JP6304841B2 - 研磨液組成物の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、研磨液組成物の製造方法、研磨液組成物、磁気ディスク基板の製造方法、及びシリカ分散液の製造方法に関する。

近年のメモリーハードディスクドライブには、高容量・小型化が求められ、記録密度を上げるために磁気ヘッドの浮上量を低下させて、単位記録面積を小さくすることが求められている。それに伴い、磁気ディスク用基板の製造工程においても研磨後に要求される表面品質は年々厳しくなってきている。即ち、ヘッドの低浮上化に応じて、表面粗さ、微小うねり、ロールオフ及び突起を低減する必要があり、単位記録面積の減少に応じて、許容される基板面当たりのスクラッチ数は少なく、その大きさと深さはますます小さくなってきている。

また、半導体分野においても、高集積化と高速化が進んでおり、特に高集積化では配線の微細化が要求されている。その結果、半導体基板の製造プロセスにおいては、フォトレジストに露光する際の焦点深度が浅くなり、より一層の表面平滑性が望まれている。

このような要求に対して、表面平滑性の向上を目的に、被研磨物の表面に生じる傷（スクラッチ）の低減を図るべく、遠心分離や多段ろ過を用いて粗大粒子数を低減した研磨液組成物及びその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１及び２）。また、シリカゾルを珪藻土フィルタに通過させる研磨用シリカゾルの製造方法が提案されている（例えば、特許文献３）。

特開２００６−０７５９７５号公報 特開２００６−１３６９９６号公報 特開２０１２−０８６３５７号公報

より高容量、高集積といった高密度化に対応するためには、基板表面のスクラッチをより低減する必要がある。スクラッチの原因の一つは、コロイダルシリカに含まれる粗大粒子凝集物やゲル化物である。市場に供給されている一般的なコロイダルシリカは、粗大粒子やゲル化物を含む。従来の粗大粒子やゲル化物の排除方法では、研磨材分散液原料を遠心分離や多段ろ過で処理する必要があるため、生産時間が長く、高コストとなる。

本開示は、一態様において、粗大粒子やゲル化物が低減され、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物の製造方法に関する。

本発明は、一態様において、コロイダルシリカを含有する被処理シリカ分散液を、ろ過助剤を含むフィルタでろ過処理する工程を有する研磨液組成物の製造方法（以下、「本開示にかかる研磨液組成物の製造方法」ともいう。）に関する。本開示にかかる研磨液組成物の製造方法において、ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値は、７０．０％以上である。また、コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径とろ過助剤のレーザ平均粒子径の比（コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径／ろ過助剤のレーザ平均粒子径）は、１．２０×１０^-3以上４．２０×１０^-3以下である。さらに、前記ろ過処理する工程は、０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下のろ過圧力、及び、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下のろ過流量でろ過をすることを含む。

本発明は、その他の態様において、本開示にかかる研磨液組成物の製造方法により製造される又はされうる研磨液組成物に関する。

本発明は、その他の態様において、本開示にかかる研磨液組成物の製造方法により研磨液組成物を製造すること、及び前記研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨することを含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。

本発明は、その他の態様において、コロイダルシリカを含有する被処理シリカ分散液を、ろ過助剤を含むフィルタでろ過処理する工程を含む、シリカ分散液の製造方法（以下、「本開示にかかるシリカ分散液の製造方法」ともいう。）に関する。本開示にかかるシリカ分散液の製造方法において、ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値は、７０．０％以上である。また、コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径とろ過助剤のレーザ平均粒子径の比（コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径／ろ過助剤のレーザ平均粒子径）は、１．２０×１０^-3以上４．２０×１０^-3以下である。さらに、前記ろ過処理する工程は、０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下のろ過圧力、及び、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下のろ過流量でろ過をすることを含む。

本開示によれば、粗大粒子やゲル化物が低減され、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物を製造できるという効果が奏されうる。

本開示は、コロイダルシリカのスラリーのろ過に使用するろ過助剤を特定の条件とすることでろ過助剤のパッキング性が向上し、コロイダルシリカスラリー中の粗大粒子やゲル化物のろ過による除去効率を向上させることができるという知見に基づく。すなわち、コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径に対して特定の関係の平均粒子径と、特定の粒度分布とを有するろ過助剤を用い、特定のろ加圧とろ過速度でろ過を行うことで、コロイダルシリカスラリー中の粗大粒子やゲル化物を効率よく除去できるという知見に基づく。

本開示における、粗大粒子やゲル化物に対する高い除去効果の作用機構は、全てが明らかではないが以下のように推定される。第一に、コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径と所定の関係を満足する大きさの平均粒子径を持ち、さらに特定の粒度分布を持つろ過助剤が造るろ過助剤層は適切な間隔を形成でき、大きさを基準に粗大粒子やゲル化物をろ別することができる。第二に、ろ過助剤と粗大粒子やゲル化物の相互作用（吸着）を阻害しないようにろ過圧力及び流速の上限を設定し、また、ろ過助剤層のパッキング性が悪くなりろ過助剤層の間隔が不均一にならないようにろ過圧力及び流速の下限を設定する。これにより、粗大粒子及びゲル化物の除去効率がいっそう向上されると考えられる。すなわち、コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径に対して所定の関係の平均粒子径と、特定の粒度分布とを有するろ過助剤を用い、所定のろ加圧とろ過速度でろ過を行うことで、コロイダルシリカスラリー中の粗大粒子やゲル化物を効率よく除去できると考えられる。但し、本開示はこれらの作用機構に限定して解釈されなくてもよい。

本開示において「粗大粒子」とは、一又は複数の実施形態において、粒子径が０．５μｍ以上の粗大なコロイダルシリカ粒子をいう。また、本開示において「ゲル化物」とは、一又は複数の実施形態において、０．０５〜０．５μｍのシリカ凝集体のことをいう。コ
ロイダルシリカ分散液中の粗大粒子及びゲル化物の数は、後述する「０．４５μｍフィルタ通液量」により評価できる。なお、本開示中、研磨液組成物中のコロイダルシリカ粒子とは、一次粒子のみならず、一次粒子が凝集した凝集粒子をも含むものとする。

本開示において「スクラッチ」とは、メモリーハードディスク基板又は半導体素子用基板において高密度化又は高集積化に重要となる物性であり、一又は複数の実施形態において、深さが１ｎｍ以上、１００ｎｍ未満、幅が５ｎｍ以上、５００ｎｍ未満、長さが１００μｍ以上の基板表面の微細な傷である。このスクラッチは、後述の実施例に記載の光学式全面欠陥検査機（ＯＳＡ６１００：ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ製）で検出することができ、スクラッチ本数として定量評価できる。さらに原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて深さと幅を計測することができる。

［ろ過助剤］
本開示にかかる研磨液組成物の製造方法に用いられるろ過助剤としては、一又は複数の実施形態において、二酸化ケイ素、カオリン、酸性白土、珪藻土、パーライト、ベントナイト、タルク等の不溶性の鉱物性物質が挙げられる。粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、前記ろ過助剤のうち、二酸化ケイ素、珪藻土、パーライトが好ましく、珪藻土、パーライトがより好ましく、珪藻土がさらに好ましい。

前記ろ過助剤は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点、並びに研磨液組成物の生産性向上の観点から、酸で前処理されていることが好ましい。酸による前処理とは、ろ過助剤を無機酸や有機酸等の酸水溶液に一定時間浸漬させる処理のことであり、一又は複数の実施形態において、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、ホスホン酸、シュウ酸、クエン酸による処理等が挙げられる。粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点、並びに研磨液組成物の生産性向上の観点から、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、ホスホン酸による処理がより好ましく、塩酸、硫酸、ホスホン酸による処理がさらに好ましい。

〔ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値〕
本開示において「ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値」とは、粒度分布の広がりを表す指標となる数値であって、ＣＶ値（％）＝標準偏差／平均粒径 の式で求められる値をいう。一又は複数の実施形態において、ＣＶ値は、ろ過助剤をレーザ回折／散乱式粒度分布計で測定して得られた算術標準偏差を体積基準のメジアン径として得られた値で割った値の割合（％）として求められ、本開示においては、検出角９０°におけるＭａｒｑｕａｒｄｔ法によって得られる散乱強度分布の測定により算出される値とした。具体的には実施例に記載の方法により求めることができる。

ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、７０．０％以上である。ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値は、同様の観点から、好ましくは７５．０％以上、より好ましくは８０．０％以上、さらに好ましくは８５．０％以上であり、入手容易性の観点から、１００％以下であり、好ましくは９９．０％以下である。

〔ろ過助剤のレーザ平均粒子径〕
本開示において、ろ過助剤の「レーザ平均粒子径」とは、レーザ式粒度分布測定装置により測定されるろ過助剤粒子の平均粒径であり、本開示においては、検出角９０°におけるＭａｒｑｕａｒｄｔ法によって得られる散乱強度分布の測定により算出される値とした。一又は複数の実施形態において、実施例に記載の方法により測定することができる。

