JP2012142351A - パワー半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リードフレーム51の一方の面に、パワー半導体素子1が直接電気接続され、これに対向するように、リードフレーム51の他方の面に、保護回路素子2が直接電気接続され、パワー半導体素子1を計測する温度センサ23、電流センサ32、電圧センサが、個々のパワー半導体素子に設置されている。電流センサ32は、パワー半導体素子1の電極に電気的に接続された電流端子3に設けられ、電流端子3はリードフレーム52に接続される。温度センサ23は、パワー半導体素子1と保護回路素子2と電流端子3とにより生じる空隙に配置される。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施の形態について、図1を参照して以下説明する。図1は、パワー半導体モジュールの模式的な構造図である。図1(a)は、ヒートシンク等の放熱構造を含めて全体の断面構造を示す側断面図である。図1(b)は、図1(a)のパワー半導体モジュールにおける、パワー半導体素子とリードフレームと電流端子と電極の関係を説明するための、上から見た図である。図1(b)は、パワー半導体素子とリードフレームと電流端子と電極の各配置を、図1(a)と対応させて図示したものである。
パワー半導体素子1により、電流の開閉が行われると、電流(太字の矢印)は、リードフレーム51、52を通して取り出される。その際、電流の流れと並列に設けられている、スナバコンデンサと抵抗により構成される保護回路部品2により、電流の開閉時に生じるサージ電圧が抑えられる。図2に示したように、保護回路部品2は、スナバコンデンサと抵抗により構成される。スナバコンデンサと抵抗からなる保護回路部品2を、リードフレーム51を挟んで、パワー半導体素子1と対向する位置に実装することにより、実装密度を高めた。またリードフレームの両面に、パワー半導体素子1と保護回路部品2が、ワイヤボンディングを使用しないで直接電気接続実装されることにより、配線が最小限になるため、浮遊インダクタンスが抑制される。さらに、温度センサにより、個々のパワー半導体素子1の温度が常時計測される。これにより、パワー半導体素子1の温度が異常に上がったときは、瞬時にパワー半導体モジュールの動作を停止させ、事故を未然に防ぐことができる。また電流端子に流れる電流を、電流センサにより常時計測できるので、電流の異常を瞬時に計測し、パワー半導体モジュールの動作を停止させ、事故を未然に防ぐことができる。また、電圧を、図2に図示したように、リードフレーム51とリードフレーム52に接続することにより、パワー半導体素子1の電圧を常時計測可能であり、電圧の異常を瞬時に計測して同様の制御をすることができる。
11 コレクタ電極
12 ゲート電極
13 ソース電極
2 保護回路部品
22 電極
23 温度センサ
24 温度センサ信号取り出し端子
25 電圧センサ信号取り出し端子
3 電流端子
31 電極
32 電流センサ
33 電流センサ信号取り出し端子
51、52 リードフレーム
71、72 セラミック基板
81、82 金属放熱板
91、92 ヒートシンク
Claims (7)
- 電流の開閉を行う複数のパワー半導体素子と、該パワー半導体素子を保護する保護回路素子と、リードフレームとを備えるパワー半導体モジュールであって、
前記リードフレームの一方の面に、パワー半導体素子が直接電気接続され、
前記保護回路素子は、前記リードフレームの他方の面に、前記パワー半導体素子と対向するように、直接電気接続され、
前記パワー半導体素子を計測する温度センサ、電流センサ、電圧センサのいずれか1つ以上のセンサが、個々のパワー半導体素子に設置されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 前記電流センサは、パワー半導体素子の電極に電気的に接続された電流端子に設けられ、該電流端子はリードフレームに接続されることを特徴とする請求項1記載のパワー半導体モジュール。
- 前記温度センサは、パワー半導体素子と保護回路素子と電流端子とにより生じる空隙に配置されることを特徴とする請求項1又は2項記載のパワー半導体モジュール。
- 前記温度センサ又は電圧センサは、前記保護回路素子と一体型部品であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のパワー半導体モジュール。
- 前記保護回路素子はスナバコンデンサと抵抗とを備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のパワー半導体モジュール。
- パワー半導体モジュールは、放熱機構を有し、前記パワー半導体素子及び前記電流端子は、セラミック基板に接し、前記放熱機構に熱的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のパワー半導体モジュール。
- 前記保護回路素子は、セラミック基板に接し、放熱機構に熱的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のパワー半導体モジュール。
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