JP2012143859A - 研磨液組成物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一次粒子の平均粒子径が1〜100nmのコロイダルシリカを含有するシリカ粒子分散液をろ過フィルターでろ過処理することを含む研磨液組成物の製造方法であって、前記ろ過フィルターは、分子内に9〜200のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理された珪藻土を含む、研磨液組成物の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明の研磨液組成物の製造方法(以下「本発明の製造方法」ともいう。)は、一次粒子の平均粒子径が1〜100nmのコロイダルシリカを含有するシリカ粒子分散液(以下「被処理シリカ粒子分散液」ともいう。)を、分子内に9〜200のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理された珪藻土を含むろ過フィルター(以下「珪藻土含有フィルター」ともいう。)でろ過処理すること(以下「ろ過処理(1)」ともいう。)を含む。
本明細書において「ろ過処理(1)」とは、本発明の製造方法における前記被処理シリカ粒子分散液を前記珪藻土含有フィルターでろ過することを含むろ過処理をいう。本明細書において「珪藻土含有フィルター」とは、分子内に9〜200のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理をされた珪藻土を含むろ過フィルターをいう。すなわち、前記珪藻土含有フィルターは、前記カチオン化処理を施された珪藻土をろ過助剤として含むろ過フィルターである。前記珪藻土含有フィルターの一実施形態として、前記カチオン化処理をされた珪藻土を用いて作製されたろ過フィルターが挙げられる。また、前記珪藻土含有フィルターのその他の実施形態として、珪藻土を含むろ過フィルターに前記多価アミン化合物を通液させることにより前記カチオン化処理をしたろ過フィルターが挙げられる。
本明細書において「カチオン化処理」とは、分子内に9〜200のカチオン性基を有する多価アミン化合物と珪藻土とを接触し、珪藻土表面に該多価アミン化合物を吸着させて前記珪藻土をカチオン化することを含む処理をいう。前記カチオン化処理によりカチオン化された珪藻土が、前記珪藻土含有フィルターにおけるろ過助剤となる。前記カチオン化処理の一実施形態として、珪藻土をろ過フィルター内に配置する前及び/又はその後に、前記珪藻土と前記多価アミン化合物とを接触させて、前記珪藻土をカチオン化することを含む。なお、本明細書において「カチオン化」とは、前記多価アミン化合物が珪藻土表面に吸着し、元の珪藻土表面の電位より高い値になることを意味しており、必ずしも、正電荷を持つこと(ゼータ電位が正の値を示すこと)を意味するものではない。珪藻土のカチオン化は、処理された珪藻土のゼータ電位を測定することにより確認することができる。
前記カチオン化処理の処理対象である珪藻土は、海洋産、淡水産の珪藻由来のものが挙げられるが、スクラッチ及びパーティクル低減の観点から海洋産の珪藻土が好ましい。また珪藻土の形状も円盤状、舟形、紡錘形、棒状などさまざまのものが挙げられる。スクラッチ及びパーティクル低減の観点からは、前記珪藻土を粉砕し、必要に応じて分級し、650〜1350℃の範囲で焼成したものが好ましい。また、生産性(ろ過通液速度)向上の観点から、焼成の際、食塩などのアルカリ金属及びアルカリ土類金属の塩化物、又は硼砂、硝酸ナトリウム、アルカリその他の熔融剤を5重量%程度添加して得られた珪藻土を使用してもよい。
前記カチオン化処理で前記珪藻土を処理するのに用いる多価アミン化合物は、分子内に9〜200のカチオン性基を有する多価アミン化合物である。
M=K(1000w2)/Δθw1
ここで、w1は用いた溶媒の質量、w2は溶解したポリアルキレンイミンの質量、Kは溶媒のモル沸点上昇定数である。水の場合K=0.515であり、その他の溶媒を用いる場合は、例えば、化学便覧 基礎編II 改訂4版 (編者:社団法人日本化学会、丸善(株)発行、1993年)が参照される。
前記ろ過処理(1)で使用される珪藻土含有フィルターは、前記カチオン化処理をされた珪藻土(以下「カチオン化処理済珪藻土」ともいう。)をフィルター表面及び/又はフィルター内部に含有するものであれば特に制限されない。スクラッチ及びパーティクル低減の観点から、フィルター目開きが前記カチオン化処理済珪藻土の平均粒径の1/10以下であることが好ましく、1/20以下がより好ましく、1/30以下がさらに好ましい。前記ろ過処理(1)では、前記珪藻土のプレコートにさらにボディーフィードを組み合わせて用いてもよい。