〔シリカ平均粒径／ろ過助剤平均粒径の比〕
被処理シリカ分散液のコロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径とろ過助剤のレーザ平均粒子径の比（コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径／ろ過助剤のレーザ平均粒子径）（以下、「シリカ／ろ過助剤の平均粒径比」ともいう。）は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、１．２０×１０^-3以上４．２０×１０^-3以下である。シリカ／ろ過助剤の平均粒径比は、同様の観点から、好ましくは１．３５×１０^-3以上、より好ましくは１．４０×１０^-3以上、さらに好ましくは１．４２×１０^-3以上である。また、シリカ／ろ過助剤の平均粒径比は、同様の観点から、好ましくは３．８０×１０^-3以下、より好ましくは３．００×１０^-3以下、さらに好ましくは２．５０×１０^-3以下、さらにより好ましくは２．００×１０^-3以下、さらにより好ましくは１．５０×１０^-3以下である。

ろ過助剤のレーザ平均粒子径は、ろ過後のコロイダルシリカの使用目的により被処理シリカ分散液のコロイダルシリカ粒子の最適な粒径が異なる為、被処理シリカ分散液のコロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径とろ過助剤のレーザ平均粒子径の比の関係より決まるが、一般的に研磨用途で入手できるコロイダルシリカを想定すると、０．５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、更に粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上、さらにより好ましくは５μｍ以上であり、また、より好ましくは９０μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以下である。
なお、被処理シリカ分散液が、仕上げ研磨用である場合、ろ過助剤のレーザ平均粒子径は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは４．５μｍ以上、さらにより好ましくは８μｍ以上、さらにより好ましくは１０μｍ以上であり、同様の観点から、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、さらにより好ましくは２０μｍ以下、さらにより好ましくは１３μｍ以下である。
また、被処理シリカ分散液が、粗研磨用である場合、ろ過助剤のレーザ平均粒子径は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上、さらにより好ましくは２０μｍ以上、さらにより好ましくは３５μｍ以上であり、同様の観点から、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは９０μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以下、さらにより好ましくは７０μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下である。

［被処理シリカ分散液］
本開示において「被処理シリカ分散液」は、ろ過助剤含有フィルタによるろ過処理に供される前のシリカスラリー（シリカ分散液）をいう。被処理シリカ分散液は、一又は複数の実施形態において、コロイダルシリカと水とからなるもの、さらに他の成分を含むもの、又は、汎用コロイダルシリカのスラリーが挙げられる。被処理シリカ分散液は、その他の実施形態において、後述の研磨液組成物に配合され得る他の成分を混合して製造されたものが挙げられる。被処理シリカ分散液の状態としては、コロイダルシリカが分散した状態が好ましい。

本開示にかかる研磨液組成物の製造方法においては、被処理シリカ分散液を前記ろ過助剤を含むフィルタ（本開示において「ろ過助剤含有フィルタ」ともいう。）を用いたろ過に供することで、研磨液組成物を製造することができる。具体的には、コロイダルシリカ、水及び酸や酸化剤などの他の成分を混合して製造された被処理シリカ分散液を前記ろ過に供したり、或いは、コロイダルシリカ及び水を含有した被処理シリカ分散液を前記ろ過に供した後、得られたろ過物（シリカ分散液）に他の成分を混合したりすることで研磨液
組成物を製造することができる。研磨液組成物を製造するにあたり作業が容易である観点から、コロイダルシリカ及び水を含有した被処理シリカ分散液を前記ろ過に供した後、得られたろ過物（シリカ分散液）を他の成分と混合する研磨液組成物の製造方法が好ましい。

〔コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径〕
被処理シリカ分散液のコロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、使用目的によって異なるが、一般的には粗研磨用途では比較的大きな粒径のものが、また、仕上げ研磨には比較的小さな粒径のものが使用される。なお、本開示において、特に言及の無い場合、コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、滴定法によって求められた一次粒子の平均粒子径をいう。滴定法による一次粒子の平均粒子径の測定は、一又は複数の実施形態において、実施例に記載の方法で行うことができる。

被処理シリカ分散液のコロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、１．０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは５．０ｎｍ以上、さらに好ましくは１０．０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上である。コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、同様の観点から、１１０．０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００．０ｎｍ以下である。また、コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、同様の観点から、好ましくは１．０ｎｍ以上１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは５．０ｎｍ以上１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下である。

本開示にかかる製造方法で製造される研磨液組成物及び／又はシリカ分散液が、仕上げ研磨用である場合、被処理シリカ分散液のコロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、１．０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは３．０ｎｍ以上、さらに好ましくは５．０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１０．０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上である。コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、同様の観点から、１１０．０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは８０．０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２５．０ｎｍ以下である。また、コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、同様の観点から、好ましくは１．０ｎｍ以上１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは３．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下、さらに好ましくは５．０ｎｍ以上５０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下である。一又は複数の実施形態において、本開示における仕上げ研磨用の被処理シリカ分散液、研磨液組成物、又はシリカ分散液は、上述の範囲の一次粒子の平均粒子径のコロイダルシリカを含有するものをいう。

本開示にかかる製造方法で製造される研磨液組成物及び／又はシリカ分散液が、粗研磨用である場合、被処理シリカ分散液のコロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、１．０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは１０．０ｎｍ以上、さらに好ましくは５０．０ｎｍ以上である。コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、同様の観点から、１１０．０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００．０ｎｍ以下である。また、コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径は、同様の観点から、好ましくは１．０ｍ以上１１０ｎｍ以下、より好ましくは１０．０ｎｍ以上１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下である。一又は複数の実施形態において、本開示における粗研磨用の被処理シリカ分散液、研磨液組成物、又はシリカ分散液は、上述の範囲の一次粒子の平均粒子径のコロイダルシリカを含有するものをい
う。

本開示において使用されるコロイダルシリカは、例えば珪酸水溶液から生成させる製法によって得ることができる。また、これら研磨粒子を官能基で表面修飾あるいは表面改質したもの、界面活性剤や他の研磨材で複合粒子化したもの等も用いることができる。

前記被処理シリカ分散液中のコロイダルシリカの含有量は、スクラッチ及びパーティクルを低減する観点及び生産性を向上する観点から、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは２０質量％以上、さらにより好ましくは３０質量％以上であり、また、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、さらに好ましくは４３質量％以下、さらにより好ましくは４０質量％以下である。

前記被処理シリカ分散液のｐＨは、一又は複数の実施形態において、粗大粒子の発生抑制及びコロイダルシリカの安定性向上の観点から、好ましくは８．５以上、より好ましくは８．８以上、さらに好ましくは９．０以上であり、また、好ましくは１１以下、より好ましくは１０．８以下、さらに好ましくは１０．５以下である。前記被処理シリカ粒子分散液のｐＨは、公知のｐＨ調整剤によって調整することができる。好ましいｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドが挙げられる。

［ろ過助剤含有フィルタ］
本開示にかかる研磨液組成物／シリカ分散液の製造方法に用いられるろ過助剤含有フィルタは、前記ろ過助剤をフィルタ表面及び／又はフィルタ内部に含有するものであれば特に制限されない。本開示にかかる研磨液組成物／シリカ分散液の製造方法においては、プレコートにさらにボディーフィードを組み合わせて用いてもよい。フィルタ目開きは、ろ過助剤の漏れを防ぐ観点から、１５μｍ以下が好ましく、より好ましくは１２μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下、さらにより好ましくは８μｍ以下である。また、フィルタ通液速度向上の観点から、０．５μｍ以上が好ましく、さらに好ましくは１．０μｍ以上、さらにより好ましくは３．０μｍ以上、さらにより好ましくは５．０μｍ以上である。ここでプレコートとは、ケークろ過フィルタの形成方法であり、後述のフィルタ材料（濾材）の上に厚さ数mm程度のろ過助剤の薄い層を形成することである。例えば、水にろ過助剤粒子を分散させ、濾材でろ過助剤をこしとりろ過助剤層を形成する手法が挙げられる。又、ボディーフィードとは、ろ過の際にケークろ過される原液にろ過助剤を一定量投入しながらろ過処理する方法であり、目的は、原液のろ過性の改善である。粒径が細かくすぐにケーク抵抗が極大化する（ろ過ができなくなる）ような原液に対して有効である。

