレグ、もしくは請求項１３に記載の積層板を内層回路基板に用いてなるプリント配線板。
請求項１５に記載のプリント配線板において、
請求項１に記載のプリプレグが、前記内層回路基板上に絶縁層として設けられているプリント配線板。
請求項１５に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。