前記ろ過処理(1)において前記珪藻土含有フィルターでろ過処理する対象である被処理シリカ粒子分散液は、一次粒子の平均粒子径が1〜100nmのコロイダルシリカを含有するシリカ粒子分散液である。
前記ろ過処理(1)における前記珪藻土含有フィルターによる前記被処理シリカ粒子分散液のろ過の条件は、特に限定されないが、ろ過精度向上と生産性向上の両立の観点から、ろ過時の差圧は、0.01〜10MPaが好ましく、0.05〜1MPaがより好ましく、0.05〜0.5MPaがさらに好ましく、0.05〜0.2MPaがさらに好ましい。前記珪藻土含有フィルターの段数は、ろ過精度向上と生産性向上の両立の観点から、1〜5段が好ましく、1〜3段がより好ましく、1〜2段がさらに好ましい。ろ過速度は、ろ過精度向上と生産性向上の両立の観点から、0.1〜30L/(分・m2)が好ましく、0.5〜20L/(分・m2)がより好ましく、1〜10L/(分・m2)がさらに好ましく、1〜5L/(分・m2)がさらに好ましい。
本発明の製造方法は、好ましくは、前記ろ過処理(1)をされたシリカ粒子を使用して研磨液組成物を製造することを含む。本発明の製造方法で製造される、或いは製造されうる研磨液組成物(以下「本発明の研磨液組成物」ともいう。)は、一実施形態において、コロイダルシリカ及び水に加え、後述する酸若しくはその塩又はアルカリ、及び/又は酸化剤を含む形態が挙げられる。但し、本発明の研磨液組成物はこれらの組成に限定されず、他の成分を含んでもよい。
被研磨物を研磨する際の本発明の研磨液組成物中のコロイダルシリカの含有量は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上、さらに好ましくは3重量%以上、さらに好ましくは5重量%以上であり、また、経済的に表面品質を向上させる観点から、好ましくは20重量%以下、より好ましくは15重量%以下、さらに好ましくは13重量%以下、さらにより好ましくは10重量%以下、さらにより好ましくは7重量%以下である。従って、研磨速度を向上させ、且つ経済的に表面品質を向上させる観点からは、好ましくは0.5〜20重量%、より好ましくは1〜15重量%、さらに好ましくは3〜13重量%、さらにより好ましくは5〜10重量%、さらにより好ましくは5〜7重量%である。
本発明の研磨液組成物に使用される水としては、イオン交換水、蒸留水、超純水等が挙げられる。本発明の研磨液組成物中の水の含有量は、100重量%から研磨材及び他の成分を除いた残部に相当し、60〜99重量%が好ましく、80〜97重量%がより好ましい。
本発明の研磨液組成物のpHは、研磨対象によって適宜調節すればよいが、研磨に使用する場合、pHは0.1〜7.0で使用することが好ましい。アルカリ性においては、酸性に比べてスクラッチが発生しやすい傾向にある。その発生機構は明らかではないが、研磨粒子同士が表面電荷によって強く反発し合うアルカリ性雰囲気下では、研磨液組成物中に含有される研磨一次粒子の凝集物あるいは粗大研磨一次粒子が研磨部において密な充填ができずに、研磨圧力下で局部荷重を受けやすくなるためと推定される。pHは、被研磨物の種類や要求特性に応じて決定することが好ましく、被研磨物の材質が金属材料では、研磨速度を向上させる観点から、pHは、好ましくは6.0以下、より好ましくは5.0以下、さらに好ましくは4.0以下、さらにより好ましくは3.0以下、さらにより好ましくは2.0以下である。また、人体への影響を低減する観点及び研磨装置の腐食を防止する観点から、好ましくは0.5以上、より好ましくは1.0以上、さらに好ましくは1.2以上である。特に、ニッケル−リン(Ni-P)メッキされたアルミニウム合金基板のように被研磨物の材質が金属材料の精密部品用基板においては、研磨速度を向上させる観点、人体への影響を低減する観点及び研磨装置の腐食を防止する観点から、pHは、0.5〜6.0が好ましく、より好ましくは1.0〜5、さらに好ましくは1.2〜4.0、さらにより好ましくは1.2〜3.0、さらにより好ましくは1.2〜2.0である。