前記ろ過助剤含有フィルタにおけるろ過助剤の含有量（ｇ／ｃｍ²）は、スクラッチ低
減の観点から、好ましくは０．００１ｇ／ｃｍ²以上、より好ましく０．００５ｇ／ｃｍ²以上、さらに好ましくは０．０１ｇ／ｃｍ²以上、さらにより好ましくは０．０２ｇ／ｃ
ｍ²以上、さらにより好ましくは０．０４ｇ／ｃｍ²以上、さらにより好ましくは０．１ｇ／ｃｍ²以上である。また、ろ過速度向上の観点からは、好ましくは１ｇ／ｃｍ²以下、より好ましくは０．８ｇ／ｃｍ²以下、さらに好ましくは０．６ｇ／ｃｍ²以下、さらにより好ましくは０．４ｇ／ｃｍ²以下、さらにより好ましくは０．３ｇ／ｃｍ²以下、さらにより好ましくは０．２ｇ／ｃｍ²以下である。

前記ろ過助剤含有フィルタのフィルタ材料としては、ろ紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、セルロースアセテート、ナイロン、ポリカーボネート、テフロン（登録商標）などのプラスティック、セラミック、金属メッシュ等が挙げられるが、スクラッチ低減の観点から、ろ紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、セルロースアセテート、ナイロン、ポリカーボネート、テフロン（登録商標）
などのプラスティックが好ましく、ろ紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、セルロースアセテート、ナイロンがより好ましく、ろ紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがさらに好ましい。

前記ろ過助剤含有フィルタの形状は特に限定されないが、取り扱い易さ、スクラッチ低減の観点から、シート型、円筒型、円盤型、折込型が好ましく、シート型、円盤型、折込型がより好ましく、円盤型、折込型がさらに好ましい。

［ろ過処理工程］
本開示にかかる研磨液組成物／シリカ分散液の製造方法において、ろ過助剤含有フィルタでろ過処理する工程の条件は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、ろ過圧が０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下であり、ろ過流量が１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下である。本開示において「ろ過圧力」とは、ろ過助剤に掛かる単位面積当たりの圧力であって、一又は複数の実施形態において、レギュレーターで出力圧力を調整することにより調節できる。また、本開示において「ろ過流量」とは、単位面積当たりにろ過される時間あたりの重量であって、一又は複数の実施形態において、ろ過器出口である2次側の弁を調整することにより調節できる。

ろ過処理工程のろ過圧力は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、０．１６ＭＰａ以上、好ましくは０．１８ＭＰａ以上、より好ましくは０．２０ＭＰａ以上である。ろ過処理工程のろ過圧力は、同様の観点から、０．４９ＭＰａ以下、好ましくは０．４５ＭＰａ以下、より好ましくは０．４０ＭＰａ以下、さらに好ましくは０．３０ＭＰａ以下である。また、ろ過処理工程のろ過圧力は、同様の観点から、０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下であり、好ましくは０．１８ＭＰａ以上０．４５ＭＰａ以下、より好ましくは０．２０ＭＰａ以上０．４０ＭＰａ以下、さらに好ましくは０．２０ＭＰａ以上０．３０ＭＰａ以下である。

ろ過処理工程のろ過流量は、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上であり、好ましくは１２．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上、より好ましくは１４．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上である。ろ過処理工程のろ過流量は、同様の観点から、４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下であり、好ましくは３８．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下、より好ましくは３６．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下である。また、ろ過処理工程のろ過流量は、同様の観点から、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下であり、好ましくは１２．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上３８．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下、より好ましくは１４．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上３６．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下である。

ろ過助剤含有フィルタの段数は、ろ過精度向上と生産性向上の両立の観点から、１〜５段が好ましく、１〜３段がより好ましく、１〜２段がさらに好ましい。

本開示にかかる研磨液組成物／シリカ分散液の製造方法では、研磨液組成物の製造に従来から用いられているデプス型フィルタやプリーツ型フィルタをさらに組み合わせて使用することが、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から好ましい。

本開示にかかる研磨液組成物の製造方法は、一又は複数の実施形態において、粗大粒子及びゲル化物の低減、及び研磨後の基板表面スクラッチの低減の観点から、デプス型フィルタで被処理シリカ分散液をろ過した後、ろ過助剤含有フィルタでろ過処理することが好ましく、ろ過助剤含有フィルタでろ過した後、さらにプリーツ型フィルタでろ過すること
がより好ましい。デプス型フィルタで特に大きな粗大粒子を除去することで、ろ過助剤含有フィルタの優れた性能がさらに顕著に発揮され、効率的な粗大粒子及び澱の除去を可能にすると推定される。

本開示にかかる研磨液組成物／シリカ分散液の製造方法に用いられるデプス型のフィルタの具体例としては、バッグ式（住友スリーエム社等）の他、カートリッジ式（アドバンテック東洋社、日本ポール社、ＣＵＮＯ社、ダイワボウ社等）のフィルタが挙げられる。

デプス型フィルタとは、ろ過材の孔構造が入口側で粗く、出口側で細かく、且つ入口側から出口側へ向かうにつれて連続的に又は段階的に細かくなる特徴を持つ。即ち、粗大粒子の中でも大きな粒子は入口側付近で捕集され、小さな粒子は出口側付近で捕集されるため、効果的なろ過が可能である。デプス型フィルタの形状は、袋状のバッグタイプでもよく、また、中空円筒形状のカートリッジタイプでもよい。また、前記特徴を有するろ過材を単にヒダ状に成形加工したものは、デプス型フィルタの機能を有するためデプス型フィルタに分類される。デプス型フィルタは、１段で用いてもよく、多段で組み合わせて（例えば直列配置で）用いてもよいが、生産性向上の観点からは異なる径のフィルタを大きい順番に多段にすることが好ましい。また、バッグタイプとカートリッジタイプとを組み合わせて用いてもよい。

本開示にかかる研磨液組成物／シリカ分散液の製造方法に用いられるプリーツ型フィルタとしては、一般にろ過材をヒダ状（プリーツ状）に成形加工して、中空円筒形状のカートリッジタイプ式にしたもの（アドバンテック東洋社、日本ポール社、ＣＵＮＯ社、ダイワボウ社等）を用いることができる。プリーツ型フィルタは、厚み方向の各部分で捕集するデプス型フィルタと異なり、ろ過材の厚みが薄く、フィルタ表面での捕集が主体と言われており、一般的にろ過精度が高いことが特徴である。プリーツ型フィルタは、１段で用いてもよく、多段で組合せて（例えば直列配置で）用いてもよい。

ろ過処理工程全体では、デプス型フィルタろ過、ろ過助剤含有フィルタろ過、プリーツ型フィルタろ過の順に用いると、フィルタの寿命を全体として長くでき、本発明における研磨液組成物／シリカ分散液を経済的に生産できるため好ましい。

ろ過処理方法としては、繰り返しろ過する循環式でもよく、１パス方式でもよい。また、１パス方式を繰り返すバッチ式を用いてもよい。通液方法は、加圧するために、循環式では好ましくはポンプが用いられ、１パス方式ではポンプを用いる他に、タンクに空気圧等を導入することでフィルタ入口圧力の変動幅が小さい加圧ろ過法を用いることが出来る。

本開示にかかる研磨液組成物／シリカ分散液の製造方法において、前記デプス型フィルタやプリーツ型フィルタを用いる他、一般的な分散工程あるいは粒子除去工程を設けてもよい。例えば、高速分散装置や高圧ホモジナイザー等の高圧分散装置を用いた分散工程や、遠心分離装置等による粗大粒子の沈降工程も利用できる。これらを用いて処理する場合、それぞれ単独で処理しても２種以上を組み合わせて処理しても良く、組み合わせの処理順序についても何ら制限はない。また、その処理条件や処理回数についても、適宜選択して使用することができる。

［０．４５μｍフィルタ通液量］
本開示にかかる研磨液組成物／シリカ分散液の０．４５μｍフィルタ通液量は、粗大粒子やゲル化物が多い研磨液組成物／シリカ分散液を通液した時、目詰まりを起こし通液量が低下する。従って、研磨液組成物／シリカ分散液の０．４５μｍフィルタ通液量は、粗大粒子やゲル化物の存在量の尺度となる。なお、シリカ粒子の平均一次粒子径が大きい場
合も目詰まりを起こしやすく０．４５μｍフィルタ通液量は低下するので、シリカ粒子の平均一次粒子径が同程度の研磨液組成物／シリカ分散液の比較に適している。

本開示にかかる研磨液組成物／シリカ分散液の０．４５μｍフィルタ通液量は、仕上げ研磨用である場合、スクラッチの観点から、１００ｍＬ以上であることが好ましく、１２０ｍＬ以上がより好ましく、１４０ｍＬ以上がさらに好ましい。また、粗研磨用である場合、５ｍＬ以上であることが好ましく、７ｍＬ以上がより好ましく、１０ｍＬ以上がさらに好ましい。ここで、研磨液組成物の０．４５μｍフィルタ通液量とは、実施例に記載の方法により測定することができる。

［シリカ分散液の製造方法］
上述したろ過処理方法により、粗大粒子及びゲル化物が低減したシリカ分散液を得ることができる。したがって、本開示は、その他の態様において、コロイダルシリカを含有する被処理シリカ分散液をろ過助剤を含むフィルタでろ過処理する工程を含み、ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値が７０．０％以上であり、シリカ／ろ過助剤の平均粒径比が１．２０×１０^-3以上４．２０×１０^-3以下であり、ろ過圧力が０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下であり、ろ過流量が１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下であるシリカ分散液の製造方法に関する。該製造方法によりえられるシリカ分散液は、一又は複数の実施形態において、後述する本開示にかかる研磨液組成物の製造することができ、また、研磨後の基板表面スクラッチが低減された基板を製造することができる。

［研磨液組成物］
本開示は、その他の態様において、研磨液組成物の製造方法で製造される又はされ得る研磨液組成物（以下「本開示にかかる研磨液組成物」ともいう。）に関する。本開示にかかる研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、コロイダルシリカ及び水に加え、後述する酸若しくはその塩又はアルカリ、及び/又は酸化剤を含む形態が挙げられる。但
し、本開示にかかる研磨液組成物はこれらの組成に限定されず、他の成分を含んでもよい。本開示にかかる研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、本開示にかかるシリカ分散液の製造方法で得られたシリカ分散液に必要に応じてその他の成分を混合することで得られる研磨液組成物である。

〔コロイダルシリカの含有量〕
被研磨物を研磨する際の本開示にかかる研磨液組成物中のコロイダルシリカの含有量は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは４質量％以上、また、経済的に表面品質を向上させる観点から、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１３質量％以下、さらにより好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは８質量％以下である。

〔水〕
本開示にかかる研磨液組成物に使用される水としては、イオン交換水、蒸留水、超純水等が挙げられる。本開示にかかる研磨液組成物中の水の含有量は、１００質量％から研磨材及び他の成分を除いた残部に相当し、６０〜９９質量％が好ましく、８０〜９７質量％がより好ましい。

〔ｐＨ〕
本開示にかかる研磨液組成物のｐＨは、研磨対象によって適宜調節すればよいが、研磨に使用する場合、ｐＨは０．１以上７．０以下で使用することが好ましい。アルカリ性においては、酸性に比べてスクラッチが発生しやすい傾向にある。その発生機構は明らかではないが、研磨粒子同士が表面電荷によって強く反発し合うアルカリ性雰囲気下では、研
磨液組成物中に含有される研磨一次粒子の凝集物あるいは粗大研磨一次粒子が研磨部において密な充填ができずに、研磨圧力下で局部荷重を受けやすくなるためと推定される。ｐＨは、被研磨物の種類や要求特性に応じて決定することが好ましく、被研磨物の材質が金属材料では、研磨速度を向上させる観点から、ｐＨは、より好ましくは６．０以下、さらに好ましくは５．０以下、さらにより好ましくは４．０以下、さらにより好ましくは３．０以下、さらにより好ましくは２．０以下である。また、人体への影響を低減する観点及び研磨装置の腐食を防止する観点から、より好ましくは０．５以上、、さらに好ましくは０．７以上、さらにより好ましくは０．９以上、さらにより好ましくは１．０以上、さらにより好ましくは１．２以上である。特に、ニッケル−リン（Ｎｉ-Ｐ）メッキされたア
ルミニウム合金基板のように被研磨物の材質が金属材料の精密部品用基板においては、研磨速度を向上させる観点、人体への影響を低減する観点及び研磨装置の腐食を防止する観点から、ｐＨは、０．５以上６．０以下がより好ましく、さらに好ましくは０．７以上５．０以下、さらにより好ましくは０．９以上４．０以下、さらにより好ましくは１．０以上３．０以下、さらにより好ましくは１．２以上２．０以下である。

〔酸、アルカリ〕
本開示にかかる研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、酸若しくはその塩、又はアルカリを含んでもよい。前記酸及びその塩としては、具体的には、硝酸、硫酸、亜硝酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸又はそれらの塩、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸又はそれらの塩、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸又はそれらの塩、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸又はそれらの塩などが挙げられる。中でもスクラッチを低減する観点から、本開示にかかる研磨液組成物は、無機酸又は有機ホスホン酸及びそれらの塩を含むことが好ましい。

前記無機酸又はそれらの塩の中では、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸又はそれらの塩がより好ましく、前記有機ホスホン酸又はそれらの塩の中では、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）又はそれらの塩がより好ましく、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸がさらに好ましい。これらは単独で又は２種類以上を混合して用いてもよい。

前記酸の塩としては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニア、アルキルアミンとの塩が挙げられる。金属の具体的な例としては、周期律表（長周期型）の１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。スクラッチを低減する観点から、アンモニア又は１Ａ族に属する金属が好ましい。

本開示にかかる研磨液組成物中における前記酸及びその塩の含有量は、研磨速度向上及び研磨後の基板表面のスクラッチ低減の観点から、０．００１質量％以上５質量％以下が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上４質量％以下であり、さらに好ましくは０．０５質量％以上３質量％以下、さらにより好ましくは０．１質量％以上２．０質量％以下、さらにより好ましくは０．１質量％以上１．０質量％以下である。

〔酸化剤〕
本開示にかかる研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。本開示にかかる研磨液組成物に使用できる酸化剤としては、研磨速度を向上させる観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。

前記過酸化物としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム等が挙げられ、過マンガン酸又はその塩としては、過マンガン酸カリウム等が挙げられ、クロム酸又はその塩としては、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩等が挙げられ、ペルオキソ酸又はその塩としては、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸等が挙げられ、酸素酸又はその塩としては、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム等が挙げられ、金属塩類としては、塩化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩＩ）、クエン酸鉄（ＩＩＩ）、硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が挙げられる。

好ましい酸化剤としては、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が挙げられる。より好ましい酸化剤としては、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から過酸化水素が挙げられる。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。

前記研磨液組成物中における前記酸化剤の含有量は、研磨速度向上の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、基板の表面粗さ低減の観点から、好ましくは４質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。

〔その他の成分〕
また、前記研磨液組成物には、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、一又は複数の実施形態において、複素環芳香族化合物、アニオン性水溶性高分子、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物が挙げられる。また、さらにその他の成分として、一又は複数の実施形態において、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。

〔複素環芳香族化合物〕
被研磨物を研磨する際の研磨液組成物は複素環芳香族化合物を含有することが好ましい。本開示にかかる研磨液組成物に含有される複素環芳香族化合物は、研磨後の基板のスクラッチ及びパーティクルの低減の観点から、複素環内に窒素原子を２個以上含む複素環芳香族化合物であることが好ましく、複素環内に窒素原子を３個以上有することがより好ましく、３個以上９個以下がさらに好ましく、３個以上５個以下がさらにより好ましく、３又は４個がさらにより好ましい。

前記複素環芳香族化合物は、研磨後の基板のスクラッチ低減の観点から、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、１，２，３−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，５−トリアジン、１，３，５−トリアジン、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、３−アミノピラゾール、４−アミノピラゾール、３，５−ジメチルピラゾール、ピラゾール、２−アミノイミダゾール、４−アミノイミダゾール、５−アミノイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、イミダゾール
、ベンゾイミダゾール、１，２，３−トリアゾール、４−アミノ−１，２，３−トリアゾール、５−アミノ−１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、５−アミノー１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノテトラゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１Ｈ−トリルトリアゾール、２−アミノベンゾトリアゾール、３−アミノベンゾトリアゾール、又はこられのアルキル置換体若しくはアミン置換体が好ましく、１Ｈ−ベンゾトリアゾール、１Ｈ−トリルトリアゾールがより好ましく、１Ｈ−ベンゾトリアゾールがさらに好ましい。前記アルキル置換体のアルキル基としては例えば、炭素数１〜４の低級アルキル基が挙げられ、より具体的にはメチル基、エチル基が挙げられる。また、前記アミン置換体としては１−[Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメ
チル]ベンゾトリアゾール、１−[Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル]ト
リルトリアゾールが挙げられる。

研磨液組成物における複素環芳香族化合物の含有量は、研磨後の基板のスクラッチ及びパーティクルの低減の観点から、研磨液組成物全体の重量に対して０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上がさらに好ましく、０．０６質量％以上がさらにより好ましく、０．０７質量％以上がさらにより好ましく、０．０８質量％以上がさらにより好ましく、また、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下がさらに好ましく、１質量％以下がさらにより好ましく、０．５質量％以下がさらにより好ましく、０．３質量％以下がさらにより好ましい。なお、研磨液組成物中の複素環芳香族化合物は１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。