本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、酸若しくはその塩、又はアルカリを含んでもよい。前記酸及びその塩としては、具体的には、硝酸、硫酸、亜硝酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸又はそれらの塩、2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン−1,1−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1−ジホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1,2−ジカルボキシ−1,2−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2−ホスホノブタン−1,2−ジカルボン酸、1−ホスホノブタン−2,3,4−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸又はそれらの塩、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸又はそれらの塩、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸又はそれらの塩などが挙げられる。中でもスクラッチを低減する観点から、本発明の研磨液組成物は、無機酸又は有機ホスホン酸及びそれらの塩を含むことが好ましい。
本発明の研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。本発明の研磨液組成物に使用できる酸化剤としては、研磨速度を向上させる観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。
また、前記研磨液組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。例えば、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。
本発明の製造方法にて得られた研磨液組成物は、例えば、不織布の有機高分子系研磨布等(研磨パッド)と被研磨基板との間に供給され、即ち、研磨液組成物が研磨パッドを貼り付けた研磨盤で挟み込まれた基板研磨面に供給され、所定の圧力の下で研磨盤及び/又は基板を動かすことにより、基板に接触しながら研磨する工程に用いられる。この研磨によりスクラッチ及びパーティクルの発生を顕著に抑えることができる。したがって、本発明は、さらにその他の態様において、基板の研磨方法であって、本発明の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び/又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含む基板の研磨方法に関する。
本発明の研磨液組成物は、特に精密部品用基板の製造に好適である。例えば磁気ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板、光ディスク、フォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラー、光学プリズム、半導体基板などの精密部品基板の研磨に適している。半導体基板の製造においては、シリコンウエハ(ベアウエハ)のポリッシング工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込みキャパシタ形成工程等において本発明の製造方法にて得られた研磨液組成物を用いることができる。
被処理シリカ分散液として、表1のコロイダルシリカ分散液A〜Cを用いた。コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径、ΔCV値、粗大粒子量、0.45μmフィルター通液量は、以下のように測定した。
まず、コロイダルシリカ分散液を固形分で1.5g分を200mLビーカーに採取し、イオン交換水100mLを加えてスターラーで混合する。次に、電位差滴定装置を用いて、0.1mol/Lの塩酸標準溶液で試料溶液のpHを3.0に調整する。塩化ナトリウム30.0gを加えスターラーで溶解して、ビーカーの150mLの標線までイオン交換水を加えスターラーで混合する。恒温水槽(20±2℃)に約30分間浸漬する。電位差滴定装置を用いて、0.1mol/Lの水酸化ナトリウム標準溶液で滴定をおこない、pHが4.0から9.0まで変化するときに要した標準溶液の量(g)(A)を読み取る。同時に空試験をおこない、空試験の滴定に要した水酸化ナトリウム標準溶液の量(g)(B)を読み取る。そして、下記計算式により平均粒子径(nm)を算出する。
平均粒子径(nm)=3100÷26.5×(A−B)÷試料採取量(g)