〔アニオン性水溶性高分子〕
被研磨物を研磨する際の研磨液組成物は、研磨後の基板のスクラッチ、パーティクル及び表面粗さの最大値（ＡＦＭ‐Ｒｍａｘ）の低減の観点から、アニオン性基を有する水溶性高分子（以下、アニオン性水溶性高分子ともいう）を含有することが好ましい。該高分子は、研磨時の摩擦振動を低減して研磨パッドの開孔部からのシリカ凝集体の脱落を防止し、研磨後の基板のスクラッチ及び表面粗さの最大値（ＡＦＭ‐Ｒｍａｘ）を低減するものと推定される。

アニオン性水溶性高分子のアニオン性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が挙げられるが、スクラッチ、パーティクル及び表面粗さの最大値（ＡＦＭ‐Ｒｍａｘ）の低減の観点から、カルボン酸基及び／又はスルホン酸基を有するものがより好ましく、スルホン酸基を有するものがさらに好ましい。なお、これらのアニオン性基は中和された塩の形態を取ってもよい。

カルボン酸基及び／又はスルホン酸基を有する水溶性高分子としては、カルボン酸基を有する単量体由来の構成単位及びスルホン酸基を有する単量体由来の構成単位からなる群から選択される少なくとも１種の構成単位を有する（共）重合体又はその塩が挙げられる。カルボン酸基を有する単量体としては、例えば、イタコン酸、（メタ）アクリル酸、マレイン酸等が挙げられる。スルホン酸基を有する単量体としては、例えば、イソプレンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。アニオン性水溶性高分子には、カルボン酸基を有する単量体由来の構成単位及びスルホン酸基を有する単量体由来の構成単位は、それぞれ、２種類以上含まれてもよい。

これらの中でも、アニオン性水溶性高分子として、一又は複数の実施形態において、（メタ）アクリル酸由来の構成単位とスルホン酸基含有単量体由来の構成単位とを含む共重
合体（以下、「（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体」ともいう。）が挙げられる。

前記（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体は、本発明の効果を奏する範囲内で、スルホン酸基含有単量体及び（メタ）アクリル酸単量体以外の単量体に由来する構成単位成分を含有していてもよい。

（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体又はその塩の各々を構成する全構成単位中に占めるスルホン酸基含有単量体由来の構成単位の含有率は、スクラッチ低減の観点から、３モル％以上であることが好ましく、より好ましくは５モル％以上、さらに好ましくは８モル％以上であり、また、９７モル％以下であることが好ましく、より好ましくは５０モル％以下、さらに好ましくは３０モル％以下である。なお、ここでスルホン酸基を含む（メタ）アクリル酸単量体は、スルホン酸基含有単量体として数える。

（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体が、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体の場合、（メタ）アクリル酸と２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸との重合モル比（（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸）は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びパーティクルの低減の観点から、９５／５〜４０／６０が好ましく、９５／５〜５０／５０がより好ましく、９５／５〜６０／４０がさらに好ましく、９５／５〜７０／３０がさらにより好ましく、９５／５〜７５／２５がさらにより好ましく、９５／５〜８０／２０がさらにより好ましく、９５／５〜８５／１５がさらにより好ましい。

好ましい（メタ）アクリル酸／スルホン酸共重合体としては、スクラッチ低減の観点から、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体、（メタ）アクリル酸／イソプレンスルホン酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体が好ましく、（メタ）アクリル酸／２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体がより好ましい。

アニオン性基を有する水溶性高分子の対イオンとしては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等のイオンが挙げられる。金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの金属の中でも、表面粗さ及びスクラッチ低減の観点から１Ａ、３Ｂ、又は８族に属する金属が好ましく、１Ａ族に属するナトリウム及びカリウムがより好ましい。アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。これらの塩の中では、アンモニウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩がより好ましい。

アニオン性水溶性高分子の重量平均分子量は、スクラッチ及びパーティクル低減及び生産性維持の観点から、５００以上１０万以下が好ましく、より好ましくは５００以上５万以下、さらに好ましくは５００以上２万以下、さらにより好ましくは１０００以上１万以下、さらにより好ましくは１０００以上８０００以下、さらにより好ましくは１０００以上５０００以下、さらにより好ましくは１０００以上４０００以下、さらにより好ましくは１０００以上３０００以下である。該重量平均分子量は、具体的には、実施例に記載の測定方法により測定される。

研磨液組成物における、アニオン性水溶性高分子の含有量は、スクラッチ及びパーティクル低減と生産性との両立の観点から、０．００１〜１質量％が好ましく、より好ましくは０．００５〜０．５質量％、さらに好ましくは０．０８〜０．２質量％、さらにより好
ましくは０．０１〜０．１質量％、さらにより好ましくは０．０１〜０．０７５質量％である。

〔脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物〕
被研磨物を研磨する際の研磨液組成物は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びパーティクルの低減の観点から、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物を含有することが好ましい。前記脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びパーティクルの低減の観点から、分子内の窒素原子数は２個以上であることが好ましい。また、前記脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物は、研磨速度の維持の観点から、分子内の窒素原子数は４個以下であることが好ましく、３個以下がより好ましく、２個以下がさらに好ましい。したがって、前記脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物は、研磨速度の維持、並びにスクラッチ及びパーティクルの低減の観点から、分子内の窒素原子数は２〜４個であることが好ましく、２〜３個がより好ましく、２個がさらに好ましい。

前記脂肪族アミン化合物としては、研磨後の基板表面のスクラッチ及びパーティクルの低減の観点から、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３−（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３−（メチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−アミノエチルイソプロパノールアミン、Ｎ−アミノエチル−Ｎ−メチルエタノールアミン、ジエチレントリアミン、及びトリエチレンテトラミンからなる群から選択されることが好ましく、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３−（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３−（メチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ−アミノエチル−Ｎ−メチルエタノールアミンからなる群から選択されることがより好ましく、さらにアミン臭低減、水への溶解性向上の観点から、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−アミノエチルイソプロパノールアミン、Ｎ−アミノエチル−Ｎ−メチルエタノールアミンからなる群から選択されることがさらに好ましく、Ｎ−アミノエチルエタノールアミンがさらにより好ましい。

前記脂環式アミン化合物としては、研磨後の基板表面のスクラッチ及びパーティクルの低減の観点から、ピペラジン、２−メチルピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン、１−アミノ−４−メチルピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン及びヒドロキシエチルピペラジンからなる群から選択されることが好ましく、ピペラジン、２−メチルピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン及びヒドロキシエチルピペラジンからなる群から選択されることがより好ましく、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン及びヒドロキシエチルピペラジンからなる群から選択されることがさらに好ましく、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン及びヒドロキシエチルピペラジンからなる群から選択されることがさらにより好ましい。

したがって、研磨液組成物に用いられる脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びパーティクルの低減、アミン臭低減、水への溶解性向上の観点から、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−アミノエチルイソプロパノールアミン、Ｎ−アミノエチル−Ｎ−メチルエタノールアミン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン及びヒドロキシエチルピペラジンからなる群から選択されることがさらにより好ましく、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）
ピペラジン及びヒドロキシエチルピペラジンからなる群から選択されることがさらにより好ましく、Ｎ−アミノエチルエタノールアミンがさらにより好ましい。

前記研磨液組成物における脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物の含有量は、研磨後の基板表面のスクラッチ及びパーティクルの低減の観点から、研磨液組成物全体の重量に対して０．００１〜１０質量％であることが好ましく、０．００５〜５質量％がより好ましく、０．００８〜２質量％がさらに好ましく、０．０１〜１質量％がさらにより好ましく、０．０１〜０．５質量％がさらにより好ましく、０．０１〜０．１質量％がさらにより好ましい。なお、研磨液組成物中の脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物は１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。

［研磨方法］
本開示にかかる研磨液組成物の製造方法にて得られた研磨液組成物は、例えば、不織布の有機高分子系研磨布等（研磨パッド）と被研磨基板との間に供給され、即ち、研磨液組成物が研磨パッドを貼り付けた研磨盤で挟み込まれた基板研磨面に供給され、所定の圧力の下で研磨盤及び／又は基板を動かすことにより、基板に接触しながら研磨工程に用いられる。この研磨によりスクラッチ及びパーティクルの発生を顕著に抑えることができる。したがって、本開示は、その他の態様において、基板の研磨方法であって、本開示にかかる研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして研磨することを含む基板の研磨方法に関する。

前記研磨液組成物は、特に精密部品用基板の製造に好適である。例えば磁気ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板、光ディスク、フォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラー、光学プリズム、半導体基板などの精密部品基板の研磨に適している。半導体基板の製造においては、シリコンウエハ（ベアウエハ）のポリッシング工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込みキャパシタ形成工程等において本開示にかかる研磨液組成物の製造方法にて得られた研磨液組成物を用いることができる。

本開示にかかる研磨液組成物は、ポリッシング工程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例えばラッピング工程等にも同様に適用することができる。

本開示にかかる研磨液組成物を用いる好適な被研磨物の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。これらの中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨物に好適である。例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板により適しており、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板がさらに適している。

被研磨物の形状には特に制限は無く、例えばディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状のものに本開示にかかる研磨液組成物は用いられる。中でも、ディスク状の被研磨物の研磨に優れている。

［基板の製造方法］
したがって、本開示は、その他の態様において、本開示にかかる研磨液組成物の製造方法研磨液組成物を製造すること及び前記研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し
、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨することを含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。

上述した実施形態に関し、本開示はさらに以下の組成物、製造方法、或いは用途を開示する。

＜１＞ コロイダルシリカを含有する被処理シリカ分散液を、ろ過助剤を含むフィルタでろ過処理する工程を有する研磨液組成物の製造方法であって、
ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値が７０．０％以上であり、
コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径とろ過助剤のレーザ平均粒子径の比（コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径／ろ過助剤のレーザ平均粒子径）が１．２０×１０^-3以上４．２０×１０^-3以下であり、
前記ろ過処理する工程が、０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下のろ過圧力、及び、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下のろ過流量でろ過をすることを含む、研磨液組成物の製造方法。

＜２＞ ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値が、好ましくは７５．０％以上、より好ましくは８０．０％以上、さらに好ましくは８５．０％以上であり、及び／又は、１００％以下であり、好ましくは９９．０％以下である、＜１＞記載の研磨液組成物の製造方法。
＜３＞ 前記「コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径／ろ過助剤のレーザ平均粒子径」が、好ましくは１．３５×１０^-3以上、より好ましくは１．４０×１０^-3以上、さらに好ましくは１．４２×１０^-3以上であり、及び／又は、好ましくは３．８０×１０^-3以下、より好ましくは３．００×１０^-3以下、さらに好ましくは２．５０×１０^-3以下、さらにより好ましくは２．００×１０^-3以下、さらにより好ましくは１．５０×１０^-3以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の研磨液組成物の製造方法。
＜４＞ ろ過助剤のレーザ平均粒子径が、好ましくは０．５μｍ以上１００μｍ以下であり、又は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上であり、又は、好ましくは９０μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜５＞ 製造される研磨液組成物が仕上げ研磨用である場合、ろ過助剤のレーザ平均粒子径が、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは４．５μｍ以上、さらにより好ましくは８μｍ以上、さらにより好ましくは１０μｍ以上であり、又は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、さらにより好ましくは２０μｍ以下、さらにより好ましくは１３μｍ以下である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜６＞ 製造される研磨液組成物が粗研磨用である場合、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上、さらにより好ましくは２０μｍ以上、さらにより好ましくは３５μｍ以上であり、又は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは９０μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以下、さらにより好ましくは７０μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜７＞ コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径が、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは５．０ｎｍ以上、さらに好ましくは１０．０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００．０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは１．０ｎｍ以上１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは５．０ｎｍ以上１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜８＞ 製造される研磨液組成物が仕上げ研磨用である場合、コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径が、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは３．０ｎｍ以上、さらに好ましくは５．０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１０．０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは８０．０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２５．０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは１．０ｎｍ以上１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは３．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下、さらに好ましくは５．０ｎｍ以上５０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜９＞ 製造される研磨液組成物が粗研磨用である場合、コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径が、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１０．０ｎｍ以上、さらに好ましくは５０．０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００．０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは１．０ｍ以上１１０ｎｍ以下、より好ましくは１０．０ｎｍ以上１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１０＞ 被処理シリカ分散液中のコロイダルシリカの含有量が、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは２０質量％以上、さらにより好ましくは３０質量％以上であり、及び／又は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、さらに好ましくは４３質量％以下、さらにより好ましくは４０質量％以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１１＞ 被処理シリカ分散液のｐＨが、好ましくは８．５以上、より好ましくは８．８以上、さらに好ましくは９．０以上であり、及び／又は、好ましくは１１以下、より好ましくは１０．８以下、さらに好ましくは１０．５以下である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１２＞ ろ過助剤を含むフィルタのフィルタ目開きが、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは１２μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下、さらにより好ましくは８μｍ以下であり、及び／又は、好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１．０μｍ以上、さらにより好ましくは３．０μｍ以上、さらにより好ましくは５．０μｍ以上である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１３＞ ろ過助剤を含むフィルタにおけるろ過助剤の含有量（ｇ／ｃｍ²）が、好ましくは０．００１ｇ／ｃｍ²以上、より好ましく０．００５ｇ／ｃｍ²以上、さらに好ましくは０．０１ｇ／ｃｍ²以上、さらにより好ましくは０．０２ｇ／ｃｍ²以上、さらにより好ましくは０．０４ｇ／ｃｍ²以上、さらにより好ましくは０．１ｇ／ｃｍ²以上であり、及び／又は、好ましくは１ｇ／ｃｍ²以下、より好ましくは０．８ｇ／ｃｍ²以下、さらに好ましくは０．６ｇ／ｃｍ²以下、さらにより好ましくは０．４ｇ／ｃｍ²以下、さらにより好ましくは０．３ｇ／ｃｍ²以下、さらにより好ましくは０．２ｇ／ｃｍ²以下である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１４＞ ろ過処理する工程のろ過圧力が、好ましくは０．１６ＭＰａ以上、より好ましくは０．１８ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．２０ＭＰａ以上であり、又は、好ましくは０．４９ＭＰａ以下、より好ましくは０．４５ＭＰａ以下、さらに好ましくは０．４０ＭＰａ以下、さらにより好ましくは０．３０ＭＰａ以下であり、又は、０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下であり、好ましくは０．１８ＭＰａ以上０．４５ＭＰａ以下、より好ましくは０．２０ＭＰａ以上０．４０ＭＰａ以下、さらに好ましくは０．２０ＭＰａ以上０．３０ＭＰａ以下である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１５＞ ろ過処理する工程のろ過流量が、好ましくは１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上であり、より好ましくは１２．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上、さらに好ましくは１４．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上であり、又は、好ましくは４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下であり、より好ましくは３８．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下、さらに好ましくは３６．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下であり、又は、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下であり、好ましくは１２．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上３８．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下、より好ましくは１４．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上３６．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１６＞ ろ過助剤が珪藻土である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１７＞ 酸と酸化剤と水を含む混合液に、前記ろ過処理を施したシリカ分散液を混合することを含む、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１８＞ 前記被処理シリカ分散液が、酸と、酸化剤を含む、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
＜１９＞ ＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の製造方法により製造される研磨液組成物。
＜２０＞ さらに、アニオン性基を有する水溶性高分子と、複素環芳香族化合物と、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物と、を含有する＜１９＞記載の研磨液組成物。
＜２１＞ ＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の製造方法により研磨液組成物を製造すること、及び、前記研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨することを含む、磁気ディスク基板の製造方法。
＜２２＞コロイダルシリカを含有する被処理シリカ分散液を、ろ過助剤を含むフィルタでろ過処理する工程を含み、
ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値が７０．０％以上であり、
コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径とろ過助剤のレーザ平均粒子径の比（コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径／ろ過助剤のレーザ平均粒子径）が１．２０×１０^-3以上４．２０×１０^-3以下であり、
前記ろ過処理する工程が、０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下のろ過圧力、及び、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下のろ過流量でろ過をすることを含む、シリカ分散液の製造方法。
＜２３＞ ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値が、好ましくは７５．０％以上、より好ましくは８０．０％以上、さらに好ましくは８５．０％以上であり、及び／又は、１００％以下であり、好ましくは９９．０％以下である、＜２２＞記載のシリカ分散液の製造方法。
＜２４＞ 前記「コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径／ろ過助剤のレーザ平均粒子径」が、好ましくは１．３５×１０^-3以上、より好ましくは１．４０×１０^-3以上、さらに好ましくは１．４２×１０^-3以上であり、及び／又は、好ましくは３．８０×１０^-3以下、より好ましくは３．００×１０^-3以下、さらに好ましくは２．５０×１０^-3以下、さらにより好ましくは２．００×１０^-3以下、さらにより好ましくは１．５０×１０^-3以下である、＜２２＞又は＜２３＞に記載のシリカ分散液の製造方法。
＜２５＞ ろ過助剤のレーザ平均粒子径が、好ましくは０．５μｍ以上１００μｍ以下であり、又は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上であり、又は、好ましくは９０μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下である、＜２２＞から＜２４＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜２６＞ 製造されるシリカ分散液が仕上げ研磨用である場合、ろ過助剤のレーザ平均粒子径が、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは４．５μｍ以上、さらにより好ましくは８μｍ以上、さらにより好ましくは１０μｍ以上であり、又は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、さらにより好ましくは２０μｍ以下、さらにより好ましくは１３μｍ以下である、＜２２＞から＜２５＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜２７＞ 製造されるシリカ分散液が粗研磨用である場合、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上、さらにより好ましくは２０μｍ以上、さらにより好ましくは３５μｍ以上であり、又は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは９０μｍ以下、さらに好ましくは８０μｍ以下、さらにより好ましくは７０μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下である、＜２２＞から＜２５＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜２８＞ コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径が、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは５．０ｎｍ以上、さらに好ましくは１０．０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００．０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは１．０ｎｍ以上１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは５．０ｎｍ以上１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下である、＜２２＞から＜２７＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜２９＞ 製造されるシリカ分散液が仕上げ研磨用である場合、コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径が、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは３．０ｎｍ以上、さらに好ましくは５．０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１０．０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは８０．０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２５．０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは１．０ｎｍ以上１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは３．０ｎｍ以上８０．０ｎｍ以下、さらに好ましくは５．０ｎｍ以上５０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２．０ｎｍ以上２５．０ｎｍ以下である、＜２２＞から＜２８＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜３０＞ 製造されるシリカ分散液が粗研磨用である場合、コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径が、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１０．０ｎｍ以上、さらに好ましくは５０．０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは１１０．０ｎｍ以下、より好ましくは１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００．０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは１．０ｍ以上１１０ｎｍ以下、より好ましくは１０．０ｎｍ以上１０５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは５０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下である、＜２２＞から＜２８＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜３１＞ 被処理シリカ分散液中のコロイダルシリカの含有量が、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは２０質量％以上、さらにより好ましくは３０質量％以上であり、及び／又は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、さらに好ましくは４３質量％以下、さらにより好ましくは４０質量％以下である、＜２２＞から＜３０＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜３２＞ 被処理シリカ分散液のｐＨが、好ましくは８．５以上、より好ましくは８．８以上、さらに好ましくは９．０以上であり、及び／又は、好ましくは１１以下、より好ましくは１０．８以下、さらに好ましくは１０．５以下である、＜２２＞から＜３１＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜３３＞ ろ過助剤を含むフィルタのフィルタ目開きが、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは１２μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下、さらにより好ましくは８μｍ以下であり、及び／又は、好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１．０μｍ以上、さらにより好ましくは３．０μｍ以上、さらにより好ましくは５．０μｍ以上である、＜２２＞から＜３２＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜３４＞ ろ過助剤を含むフィルタにおけるろ過助剤の含有量（ｇ／ｃｍ²）が、好ましくは０．００１ｇ／ｃｍ²以上、より好ましく０．００５ｇ／ｃｍ²以上、さらに好ましくは０．０１ｇ／ｃｍ²以上、さらにより好ましくは０．０２ｇ／ｃｍ²以上、さらにより好ましくは０．０４ｇ／ｃｍ²以上、さらにより好ましくは０．１ｇ／ｃｍ²以上であり、及び／又は、好ましくは１ｇ／ｃｍ²以下、より好ましくは０．８ｇ／ｃｍ²以下、さらに好ましくは０．６ｇ／ｃｍ²以下、さらにより好ましくは０．４ｇ／ｃｍ²以下、さらにより好ましくは０．３ｇ／ｃｍ²以下、さらにより好ましくは０．２ｇ／ｃｍ²以下である、＜２２＞から＜３３＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜３５＞ ろ過処理する工程のろ過圧力が、好ましくは０．１６ＭＰａ以上、より好ましくは０．１８ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．２０ＭＰａ以上であり、又は、好ましくは０．４９ＭＰａ以下、より好ましくは０．４５ＭＰａ以下、さらに好ましくは０．４０ＭＰａ以下、さらにより好ましくは０．３０ＭＰａ以下であり、又は、０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下であり、好ましくは０．１８ＭＰａ以上０．４５ＭＰａ以下、より好ましくは０．２０ＭＰａ以上０．４０ＭＰａ以下、さらに好ましくは０．２０ＭＰａ以上０．３０ＭＰａ以下である、＜２２＞から＜３４＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜３６＞ ろ過処理する工程のろ過流量が、好ましくは１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上であり、より好ましくは１２．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上、さらに好ましくは１４．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上であり、又は、好ましくは４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下であり、より好ましくは３８．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下、さらに好ましくは３６．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下であり、又は、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下であり、好ましくは１２．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上３８．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下、より好ましくは１４．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上３６．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下である、＜２２＞から＜３５＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜３７＞ ろ過助剤が珪藻土である、＜２２＞から＜３６＞のいずれかに記載のシリカ分散液の製造方法。
＜３８＞ ＜２２＞から＜３７＞のいずれかに記載の製造方法により製造されるシリカ分散液。