測定試料は、ろ過助剤を含むフィルターでろ過処理する前(又は後)のコロイダルシリカ分散液を、硫酸(和光純薬工業社製 特級)、HEDP(1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、サーモスジャパン製)、過酸化水素水(旭電化製 濃度:35重量%)をイオン交換水で希釈した水溶液に添加し、これらを混合した後に1.20μmフィルター(ザルトリウス社製 Minisart 17593)でろ過して調製した。コロイダルシリカ、硫酸、HEDP、過酸化水素の含有量は、それぞれ、5重量%、0.4重量%、0.1重量%、0.4重量%とした。得られた測定試料20mLを専用の21φ円筒セルに入れて、大塚電子社製動的光散乱装置DLS−6500にセットした。同装置に添付された説明書に従い、200回積算した際の検出角90度におけるCumulant法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の50%となる粒径を求めた。また、検出角90度におけるコロイダルシリカのCV値(CV90)を、上記測定法に従って測定した散乱強度分布における標準偏差を前記粒径で除して100をかけた値として算出した。前記CV90の測定法と同様に、検出角30度におけるコロイダルシリカのCV値(CV30)を測定し、CV30からCV90を引いた値を求め、シリカ粒子のΔCV値とした。ΔCV値が小さいほど澱の量が少ないと考えられる。
検出角:90°
Sampling time : 4(μm)
Correlation Channel : 256(ch)
Correlation Method : TI
Sampling temperature : 26.0(℃)
検出角:30°
Sampling time : 10(μm)
Correlation Channel : 1024(ch)
Correlation Method : TI
Sampling temperature : 26.0(℃)
測定試料は、ろ過助剤を含むフィルターでろ過処理する前(又は後)のコロイダルシリカ分散液を6mLのシリンジで下記測定機器に注入し、粗大粒子量を測定した。
・測定機器:PSS社製「アキュサイザー780APS」
・インジェクション・ループ・ボリューム(Injection Loop Volume):1mL
・フローレート(Flow Rate):60mL/min
・データ・コレクション・タイム(Data Collection Time):60 sec
・チャンネル数(Number Channels):128
測定試料は、ろ過助剤を含むフィルターでろ過処理する前(又は後)のコロイダルシリカ分散液を所定のフィルター(アドバンテック社製 親水性PTFE0.45μmフィルター、型式:25HP045AN、)で、エアー圧力0.30MPaの一定圧力の下でフィルターに通液させ、フィルターが閉塞するまでの通液量を求めた。0.45μmフィルター通液量が大きいほど、粗大粒子数が少ないと考えられる。
下記及び表2に示すろ過助剤a〜eに対してカチオン化処理を施し或いは施さず用いてろ過助剤含有フィルターを作製し、下記の条件で前記被処理シリカ分散液をろ過処理した。ろ過助剤のレーザー平均粒径、BET比表面積、平均細孔径及び、0.15μm以下の積算細孔容積の測定は以下のように測定した。また、ろ過助剤含有フィルターの作製は以下のように行った。
a:ラジオライト No.300(珪藻土、昭和化学工業製)
b:ロカヘルプ 4109(パーライト、三井金属工業製)
c:ARBOCEL BE600/10TG(セルロース、東亞化成製)
d:Celpure P65(珪藻土、SIGMA-ALDRICH社製)
e:Celite500 fine(珪藻土、SIGMA-ALDRICH社製)
各ろ過助剤をレーザー回折/散乱式粒度分布計(商品名LA−920、堀場製作所製)で測定して得られた体積基準のメジアン径として得られた値をレーザー平均粒径とした。
精秤した約1gの各ろ過助剤をASAP2020(株式会社島津製作所社製、比表面積・細孔分布測定装置)にセットし、多点法でBET比表面積を測定し、BET定数Cが正になる範囲で値を導出した。なお、試料の前処理は、10℃/分で昇温し、60℃になった時点で60℃に保持して500μmHgまで脱気を行ない、さらに500μmHgに保持して10℃/分で昇温させ、100℃としその後2時間保持させて行った。