以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。

［被処理シリカ分散液］
被処理シリカ分散液として、コロイダルシリカスラリーａ（ｐＨ９．０、日揮触媒化成社製、一次粒子の平均粒径１８．０ｎｍ、シリカ粒子濃度４０質量％）、コロイダルシリカスラリーｂ（ｐＨ１０．０、日揮触媒化成社製、一次粒子の平均粒径５０．０ｎｍ、シリカ粒子濃度４０質量％）、及びコロイダルシリカスラリーｃ（ｐＨ１０．０、日揮触媒化成社製、一次粒子の平均粒径１００．０ｎｍ、シリカ粒子濃度４０質量％品）を用いた（表１）。被処理シリカ分散液及び研磨液組成物におけるコロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径、０．４５μｍフィルタ通液量は、以下のように測定した。

〔コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径の測定方法〕
まず、コロイダルシリカスラリーを固形分で１．５ｇ分を２００ｍＬビーカーに採取し、イオン交換水１００ｍＬを加えてスターラーで混合する。次に、電位差滴定装置を用いて、０．１ｍｏｌ／Ｌの塩酸標準溶液で試料溶液のｐＨを３．０に調整する。塩化ナトリウム３０．０ｇを加えスターラーで溶解して、ビーカーの１５０ｍＬの標線までイオン交換水を加えスターラーで混合する。恒温水槽（２０±２℃）に約３０分間浸漬する。電位差滴定装置を用いて、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム標準溶液で滴定をおこない、ｐＨが４．０から９．０まで変化するときに使用された水酸化ナトリウム標準溶液の量（ｇ）（Ａ）を読み取る。同時に空試験をおこない、空試験の滴定に要した水酸化ナトリウム標準溶液の量（ｇ）（Ｂ）を読み取る。そして、下記計算式により平均粒子径（ｎｍ）を算出する。
平均粒子径（ｎｍ）＝３１００÷２６．５×（Ａ−Ｂ）÷試料採取量（ｇ）

［ろ過助剤含有フィルタ］
下記ろ過助剤Ａ〜Ｇを用いてろ過含有フィルタＡ〜Ｇを作製した（下記表２）。ろ過助剤のレーザ平均粒子径、ＣＶ値については下記の方法で求めた。

〔ろ過助剤のレーザ平均粒子径の測定方法〕
各ろ過助剤をレーザ回折／散乱式粒度分布計（商品名ＬＡ−９２０、堀場製作所製）で測定して得られた体積基準のメジアン径として得られた値をレーザ平均粒子径とした。

〔ろ過助剤のＣＶ値の測定方法〕
各ろ過助剤をレーザ回折／散乱式粒度分布計（商品名ＬＡ−９２０、堀場製作所製）で測定して得られた算術標準偏差を体積基準のメジアン径として得られた値で割った値の割合をＣＶ値（％）とした。

〔ろ過助剤〕
Ａ：Ｃｅｌｐｕｒｅ３００（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製）
Ｂ：ＣｅｌｐｕｒｅＰ６５（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製）
Ｃ：ラジオライト Ｎｏ．２００（昭和化学工業社製）
Ｄ：ラジオライト Ｎｏ．３００（昭和化学工業社製）
Ｅ：ラジオライト Ｎｏ．８００（昭和化学工業社製）
Ｆ：ラジオライト Ｄｘ−５０Ｗ（昭和化学工業社製）
Ｇ：ラジオライト Ｎｏ．８００Ｓ（昭和化学工業社製）

〔酸処理〕
上記Ａ〜Ｇの各ろ過助剤５０ｇに１７．５％塩酸水溶液２００ｍＬに加え、撹拌・混合する。撹拌を止めて４８時間ほど静置した後、上澄みを除去する。イオン交換水を加えて
スターラーで５分間撹拌し、上澄みが透明になるまで静置した後、上澄み液を除去し、ろ過助剤を洗浄した。この操作を上澄みが中性（ｐＨ＝５〜８）になるまで繰り返した。最後にろ紙上にろ過して自然乾燥させ、酸処理したろ過助剤を得た。