精秤した約0.2gの各ろ過助剤を5cc粉末用測定セルに入れ、Auto PoreIV-9500(島津製作所社製 水銀圧入法 細孔分布測定装置)にセットした。パソコンでアプリケーション(AutoPoreIV-9500 ver1.07)を立上げ、Sample Information(測定したろ過助剤の重量)、Analysis Condition(wを選択)、Penetrometer Property(セル重量)、Report condition(Standardを選択)に必要事項を入力し、下記条件で測定を行った。低圧部、高圧部の順に測定を行い、自動的にMedian Pore Diameter (Volume)(μm)と各Pore Size Diameter(μm)に対するLog Differencial Pore Volume(mL/g)の結果を得た。そして、Median Pore Diameter (Volume)をろ過助剤の平均細孔径(μm)とした。
測定セル:Micromeritics社製 5cc-Powder(08-0444)
測定方式:圧力制御方式(圧力テーブルモード)
Low Pressure equlibrium time 5secs、
High pressure equilibrium time 5secs
Hgに関するパラメータ:接触角:130°、表面張力:485 dynes/cm
Stem Volume Used:100%以下で約50%にサンプル量を調整
ろ過助剤の0.15μm以下の積算細孔容積は、窒素吸着法により測定した。具体的には、精秤した約1gの各ろ過助剤をASAP2020(株式会社島津製作所社製、比表面積・細孔分布測定装置)にセットし、窒素吸着等温線からBJH法のHalsey式により求めた0.15μm以下の細孔容積の総和を、0.15μm以下の積算細孔容積とした。なお試料の前処理は、10℃/分で昇温させ100℃で2時間保持させて行った。また、60℃の時点で500μmHgまで脱気を行なった。
イオン交換水200gに前記ろ過助剤a〜eを10g加え、マグネチックスターラーで撹拌・混合し、ろ過助剤の水分散液を得た。次に、90mmφの平板型SUS製ハウジング(住友3M社製INLET90−TL)にろ紙(No.5A:アドバンテック社製)をセットし、0.1MPa以下の圧力でろ過助剤の水分散液を加圧ろ過して濾紙上にろ過助剤の均一なケーク層を形成させた後、1〜2Lのイオン交換水で洗浄し、ろ過助剤ケーク層(プレコート層)を形成し、フィルターを作成した。
下記表3記載の多価カチオン化合物(多価アミン化合物)の1重量%(有効分換算)水溶液200gに前記ろ過助剤a〜eを10g加え、マグネチックスターラーで撹拌・混合し、ろ過助剤の水分散液を得た。次に、90mmφの平板型SUS製ハウジング(住友3M社製INLET90−TL)にろ紙(No.5A:アドバンテック社製)をセットし、0.1MPa以下の圧力でろ過助剤の水分散液を加圧ろ過して濾紙上にろ過助剤の均一なケーク層を形成させた後、1〜2Lのイオン交換水で洗浄し、カチオン化処理済ろ過助剤のケーク層(プレコート層)を形成し、フィルターを作成した。
前記ろ過助剤ケーク層及び前記カチオン化処理で得られたろ過助剤ケーク層をイオン交換水に分散し、2重量%のろ過助剤水分散液を調製した。2重量%ろ過助剤水分散液のpHを水酸化ナトリウム水溶液あるいは塩酸で10に調整し、ゼータ電位測定装置Zeta Probe(Colloidal Dynamics社製)を用いて測定した。前記ゼータ電位測定装置でゼータ電位を測定する際は、同一試料で、少なくとも3回測定を行い、それらの平均値をゼータ電位とした。
〔コロイダルシリカのろ過条件〕
作製した前記ろ過助剤含有フィルターを乾燥させずに洗浄水で濡れたままの状態で、0.1MPaの圧力で前記コロイダルシリカ分散液A〜CをpH10、1L/(分・m2)で加圧ろ過し、研磨液組成物に使用するためのろ過済みコロイダルシリカ分散液(実施例1〜8、比較例1〜5及び参考例1〜7)を得た。ただし、ろ過初期に流出するコロイダルシリカ分散液はフィルター中の水で希釈されるため、100mL分は廃棄した。これらのろ過済みコロイダルシリカ分散液(実施例1〜8、比較例1〜5及び参考例1〜7)の0.45μmフィルター通液量及びΔCV値を上述の条件で測定した。実施例1〜4、比較例1及び参考例1〜7の0.45μmフィルター通液量及びΔCV値の測定結果を下記表3に示す。また、実施例2、5〜8、比較例1〜5の0.45μmフィルター通液量の測定結果及びフィルター通液量の改善倍率(カチオン化処理ありの実施例/カチオン化処理なしの比較例)を下記表4に示す。
イオン交換水1733gに、硫酸を有効分で8g、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸を有効分で1g、過酸化水素を有効分で8g添加、混合した水溶液に、撹拌下、前記ろ過助剤を含有するフィルターでろ過したろ過済みコロイダルシリカ分散液を250g(有効分で100g)添加して、実施例1〜8、比較例1〜5及び参考例1〜7の研磨液組成物を調製した(pH1.3)。得られた研磨液組成物の各成分濃度は、硫酸0.4重量%、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸0.05重量%、過酸化水素を0.4重量%、コロイダルシリカ5.0重量%である。
上記のように調製した実施例1〜4、比較例1及び参考例1〜7の研磨液組成物を用いて被研磨基板の研磨を行い、研磨後の基板のスクラッチ数及びパーティクル数を評価した。実施例1〜4、比較例1及び参考例1〜7の評価結果を下記表3に示す。被研磨基板として、アルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨し、AFM−Raが5〜15Åとした、厚さ1.27mmの外径95mmφで内径25mmφのNi−Pメッキアルミニウム合金基板を用いた。研磨条件、スクラッチ及びパーティクルの測定方法は以下のとおりである。
・研磨試験機:スピードファム社製、両面9B研磨機
・研磨パッド:フジボウ社製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド
・上定盤回転数:32.5回転/分
・研磨液組成物供給量:100mL/分
・本研磨時間:4分
・本研磨荷重:7.8kPa
・投入した基板の枚数:10枚
研磨した基板をヒカリ社製Sub基板洗浄機にて以下の工程で洗浄し、評価用基板とした。
(1)US(超音波)浸漬洗浄 (950kHz)
(2)スクラブ洗浄 スポンジブラシ3段
(3)USシャワー洗浄 (950kHz)
(4)スピンリンス
(5)スピンドライ
・測定機器:KLA−Tencor社製Candela OSA6100
・評価:研磨試験を行って得られた評価用基板の中、無作為に4枚を選択し、各々の基板を10000rpmにてレーザーを照射してスクラッチを測定した。その4枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数(本)の合計を8で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。
・測定機器:KLA−Tencor社製Candela OSA6100
・評価:研磨試験を行って得られた評価用基板の中、無作為に4枚を選択し、その4枚の基板の各々両面にあるパーティクル数(個)の合計を8で除して、基板面当たりのパーティクル数を算出した。
Claims (9)
- 一次粒子の平均粒子径が1〜100nmのコロイダルシリカを含有するシリカ粒子分散液をろ過フィルターでろ過処理する工程を含む研磨液組成物の製造方法であって、
前記ろ過フィルターは、分子内に9〜200のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理された珪藻土を含む、研磨液組成物の製造方法。 - 前記多価アミン化合物が、ポリアルキレンイミンである、請求項1記載の研磨液組成物の製造方法。
- 前記多価アミン化合物の数平均分子量が、400〜9000である、請求項1又は2記載の研磨液組成物の製造方法。
- 前記珪藻土の水銀圧入法による平均細孔径が、0.1〜3.5μmである、請求項1から3いずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
- 前記珪藻土の窒素吸着法による0.15μm以下の積算細孔容積が、0.3mL/g以上である、請求項1から4いずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
- 前記珪藻土のBET比表面積が、4.0m2/g以上である、請求項1から5いずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
- 前記カチオン化処理された珪藻土を含むろ過フィルターを製造する工程を含む、請求項1から6いずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
- 請求項1から7いずれかに記載の製造方法により製造される研磨液組成物。
- 分子内に9〜200のカチオン性基を有する多価アミン化合物を用いてカチオン化処理された珪藻土を含む、ろ過フィルター。
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