〔ろ過助剤を含有するフィルタの作製〕
前記酸処理したろ過助剤１０ｇに１００ｍＬのイオン交換水を加え、撹拌・混合しろ過助剤分散水溶液を得た。次に、９０ｍｍφの平板型ＳＵＳ製ハウジング（住友３Ｍ社製ＩＮＬＥＴ９０−ＴＬ）にろ紙（Ｎｏ．５Ａ（目開き７μｍ）：アドバンテック社製）をセットし、０．１ＭＰａ以下の圧力でろ過助剤分散水溶液をろ過してろ紙上にろ過助剤の均一なケーク層を形成させた後、１〜２Ｌのイオン交換水で洗浄し、ろ過助剤を含有するフィルタＡ〜Ｇを得た。なお、ろ過助剤含有フィルタにおけるろ過助剤の含有量は、０．１８ｇ/ｃｍ²であった。

［ろ過処理］
〔被処理シリカ分散液のろ過条件：実施例１〜１０及び比較例１〜１２〕
作製した前記ろ過助剤含有フィルタＡ〜Ｇを乾燥させずに洗浄水で濡れたままの状態で、下記表３及び４の圧力及び流量の条件で、被処理シリカ分散液（コロイダルシリカスラリーａ〜ｃ）をろ過し、研磨液組成物に使用するためのコロイダルシリカ分散液ａ〜ｃを得た。なおｐＨは、コロイダルシリカ分散液ａが９．０、コロイダルシリカ分散液ｂが１０．０、コロイダルシリカ分散液ｃが１０．０であった。

〔０．４５μｍフィルタ通液量の測定方法〕
上記ろ過により得られたコロイダルシリカ分散液ａ〜ｃを所定のフィルタ（アドバンテック社製 親水性ＰＴＦＥ０．４５μｍフィルタ、型式：２５ＨＰ０４５ＡＮ、）で、エアー圧力０．２５ＭＰａの一定圧力の下でフィルタに通液させ、フィルタが閉塞するまでの通液量（ｍｌ）を求めた。なお、本条件による０．４５μｍフィルタ通液量は、該コロイダルシリカ分散液を研磨液組成物に使用した場合にスクラッチを低減することができることの指標とすることができる。すなわち、０．４５μｍフィルタ通液量が高いほど、スクラッチの低減が可能なコロイダルシリカ分散液又は研磨液組成物とすることができる。

［仕上げ研磨液組成物の調製方法］
イオン交換水に、１Ｈ−ベンゾトリアゾールＮａ塩を０．１質量％、Ｎ−アミノエチルエタノールアミンを０．０３質量％、アクリル酸／アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体ナトリウム塩（モル比９０／１０、重量平均分子量２０００、東亞合成社製）を０．０２質量％、硫酸を０．４質量％、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸を０．０５質量％、過酸化水素を０．４質量％添加、混合した水溶液の撹拌下に、前記ろ過助剤を含有するフィルタでろ過したろ過済みコロイダルシリカ分散液ａ〜ｃを５質量％になるように添加して、実施例１〜８及び比較例１〜８の研磨液組成物を調製した（ｐＨ１−２）。
［粗研磨液組成物の調製方法］
イオン交換水に、硫酸を１．０質量％、過酸化水素を１．０質量％添加、混合した水溶液の撹拌下に、前記ろ過助剤を含有するフィルタでろ過したろ過済みコロイダルシリカ分散液ｃを８質量％になるように添加して、実施例９−１０及び比較例９−１２の研磨液組成物を調製した（ｐＨ１−２）。

〔アニオン性高分子の重量平均分子量の測定方法〕
アニオン性高分子の重量平均分子量は、下記測定条件におけるゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した。
（ＧＰＣ条件）
カラム：ＴＳＫｇｅｌ Ｇ４０００ＰＷＸＬ＋ＴＳＫｇｅｌ Ｇ２５００ＰＷＸＬ（東ソ
ー製）
ガードカラム：ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ ＰＷＸＬ（東ソー製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ₃ＣＮ＝９／１（体積比）
温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料サイズ：５ｍｇ／ｍＬ
検出器：ＲＩ
換算標準：ポリアクリル酸Ｎａ（分子量（Ｍｐ）：１１．５万、２．８万、４１００、１２５０（創和科学及びAmerican Polymer Standards Corp.製））

［研磨液組成物を用いた基板の研磨］
上記のように調製した実施例１〜８及び比較例１〜８の研磨液組成物を用いて仕上げ研磨を行った。また、実施例９〜１０及び比較例９〜１２の研磨液組成物を用いて粗研磨を行った。それぞれの研磨後の基板のスクラッチ数を評価した。仕上げ研磨の評価結果を下記表３に示し、粗研磨の結果を下記表４に示す。被研磨基板として、仕上げ研磨では、アルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨し、ＡＦＭ−Ｒａが５〜１５Åとした、厚さ１．２７ｍｍの外径９５ｍｍφで内径２５ｍｍφのＮｉ−Ｐメッキアルミニウム合金基板を用いた。また、粗研磨では、ＡＦＭ-Ｒaが１００Ａの厚さ１．２７ｍｍの外径９５ｍｍφで内径２５ｍｍφのＮｉ−Ｐメッキアルミニウム合金基板を用いた。研磨条件、スクラッチの測定方法は以下のとおりである。

〔仕上げ研磨条件〕
・研磨試験機：スピードファム社製、両面９Ｂ研磨機
・研磨パッド：フジボウ社製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド
・上定盤回転数：３２．５ｒｐｍ／分
・研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分
・本研磨時間：４分
・本研磨荷重：７．８ｋＰａ
・投入した基板の枚数：１０枚
〔粗研磨条件〕
・研磨試験機：スピードファム社製、両面９Ｂ研磨機
・研磨パッド：フジボウ社製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド
・上定盤回転数：４５．０ｒｐｍ／分
・研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分
・本研磨時間：３０分
・本研磨荷重：７．８ｋＰａ
・投入した基板の枚数：１０枚

〔スクラッチの測定条件〕
・測定機器：ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ６１００
・評価：研磨を行った基板をイオン交換水中に５分間浸漬した後、イオン交換水で２０秒間すすぎを行った。その後、研磨試験機に投入した基板の中、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザを照射してスクラッチを測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。

前記表３は、コロイダルシリカａ及びｂを用いて仕上げ研磨を行った結果を示す。実施例１、５及び比較例１、２は、ろ過助剤のみが異なる場合（ろ過助剤Ａ〜Ｄ）の比較である。実施例１、２、５、６及び比較例３、４は、主に圧力が異なる場合の比較である。実施例１、３、４及び比較例５、６は、主に流量が異なる場合の比較である。実施例１、７、８及び比較例７，８は、シリカ径／助剤径の値が異なる場合の比較である。

前記表４は、コロイダルシリカｃを用いて粗研磨を行った結果を示す。

前記表３及び４に示すとおり、所定のＣＶ値、シリカ径／助剤径の値、ろ過圧力、及びろ過流量とすることにより、０．４５μｍフィルタ流量が向上したシリカスラリーを製造でき、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物を製造できた。

Claims (8)

1. コロイダルシリカを含有する被処理シリカ分散液を、ろ過助剤を含むフィルタでろ過処理する工程を有する研磨液組成物の製造方法であって、
   ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値が７０．０％以上であり、
   コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径とろ過助剤のレーザ平均粒子径の比（コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径／ろ過助剤のレーザ平均粒子径）が１．２０×１０^-3以上４．２０×１０^-3以下であり、
   前記ろ過処理する工程が、０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下のろ過圧力、及び、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下のろ過流量でろ過をすることを含む、研磨液組成物の製造方法。
2. コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径が、１．０ｎｍ以上１１０．０ｎｍ以下である、請求項１記載の研磨液組成物の製造方法。
3. ろ過助剤が珪藻土である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物の製造方法。
4. 酸と酸化剤と水を含む混合液に、前記ろ過処理を施したシリカ分散液を混合することを含む、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
5. 前記被処理シリカ分散液が、酸と、酸化剤を含む、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
6. 前記ろ過処理を施したシリカ分散液に、アニオン性基を有する水溶性高分子と、複素環芳香族化合物と、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物と、を混合することを含む請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の製造方法により研磨液組成物を製造すること、及び、
   前記研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして、前記研磨対象面を研磨することを含む、磁気ディスク基板の製造方法。
8. コロイダルシリカを含有する被処理シリカ分散液を、ろ過助剤を含むフィルタでろ過処理する工程を含み、
   ろ過助剤の粒径分布のＣＶ値が７０．０％以上であり、
   コロイダルシリカの滴定法によって求めた一次粒子の平均粒子径とろ過助剤のレーザ平均粒子径の比（コロイダルシリカの一次粒子の平均粒子径／ろ過助剤のレーザ平均粒子径）が１．２０×１０^-3以上４．２０×１０^-3以下であり、
   前記ろ過処理する工程が、０．１６ＭＰａ以上０．４９ＭＰａ以下のろ過圧力、及び、１０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以上４０．０ｋｇ／（分・ｍ²）以下のろ過流量でろ過をすることを含む、シリカ分散液の製造方法。